DIODO SHOTTKY (Diodo de Barrera)

Estructura

METAL

SEMICONDUTOR

-Aluminio o Platino

-Semiconductor de Silicio con menos dopaje de lo

usual

Smbolo electrnico

ANODO

CATODOA

-Unidos mediante una unin fsica (por ejemplo, por difusin)

-Debido a que est formado por un solo semiconductor tipo N (electrones
mviles) la operacin del dispositivo es ms rpida ya que no se realizar la
recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo N y P. Lo que da como
consecuencia, cambios rpidos entre los estados de polarizacin directa e
inversa.
Caractersticas
-Cada de voltaje directa (VF) muy pequea, lo cual trae como consecuencia
una menor potencia en comparacin al diodo de silicio. Esto tiene como
ventaja una menor temperatura en el diodo
Diodo
Schottky

Id.
(I)

Diodo de
Silicio

-40
0.2

0.7

Vd.
(V)

Debido a que el voltaje ser

menor, se generar una menor
potencia y como consecuencia de
esto habr una menor
temperatura en el diodo. Por lo
que se puede decir que se
calentar menos en comparacin

- Es tambin usado en circuitos de alta frecuencia

Frecuencia Media

Alta Frecuencia

Observamos que en el proceso de rectificacin con altas frecuencias los

diodos de silicio no hacen un muy buen trabajo a diferencia del Schottky que
no presenta problema. En el diodo de silicio se consume mucho tiempo
hasta poder rectificar la seal completamente. Aqu se demuestra la alta
velocidad del diodo Schottky

Ventajas del Diodo Schottky

Bajo Vf
Rpidos cambios entre estados

Desventajas
-

La corriente inversa es muy alta en comparacin al del silicio (0.1 lo

cual es despreciable), esto nos aleja del diodo ideal que busca que
esta corriente sea cero.