Instituto Tecnolgico de Tijuana.

Departamento de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Ingeniera Electrnica.
Compuesto
Arseniuro de galio (GaAs)

Materia.

Clave.

Fsica de semiconductores.

4IE4.
Integrantes.

Nombres.

Nmero de control.

Trejo Ortiz Jos Osbaldo

11210265

Alejandra

11210269

Miguel

12210292

Maestro:

MC. Carlos Edgar Vzquez Lpez.

Tijuana, BC, a Mircoles 10/09/2014

GaAs

Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsnico. Es un

importante semiconductor, se usa para fabricar dispositivos como circuitos
integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisin
infrarroja, diodos lser y clulas fotovoltaicas.

2250
Resistividad intrnseca (W-cm) 1E8
Constante de red (A) 5.6533
Coeficiente lineal de trmica
expansin, DL / (L DT) (C-1)
6.86E-6

Los tomos / cm3

4.42E22
Peso atmico
144.63
Desglose campo (V / cm) ~ 4E5
Crystal estructura zincblenda

Densidad (g / cm3)
5.32
Constante dielctrica
13.1
Nc (cm-3)
4.7E17
Nv (cm-3)
7.0E18
A partir de masas, m * / m0
electrones
0.067
Holes
m * hh
0.08
m * lh
0.45
Afinidad electrnica, c (V)
4.07
Banda de energa (eV) a 300K
1,424

Punto de fusin (C) 1238

Curso de la vida (s) de portadores
minoritarios ~ 1E-8
Movilidad (deriva) (cm2 / V-s)
8500
400
La energa ptica-fonn (eV) 0.035
Phonon camino libre medio (A) 58
Calor especfico (J / g C) 0.35
Conductividad trmica (W / CMC)
0.46
Difusividad trmica (cm2 / s) 0.44
Presin de vapor (Pa) 100 a
1050C
1 a 900 C
Constantes elsticas (Mb = 1E12
dinas / cm2) a 300K
c11, c12, c44
1.1810, 0.5320,
0.5940

Conc portadora intrnseca. (cm-3)

1.79E6
Longitud de Debye intrnseca (um)
3