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MOSFET - MOS-FET

MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada
Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET
de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P.
Una delgada capa de material aislante formada de dixido de silicio (SiO2) (tambin llamada "slice" o
"slica") es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta
(GATE) (ver la figura)
En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)
En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)
En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que
circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET, la corriente de salida es controlada
por una tensin de entrada (un campo elctrico). En este caso no existe corriente de entrada.
Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a
que la capa de xido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensin o hay

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17/09/2012

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Principio de operacin de un MOSFET

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensin en la compuerta no hay
flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)

Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe aplicar en la
compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atrados a la
compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos.
El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones
entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o
es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.
En el caso del MOSFET de canal P, se da una situacin similar. Cuando se aplica una tensin negativa en
la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atrados
hacia la compuerta y pasan a travs del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y
fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensin aplicada a la
compuerta.
Debido a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la
compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensin aplicada a la
compuerta.
Nota: El sentido de la corriente mostrada en los diagramas el es convencional, no la del flujo de
electrones.

Manipulacin del MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect

Transistor)

MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada. El aislamiento entre
la compuerta y el canal es el dixido de silicio (SiO2). Ver el siguiente diagrama.

Esta capa aislante (rea gris) es tan delgada que se si produjera un campo elctrico fuerte, podra
destruirse, es por eso que la manipulacin del MOSFET es tan importante
Debido a la alta resistencia de la capa de dixido de silicio, la carga en el capacitor no se dispersa
rpidamente , sino que se acumula. Esta acumulacin de carga puede producir un campo elctrico
destructivo.

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El mayor peligro para un MOSFET son las cargas estticas durante la manipulacin del mismo en un da
seco. Tambin causan peligro los cautines para soldar, que por lo general no estn aislados de la lnea de
corriente alterna (C.A.).
Para evitar que el MOSFET se dae de manera accidental, algunos fabricantes incluyen un diodo zener
conectado entre la compuerta (G) y la fuente (S) con el nodo hacia la compuerta y el ctodo hacia la
fuente.
Este zener esta diseado para que conduzca a 50 voltios por lo que VGS
(tensin compuerta - fuente) siempre se mantendr por debajo o igual al valor
de esta tensin, y por ende por debajo del valor de tensin destructivo. Ver la
figura.
Otra manera de asegurarse de que el MOSFET no se dae es almacenarlo y
transportarlo con ayuda de esponjas conductoras, que cortocircuitan los
terminales del MOSFET y as no exista tensin entre ellos.
Si no fuese posible conocer si el MOSFET tiene la proteccin antes mencionada, la persona que
manipular el elemento debe de asegurarse que su cuerpo no est cargado de esttica. Existen unas
pulseras especiales conectadas a un punto de tierra, pensadas para mantener descargado el cuerpo del
usuario.

C-MOSFET (Complementary MOS FET)

Principio de operacin.
C-MOS FET es la abreviacin de Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
Complementary MOS FET MOSFET complementario.

Este circuito es la combinacin de un MOSFET de canal P y un MOSFET de canal N.

Funcionamiento:
- Cuando la entrada tiene un nivel de tensin negativo (L), el MOSFET de canal P conduce y el MOSFET de
canal N no lo hace
- Cuando la entrada tiene un nivel de tensin positivo (H), el MOSFET de canal N conduce y el MOSFET de
canal P no lo hace
Se puede ver que el funcionamiento de ambos es siempre opuesto. Una
caracterstica importante de este circuitos es que la corriente de salida, que se
puede considerar relativamente alta, es controlada con facilidad.
Cuando la entrada est en nivel bajo (L), la salida est conectada directamente
a la fuente de alimentacin a travs del MOS FET de canal P y se tiene un nivel
alto (H).
Cuando la entrada est en nivel alto (H), la salida est conectada directamente
a la tierra a travs del MOS FET de canal N y se tiene un nivel bajo (L).
El nivel de salida de la salida es siempre el inverso que el de la entrada (hay
inversin de fase).

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En el circuito C-MOS FET el MOSFET de canal P y el de canal N podran no

iniciar o dejar la conduccin bajo las mismas condiciones, esto debido a que la tensin en la compuerta,
que hace que el MOSFET deje de conducir, tiene un valor que va de 1 a 2 voltios.
Esta caracterstica depende de cada MOSFET en particular y es comn observar que la corriente de
drenaje de un MOSFET es cero (MOSFET en corte) an cuando la tensin en la compuerta no lo sea.

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