1.

INTRODUCCION
Un circuito integrado (CI), tambin conocido como chip o microchip,
es una estructura de pequeas dimensiones de
material semiconductor, de algunos milmetros cuadrados de rea,
sobre la que se fabrican circuitos electrnicos generalmente
mediante fotolitografa y que est protegida dentro de
un encapsulado de plstico o de cermica. El encapsulado
posee conductores metlicos apropiados para hacer conexin entre el
Circuito Integrado y un circuito impreso.
Los CI se hicieron posibles gracias a descubrimientos experimentales
que mostraban que artefactos semiconductores podan realizar las
funciones de tubos de vaco y los avances cientficos sobre
fabricacin de semiconductores a mediados del siglo XX. La
integracin de grandes cantidades de pequeos transistores dentro
de un pequeo chip fue un gran avance sobre la elaboracin manual
de circuitos utilizando componentes electrnicos discretos. la
capacidad de produccin masiva de los circuitos integrados, confianza
y acercamiento a la construccin de un bloque de diseo de circuitos
aseguraba la rpida adopcin de los circuitos integrados
estandarizados en lugar de diseos utilizando transistores discretos.
Los CI tienen dos principales ventajas sobre circuitos discretos: costo
y desempeo. El costo es bajo debido a los chips; con todos sus
componentes impresos como un unidad de fotolitografa en lugar de
ser construidos un transistor a la vez. Ms aun, los CI empaquetados
usan mucho menos material que los circuitos discretos. El desempeo
es alto ya que los componentes de los CI cambian rpidamente y
consumen poco poder (comparado sus contrapartes discretas) como
resultado de su pequeo tamao y proximidad de todos sus
componentes. Desde 2012, el intervalo de rea de chips tpicos es
desde unos pocos milmetros cuadrados a alrededor de 450 mm2, con
hasta 9 millones de transistores por mm2.
Los circuitos integrados son usados en prcticamente todos los
equipos electrnicos hoy en da, y han revolucionado el mundo de
la electrnica. Computadoras, telfonos mviles, y otros dispositivos
electrnicos que son parte intransable de las sociedades modernas,
son posibles gracias a los bajos costos de circuitos integrados.
2. HISTORIA

En abril de 1949, el ingeniero alemn Werner Jacobi1 (Siemens AG)

completa la primera solicitud de patente para circuitos integrados con
dispositivos amplificadores de semiconductores. Jacobi realiz una
tpica aplicacin industrial para su patente, la cual no fue registrada.
El primer circuito integrado fue desarrollado en 1959 por el
ingeniero Jack S. Kilby1 (1923-2005) pocos meses despus de haber
sido contratado por la firma Texas Instruments. Se trataba de un
dispositivo de germanio que integraba seis transistores en una
misma base semiconductora para formar un oscilador de rotacin de
fase.
El desarrollo de los circuitos integrados fue posible gracias a
descubrimientos experimentales que demostraron que
el semiconductores, particularmente los transistores, pueden realizar
algunas de las funciones de las vlvulas de vaco.
La integracin de grandes cantidades de diminutos transistores en
pequeos chips fue un enorme avance sobre el ensamblaje manual
de los tubos de vaco (vlvulas) y en la fabricacin de circuitos
electrnicos utilizando componentes discretos.
La capacidad de produccin masiva de circuitos integrados, su
confiabilidad y la facilidad de agregarles complejidad, llev a su
estandarizacin, reemplazando circuitos completos con diseos que
utilizaban transistores discretos, y adems, llevando rpidamente a la
obsolescencia a las vlvulas o tubos de vaco.
Son tres las ventajas ms importantes que tienen los circuitos
integrados sobre los circuitos electrnicos construidos con
componentes discretos: su menor costo; su mayor eficiencia
energtica y su reducido tamao. El bajo costo es debido a que los CI
son fabricados siendo impresos como una sola pieza
por fotolitografa a partir de una oblea, generalmente de silicio,
permitiendo la produccin en cadena de grandes cantidades, con una
muy baja tasa de defectos. La elevada eficiencia se debe a que, dada
la miniaturizacin de todos sus componentes, el consumo de energa
es considerablemente menor, a iguales condiciones de
funcionamiento que un circuito electrnico homlogo fabricado con
componentes discretos. Finalmente, el ms notable atributo, es su
reducido tamao en relacin a los circuitos discretos; para ilustrar
esto: un circuito integrado puede contener desde miles hasta varios
millones de transistores en unos pocos milmetros cuadrados. Los

avances que hicieron posible el circuito integrado han sido,

fundamentalmente, los desarrollos en la fabricacin de dispositivos
semiconductores a mediados del siglo XX y los descubrimientos
experimentales que mostraron que estos dispositivos podan
reemplazar las funciones de las vlvulas o tubos de vaco, que se
volvieron rpidamente obsoletos al no poder competir con el pequeo
tamao, el consumo de energa moderado, los tiempos de
conmutacin mnimos, la confiabilidad, la capacidad de produccin en
masa y la versatilidad de los CI.
Entre los circuitos integrados ms complejos y avanzados se
encuentran los microprocesadores, que controlan numerosos
aparatos, desde telfonos mviles y horno de
microondas hasta computadoras. Los chips de memorias digitales son
otra familia de circuitos integrados, de importancia crucial para la
moderna sociedad de la informacin. Mientras que el costo de disear
y desarrollar un circuito integrado complejo es bastante alto, cuando
se reparte entre millones de unidades de produccin, el costo
individual de los CIs por lo general se reduce al mnimo. La eficiencia
de los CI es alta debido a que el pequeo tamao de los chips permite
cortas conexiones que posibilitan la utilizacin de lgica de bajo
consumo (como es el caso de CMOS), y con altas velocidades de
conmutacin. A medida que transcurren los aos, los circuitos
integrados van evolucionando: se fabrican en tamaos cada vez ms
pequeos, con mejores caractersticas y prestaciones.
Como se fabrican los Circuitos Integrados.
Los Circuitos Integrados digitales disponibles se fabrican a partir de
pastillas de silicio. El procesamiento del silicio para obtener CI o chips
es relativamente complicado.
El silicio utilizado para la fabricacin de chips es de una pureza de
orden del 99.9999999% una vez sintetizado, el silicio se funde en
una atmsfera inerte y se cristaliza en forma de barras cilndricas de
hasta 10cm de dimetro y 1 m de largo.
Cada barra se corta en pastillas de 0.25 a 0.50 mm de espesor y las
superficies de estas ltimas se pulen hasta quedar brillantes.
Dependiendo de su tamao, se obtienen varios cientos de circuitos
idnticos (chips) sobre ambas superficies mediante un proceso
llamado planar, el mismo utilizado para producir transistores en
masa..

Para fabricar un chip, las pastillas de silicio se procesan primero para

hacer transistores. Una pastilla de silicio por si misma es aislante y no
conduce corriente. Los transistores se crean agregando impurezas
como fsforo o arsnico a determinadas regiones de la pastilla. Las
conexiones se realizan a travs de lneas metlicas.
Cada rasgo de forma sobre la pastilla rociando en las regiones
seleccionadas un qumico protector sensible a la luz llamado
photoresist, el cual forma una pelcula muy delgada sobre la
superficie de la pastilla. la pastilla es entonces bombardeada con luz,
mediante un proyector deslizante muy preciso llamado alineador
ptico.
El alineador posee un dispositivo muy pequeo llamado mascara, que
evita que la luz incida sobre puntos especficos de la pastilla, cuando
la luz alcanza un rea determinada de la pastilla elimina el
photoresist presente en esa zona. a este proceso se le denomina
fotolitografa.
Mediante un proceso de revelado, el qumico se deposita en las
regiones descubiertas por la luz e ignora las encubiertas por la
mascara. Estas ltimas zonas an permanecen recubiertas de "
photoresist".
A continuacin, la pastilla se calienta a altas temperaturas; esto
origina que el silicio no procesado de la superficie se convierta en
oxido de silicio (SiO2). El SiO2 se esparce sobre la superficie de la
pastilla y forma sobre la misma una delgada pelcula aislante de unas
pocas micras de espesor.
De este modo se obtiene el primer nivel de metalizacin de chips.
Para obtener una nueva capa de metalizacin, el SiO2 se trata
nuevamente con "photoresist" y se expone al alineador ptico,
repitindose el mismo procedimiento seguido con el silicio del primer
nivel.
Las diferentes capas van creciendo una sobre otra formando una
estructura parecida a un sndwich, con el SiO2 como el pan y el metal
o el silicio dopado como la salchicha, la mayora de Circuitos
Integrados no se hacen con ms de tres capas de metalizacin.

3. De que estn hechos los Circuitos Integrados.

Los Circuitos Integrados estn hechos por silicio que sirve como base
donde se fabrican transistores, diodos y resistencias. Los circuitos
Integrados contienen cientos de estos componentes distribuidos de
manera ordenada; esto se logra por medio de la tcnica

llamada fotolitografa la cual permite ordenar miles de componentes

en una pequea placa de silicio.

4.Tecnologas de fabricacin cuenca

4.1Tecnologa Bipolar (TTL)
Circuitos integrados formados por transistores bipolares. Necesitan
una alimentacin entre 4.75V y 5.25V (Generalmente se usan 5V). Los
niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin comprendida
entre 0,0V y 0,8V para el estado L (bajo) y los 2,4V y Vcc para el
estado H (alto). Muy buena velocidad de transmisin pero alto
consumo de potencia, y la seal se degrada muy fcilmente (no
puede viajar ms de 2m sin graves prdidas).
La reduccin de las dimensiones del dispositivo obliga a que la
anchura de las regiones de deplexin dentro de la estructura se
reduzca en proporcin, por lo que es necesario el uso de menores
tensiones de operacin y mayores concentraciones de impurezas en
las distintas regiones que componen el dispositivo. Para cubrir estas
necesidades se ha desarrollado una secuencia de procesos para
fabricar transistores bipolares diferentes a la que se utilizara, por
ejemplo, en aplicaciones de potencia donde es frecuente la aplicacin
de grandes tensiones.
4.2Tecnologa NMOS
Bajo consumo de potencia. Se pueden alimentar desde 3V. En la
actualidad los transistores MOS son los ms utilizados en circuitos
VLSI ya que pueden ser escalados a dimensiones ms pequeas que
el resto de dispositivos. La tecnologa NMOS es ms simple que la TTL
(puesto que involucra menos pasos de proceso). En la actualidad se
fabrican transistores con longitud de canal por debajo de 0.1m
(100nm).
4.3Tecnologa CMOS
Dependiendo de la serie se pueden alimentar desde los 2V. Los
niveles lgicos se definen como Vol. (mx.)=0V; Voh (min)=VDD; Vih
(mx.)=30%VDD; Vil (min)=70%VDD. Disipan muy bien la potencia
usada pero esto reduce la velocidad de transmisin.
La tecnologa CMOS tiene que proporcionar transistores canal n y
transistores canal p sobre la misma oblea. Ahora bien, el substrato de
un transistor NMOS es tipo p, mientras que el de PMOS es tipo n. El
principal inconveniente a salvar por la tecnologa CMOS es el de
proporcionar los dos tipos de substrato. Este problema se resuelve
fabricando por implantacin o difusin en el substrato de la oblea
(que ser tipo n o tipo p) un pozo de conductividad contraria al del

substrato. Para ello hay que aadir una concentracin de dopante

mayor que la existente en el substrato. Si el substrato es tipo n, hay
que aadir una concentracin de aceptadores en la regin del pozo
NA >ND para que el pozo tenga conductividad tipo p. Debido a la alta
concentracin de impurezas que hay que aadir en el pozo, la
movilidad del canal quedar degradada ya que sta depende de la
concentracin total de dopantes (ND +NA). Para evitar este problema,
se utiliza un substrato muy poco dopado, y se realizan dos pozos,
cada uno de ellos con un tipo de conductividad. En este caso como no
es necesaria la compensacin de dopantes, la movilidad ser mayor.
4.4Tecnologa SOI
El silicio sobre aislante (SOI) es un nuevo material para la fabricacin
de chips que reemplaza a las obleas tradicionales de silicio. Este
substrato est compuesto de tres capas diferenciadas.
Los dispositivos se fabrican en la capa superficial de silicio. Cada
transistor se encuentra aislado del resto gracias al xido enterrado.
Esta caracterstica permite evitar el fenmeno de latchup y fabricar
ms transistores por cm2. Adems se ha demostrado una importante
mejora en sus prestaciones ya que pueden trabajar a menores
tensiones, aumentar la velocidad de conmutacin y son menos
vulnerables al efecto de las partculas csmicas y efectos de canal
corto (SCE).
5. CLASIFICACION:
Los Circuitos Integrados se clasifica de acuerdo a su estructura puede
ser de acuerdo a la cantidad de compuertas utilizadas para
implementar la funcin propia del chip (llamado Escalas de
Integracin) como sabemos, las compuertas son los bloques
constructivos bsicos de todos los circuitos digitales.
Las escalas de Integracin son 4: SSI, MSI, LSI, VLSI; a continuacin
veremos cada una de ellas.
SSI.- Significa Small Scale Integration (integracin en pequea
escala)y comprende los chips que contienen menos de 13
compuertas. Ejemplos: compuertas y flip flops. Los Circuitos
Integrados SSI se fabrican empleando tecnologas ttl, cmos y ecl. Los
primeros Circuitos Integrados eran SSI.
MSI.- Significan Medium Scale Integration (integracin en mediana
escala), y comprende los chips que contienen de 13 a 100
compuertas. Ejemplos: codificadores, registros, contadores,
multiplexores, de codificadores y de multiplexores. Los Circuitos
Integrados MSI se fabrican empleando tecnologas ttl, cmos, y ecl.
LSI.- significa Large-Scale Integration (integracin en alta escala) y
comprende los chips que contienen de 100 a 1000 compuertas.
Ejemplos: memorias, unidades aritmticas y lgicas (alu's),

microprocesadores de 8 y 16 bits. Los Circuitos Integrados LSI se

fabrican principalmente empleando tecnologas i2l, nmos y pmos.
VLSI.- Significa Very Large Scale Integration (integracin en muy
alta escala) y comprende los chips que contienen ms de 1000
compuertas ejemplos: micro-procesadores de 32 bits, microcontroladores, sistemas de adquisicin de datos. los Circuitos
Integrados VSLI se fabrican tambin empleando tecnologas ttl, cmos
y pmos.
6.Clasificacin de los circuitos Integrados de acuerdo a su funcin
Los circuitos integrados se clasifican en CI analgicos y digitales. A
continuacin veremos cada uno de estos.
6.1Circuitos Integrados Analgicos
Los Circuitos Integrados analgicos se fabrican usado gran variedad
de tecnologas de semiconductores, como bipolar, efecto de campo,
xidos metlicos y combinaciones de estas tres. En la mayora de los
casos el usuario no est interesado en este aspecto de los circuitos
integrados, ya que nicamente puede basar su trabajo en las
especificaciones del fabricante. La tecnologa empleada en la
fabricacin de los Circuitos Integrados digitales es importante para el
usuario, debido a que estos se emplean en familias lgicas, con
caractersticas elctricas comunes que garantizan su compatibilidad.
Los Circuitos Integrados analgicos se seleccionan normalmente
siguiendo criterios individuales, y solo es importante su
compatibilidad con los requisitos de alimentacin. Incluso en este
aspecto, la mayora de los Circuitos Integrados analgicos estn
disponibles con amplios mrgenes de alimentacin, por lo que su
empleo no suele estar condicionado por su compatibilidad.
En estas aplicaciones, los circuitos integrados analgicos amplifican,
filtran y modifican seales elctricas. Por ejemplo, en los telfonos
celulares, amplifican y filtran la seal de entrada de la antena del
telfono. El sonido codificado en la seal tiene un nivel de baja
amplitud, despus de que el circuito filtra la seal sonora de la seal
de entrada, el circuito amplifica la seal de sonido y lo enva al
altavoz de tu telfono celular, lo que le permite escuchar la voz en el
otro extremo.

Diagrama de un amplificador operacional

6.1.1AMPLIFICADOR CLASE A (LINEAL):
En este amplificador, la seal de entrada es reproducida, aumentada en
amplitud, exactamente con la misma forma de onda a la salida. Para ello, el
punto de reposo (Q) se sita en el centro de la curva de corriente del
colector (Ic), de forma que tanto la seal de entrada como la seal
amplificada de salida trabajan solamente en la zona lineal de la misma. Ic es
siempre saliente. Los amplificadores Clase A se emplean siempre que la
forma de onda de salida haya de ser la misma, con una distorsin mnima,
que la de la seal de entrada. Los amplificadores operacionales y los
amplificadores de pequea seal, como por ejemplo amplificadores de
radio frecuencia, amplificadores de frecuencia intermedia,
preamplificadores, etc., son bsicamente amplificadores en Clase A.
AMPLIFICADOR CLASE A (LINEAL) En este amplificador, la seal de entrada
es reproducida, aumentada en amplitud, exactamente con la misma forma
de onda a la salida. Para ello, el punto de reposo (Q) se sita en el centro de
la curva de corriente del colector (Ic), de forma que tanto la seal de
entrada como la seal amplificada de salida trabajan solamente en la zona
lineal de la misma. Ic es siempre saliente. Los amplificadores Clase A se
emplean siempre que la forma de onda de salida haya de ser la misma, con
una distorsin mnima, que la de la seal de entrada. Los amplificadores
operacionales y los amplificadores de pequea seal, como por ejemplo
amplificadores de radio frecuencia, amplificadores de frecuencia intermedia,
preamplificadores, etc., son bsicamente amplificadores en Clase A.
6.1.2AMPLIFICADOR CLASE B:
En este tipo de amplificador, el punto de trabajo (Q) se sita exactamente
en el punto de corte de la curva del circuito integrado, teniendo esto como
resultado la amplificacin de solo medio ciclo de la seal sinusoidal de
entrada. Los amplificadores Clase B son sistemticamente empleados en
configuraciones complementarias push-pull. En esta configuracin, uno de
los amplificadores trabaja sobre los semiciclos positivos de la seal de
entrada, mientras que el otro lo hace sobre el semiciclo negativo de la seal
sinusoidal de entrada. Ampliamente utilizado como amplificadores de audio,
amplificadores para servomecanismos y aplicaciones similares en las que es
esencial una alta linealidad en la sea sinusoidal de salida, los
amplificadores en Clase B gozan de una excelente eficiencia y un buen
comportamiento en lo relativo a la presencia de armnicos de segundo y
tercer orden. Aparece cierta distorsin en el punto de cruce debido a la
ligera alinealidad de la curva Ic en este punto. El componente
representativo de estos amplificadores es ek Fairchild TBA 810S.
6.1.3 AMPLIFICADOR CLASE C:
En los amplificadores Clase C, el punto de trabajo (Q) se sita al doble del
punto de corte de la curva Ic. Solo una mitad de un semiciclo de seal
sinusoidal es amplificada a la salida. Los amplificadores Clase C son
utilizados usualmente en osciladores de radio frecuencia y, en algunos
casos en transmisores de radio frecuencia. En estas aplicaciones el efecto
del circuito resonante proporciona la otra mitad del ciclo. Alta eficiencia es
la caracterstica esencial para los amplificadores Clase C en circuitos de
radio frecuencia adecuadamente diseados y ajustados.

6.1.4AMPLIFICADOR DE CORRIENTE (SEGUIDOR LINEAL):

Los amplificadores de corriente son bsicamente amplificadores Clase A que
tienen usualmente una ganancia en tensin de 1 y funcionan efectivamente
como en transformadores de impedancias. Su caracterstica principal es su
capacidad de manejar importantes corrientes de salida. Algunas veces se
denominan seguidores lineales por similitud con los circuitos seguidores de
emisor con transistores. Los amplificadores de corriente son frecuentemente
utilizados, conjuntamente con amplificadores operacionales, dentro del lazo
de realimentacin para proporcionar una corriente de salida adicional.
6.1.5AMPLIFICADOR DIFERENCIAL:
Los amplificadores diferenciales tienen dos terminales de entrada, aislados
ambos respecto de masa a travs de la misma impedancia. Bsicamente
similar a los amplificadores de tensin Clase A, el amplificador diferencial
amplifica solamente la diferencia de tensin entre sus dos terminales de
entrada. Las seales que aparecen en ambos terminales no son
amplificadas, permitiendo el amplificador diferencial extraer pequeas
seales en presencia de fuertes interferencias electromagnticas.
6.1.6AMPLIFICADOR DE AISLAMIENTO:
Consistente en varias etapas de amplificacin, el amplificador de entrada
est, bien elctricamente bien pticamente aislado de la salida. El
amplificador de entrada es usualmente de tipo diferencial, modulndose en
radio frecuencia su salida, que se lleva a travs de un transformador de RF
hasta la segunda etapa, en la que se d modula y filtra. La fuente de
alimentacin para la seccin del amplificador de entrada tambin debe
estar aislada de forma que no exista conexin en bajas frecuencias o en
continua entre las secciones de entada y salida del amplificador. El
funcionamiento de los amplificadores por aislamiento ptico es similar,
sustituyndose en transformador de RF por un opto- acoplador. Los
amplificadores de aislamiento estn generalmente encapsulados en una
unidad y se emplean en aquellas aplicaciones que requieren muy bajos
niveles de conducta en contina o a travs de alimentacin. Los
amplificadores de aislamiento siempre requieren fuentes de alimentacin
aisladas as como cables convenientemente aislados entre la fuente
alimentacin y el amplificador. En algunos casos se emplean bateras para
evadir el problema de aislamiento de la fuente de alimentacin. El
componente representativo es el Analog Devices AD293.
6.1.7AMPLIFICADOR DE POTENCIA DE AUDIO:
Estos dispositivos son amplificadores de potencia de baja frecuencia
(generalmente desde 40Hz a 20.000Hz). Internamente estn diseados
como amplificadores de potencia en clase B y ofrecen una ganancia de
potencia razonable (entre 5 y 10 W tpicamente), as como bajos niveles de
distorsin. Para manejar las potencias digitales, la mayora de los integrados
poseen varios terminales planos y grandes que se conectan a masa y
actan como radiadores trmicos. Estos integrados ofrecen adems
funciones adicionales, como por ejemplo shut-down trmico, proteccin
contra sobre tensiones y compensaciones en frecuencia. La salida est
diseada para trabajar sobre bajas impedancias (un altavoz de 4 ohmios es
tpico).
6.1.8SISTEMA DE RADIO AM/FM:
Un integrado de este tipo combina la mayora de los circuitos necesarios
para un sistema completo de recepcin de radio AM/FM. Los bloques

internos que contiene el citado sistema incluyen un amplificador de

potencia, un conversor AM (mezclador y oscilador local), la etapa de FI de
AM, el detector, la etapa de FI de FM y el detector de FM. Son necesarios
componentes externos tales como resistencias, bobinas y resistencias para
hacer completamente funcional el receptor. Estos componentes externos
determinan algunas de las caractersticas funcionales del sistema, como
pueden ser el ancho de banda y la ganancia. Adems, los componentes
externos son necesarios para construir los circuitos tanques necesarios para
la sintona de las etapas de FI. Funciones que pueden tambin estar
incluidas en el integrado son la fuente de alimentacin regulada, el medidor
de salida y el silenciamiento de audio.

6.2CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITALES

Los circuitos Digitales trabajan con seales que solo pueden tomar
uno de dos valores posibles. Inicialmente, en circuitos digitales
discretos con transistores, este tomaba o bien el estado de corte, en
el que la tensin de salida de colector era prxima a la de
alimentacin, o el de saturacin, en el que dicha tensin de colector
pasaba a tener un nivel prximo al del emisor, usualmente tierra. En
sistemas de lgica positiva, el nivel prximo a tierra se considera el
nivel lgico (0), y el nivel prximo a la tensin de alimentacin se
considera como nivel lgico (1). Consideraciones inversas se hacen
por sistemas de lgica negativa. En las prximas explicaciones y
ejemplos se utiliza la lgica positiva, y el termino nivel lgico (1) har
referencia al nivel de tensin alto, mientras que el termino nivel (0) lo
har el nivel de tensin bajo.
Las funciones digitales esenciales de todos los CI digitales son iguales
independientemente de la familia de que se trate. Una puerta OR, un
flip-flop o un registro de desplazamiento funcionan exactamente de la
misma forma tanto si el CI pertenece a la familia ECL o se ha
empleado tecnologa CMOS en su fabricacin.
Los circuitos integrados digitales incluyen microprocesadores, micros
controladores y circuitos lgicos. Realizan clculos matemticos,
dirigen el flujo de datos y toman decisiones basadas en principios
lgicos booleanos.

Circuito integrado construidos con tecnologa CMOS

7. TIPOS:
Existen al menos tres tipos de circuitos integrados:

CIRCUITOS MONOLTICOS: Estn fabricados en un solo mono

cristal, habitualmente de silicio, pero tambin existen
en germanio, arseniuro de galio, silicio-germanio, etc.

CIRCUITOS HBRIDOS DE CAPA FINA: Son muy similares a

los circuitos monolticos, pero, adems, contienen componentes
difciles de fabricar con tecnologa monoltica. Muchos conversores
A/D y conversores D/A se fabricaron en tecnologa hbrida hasta
que los progresos en la tecnologa permitieron
fabricar resistencias precisas.

CIRCUITOS HBRIDOS DE CAPA GRUESA: Se apartan

bastante de los circuitos monolticos. De hecho suelen contener
circuitos monolticos sin cpsula, transistores, diodos, etc. sobre un
sustrato dielctrico, interconectados con pistas conductoras. Las
resistencias se depositan por serigrafa y se ajustan hacindoles
cortes con lser. Todo ello se encapsula, en cpsulas plsticas o
metlicas, dependiendo de la disipacin de energa calrica
requerida. En muchos casos, la cpsula no est "moldeada", sino
que simplemente se cubre el circuito con una resina epoxi para
protegerlo. En el mercado se encuentran circuitos hbridos para
aplicaciones en mdulos de radio frecuencia(RF), fuentes de
alimentacin, circuitos de encendido para automvil, etc.

8. CONCLUSIONES

Como Conclusin podemos mencionar que los Circuitos Integrados

son pequeos circuitos electrnicos que han ido evolucionando con el
paso del tiempo; ya que su funciones han crecido y su tamao a
disminuido considerablemente; la llamada Miniaturizacin.
Estos circuitos estn formados por una delgada oblea de silicio sobre
la cual se fabrican los transistores; la tcnica llamada fotolitografa ha
permitido a los diseadores crear centenares de miles de transistores
en un solo chip situando de forma adecuada las numerosas regiones
tipo n y p.
Durante la fabricacin, estas regiones son interconectadas mediante
conductores minsculos, a fin de producir circuitos especializados
complejos. Estos circuitos integrados son llamados monolticos por
estar fabricados sobre un nico cristal de silicio. Los chips requieren
mucho menos espacio y potencia, y su fabricacin es ms barata que
la de un circuito equivalente compuesto por transistores individuales.
En la actualidad, los pasos para fabricar un circuito integrado han
cambiado, ya que han surgido nuevas industrias que han asumido la
responsabilidad de introducir los ltimos avances tecnolgicos en el
equipo de procesamiento. El resultado es que el fabricante puede
concentrarse en el diseo, el control de calidad, en el mejoramiento
de las caractersticas de funcionamiento y confiabilidad y en una
todava mayor miniaturizacin haciendo de esta forma a los circuitos
integrados cada vez mas confiables y con una menor complejidad
fsica y por lo tanto un menor costo.
Los circuitos integrados han hecho posible el desarrollo de muchos
nuevos productos, como computadoras y calculadoras personales,
relojes digitales y videojuegos. Se han utilizado tambin para mejorar
y rebajar el costo de muchos productos existentes, como los
televisores, los receptores de radio y los equipos de alta fidelidad.
El desarrollo de los circuitos integrados ha revolucionado los campos
de las comunicaciones, la gestin de la informacin y la informtica.
Los circuitos integrados han permitido reducir el tamao de los
dispositivos con el consiguiente descenso de los costes de fabricacin
y de mantenimiento de los sistemas. Al mismo tiempo, ofrecen mayor
velocidad y fiabilidad. Los relojes digitales, las computadoras
porttiles y los juegos electrnicos son sistemas basados en
microprocesadores.