II.

Dispositivos fotonicos para la generacion y la deteccion de luz (Figuras)

Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Fuentes de fotones de semiconductor: l

aser de diodo

Figura 34: Un laser se compone de un medio material (semiconductor, en el

caso de los laseres de diodo) en el que se va a producir una amplificacion de
c
la luz y una cavidad optica resonante para alimentar esa ganancia. 1991
B.E.A Saleh, Fundamentals of Photonics (John Wiley and Sons)

Figura 35: Laser de diodo con una cavidad tipo Fabry-Perot de dimensiones
c
L, H y W . 1999
S.O Kasap, Optoelectronics (Prentice Hall)

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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 36: Dimensiones tpicas de la cavidad resonante tipo Fabry-Perot

c
de un laser de diodo. 2000
G. Keiser, Optical Fiber Communications
(MacGraw-Hill)

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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 37: Estructura de un diodo laser (cavidad tipo FabryPerot) de doble

heteroestructura nAlGaAs/pGaAs/pAlGaAs. El contacto superior tiene
c
forma de tira o banda (stripe geometry). 1999
S.O Kasap, Optoelectronics
(Prentice Hall)

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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 38: Esquema de la estructura de (a) laser DFB (Distributed

c
feedback) y (b) laser DBR (DistributedBragg Reflector). 1992
J.M Senior,
Optical fiber communications (Prentice Hall)

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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 39: Dependencia con la energa de la densidad conjunta de estados,

(); del factor de inversion de Fermi, fg (); y, del coeficiente de ganancia,
0 (), a T = 0K (lnea continua) y a temperatura ambiente (lnea discontinua). Los fotones con energas Eg < h < Efc Efv sufren amplificacion.
c
1991
B.E.A Saleh, Fundamentals of Photonics (John Wiley and Sons)

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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 40: (a) Coeficiente de ganancia, 0 (), en funcion de la energa,

tomando como parametro la concentracion de portadores inyectados n
para un amplificador laser de InGaAsP a T = 300K. (b) Maximo del coefic
ciente de ganancia, p en funcion de n. 1991
B.E.A Saleh, Fundamentals
of Photonics (John Wiley and Sons)

Figura 41: Maximo del coeficiente de ganancia, p , como funcion de la

densidad de corriente J seg
un un modelo lineal. Cuando J = JT el material
c
es transparente, ni amplifica ni absorbe. 1991
B.E.A Saleh, Fundamentals
of Photonics (John Wiley and Sons)
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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 42: Potencia emitida en funcion de la intensidad de corriente y

c
espectros de emision correspondientes a un LED y un laser. 1999
S.O
Kasap, Optoelectronics (Prentice Hall)

Figura 43: Perfil de ganancia, modos de la cavidad Fabry-Perot y disc

tribucion espectral de un laser de diodo. 1998
M. FUKUDA, Optical
Semiconductor Devices (Wiley Interscience)

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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 44: Distribucion espectral para tres intensidades de corriente diferentes de un laser de InGaAsP ( = 1.3 m). El n
umero de modos decrece al
c
aumentar la corriente de inyeccion. 1981
IEEE; (IEEE Journal of Quantum Electronics, QE17, pp.202207)

Figura 45: Espectro de emision del laser de AlGaInP (HL6724MG de Hitachi, = 670 nm) para tres valores de la potencia emitida
.
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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 46: Potencia optica emitida por un LED en funcion de la intensic

dad de corriente por el dispositivo. 1991
B.E.A Saleh, Fundamentals of
Photonics (John Wiley and Sons)

Figura 47: Potencia optica emitida por un laser de semiconductor en funcion

c
de la intensidad de corriente por el dispositivo. 1991
B.E.A Saleh, Fundamentals of Photonics (John Wiley and Sons)

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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 48: Dependencia con la temperatura de la curva caracterstica P I

c
de un laser de semiconductor. 2000
G. Keiser, Optical Fiber Communications (MacGraw-Hill)

Figura 49: Dependencia con la temperatura de la corriente umbral en

c
dos tipos de laseres de semiconductor. 2000
G. Keiser, Optical Fiber
Communications (MacGraw-Hill)

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Fuentes de fotones de semiconductor: laser de diodo

Figura 50: Distribucion espacial de la emision de un laser de semiconductor: emision de campo cercano (near field) y de campo lejano (far field).
(www.nanoics.co.il)

Figura 51: Patron de emision de campo lejano del laser de AlGaInP

(HL6724MG de Hitachi, = 670 nm)
.

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