UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

(Universidad del Per, DECANA DE AMRICA)

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRNICA Y ELCTRICA
E.A.P DE INGENIERA ELECTRNICA

Apellidos y nombres

N de Matricula

Ninanya Chuquivilca Franck

Palomino Huaccamayta Zosimo
Domingo Pollo Julio Cesar

Agurto Varas Alexander

14190017
14190130
14190080
10190052

Curso

Tema:

Laboratorio de Dispositivos

Caractersticas bsicas del diodo

Electrnicos

semiconductor(silicio y germanio)

Informe:

Fechas

Nota:

Final

Realizacin

Entrega

Numero
03

28 de Enero del

04 de Febrero

2015

del 2015

Grupo

Profesor

Numero

Horario

02

Mircoles
11:00 14:00

Ing. Luis Paretto Quispe

EXPERIMENTO DE LABORATORIO N 1
I.
II.

TEMA: CIRCUITOS CON DIODOS

OBJETIVOS:
Realizar el anlisis terico de los circuitos mostrados, dibujando las
seales de salida respectivas.
Utilizar las caractersticas de operacin de los diodos semiconductores.
Comprobar los valores tericos y experimentales.
Probar el estado de un diodo utilizando un ohmmetro.
Estudiar y analizar las caractersticas fsicas y elctricas de diferentes
diodos de unin, al igual que familiarizarse con su utilizacin,
identificacin y manejo.

III.

INTRODUCCION TEORICA:

DIODO
Un diodo es un elemento de dos terminales
cuya caracterstica tensin-corriente no es lineal.
Est formado por un cristal semiconductor
dopado de tal manera que una mitad es tipo "p"
y la otra "n", constituyendo una unin p n. La
terminal que corresponde con la parte "p" se
llama nodo y el que coincide con la "n" es el
ctodo.
El diodo est compuesto por un cristal de silicio
o de germanio dopado, es decir, al que se le han
incluido impurezas. El dopado del silicio (o del
germanio) se realiza para variar sus propiedades de semiconductor.
Los tomos de estos semiconductores tienen cuatro electrones sueltos en su
capa de valencia, lo cual les confiere sus cualidades semiconductoras, al
unirse estos tomos de silicio o germanio por enlace covalente, quedan con la
configuracin electrnica de gas noble, es decir con ocho electrones de
valencia en su ltima capa. Cuando dopamos estos cristales con tomos de
ms de cuatro electrones de valencia, quedan electrones sueltos de la capa de
valencia al crear enlaces covalentes y cuando dopamos estos cristales con
tomos de menos de cuatro electrones en su capa de valencia quedan huecos
al crear estos enlaces covalentes.

Lado P y lado N del diodo.

Al lado del diodo dopado con tomos trivalentes (con tres electrones en su
capa de valencia) se le llama lado P (positivo). Al silicio dopado con tomos
pentavalentes se le llama semiconductor de tipo N (negativo).
El semiconductor de tipo P tiene ms huecos aceptores de electrones que
electrones libres, por lo que se dice que los huecos son los portadores
mayoritarios y el semiconductor de tipo N tiene ms electrones libres que
huecos, por lo que estos son los portadores mayoritarios y los huecos los
portadores minoritarios.
Comprobacin de un diodo.
Conectando la sonda positiva del polmero (en escala de Ohmios) en el
extremo P del diodo y la negra en el extremo N, la resistencia debe de ser
pequea, si colocamos la sonda roja en el extremo N y la sonda negra en el
extremo P, la resistencia debe de ser infinita.

Diodo rectificador.
El diodo ms antiguo y utilizado es el diodo rectificador que conduce en un
sentido, pero se opone a la circulacin de corriente en el sentido opuesto.
Las caractersticas de su funcionamiento estn definidas por una curva
denominada curva caracterstica del diodo rectificador.

 Polarizacin inversa de un diodo. Se conecta una batera a los extremos del

diodo, de manera la terminal negativa se una al nodo y la positiva al
ctodo. Se observa que a travs del diodo fluye una pequea corriente,
denominada de fugas o corriente inversa de saturacin del diodo. Esta
corriente es muy pequea, pero aumenta con la temperatura, por lo tanto la
resistencia inversa del diodo disminuye con la temperatura. Esta corriente
es independiente de la tensin aplicada, siempre que est sea menor a una
valor denominado tensin de ruptura. A partir de esta tensin la corriente
aumenta rpidamente con pequeos incrementos de tensin.

Polarizacin directa de un diodo. Si se conecta la fuente de tensin al diodo

de forma que el potencial negativo este unido al ctodo y el positivo al
nodo se dice que el diodo est en polarizacin directa. Al aplicar est
tensin el diodo conduce.

Tensin de codo, de partida o umbral. Es la tensin, en polarizacin directa,

por debajo de la cual la corriente es muy pequea (menos del 1% del
mximo valor nominal). Por encima de esta tensin la corriente sube
rpidamente. Esta tensin es de 0,2-0,3 V en los diodos de germanio y de
0,6-0,7 V en los de silicio.

Resistencia interna. Cuando el diodo trabaja en la zona de polarizacin

directa, con pequeas variaciones de tensin la corriente aumenta
rpidamente, lo nico que se opone al paso de la corriente es la resistencia
de las zonas "p" y "n". A la suma de estas resistencias se le llama
resistencia interna del diodo, rB = rp + rn. El valor de esta resistencia
depende del nivel de dopado y del tamao de las zonas "p" y "n".
Normalmente la resistencia de los diodos rectificadores es menor de 1
ohmio.

Aproximaciones del diodo rectificador.

Primera aproximacin: el diodo ideal.
Es la aproximacin ms simple. Se utiliza para obtener respuestas rpidas
y es muy til para la deteccin de averas. Esta aproximacin consiste en
suponer que en la zona directa el diodo se comporta como un conductor
perfecto, resistencia nula y en la zona inversa como un aislante perfecto,
resistencia infinita. Cuando la tensin es muy elevada y la corriente muy
pequea el diodo real se comporta como un diodo ideal.

Segunda aproximacin.
En esta aproximacin se tiene en cuenta la tensin de codo. Cuando menor
es la tensin aplicada mayor es el error que se introduce con el modelo
ideal, por lo cual este puede ser til.

Tercera aproximacin.
Se tiene en cuenta la resistencia interna del diodo, rB, adems de la tensin
de codo. Una vez que el diodo entra en conduccin se considera que la
tensin aumenta linealmente con la corriente.

Especificaciones de un diodo rectificador.

Tensin inversa de ruptura: la tensin inversa de ruptura es la mxima
tensin en sentido inverso que puede soportar un diodo sin entrar en
conduccin; esta tensin para un diodo rectificador es destructiva, por ello
cuando se disea un circuito siempre se utiliza un factor de seguridad que
no est determinado, sino que depende del diseador, as por ejemplo, si la
hoja de caractersticas de un diodo expresa un valor para la tensin inversa
de ruptura de 80 V, un diseador muy conservador puede utilizar un factor
de seguridad de 2. El diodo no soportar, en ningn caso, tensiones
inversas superiores a 40 V.

Corriente mxima de polarizacin directa: es el valor medio de corriente

para el cual el diodo se quema debido a una excesiva disipacin de
potencia. Este valor nunca se debe alcanzar, por ello, al igual que en el
caso de la tensin inversa de ruptura se utiliza en diseo un factor de
seguridad que suele ser 2. Este valor est expresado en la hoja de
caractersticas del diodo referido a alimentacin monofsica, carga
resistiva, 50 o 60 Hz y a 75 C de temperatura.

Cada de tensin con polarizacin directa: esta medida se realiza con

una seal alterna y se obtiene la cada de tensin con polarizacin directa,
para un valor determinado de corriente y una temperatura de 25 C.

Corriente inversa mxima: es la corriente con polarizacin inversa para

una tensin continua determinada que viene indicada en la hoja de
caractersticas del diodo. El valor de la corriente inversa se da para
diferente temperatura.

IV.

CARACTERISTICAS DEL DIODO 1N4004 Y 1N4148

DIODO 1N4148
El diodo 1N4148 es un pequeo y rpido componente electrnico fabricado
de silicio, de alta conductividad, usado en el procesamiento y deteccin de
seales de radiofrecuencias de manera muy eficaz, con un tiempo de
recuperacin inversa de no ms de 4 ns, su nombre sigue la nomenclatura
JEDEC, se encuentra generalmente en un encapsulado de vidrio de tipo
DO-35.

Principales caractersticas

V.

Tensin mxima inversa repetitiva: 100 V (Vrm).

Corriente de salida rectificada: 200 mA (Io).
Disipacin de energa: 500 mW (Ptot).
Tiempo de recuperacin inverso: < 4nseg (Trr)
Corriente en directo promedio max: 200 mA
Corriente pico no repetitivo en directo (1 s): 1 A

MATERIALES Y EQUIPOS:

a)

Una fuente de corriente contina.

b)
Miliampermetro
de C.C.

c) Microampermetro analgico de C.C.

Analgico

d) Un Multmetro.

e) Cables conectores cocodrilo/banano

f) Resistencia de 100

g) Diodo de silicio y germanio

R1
1k

D1
1N4004

V1
5V

+0.65
Volts

+0.00
Amps