RESUMEN N1

2.1 Defina los comportamientos elstico y plstico en los niveles

microscpico y macroscpico.
Comportamiento elstico
Si un material exhibe un verdadero comportamiento elstico, debe
tener una respuesta (deformacin) instantnea a la carga, y el
material debe volver a su forma original cuando la carga se elimina.
Muchos materiales, incluyendo la mayora de los metales, presentan
un comportamiento elstico, al menos para n iv eles de esfuerzo
bajos.
tomo os dentro del material, sino que lo que hace es provocar un
estiramiento de los enlaces existentes entre los tomo os. Cuando se
elimina la carga, los enlaces atmicos vuelven a su posicin n
original.
Young observ que los diferentes materiales elsticos presentan
constantes de proporcionalidad diferentes entre el esfuerzo y la
deformacin. Para un material elstico homogneo, isotrpico y
lineal, la constante de proporcionalidad entre el esfuerzo normal y la
deformacin normal de un elemento axialmente cargado es el
mdulo de elasticidad o mdulo de Young, E, que es igual a donde a
es el esfuerzo normal y e es la deformacin normal.
En la prueba de tensin axial, a medida que el material se alarga, se
produce una reduccin de la seccin transversal en la direccin
lateral. E n la prueba de compresin axial, se produce el fenmeno
contrario. La relacin entre la deformacin lateral, e, y la
deformacin axial, s a, se denomina relacin de Poisson, Puesto que
las deformaciones axial y lateral siempre tendrn signo distinto, se
incluye un signo negativo en la Ecuacin 1.2 para hacer que la
relacin sea positiva.
La relacin de Poisson tiene un rango terico que va de 0 ,0 a 0 ,5 ,
donde 0 ,0 es para un material compresible en el que las direcciones
axial y lateral no se afecten entre s. E l valor 0 ,5 corresponde a un
material que no cambia de volumen
Comportamiento elastoplstico
Para algunos materiales, a medida que se incrementa el esfuerzo
aplicado al elemento, la deformacin se incrementar de manera
proporcional hasta alcanzar un cierto punto.
Despus de ese punto, la deformacin se incrementar aplicando
muy poco esfuerzo adicional. E n este caso, el material exhibe un
comportamiento elstico lineal, seguido de una respuesta plstica. E

l nivel de esfuerzo para el que el comportamiento cambia de elstico

a plstico se denomina lmite de elasticidad. Cuando la carga se
elimina del elemento, parte de la deformacin se recuperar y otra
parte ser permanente, Como veremos en el Captulo 2, el
comportamiento plstico indica una deformacin permanente del
elemento, de modo que ste no vuelve a su forma original al eliminar
la carga. Esto indica que, cuando se aplica la carga, los enlaces
atmicos se estiran o comprimen, dando lugar a una respuesta
elstica. A continuacin, los tomos pasan a deslizarse realmente los
unos con respecto a los otros.
Cuando se elimina la carga, el deslizamiento atmico no se revierte;
slo se revierte el estiramiento o compresin de los enlaces atmicos
2.2 Describa las partes de un tomo. Defina los conceptos de
protn, electrn, nmero atmico y masa atmica.
El ncleo es la parte central del tomo y contiene partculas con
carga positiva, los protones, y partculas que no poseen carga
elctrica, es decir son neutras, los neutrones. La masa de un protn
es aproximadamente igual a la de un neutrn.
Todos los tomos de un elemento qumico tienen en el ncleo el
mismo nmero de protones. Este nmero, que caracteriza a cada
elemento y lo distingue de los dems, es el nmero atmico y se
representa con la letra Z.
La corteza es la parte exterior del tomo. En ella se encuentran
los electrones, con carga negativa. stos, ordenados en distintos
niveles, giran alrededor del ncleo. La masa de un electrn es unas
2000 veces menor que la de un protn.
Los tomos son elctricamente neutros, debido a que tienen igual
nmero de protones que de electrones. As, el nmero atmico
tambin coincide con el nmero de electrones.
PROTON
Un protn es una partcula cargada positivamente que se
encuentra dentro del ncleo atmico. El nmero de protones
en el ncleo atmico es el que determina el nmero
atmico de un elemento, como se indica en la tabla peridica
de los elementos.
El
protn tiene carga +1 (o, alternativamente, 1,602 x 10 19
culombios), exactamente lo contrario de la carga -1 que
contiene el electrn. En masa, sin embargo, no hay
competencia - la masa del protn es aproximadamente 1.836
veces mayor que la de un electrn .
ELECTRON
Un electrn es una partcula elemental estable cargada
negativamente que constituye uno de los componentes
fundamentales del tomo . Forma parte del grupo de los

leptones.
Los valores admitidos de la carga elctrica y la masa del
electrn son e = -1,602 189 2 (46) 10-19 C, y me = 9,109
354 (47) 10-31 kg.
NUMERO ATOMICO
es el nmero total de protones que tiene cada tomo de ese
elemento. Se suele representar con la letra Z. Los tomos de
diferentes elementos tienen distintos nmeros de electrones y
protones. Un tomo en su estado natural es neutro y tiene un nmero
igual de electrones y protones
MASA ATOMICA
La masa atmica es la masa de un tomo, ms frecuentemente
expresada en unidades de masa atmica unificada.1 La masa
atmica puede ser considerada como la masa total
de protones y neutrones (pues la masa de los electrones en el tomo
es prcticamente despreciable) en un solo tomo (cuando el tomo
no tiene movimiento). La masa atmica es algunas veces usada
incorrectamente como un sinnimo de masa atmica relativa, masa
atmica media y peso atmico; estos ltimos difieren sutilmente de
la masa atmica. La masa atmica est definida como la masa de un
tomo, que slo puede ser de un istopo a la vez, y no es un
promedio ponderado en las abundancias de los istopos. En el caso
de muchos elementos que tienen un istopo dominante, la
similitud/diferencia numrica real entre la masa atmica del istopo
ms comn y la masa atmica relativa o peso atmico estndar
puede ser muy pequea, tal que no afecta muchos clculos bastos,
pero tal error puede ser crtico cuando se consideran tomos
individuales. Para elementos con ms de un istopo comn, la
diferencia puede llegar a ser de media unidad o ms (por
ejemplo, cloro). La masa atmica de un istopo raro puede diferir de
la masa atmica relativa o peso atmico estndar en varias unidades
de masa.

2.3 Qu son los electrones de valencia y por qu son

importantes?
Los electrones de valencia son los electrones que se encuentran en
el ltimo nivel de energa del tomo, siendo estos los responsables
de la interaccin entre tomos de distintas especies o entre los
tomos de un mismo orbital. Los electrones en los niveles de energa
externos son aquellos que sern utilizados en la formacin de
compuestos y a los cuales se les denomina como electrones de
valencia.

Los electrones de valencia son los electrones que se encuentran en

los mayores niveles de energa del tomo, tienen gran importancia ya
que son los responsables de la interaccin entre tomos de distintas
especies o entre los tomos de una misma. Los electrones en los
niveles de energa externos son aquellos que sern utilizados en la
formacin de compuestos y a los cuales se les denomina como
electrones de valencia.
Estos electrones, conocidos como "electrones de valencia", son los
que presentan la facilidad de formar enlaces. Estos enlaces pueden
darse de diferente manera, ya sea por intercambio de estos
electrones, por comparticin de pares entre los tomos en cuestin o
por el tipo de interaccin que se presenta en el enlace metlico, que
consiste en un "traslape" de bandas. Segn sea el nmero de estos
electrones, ser el nmero de enlaces que puede formar cada tomo
con otro u otros. Slo los electrones externos de un tomo pueden
ser atrados por otro tomo cercano. Por lo general, los electrones
del interior son afectados en menor medida.
2.5 Describa los diferentes tipos de enlaces.
Los enlaces son las fuerzas que unen a los tomos entre s para que
estos conformen molculas. Existen tres tipos de enlaces: el inico,
el metlico y el covalente.
Enlace inico: este enlace se da con la atraccin electroesttica de
tomos que poseen cargas elctricas cuyos signos son contrarios.
Para que se realice este enlace, necesariamente uno de los
elementos debe cederle electrones a otro. Generalmente, los enlaces
inicos se dan entre un metal que cede electrones y un no metal. El
primero es electropositivo y el segundo electronegativo. Estos
enlaces se caracterizan por poseer elevados puntos de ebullicin y
fusin, suelen ser solubles y, en soluciones acuosas o fundidos,
conducen electricidad aunque no en estado slido.
Enlace covalente: a diferencia de los enlaces inicos, los covalentes
se establece a partir del compartimiento, entre dos o varios tomos,
de electrones y no de su transferencia. De esta manera, los tomos
se unen por medio de los electrones ubicados en las ltimas rbitas.
Suele establecerse entre elementos gaseosos no metales. Existen
dos tipos de sustancias covalentes: las redes y las sustancias
covalentes moleculares. Las redes se caracterizan por ser aislantes,
slidas, duras y las temperaturas de ebullicin y fusin son muy
altas. Las sustancias, en cambio, son blandas, aislantes del calor y
de la corriente elctrica, sus temperaturas de ebullicin y fusin son
bajas y pueden encontrarse en estado slido, lquido o gaseoso.
Enlace metlico: es el que mantiene unidos a los tomos de los
metales entre s y slo se da entre sustancias que se encuentren en
estado slido. Los tomos metlicos conforman estructuras muy
compactas al agruparse muy prximos entre s. Los electrones de
valencia tienen la capacidad de moverse con libertad en el
compuesto metlico a causa de la baja electronegatividad que tienen

los metales. Esto hace que el compuesto posea conductividad

trmica y elctrica. Estos enlaces se caracterizan por encontrarse en
estado slido, poseer brillo metlico, son maleables y dctiles y
emiten electrones al recibir calor

2.8 Qu es el factor de empaquetamiento atmico? Qu

informacin se necesita para calcularlo?

En cristalografa, el factor de empaquetamiento atmico (FEA),

en ingls: atomic packing factor, APF, es la fraccin de volumen en
una celda unidad que est ocupada portomos. Este factor
es adimensional y siempre menor que la unidad. Para propsitos
prcticos, el FEA de una celda unidad se determina asumiendo que
los tomos son esferasrgidas. Con respecto a cristales de un
componente (los que contienen un tipo de tomo nico), el FEA se
representa matemticamente por:
donde Ntomos es el nmero de tomos en la celda unidad, Vtomo es el
volumen de un tomo, y Vcelda unidad es el volumen ocupado por la
celda unidad. Matemticamente se puede probar que, para
estructuras de un componente, el valor del FEA del arreglo
ms denso de tomos es de alrededor de 0.74. En realidad, debido a
factores intermoleculares especficos, esta cifra puede ser mayor.

2.9 D escriba las estructuras reticulares FCC, BCC y HCP.

Estructura Cristalina Cbica Centrada en el Cuerpo (BCC) En esta
celda unitaria Fig. 1a, las esferas slidas representan los centros
donde los tomos estn localizados e indican claramente sus
posiciones relativas. Si se representan los tomos en estas celdas
como esferas rgidas, entonces la celda unitaria presentar el
aspecto mostrado en la figura 1b. En esta celda unitaria podemos
observar que el tomo central se encuentra rodeado por otros ocho
vecinos ms cercanos y se dice tiene un nmero de coordinacin de
8.

Estructura Cristalina Cbica Centrada en las Caras (FCC) En la

celda unitaria FCC de la Figura 3a. Hay un punto reticular en cada
vrtice del cubo y otro en el centro de cada cara del cubo. El modelo
de esferas slidas de la Figura 3b. Indica que los tomos de esta
estructura estn unidos del modo ms compacto posible. El APF
(factor de empaquetamiento atmico) de esta estructura de
empaquetamiento compacto es 0.74, que al compararla con el valor
0.68 para la estructura BCC, indica que sta no es compacta.
Estructura Cristalina Hexagonal Compacta (HCP) La tercera
estructura electrnica ms comn es la HCP, mostrada en la figura 5.
Los metales no cristalizan en la estructura hexagonal sencilla porque
el APF es demasiado bajo. Los tomos pueden alcanzar una energa
ms baja y unas condiciones ms estables para formar la estructura
HCP de la Figura. El APF de esta estructura es 0.74, el mismo que
para la estructura FCC, ya que para ambas estructuras los tomos
estn empaquetados de un modo lo ms cercano posible. En ambas
estructuras, HCP y FCC, cada tomo est rodeado de otros 12
tomos y por tanto ambas estructuras tienen un nmero de
coordinacin 12.

2.18 Cules son las clases de defectos de una estructura

cristalina?
Corresponden a desviaciones de la situacin ideal que afectan a las
bases cristalinas y/o los puntos reticulares.
Como defectos puntuales de naturaleza meramente estructural o
cristalogrfica estn las lagunas o vacantes (tambin llamados
defectos Schottky) y los defectos intersticiales, que se producen por
la ausencia de un tomo de su punto reticular o por la presencia de
un tomo en un lugar del cristal que no es un punto reticular,
respectivamente.
La asociacin de una laguna y un intersticial se conoce con el
nombre de defecto de Frenkel (Fig. 1.8).
Las lagunas y los intersticiales son una consecuencia de la energa
(de vibracin) de la red, que aumenta con la temp eratura. La
concentracin de lagunas o intersticiales puede expresarse, en una

forma simple, a travs de una ley del tipo de Arrhenius, en la forma

donde Ea es la energa de activacin de la formacin de la laguna o
el intersticial. El factor pre-exponencial para los semiconductores
simples puede ser considerado como la densidad atmica del
material.

A estos defectos hay que aadir, y para los semiconductores

binarios, ternarios , los llamados defectos de antisitio o
antiestructurales que corresponden a situaciones en las que un sitio
de un tomo est ocupado por otro de naturaleza distinta (por
ejemplo, en lugar de un tomo de Galio, hay uno de Arsnico).
Finalmente y de naturaleza puntual es tambin el defecto creado por
la presencia de impurezas que pueden ocupar un lugar sustitucional
o intersticial. Y tambin formar complejos o asociaciones con otros
defectos puntuales. Las impurezas, dada su naturaleza diferente de
la del cristal, se conocen tambin como defectos extrnsecos, por
contraposicin a los otros o intrnsecos.
1.4.2.- Defectos bidimensionales
Son defectos asociados a la estructura y organizacin de los planos
reticulares. Principalmente estn constituidos por las dislocaciones,
los defectos de apilamiento (stacking faults), los planos de simetra
(twins) y los defectos de deslizamiento.
Las dislocaciones son defectos asociados a la presencia de planos
reticulares anmalos en el cristal, tanto por su ubicacin como por su
orientacin. En la Fig.1.9 se representan las dislocaciones de tornillo,
de borde y de acoplo. En el primer caso se ha producido un
desplazamiento progresivo de parte del cristal. En el segundo un
nuevo plano cristalino se ha insertado a partir de una determinada
posicin. Las dislocaciones de acoplo se producen en
heteroestructuras cuando se realiza la unin de dos materiales
diferentes en los que, obviamente, los parmetros reticulares no
coinciden.
Su principal fuente de formacin es la tensin termomecnica del
cristal durante el crecimiento. Pero tambin pueden producirse por
acumulacin de defectos puntuales. Cuando la temperatura es

elevada, la energa del cristal puede desplazar los tomos del mismo
en el entrono de la dislocacin. Esto genera el movimiento de las
mismas y/o la modificacin de su tamao y estructura.

Dislocaciones de tornillo (a), de borde (b) y de acoplo (c)

Defectos superficiales
Cuando los defectos se extienden a una superficie importante del cris
tal, se llaman defectos superficiales. Principalmente son las fronteras
de grano y las superficies laterales. Las primeras separan dos zonas
del cris tal que no guardan relacin en su orientacin cristalogrfica y
que reciben el nombre de granos y son inclusiones de microcristales
en el monocristal.
Las segundas son las superficies que limitan el cristal finito y que
presentan, en el mejor de los casos, enlaces atmicos rotos y una
ruptura de la periodicidad del cristal. En los captulos que siguen
tendremos ocasin de ver la importancia de los elementos de
simetra de los cristales y, en particular, la de la periodicidad. Todos
los defectos, de una forma o de otra, rompen esta periodicidad. Y,
muy principalmente, las superficies laterales (un cristal
perfectamente peridico debera ser infinito).
Los defectos cambian, en mayor o menor medida, las propiedades
del cristal y su importancia en los aspectos electrnicos de los
semiconductores es diferente. Los defectos asociados a las
impurezas son necesarios e imprescindibles cuando pueden ser
controlados, porque son defectos que generalmente demuestran una
actividad elctrica, capturando o emitiendo electrones. Es decir son
capaces de aparecer como centros cargados en el cristal. Este
comportamiento tambin est asociado a algunos defectos puntuales
extrnsecos como las lagunas. En cambio otros defectos no exhiben
actividad elctrica. Pero todos, de una manera u otra interfieren en el
proceso de la conduccin elctrica y en algunos casos en la
tecnologa de fabricacin de dispositivos y circuitos, variando la
cintica del proceso y disminuyendo su rendimiento. De ah el inters
de controlar la calidad del material.
2.22 Qu es la composicin eutctica y por qu es importante?

La composicin eutctica constituye la transformacin de

solidificacin completa del lquido. Este tipo de composicin
corresponde a un punto fijo en el diagrama de fases, es decir, ocurre
a una temperatura y composicin determinada, y dicho punto posee
cero grados de libertad. A partir de una muestra slida, a cualquier
composicin distinta de la eutctica, la muestra no fundir
completamente independientemente de la temperatura a la que nos
encontremos.
2.26 Cules son las cinco clases de materiales cermicos?
GRUPO I. Comprende los materiales construidos
predominantemente por silicatos de aluminio (arcilla, caoln, etc.), los
ms conocidos son la porcelana y la loza vidriada.
GRUPO II. Comprende los materiales en cuya constitucin entra en
gran proporcin, los silicatos magnsicos (talco), el ms
representativo es la esteatita.
GRUPO III. En este grupo se incluyen los materiales cermicos con
alta proporcin de compuestos de titanio (principalmente, xidos y
silicatos). Los ms empleados son los que emplean el bixido de
titanio como material bsico, y que se conocen con los nombres
comerciales de Condensa, Kerafar, etc.
GRUPO IV. En este grupo estn incluidos los materiales a base de
mezclas que contienen sustancias arcillosas y esteatitas en
proporciones adecuadas, de forma que el material acabado tiene un
coeficiente de dilatacin muy reducido. Se conocen con varios
nombres comerciales, tales como Ardostam, Sipa, etc.
GRUPO V. Al contrario que en los grupos anteriores, los de este
grupo tienen estructura porosa. Estn constituidos a base de masas
arcillosas o de silicatos de magnesio y se caracterizan, sobres todo,
por su gran resistencia al calor. Se conocen con diversos nombres
comerciales: Magnesolita, Termisol, Calodur, Morganita, etc.
2.10 Demuestre para la estructura cristalina cbica centrada en
las caras (FCC) que la longitud de la arista de la celda unitaria a
y que la longitud del radio atmico r estn relacionados
mediante la frmula a = 2\2r.