Electronica de potencia

La aplicacin de la electrnica de estado solido para el control y conversin

de energa elctrica
Conversin de energa
GRAFICOOOO

De pequea potencia menor a 1k

Aplicaciones domesticas
(celular , microondas , etc)
De mediana potencia mayor a 1K y menor a 100K Aplicaciones
industriales como controladores de motores .
Variadores de relacion
Arrancadores suaves

(Aprovechando esto se hace enlases intermedios) AC

troceador de enlace

DC

DC

CRITERIOS CONVERTIDOR ESTATICO

1)Convertidor debe ser eficiente

n=

Pout
=98
Pin

2) el elemento de control debe operar como un interruptor (corte y

saturacin)
Idealmente :

I =0
V determinado por circui

Corte (abierto )

Saturacin (cerrado )

V =0
{I determinado
por circuito }
Graficoooooooooo

Con esto se logra variar VRMS

VRMS depende del ngulo (ngulo de disparo)
VDC =0
Graficooooooooooo

Rectificacin de media onda

VDC =0

AC

Graficooooooooooo

Graficooooooooooo

Cualquier forma de onda va a tener una componente DC + una fundamental y

mas armnicos
Forma de onda = VDC + V1 (fundamental) + Armnicos
Componentes bsicos de un convertidor de potencia
Motor

Filtro
de
entra
da

Fuent
e

Convertid
or de
potencia

proteccin de
armnicos a la
fuente

DC

AC

*Up

Salida

Carga elctrica

*protege de armnicos a la carga

*reduce el rizado de la forma de onda

{monofasica
trifasica }

AC

Circuito
de
control

Filtro de
salida

AC, DC

Todo convertidor de potencia es generador de armnicos

{monofasica
trifasica }

graficoooooooo

Tipos de seales
Fundamentales : seal DC pura o AC pura
Graficooooooooooooo

Si una seal tiene nicamente la componente a la frecuencia

fundamental , es una seal pura .

Distorsionadas : toda seal peridica diferente de las fundamentales es una seal

distorsionada y presenta armnicos
Seal no peridica

Ruido

graficoooooooooooooo

cualquier seal distorcionada puede expresarse como la sumatoria de una

fundamental mas componente DC mas armnicos
graficooooooooooooooo
Dispositivos electrnicos de potencia
Son elementos que permiten la de energa hechos a base de
semiconductores
Caractersticas

Tiene dos estados : bloqueo y conduccin

No tienen partes oviles ni contactos
No presentan arco elctrico
Permite manejar mayores velocidades , frecuencias
Capacidad de soportar corrientes altas con voltajes bajos en conduccin
Capacidad de soportar voltajes altos con corrientes bajas en bloques
Son pequeos y silenciosos
Requieren gran cantidad de protecciones contra :

dv
dt

temperatura (disipador )

di
dt

sobre corrientes

Tipos :

Diodos
Transistores
Tiristores

Diodos : formado por dos capas

Diosdos de uso general
Rapidos : Schotty (10 veces menos P pero 10 veces ms rpido )
Graficooooooooooooooo
Transistores : elementos de 3 , 4 , 5,o 6 capas
TBJ
lento , mayores potencias , disparado por corriente
MOSFET
rpido , menores potencias , disparado por voltaje
Grafricooooooooooooo
IGBT

disparado por voltaje , rangos intermedios P y vel

Garficoooooooooooo

Son elementos de apertura controlada , cierre controlado y

con prdida de potencia

Tiristores :

SCR (rectificador controlado de silicio ) : son elementos de apertura

no controlada y cerrado controlado

Graficooooooooooooooooooo
El cierre se controla con un pulso de corriente en la base

GTO
TRIACS
Diodo de potencia
Graficoooooooooooooo
Las perdidas en un diodo vienen dadas por VAK en conduccin
y por Ifuga en corte
El valor de VRR es el valor mximo posible de fuente que
maneja ese diodo , que se puede conectar al diodo .

Garficoooooooooooooooooooo

Todo semiconductor tiene perdidas , disipa calor y necesita un

disparador

Graficoooooooooooooo

Si tengo diodo de potenciacin con VAK condi=2v y se aplica V

pico de 10V calcule e tiempo de conduccin y la potencia
disipada en el diodo si Ifuga=2mA y f=60Hz
graficoooooooooo
2v=10 sen (wt)

2 1
=
Sen(wt)= 10 5
Diodo:

P(t)= T

v ( t )i(t) dt

wt=0.2

T
2

1
2 Vf
V akcond
sen (wt )dwt

T 0
R

Pconduccin =

2 Vf
( sen( wt) Ifuga)dwt
2

Pcorte=

Graficoooooooooooooooo
VL(t)=

di
dt

1
V(t)= L Vl (t )dt
0

VL=0

No puede haber cambio de corriente brusca en el motor

Voltaje medio en el inductor siempre cero

Graficooooooooooo

V =Vf 0

Vf
Zl= R + XL2
2

I(t)=

2 Vf
Zl

sen(wt- )

di

V(t)=Ri+L dt
Carga altamente inductiva

graficooooooooo
Caracteristicas dinamicos del diodo
Graficoooooooooooooooooooo
Tipos de diodos :

Diodos estndar

Diodos rapidos
Diodo ultrarapido
Diodo scotty
Voltaje
100-600v
100-1000v
200-800v
15-150v

E
R
UR
S

Corriente
1-50 A
1-50 A
1-50 A
1-150 A

Trr
>1us
100ns-500ns
20ns-100ns
<2ns

Conexin de diodos
Conexin de diodos

Serie : objetivo

Aumentar Vpr(Vott pico inverso)

garficoooooooooooooooooo
I=If1 + Ir1= If2 +Ir2
If1 + (VD1 MAX/R1)=If2 +(VD2 MAX/R2)
VD1 MAX=VD2 MAX=Vmax/2
Red ecualizadora distribuje Volt de Diodos conectados en serie

Paralelo

Grafiiiiiiiiicooooooooooo
Transistores de Potencia :
Graffffffffffiiiiiicoooooooooo
Diodo elemento no controlado
Transistor elemento controlado
SCR
cierre controlado , apertura no controlada
Graaaaafiiiiiiiiiicooooo
Calculo de potencia en un transistor con carga resistiva
GRAFICOOOOOOOOOO
Pestticas :(cundo totalmente ON - OFF)
b

1
PEON = T IcmaxVcesat . dwt
a
d

1
PEOFF = T IfugaVcc . dwt
c

Pestticas :
b

1
1
PEON = T IcmaxVcesat . dwt = T [ IcmaxVcesat ] (ba)
a
b

1
PEON = T (IcmaxVcesat )(tON )
a
d

1
PEOFF = T IfugaVccdwt
c
Pdinamicas :
b

[(

1
IcmaxIfuga
wt + Ifuga
PDON = T
a
a

Icon

VceON

][(

( IcmaxIfuga
) wt + Ifuga
a

( VcesatVcc
) wt +Vcc
a
b

1
POFF= T ic( wt )Vce (wt ) .dwt
a

Ic=(wt)=

Vce=

( IfugaIcmax
) t+ Icmax
tOFF

( VccVcesat
) t+ Vcesat
toff

Graficooooooooooooo

Solo si WL>>R se tiene Ic continua

Pesttica(rea bajo el rectngulo b*h)

PEON= T

[ tONIcmaxVcesat ]

VcesatVcc
wt + Vcc dwt
a

PEOFF= T

[ tOFFIfugaVcc ]

Pdinamicas :(rea bajo el tringulo )

1 tONIcmaxVcc
2

PDON= T

1 ( tON +tOFF )IcmaxVcc

2

PD= T

1 tOFFIcmaxVcc
2

PDOFF= T

Protecciones en un transistor

Temperatura
disipador
Sobrevoltaje
varistor
Sobrecorrientes
fusible
Variaciones bruscos de voltaje
dv/dt
redes snubber
graficooo
Variaciones bruscas de corriente
di/dt
grafiiiiicooooo
Polarizacin inversa C-E
graficoooooo
Polarizacin inversa B-C graficoooooooooooo

Graficooooooooooo
Mosfet
Mosfet de disparo por voltaje
contorlados por voltaje
Totalmente controlados (apertura y cierre)
Ifuga se aproxima a cero
Tiempos de encendido y pagado pequeos (nseg)(50nseg)
Tienen en Vds alto (Vce)(2 a 4v)Pestaticas aumentan
Problemas con descarga electrosttica
Alto costo
Flecha hacia adentro (enriquecimiento )hacia afuera
(agotamiento )

Graficoooooooooooooooooo
En Mosfet las perdidas considerables son en conduccin con
resistencia equivalente RS(RSI2)
En corte
Pdespreciables
Graficooooooooo
Coportaiento coo C.A (Vgs<2v)
Coportamiento resistivo
Protecciones en el mosfet las mismas que en el transistor

IGBT

Mezcla caractersticas de TBJ y MOSFET

La caracterstica de salida es la de TBJ pero controlada por voltaje
Alta capacidad de anejar corriente
Menor capacidad de conmutacin (>Fmosfet y <fTBJ)
Disparado por voltaje
Facilidad de manejo

Graficooooooooooooooo

Condiciones de uso de IGBT

bajo ciclo de trabajo

baja frecuencia (< 20KHz)
aplicaciones de alta tensin (>1000v)
alta potencia (5>KW)

aplicaciones tpicas

control de motores
sistemas de alimentacin ininterrumpida
sisteas de soldadura
iluminacin de baja frecuencia (<100KHz) y alta potencia

graficaaaaaaaaaaaaaaaaaa
comparacin

BJT

MOSFET

IGBT