Universidad Politécnica Salesiana

Amplificadores de Potencia

Integrantes:
- Javier Asimbaya
- Néstor Recalde
- Edwin Jaramillo
- Alex Pérez
- Juan Suasnavas
5to Ing. Electrónica

2010-03-12
 Amplificadores de
potencia

Introducción

Los requerimientos para La etapa de salida debe

las etapas de salida de entregar una cantidad
los amplificadores de apreciable de potencia y
potencia son distintos Objetivos ser capaz de manejar
de los correspondientes cargas de baja
a los amplificadores de impedancia
baja potencia

- Examinar los amplificadores de

potencia y sus características.
- Comprender la estructura interna de
los amplificadores operacionales.
 Clasificación de los amplificadores de potencia

Existen cuatro
tipos de
amplificadores

La clasificación se basa en la forma de onda de la

corriente del colector producida por una señal de
entrada senoidal.

Clase A; Clase B; Clase AB; Clase C;

La corriente de El transistor esta El transistor esta El transistor
polarización del polarizado con polarizado con conduce durante
colector ( Ic ) de una corriente de una corriente un intervalo
un transistor es cd igual a cero y diferente de cero, menor a 180o ,
mayor que la conduce solo el transistor las mitades
amplitud pico de medio ciclo de la conduce durante negativas de la
la corriente de señal de entrada un poco mas de corriente del
salida , conduce por lo tanto su la mitad de ciclo colector son
durante todo el ángulo de de señal de aportadas por
ciclo de la señal conducción es de entrada el ángulo otro transistor,
de entrada es 180o . de conducción esta corriente es
decir el ángulo esta definido por de tipo pulsátil
de conducción es el siguiente es decir que tiene
t 360o . intervalo una mayor
o
180 360o distorsión en la
. seña de salida .
 Seguidores de emisor

Un seguidor de emisor es
un amplificador de clase A

Características Características Formas de señal; Potencia de

generales; de transferencia; salida y
eficiencia;
- tiene una Si v I 0 , es Si se desprecia el Esta definida por
impedancia de decir vO v BE , valor de PL
salida baja. saturación puede PS
la característica
- tiene una variar desde
tiene un voltaje La potencia
impedancia de -vcc hasta vcc
offset, Si el valor promedio
entrada muy siendo el valor
de RL extraída de la
grande. de polarización
(resistencia de fuente es
- tiene una igual a cero, para
carga) es menor ( vcc.I R ) , si se
ganancia en obtener una
que R1 causa desprecia la
voltaje casi igual excursión
recortes de cresta potencia de la
a 1. máxima de
y por lo tanto la fuente tenemos ;
- la resistencia de voltaje se
condición que PS 2VCC .I R
carga es grande. relaciona
evita esto es ;
IR = IQ .
RL R1
 Amplificador de clase A

Es un circuito que conectado con una

resistencia en serie con el colector (o con el
drenaje) del transistor de la figura (a).

*Carece de
estabilidad La eficiencia de potencia de una
El transistor conduce una corriente
en su etapa de clase A se puede
continua de polarización de cd .Como
polarización incrementar hasta 50% con una
resultado, la eficiencia máxima en
*No es carga acoplada por
potencia es de solo el 25% de la cifra
adecuada transformador
de merito que es la relación de la
disipación máxima de potencia de para
colector respecto a la potencia de amplificado
salida máxima es 2. res de
potencia
*Se utiliza
para
deducir la
*Características de trasferencia el Vin eficiencia Vpl=(np/ns)Vsl Ipl=(ns/np)Isl
esta relacionada ala Ic de potencia Donde ns y np se refiere a los
*potencia de salida y eficiencia esta devanados secundarios y
dada por primarios
Ps =Vcc.Ic Resistencia es
Caraga promedio o potencia de salida R’l=Vpl/Ipl=(np/ns)²Rl
PL=VpIp/2 donde Vp e Ip son valores
pico
*la eficiencia de la conversión
η=Pl/Psx100%

CARACTERISTICAS DE Eficiencia máx.

TRASFERENCIA Calidad de ηmáx=2Vcc(2Ic)/8VccIc=
*Vo=Rl(Ir-ic1) se obtiene que amplificador 50%
Vo=RlIr=Rl=(Vcc-VBE2)/R1 Fm=Pc(máx)/Pl (máx) El valor de Vp para una
Si el valor Vo <al V salida + máx esta dada por etapa acoplada por
(Vcc-Vce(sat)) haya distorsión Pc=VccIc/2 trasformador Vcc
Rl≥R1 aumenta el Ventrada la I del obtendremos que *para un amplificador de
transistor Q incrementa Fm=(VccIc/2)/(VccIc) emisor Vcc/2

Por lo tanto la cifra de merito

de un trasformador es la
misma que la del emisor
común
 Amplificador de clase B

*Vi>0 Vce(max)=Vcc-VcE1(sat) Es un amplificador Potencia de Salida y

el transistor Qp se mantiene clase b en contrafase un Eficiencia
desactivado Qn opera como transistor pnp y un VcE(sat)=Vce(sat)=
seguidor de emisor transistor npn forman VcE(sat)=0V y
*Vi<0 -VcE(max)=-(Vcc- un par , y cada uno de Ic(min)=0
VcE(sat))=-Vcc+VcE2(sat) ellos conduce durante Variación de icl=Ip
Qn se mantiene desactivado y Qp solo 180º la corriente sen wt
funciona como seguidor de de polarización de cd es *Corriente promedio
emisor cero como resultado la Icd=2Icl=2Ip/Π
*Vo=Vi-VbE para -0.7V≥Vi≥0.7 eficiencia en potencia Potencia de entrada
durante este intervalo queda máxima es de 78.5% y promedio
desactivado la cifra de merito Ps=Icd.Vcc=2IpVcc/
máxima es de solo 20% Π
Potencia de salida
PL=I²pRl/2=IpVp/2
MINIMIZACION DE LA ZONA
MUERTA
Mediante una retroalimentación FORMA DE ONDA
con un amplificador operacional DE LA SEÑAL
Conexión de serie y paralelo sin La recta de carga de
que Vo y Vi difieren en ca Icd=2(Ic1)=2Ip/Π
VbE/A=10⁵ se reduce a 7ЦV R1 R’l0(np/ns)²Rl
limita la I extraída del η(max)=Pl(max)/Pdc
amplificador operacional =78.5%
2Pc=Pcd-Pl
Fm=Pc(max)/Pl(max
)=Vcc²/Π²R’l/Vcc²/2
Rl=20%

3 etapas POLARIZACION de cd
*Eficiencia potencial
Etapa de ganancia Q1 yQ2 en lugar de una fuente de
η=Pl/Ps=(Π/4)(Vp/Vc
voltaje de polarización alimentación adicional
c)
VbE se utiliza la fuente de
η=50% cuando
El transistor npn alimentación Vcc como
Vp=2Vcc/Π
Vi<0 Q2 se mantiene un divisor de voltaje
η=78.5% cuando
desactivado Q1 funciona dado que la caída de
Vp=Vcc
como amplificador voltaje del diodo es
y la potencia esta dada
Vi>0 Q1 se mantiene similar al voltaje base-
por
desactivado Q2 funciona emisor de un transistor
PL(max)=I²pRl/2=V²c
c/2Rl como amplificador
 Amplificador de clase C

El amplificador de Por lo general el Los amplificadores

clase AB voltaje base-emisor de clase AB
complementario es la de cd de cada exhiben un voltaje
etapa de salida de uso transistor se ajusta a de salida de desvío
mas común el aproximadamente cuando el voltaje
funcionamiento de su Vbe que es el de entrada es cero
circuito es similar al voltaje requerido Sin embargo Se
de un amplificador para obtener la puede aplicar
clase B excepto en corriente de retroalimentación
que los transistores polarización deseada para reducir el
tienen una comúnmente el voltaje de offset
polarización de cd amplificador se
aun cuando el voltaje polariza con diodos
de entrada sea cero y con una fuente
activa de corriente o
bien usando un
multiplicador Vbe.
 Amplificadores clase AB cuasicomplementarios
en contrafase

Esta configuración se conoce

como etapa de salida
cuasicomplementaria

Partiendo de un transistor pnp La corriente del colector de QP está El transistor pnp

QP y uno npn QN1 de alta dada por compuesto puede
ser reemplazado
potencia V
I CP I S exp EBP por una
VT combinación
MOS-bipolar
El par formado por QP
y QN1 es equivalente a
un transistor pnp La corriente compuesta del colector IC
es la corriente del emisor de QN1.
compuesto
V
I C (1 h fe ) I CP (1 h fe ) I S exp EBP
VT

El transistor npn lleva la

El amplificador mayor parte de la
cuasicomplementario utiliza corriente y el transistor
un transistor pnp compuesto pnp sólo una pequeña
cantidad de la misma

Este transistor puede

entregar una potencia de
salida más grande que un
dispositivo pnp normal.
 Amplificadores clase AB en contrafase
acoplados por transformador

El circuito del amplificador

clase AB es idéntico al de la
clase B.

Se polariza ligeramente hacia la Los amplificadores acoplados Etapas del amplificador

conducción por transformador ofrecen una
elevada eficiencia en potencia

Por Q1 y Q2 fluya una corriente

de polarización IQ Sin embargosufren de no Emisor Etapa de
linealidades y de distorsión común salida
introducidas por las
características no lineales de Ganancia Salida de
IQ se obtiene haciendo que VBB los transformadores de voltaje alta
sea un poco mayor que potencia
VBE = VBE1 = VBE2 = 0.7
Los efectos no lineales se Emisor
pueden eliminar aplicando común
una retroalimentación
negativa en serie-paralelo
Acoplamiento
La ganancia total en voltaje La retroalimentación serie- de impedancia
Af depende en gran parte de paralelo le da al amplificador
la red de retroalimentación las características deseables
de una baja impedancia de
salida y una elevada
1 RF impedancia de entrada
Af 1
RE
 PROTECCIÓN CONTRA
CORTOCIRCUITO Y PROTECCIÓN
TÉRMICA
La etapa de salida tiene
normalmente
Protección contra
cortocircuitos
Está formado por el transistor Q1
y el resistor RE1
Si ocurre un corto circuito en la
carga mientras QN está
conduciendo, fluirá una corriente
grande por RE1, desarrollando un
voltaje VRE1
Cuando VRE1 llega a ser lo
suficientemente grande el
transistor Q1 se activa y lleva la
mayor parte de IR1
Los valores de RE1 y RE2 deben
estar en el orden de los mΩ para
reducir la excursión del voltaje
de salida, que estabilizarán la
corriente de polarización IQ,
protegiendo a QN y QP contra el
empalamiento térmico
Protección térmica
Está formado por:
- dos transistores Q2 y Q3
- tres resistores R1, R2 y R3
- un diodo zener DZ
Normalmente el transistor Q2
está desactivado
Si la temperatura aumenta debido
al coeficiente negativo de
temperatura de Q3 VBE3
disminuye y si VZ aumenta por el
coeficiente positivo de
temperatura de DZ
Resulta que en el VE de Q3 se
eleva y el VB de Q2 también
aumenta
La elevación de temperatura es
correcto, Q2 se activa y desvía la
corriente de referencia IR del
amplificador desconectándolo
 AMPLIFICADORES OPERACIONALES
DE POTENCIA

Tienen algunas características deseables, como una

ganancia de lazo abierto muy grande, una impedancia muy
alta y una corriente de entrada muy baja

Amplificadores de
potencia de circuito
integrado

LH0021 LM380

Funciona con una fuente Funciona con una sola

de ±25V, proporciona un fuente de 12-22V
voltaje de salida pico de
aproximación 12V a una Potencia de salida es tan
carga de 10Ω en un rango alta como 5W con una
de frecuencia hasta carga de 10Ω
15kHz

La distorsión de voltaje La distorsión de voltaje

de salida es menor a 1.6% de salida es menor a 3%

Etapa de Etapa de Etapa de Etapa de Etapa de Etapa de

entrada ganancia salida entrada ganancia salida

Formada por Circuito Formada por Formada por Circuito Formado por
transistores emisor Q13 hasta Q18 transistores emisor Q8, Q9 y Q´9
Q1 a Q4 común pnp Q3 a Q6 común
D1 y D2
Polarizado D3 y D4 Q3 está Formada por proporcionan
por Q7 que Formada por proporcionan polarizado Q12
Q9 y Q10 el voltaje
consumen IB el voltaje para por Q10 como para la
de Q3 y Q4, como par la operación también Q4
Darlington Q11 sirve operación
con R2 por
una corriente como carga
Q5 y Q6 son Actúan como activa de R6 y R7 dan
Q8 es una cd
una carga elevador de fuente de estabilidad a
activa de fuente activa corriente Q13 Las corrientes corriente la
espejos de de corriente y Q14 Q3 y Q4 son polarización
corriente C sirve para
iguales, por separa los
lo tanto la polos y para
C1 sirve para RC1 Y RC2 corriente y
separar los limitan la dar un ancho
voltaje son de banda
polos corriente cero en R3
activando a amplio
Q15 y Q16

Los transistores de
potencia deben estar
protegidos contra un
aumento excesivo de
la temperatura.
El TJ(máx) de un
transistor de silicio
está en el rango de
1500 a 2000C.
La disipación de
potencia corresponde a
la corriente; la
diferencia de
temperatura, a la
diferencia de voltaje y
la resistencia térmica, a
la resistencia eléctrica.
Condiciones térmicas
Los transistores de potencia disipan
grandes cantidades de potencia. La
potencia disipada se convierte en
calor, que provoca el aumento de
temperatura de la unión del colector.
La temperatura de la unión TJ debe
mantenerse dentro de un máximo
especificado TJ (máx) a fin de evitar
daños al transistor.
La resistencia térmica θJA es
una medida de la transferencia
de calor. Esta es la caída de
temperatura dividida entre la
disipación de potencia, en
condiciones de estado estable.
La corriente nominal de
los transistores de potencia
puede llegar hasta los
500A, con una disipación
de potencia hasta de
200W, en especial cuando
se utilizan los transistores
como elementos de
conmutación para
convertidores de potencia.
La resistencia térmica del flujo
de calor, desde la unión hasta el
ambiente, está dada por
θJA = (TJ – TA) / PD [en 0C /
W]
TJ = temperatura de la unión,
en 0C
TA = temperatura ambiente, en
0
C

Para mantener a la unión pro debajo de TJ(máx), normalmente el transistor

se monta sobre un disipador de calor, con lo que se obtiene una
impedancia térmica reducida para el flujo de calor.

El calor se transfiere del dispositivo

al aire mediante uno de tres métodos

1. Conducción desde la 2. Convección desde el 3. Radiación desde aletas de

unión hasta el encapsulado
a través de una resistencia
térmica θJC, y del
encapsulado al dispositivo
de calor a través de una
resistencia térmica θCS.
encapsulado hasta el ambiente
a través de una resistencia
térmica θCA, y del disipador de
calor al ambiente a través de
una resistencia térmica θSA.
enfriamiento hasta el aire. La
transferencia de calor
dependerá de la capacidad de
emisión de la superficie y
del área.

La disipación de potencia esta relacionada con la temperatura de la unión TJ y con la

temperatura ambiente TA mediante TJ – TA = PD (θJC + θCS + θSA).
La temperatura ambiente TA y la temperatura en el encapsulado TC están relacionadas con la
disipación de potencia mediante TC – TA = PD (θCS + θSA).
La disipación de potencia, a una temperatura del encapsulado TC, se puede determinar a
partir de PD (T = TC) = PD(máx) – [(PD(máx)) (TC – TC0) / (TJ(máx) -TC0)] para TC ≥ TC0
 Diseño de amplificadores de potencia

Los amplificadores clase A y clase AB eliminan la zona

muerta, generalmente se utilizan como las etapas de salida
de los amplificadores reales. Por lo tanto, el diseño de un
amplificador de potencia consiste en el diseño de la etapa
de salida.

Pasos para diseñar un amplificador de potencia:

1. Identificar las 2. Seleccionar el 3. Determinar 4. Determinar los

especificaciones de tipo de operación los valores valores nominales y
las etapas de salida. de salida; por lo nominales de la potencia de todos
Por ejemplo, la general, voltaje y de los resistores.
potencia de salida operación clase B corriente de También, si se trata
PL, la resistencia de o clase AB. todos los de una carga
carga RL y los transistores. acoplada por
voltajes de transformador,
alimentación de cd determinar la
Vcc y VEE. relación de vueltas
de los
transformadores.

5. Seleccionar 6. Seleccionar los 7. Determinar la 8. Utilizar

el tipo de transistores de disipación de PSpice/SPICE
circuito de potencia que potencia de los para simular y
polarización cumplan con los transistores y la verificar el diseño,
de cd. requerimientos de resistencia utilizando los
Determinar voltaje, corriente y térmica deseada valores estándar
las potencia. del disipador de de los
especificacion Determinar su calor. componentes
es de los temperatura junto con sus
componentes máxima de unión tolerancias.
activos y TJ(máx) y las
pasivos. resistencias
térmicas θJC y θCS.
 UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA

Bibliografía
M. H. Rashid; “Circuitos Microelectrónicos”; Prentice Hall; Pp capítulo 14.