Repblica Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Educacin

Universidad Nacional Experimental Francisco de Miranda
Asignatura: Electrnica I

Profesor: Carlos leal

Realizado por:
Calles Estefany
Miguelangel Dozsa
Yessenia Fontalve
Mercy miranda
Adrian salas
Bryan Gonzales
Oriana rodriguez

Santa Ana de coro; junio 2015

Introduccin

En este apartado trataremos el tema sobre un dispositivo, el cual ha

revolucionado la vida de todos nosotros. El transistor, que es sin duda uno de
los mejores inventos del hombre diseado para operar en circuitos electrnicos
como amplificador, oscilador o conmutador. El trmino Transistor es un
acrnimo de transfer y resistor (resistencia de transferencia) y se compone de
tres terminales: colector, base y emisor.
En estos temas estudiaremos las principales caractersticas bsicas del
transistor bipolar y FET, as como sus aspectos fsicos, sus estructuras bsicas
y las simbologas utilizadas para cada uno de ellos.
Destacando que la ecuacin mencionada anteriormente es la misma para todas
las configuraciones de red del JFET siempre y cuando el dispositivo se
encuentre en la regin activa. La red define el nivel de corriente y voltaje
asociado con el punto de operacin mediante su propio conjunto de
ecuaciones.
Se abarcar igual el tema de la polarizacin, el encapsulado y la prueba de los
transistores con multmetros tanto digital como anloga que son indispensables
en estos dispositivos mencionados anteriormente.

Transistores de efecto de campo

Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son

dispositivos de tres terminales que se utilizan en varias aplicaciones que
coinciden, en gran manera, con las del BJT. Los transistores de efecto de
campo pueden ser de 3 tipos conocidos: transistor de efecto de campo de
unin o JFET, transistor de efecto de campo metal-xido semiconductor
MOSFET y el transistor de efecto de campo semiconductor metlico MESFET.
Estos son dispositivos controlados por tensin con una alta impedancia de
entrada (1012). Los FET's se utilizan en circuitos digitales y analgicos como
amplificador o como conmutador.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de
campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la
aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de
conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de
campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el
componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

POLARIZACIN DE UN FET

Este tipo de transistor se polariza de una manera diferente a los BJT, el

terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de la
fuente y la puerta se polariza negativamente con respecto a la fuente.
A mayor voltaje mas angosto es el canal, por tanto es mas dificil que la
corriente pase por el terminal drenador al terminal de fuente. La tensin para
que el canal quede cerrado se llama punch-off y es diferente para cada FET.

Tipos:
El JFET de canal no est constituido por una barra de silicio de material
semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a

ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan

drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).
En el JFET de canal N la corriente circula por la regin N, que se
extiende entre los contactos de drenador y surtidor. Obsrvese que en este
dispositivo existe una unin PN entre el terminal de la puerta y el canal N. En
su funcionamiento como transistor esta unin PN debe estar polarizada
inversamente. Entonces a corriente de la puerta ser cero. Cuando aumenta la
polarizacin inversa de dicha unin, la anchura efectiva del canal N disminuye
y, en consecuencia aumenta la resistencia del canal. Por dicha razn, para una
misma tensin aplicada entre el drenador y el surtidor, la corriente disminuye al
polarizar ms inversamente la unin PN de puerta. De forma similar en los
JFET de canal P, la corriente que circula por el regin P entre drenador y
surtidor. La anchura del canal es modulada por la polarizacin inversa aplicada
a la unin PN de puerta.
La polarizacin de un JFET exige que las uniones p-n estn
inversamente polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensin de
drenador debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de
corriente a travs de canal. Adems, la puerta debe tener una tensin ms
negativa que la fuente para que la unin p-n se encuentre polarizado
inversamente.
Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares a
las curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos
controlados por tensin a diferencia de los bipolares que son dispositivos
controlados por corriente.
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) al igual
que un transistor BJT tiene tres terminales, a los cualesdenominamos puerta,
drenador y fuente, y la puerta es un terminal que esta unido a un aislante, por
lo que con tensiones continuas la corriente por la puerta es casi nula, ya que
esta unida al aislante, los MOSFET son dispositivos de efecto de campo que
utilizan un campo elctrico para crear una canal de conduccin, controlados por
tensin relativamente simple de activar y desactivar, lo cual es una ventaja con
respecto al transistor bipolar de unin. El estado de conduccin se consigue
cuando la tensin puerta-fuente sobrepasa de forma suficiente la tensin
umbral, lo que fuerza al MOSFET a entrar en la regin de trabajo hmica,
normalmente la tensin puerta-fuente del MOSFET para el estado activado en
circuitos conmutado esta entre 10 y 20v. El estado desactivado se consigue
con una tensin menor que la tensin umbral, las corrientes de puertas para los
estados de encendido y apagado son esencialmente cero. Sin embargo, es
necesario cargar la capacidad de entrada parsita para poner al MOSFET en
conduccin y descargarla para apagarlo.

Las velocidades de conmutacin vienen determinadas bsicamente por

la rapidez con que la carga se puede transferir desde y hacia la puerta.
Estos son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor
parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y
MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de
acumulacin (enhancement) o deplexion (deplexion); en la actualidad los
segundos estn prcticamente en desuso y aqu nicamente sern descritos
los MOS de acumulacin tambin conocidos como de enriquecimiento. La
estructura fsica de un MOSFET es de canal N con sus cuatro terminales:
puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra
conectado a la fuente. La puerta, cuya dimensin es WL, est separado del
substrato por un dielctrico (Si02) formando una estructura similar a las placas
de un condensador.
Al aplicar una tensin positiva en la puerta se induce cargas negativas
(capa de inversin) en la superficie del substrato y se crea un camino de
conduccin entre los terminales drenador y fuente. La tensin mnima para
crear esa capa de inversin se denomina tensin umbral o tensin de threshold
(VT) y es un parmetro caracterstico del transistor. Si la VGS<VT, la corriente
de drenador-fuente es nula; valores tpicos de esta tensin son de de 0.5 V a 3
V.
Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura fsica muy
diferente pero sus ecuaciones analticas son muy similares. Por ello, en los
transistores MOS se definen las mismas regiones de operacin: corte, lineal,
saturacin y ruptura.

MOSFET de tipo Empobrecimiento

La forma de trabajo de empobrecimiento se explica debido a que los
electrones de la fuente pueden circular desde el surtidor hacia el drenador a
travs del canal estrecho de material semiconductor tipo N. Cuanto mayor sea
la diferencia de potencial VDD aplicada por la fuente, mayor ser esta
corriente.
La tensin negativa, aplicada a la puerta, produce un estrechamiento en
el canal, debido al empobrecimiento de portadores, lo que hace que se reduzca
la corriente de drenador. Aqu se aprecia claramente que, el fenmeno de
control se realiza a travs del efecto del campo elctrico generado por la
tensin VGG de la puerta.
La semejanza entre las curvas de transferencia de los JFET y de los
MOSFET tipo empobrecimiento permite analizarlos de la misma manera en el

dominio de cd. La diferencia principal entre los dos es que los MOSFET tipo
empobrecimiento permiten puntos de operacin con valores positivos VGS y
niveles de ID mayores IDSS. En realidad, para todas las configuraciones es lo
mismo si al JFET lo reemplaza un MOSFET tipo empobrecimiento.

MOSFET de tipo Enriquecimiento

Este tipo de MOSFET est diseado de tal manera que slo adminte la
forma de trabajo en modo de enriquecimiento. La aplicacin fundamental de
este transistor se realiza en circuitos digitales, microprocesadores, etc.
Segn las curvas de este transistor (se encuentran en los anexos), este
slo conduce cuando son aplicadas tensiones positivas al drenador, por lo que
normalmente estar en no conduccin o apagado.
Las caractersticas del MOSFET tipo enriquecimiento son bastante
diferentes a las del JFET y de los MOSFET tipo empobrecimiento, tomando en
cuenta que para los MOSFET tipo enriquecimiento de canal n, la corriente de
drenaje es cero con niveles de voltaje de la compuerta a la fuente menores que
el nivel de umbral VGS(TH), para niveles de VGS mayores que VGS(TH), la
corriente de drenaje se define como:
ID=K(VGS - VGS(TH))2

Capacidades parsitas
Las diferentes capacidades parsitas que pueden aparecer en un
Mosfet, son las causantes de que la conmutaciones no sean instantneas, ya
que como sabemos para que un condensador cambie la tensin en sus bornes,
es necesaria una corriente que lo cargue o lo descargue dependiendo del caso,
y para ello necesitaremos cierto tiempo, que es lo que introducir el retardo en
las conmutaciones. Las capacidades parsitas tambin aparecen inductancias
parsitas que pueden tener su importancia cuando las conmutaciones son muy
bruscas o cuando las corrientes son importantes, por ello habr casos en los
que las deberemos tener en cuenta.

Si observamos las carcteristicas que proporciona el fabricante, vemos

que los datos de lascapacidades parsitas no nos los dan como las
capacidades fsicas: Cgd, Cds y Cgs; sino que nos los dan en forma de unas
capacidades que ellos han podido medir experimentalmente. Adems tenemos
otro problema ya que las capacidades parsitas no son constantes, sino que
sondependientes de ciertos parmetros, siendo la Vds el parmetro que mas
les influye.

Los MOSFET se clasifican en:

VMOS
Los VMOS (Silicio Oxido metalico vertical) el termino vertical en estos
dispositivos se debe sobre todo a que el canal se form en la direccin vertical
en vez de la horizontal. Sin embargo, el canal tambien tiene la apariencia de
una v tallada en la base del semiconductor la cual sobresale como una
caracterstica del dispositivo.
Esta caracterstica vertical hace que los VMOS FET posean un
coeficiente de temperatura positivo, el cual combate la posibilidad de
desbordamiento termico. Estos dispositivos se introducen con el fin de reducir
el campo elctrico mximo en la parte superior de la forma de V y lo que
conduce a tensiones mximas ms elevadas. Cabe destacar que los VMOS
poseen niveles de resistencia de canal reducidos y valores de potencia y
corrientes mas altos. Cuando los VMOS almacenan niveles de carga reducidos
se aceleran los tiempos de conmutacin para su construccin, comparados con
los de la construccin plana convencional. No obstante, Una de las desventajas
del mosfet son los niveles de manejo de potencia reducidos ( en general,
menores que 1W)
CMOS
Se conoce como una configuracin mosfet complementaria (CMOS);
Tiene gran aplicacin en el diseo de logica de computadora. La relativamente
alta impedancia de entrada, las rpidas velocidades de conmutacin y los bajos
niveles de potencia de operacin de la configuracin CMOS, han dado por
resultado una disciplina totalmente nueva y conocida como el diseo de logica
CMOS.

Un uso muy efectivo de esta configuracin es un inversor, como de describio

para los transistores de conmutacin, un inversor es un elemento logico que
"invierte" la seal aplicada.

Transistores MESFET: Es un transistor de efecto de campo de juntura metal

semiconductor, su canal esa hecho de material semiconductor compuesto
(GaAs) y su puerta de metal; Una caracterstica muy resaltante de este tipo de
FET es que en su interfase puerta canal posee una unin o barrera schottky,
este es un dispositivo de alta velocidad y su funcionamiento es similar a los
JFET. No obstante, los MOSFET de Si pueden hacerse de este mismo material
(GaAs) pero esto sera un proceso de fabricacin mas difcil debido a los
problemas de difusin. Sin embargo, la produccin de los MESFET con una
barrera schottky en la compuerta puede hacerse de una forma mas eficiente,
cabe destacar que las barreras schottky son barreras establecidas mediante la
depositacin de un metal como el trungsteno sobre un canal de tipo n, el uso
de estas barreras en la compuerta es la principal diferencia de los MESFET,
esta compuerta esta conectada de una manera directa a un conductor metlico
que yace directamente entre el canal n entre las terminales de la fuente y el
drenaje. La unica diferencia con la construccin de los MOSFET tipo
empobrecimiento es la ausencia del aislante en la compuerta. No obstante,
cuando se aplica un voltaje negativo a la compuerta, atraera portadores libres
negativos (electrones) en el canal hacia la superficie metalica y en el canal
reduce la cantidad de portadores, el resultado es una corriente de drenaje
reducida, para valores crecientes de voltaje negativo en la compuerta. Con
voltajes positivos en la compuerta, mas electrones sern atraidos hacia el canal
y la corriente se elevar.

FUNCIONAMIENTO DE LOS MOSFET

Corte
Cuando VGS < Vth donde Vth es la tensin de umbral del transistor. Si
se aplica al drenador una tensin positiva con relacin a la fuente, y que
empezamos con VGS=0. Tenemos como resultado las interfaces drenadorsustrato y fuente-sustrato aparecen uniones pn.No fluye virtualmente ninguna
corriente hacia el drenador ya que la unin drenador-sustrato est polarizada
en inversa por el generador de VDS. A esto se le llama reginde corte.

Regin lineal u hmica

Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS Vth ). Al polarizarse la puerta con
una tensin mayor que la tensin de umbral, se crea una regin de
agotamiento en la regin que separa el surtidor y el drenador. Si esta tensin
crece lo suficiente, aparecern portadores minoritarios (huecos en PMOS,
electrones en NMOS) en la regin de agotamiento, que darn lugar a un canal
de conduccin. El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo
que una diferencia de potencial entre drenador y surtidor dar lugar a una
corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la
tensin de compuerta.
Saturacin o activa
Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS Vth ). A medida que aumenta vDS,
la tensin entre la puerta y el extremo del canal correspondiente al drenador
disminuye. Cuando la tensin puerta-drenador Vgd iguala a la tensin umbral
Vto, la anchura del canal en el extremo del drenador se hace cero. Para
ulteriores incrementos de VDS, iD es constante. A esto se le llamaregin de
saturacin.
Fundamento de transistores de efecto de campo.
Los

transistores

son

tres

zonas

semiconductoras

juntas

dopadas

alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones.

Su estructura y representacin se muestran en la tabla.
Modelo de transistor
FET canal n

Modelo de transistor
FET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en inversa

de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacin de la
unin

PN.

La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin

afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexin y
depende de la tensin inversa (tensin de puerta).

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo

(FET):

Zona hmica o lineal: En esta zona el transistor se comporta como una

resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que
aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para
VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.

Zona de saturacin: En esta zona es donde el transistor amplifica y se

comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS

Zona

de

corte:

La

intensidad

de

drenador

es

nula

(ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET
pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la
caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico).

La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de

un FET de CANAL N, lo que significa que todos los voltajes y
corrientes son de sentido contrario.

Aplicaciones
Aislador o separador (buffer): su principal ventaja es su alta impedancia de
entrada y baja de salida, su uso en general, en equipos de medida, receptores.
Amplificador de RF: En esta aplicacin su ventaja es que posee bajo ruido, y se
utiliza como sintonizadores de FM, equipos para comunicaciones.
Mezclador: Posee baja distorsin de intermodulacin, su principal uso es como
receptores de fm y tv, equipos para comunicaciones.
Amplificadores con CAG: Posee una facilidad para controlar ganancia, se
emplea como receptores o generador de seales.
Amplificador cascodo: Tiene una baja capacidad de entrada y se encuentran
facilmente en instrumentos de medicin y equipos de prueba.
Troceador: Posee una ausencia de deriva y se usa como amplificador de cc y
se encuentran en sistemas de control de direccin.
Resistor variable de voltaje: En esta aplicacin es controlado por voltaje, se
utiliza como un amplificador y los podemos encontrar en organos electricos.
Amplificador de baja frecuencia: Posee una pequea capacidad de
acoplamiento, se encuentran en audifonos para sordera, y se usa como un
transductor inductivo.
Oscilador: Posee una minima variacin de frecuencia, se usa como receptor y
se encuentran en generadores de frecuencia patrn.
Circuito MOS digital: Posee pequeo tamao, y se encuentran en integraciones
de gran escala, computadoras y memorias.

Caractersticas

Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada

muy elevada, desde 1MegaOhm hasta cientos de MegaOhm.

 Las ganancias de voltaje de ca son mucho mayores para los FET.

Son ms pequeos que otros transistores lo que los hace
particularmente tiles en chips de CI.
Los FET generan un nivel de ruido menor.
Los FET son ms estables con la temperatura.
Los FET son ms fciles de fabricar pues precisan menos pasos y
permiten integrar ms dispositivos en un CI.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el
tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de
almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar
corrientes grandes.
Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacidad de entrada.
La magnitud de ganancia de redes con FET en general vara entre 2 y
20. La configuracin de autopolarizacin ( sin capacitancia de punteo en
la fuente) y la de fuente-seguidor son configuraciones de baja ganancia.
La magnitud de la impedancia de salida es similar a la de los BJT
convencionales.
No hay desfasamiento entre la entrada y la salida de las configuraciones
en fuente-seguidor y en puerta comn. Las otras tienen un
desfasamiento de 180 grados.
Como ya sabemos la impedancia de entrada en la mayora de las
configuraciones de los FET es bastante alta. Sin embargo, es muy baja
para la configuracin en puerta comn.

Diferencias entre el JFET y el BJT

BJT
Controlado por corriente de base.
Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y
electrones.
IC es una funcin de IB.
(beta factor de amplificacin)
Altas ganancias de corriente y voltaje.
Relacin lineal entre Ib e Ic.
JFET
Controlado por tensin entre puerta y fuente.
Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos
(canal p) electrones (canal n).
ID es una funcin de Vgs.
gm (factor de transconductancia).

 Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las

de los BJT.
Relacin cuadrtica entre Vgs e Id.

Ventajas del FET con respecto al BJT

Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012)M.
Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Son ms estables con la temperatura que los BJT.
Son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y
permiten integrar ms dispositivos en un CI.
Se comportan como resistencias controladas por tensin para valores
pequeos de tensin drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el
tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de
almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar
corrientes grandes.
Los FETs presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacidad de entrada.
Los FETs presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos
lineales que los BJT.
Los FETs se pueden daar debido a la electricidad esttica.

APLICACIN, PRINCIPAL VENTAJA Y USOS

Aislador o separador (buffer), impedancia de entrada alta y de salida

baja, uso general, equipo de medida, receptores.
Amplificador de RF, bajo ruido, sintonizadores de FM, equipo para
comunicaciones.
Mezclador, baja distorsin de intermodulacin, receptores de FM y TV,
equipos para comunicaciones.
Amplificador con CAG, facilidad para controlar ganancia receptores,
generadores de seales.
Amplificador cascodo, baja capacidad de entrada, instrumentos de
medicin, equipos de prueba.
Resistor variable por voltaje, se controla por voltaje, amplificadores
operacionales, control de tono en rganos.
Amplificador de baja frecuencia, capacidad pequea de acoplamiento,
audfonos para sordera, transductores inductivos.
Oscilador, mnima variacin de frecuencia, generadora de frecuencia
patrn, receptora.

 Circuito MOS digital, pequeo tamao, integracin en gran escala,

computadores, memorias.
Simbologa de JFET

Ejercicios:

Figure 2: Esquema propuesto para el diseo del amplificador de tensin

utilizando un transistor FET. Se trata, pues, de una configuracin en fuente
comn, cuyas caractersticas son las siguientes:
Av = gmRD (1)
Zi R1//R2 (2)
Zo RD (3)
RD = Av gm = 20 4m = 5K
VRD = RDID = 5K 3m = 15V
RD = Av gm = 20 2.5m = 8K
VRD = RDID = 8K 1m = 8V
VS = VDD VRD VDS = 20 8 8=4V
RS = VS ID = 4 1m = 4K
VGS |ID=1mA= 2.1V
1Si no, bastara con sustituir RD por R D = RD//RL.

Conclusin
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida,
el diseo de los circuitos electrnicos. Se puede comentar que con el invento
de estos dispositivos han dado un giro enorme a nuestras vidas, y a que en
casi todos los aparatos electrnicos se encuentran presentes. Se conocieron
los distintos tipos de transistores, as como su aspecto fsico, su estructura
bsica Y las simbologas utilizadas, pudiendo concluir que todos son distintos
Y que por necesidades del hombre se fueron ideando nuevas formas o nuevos
tipos de transistores.
El estudio del efecto de transicin de niveles de energa y el espectro
atmico fueron decisivos en la formulacin terica del transistor, adems del
estudio del tomo de la mecnica cuntica y la fsica atmica, permitiendo
aprovechar las propiedades intrnsecas de los tomos de Germanio, fosforo
entre otros, para el diseo de sistemas basados en las reacciones atmicas
entre ellos por sus electrones, perfeccionando este proceso hasta llevarlo a lo
que actualmente conocemos como hoy en da como transistores.
Adems de todos esto, ahora si podremos comprobar o hacer la prueba
de los transistores para conocer si se encuentra en buenas condiciones para su
uso.