Universidad de Sonora

Divisin: Ciencias Exactas y Naturales

Carrera: Ingeniera en Tecnologa Electrnica

MATERIA: ANALGICA 3

PRCTICA 6

PROFESOR:
RAFAEL SABORI GARCA

EQUIPO:
CASTRO RODRGUEZ GUSTAVO
LPEZ PACHECO ABIGAEL
LUNA RIVERA ALAN
ALCANTAR MRQUEZ EDGAR
MARTES 16 DE JUNIO DEL 2015

Introduccin
El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de
sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores ms
conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en
algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.

Desarrollo:
Parte 1:
Build the circuit shown below. For the BJTs. use the QbreakN and QbreakP
devices from the Breakout library. QbreakN is a generic npn transitor with a default
F = 100. QbreakP is a generic pnp model, also with default F = 100. In the first
simulation run, we will use these default values. As always, the resistors come from
the analog library and the DC source is from the source library. Note that we could
use specific BJT components from the EVAL library, but we dont necessarily know
that model descriptions being used for those. The breakout models allow us to
model the components in exactly the way we want.

En la imagen anterior se observa el circuito con los transistores y se ven los

valores en los puntos base, emisor y colector tanto voltajes como corrientes como
se pedia anteriormente, tambin en las resistencias.

Parte 2:
Lets run the simulation again, but with different values of F for each transistor.
For the npn, we will change F to 200 and for the pnp we will use F = 50 To make
these changes, we need to edit the model descriptions for the BJTs. Click on the
npn symbol in the circuit to select it. Then right-click on the selected symbol to
bring up a pop-up menu. From the menu, select Edit PSPICE model. A dialog box
opens that contains one line of text describing the properties of the BJT model. The
name is Qbreakn in SPICE Q means BJT. Of course, NPN defines the type
of BJT. To change F, type in BF = 200 after NPN, as shown below. Save the
changes (File -> Save) and close the window. Note that from this point on, every
QbreakN transistor that we use in any PSPICE circuit will have F = 200. If we
need a different value of F for example, to match a value measured in lab we
will need to go through the same steps to edit the PSPICE model.

En esta parte de la simulacin se est modificando la beta F del transistor primero

del transistor PNP de 100 a 50 ya que en la primera parte se tom la beta que
tiene por default el transistor.
Ahora se hace lo mismo con el transistor NPN cambindole la beta a 200

Y cuando se vuelve a correr la simulacin debe observarse una variacin en los

valores de DC al modificar la BF.

Conclusin:

En la prctica se estudi el comportamiento de los transistores en base a su beta

que influye en los niveles de DC de manera significativa.