Pruebas Microondas

UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO
FACULTAD DE INGENIERA EN SISTEMAS, ELECTRNICA E INDUSTRIAL

PERODO ACADMICO: MARZO/2013 AGOSTO/2013
OPTATIVA II (MICROONDAS)
PRUEBA PARCIAL DE LA I UNIDAD

OPTATIVA II (MICROONDAS) VIII NIVEL
1. En una red reactiva se han realizado las siguientes mediciones
;
a. Estando en corto circuito el terminal 2 se aplica
esta desfaso 180 con respecto a
b.
;
impedancia de carga
a)
en el terminal 1; se determina que
. Determinar el circuito equivalente tipo T.

;
determiar la

b)
2. Demostrar
a)
b)

A)
B)

2.-Dado el siguiente grafico, determinar la contante de transferencia imagen, impedancia

imagen, los valores de Z1 y Z2 en funcin de la constante de transferencia imagen.


3. Implementar un atenuador de pasos que tenga 0,3,5,10 dB
a) = 3dB =0.34N
b) = 2dB =0.23N
c) = 5dB =0.57N
circuito tipo

4. Conteste
-
Explique la diferencia entre conexin imagen e iterativa

En la conexin imagen si me situ en un punto entre los cuadripolo vemos la misma
impedancia a la izquierda y derecha mientras que la conexin iterativa la impedancia
vista desde la entrada es la misma.
Explique guas de ondas TE, Tm y TEM

Las guas de onda consisten en secciones huecas, de material conductor, cuyas
paredes son perfectamente pulidas y son simtricas.
TE: El campo elctrico es transversal a la direccin de propagacin y el campo
magntico es paralelo a la direccin de propagacin.
TM: El campo magntico es transversal a la direccin de propagacin y el campo
elctrico
es paralelo a la direccin de propagacin.
TEM: (Transversal electromagntico), el campo elctrico como el magntico en la direccin de

propagacin es nula, se enva una sola frecuencia.

EVALUACION FINAL DE LA I UNIDAD

OPTATIVA II (MICROONDAS) VIII NIVEL
I.- Lea detenidamente la pregunta, y encierre en un circula la respuesta que crea que es la
correcto.
1.- en un aislador de ferrita las ondas se propagan en un solo sentido por l
a.- efecto de rotacin da gauss
b.- efecto de la jaula de Faraday
c.- efecto de rotacin de Faraday
d.- efecto de translacin de Faraday
2.- los cuadripolos tienen dos formas de conectarse, que son:
a.- operacin imagen o iterativa
b.- operacin imagen o reiterativa
c.- operacin bimagen o reiterativa
d.- operacin imagen o iterativa
3-una gua de ondas es un medio de transmisin, formado por paredes
a.- conductoras ya sean en forma rectangular o circular
b.- semiconductoras ya sea en forma rectangular o circular
c.- conductoras pulidas, ya sea en forma rectangular o circular

d.- dielctricas ya sea en forma rectangular o circular

4.- en una cuadripolo la impedancia Z10 es en el lado emisor cuando:
a.- los terminales de salida estn en un circuito abierto
b.- los terminales de salida estn cortocircuitados
c.- los terminales de saluda con carga resistiva
d.- los terminales de salida estn en carga capacitiva
5.- la temperatura de Curie, es aquella temperatura a la cual el material electromagntico
pierde:
a.- sus propiedades elctricas
b.- sus propiedades magnticas
c.- sus propiedades conductoras
d.- sus propiedades dielctricas
II.- complete las siguientes oraciones
1.- la magnitud de rotacin depende de largo y del espesor de ferrito as como del campo
magntico de su intensidad
2.- en una gua de onda, se transmiten seales modos TE as como modos TM a excepcin de
los modos TEM
III.- INDIQUE SI ES VERDADERO O FALSO, CADA UNA DE LAS SIGUIENTES FRASES
1.- en un aislador se tiene las caractersticas que las seales pueden viajar en cualquier
direccin sin sufrir atenuacin falso
2.- en una gua de onda circula m representa el nmero de medias longitudes de onda que
cambian radialmente del centro a la pared falso
3.- los postes en una gua de onda, son generalmente tornillos o pernos, que forman
obstculos y permiten anular las ondas reflejadas verdaderas
EJERCICIOS
Demostrar que los G.O circulares tiene mayor rea y mayor peso que los G.O
Mayor rea

Mayor peso

PRUEBA SEGUNDOPARCIAL DE OPTATIVA II

1. EXPLIQUE PORQUE EL RANGO DE MICROONDAS NO SE PUEDEN USAR ELEMENTOS
CONCENTRADOS Y COMO SE PUEDEN DISMINUIR EL TIEMPO DE TRANSITO.
Al incrementar la frecuencia se reducen los valores de los inductores y los capacitores.
Al reducir sus valores de los inductores y capacitores se reduce su tamao, Esto causa
que las dimensiones de la bobina y capacitores sean compatibles a las reactancias
parasitas de los electrodos y de las conductancias del circuito.
Reactancias parasitas se obtienen en los tubos de vaco al tener frecuencias de
operacin altas, los valores de los condensadores y de los inductores se reducen. Si se
trabaja a 500MHz el oscilador no requiere de L y C, oscila solo con las reactancias
parasitas. A frecuencias mayores de 500MHz esta condicin ya no es correcta, para el
anlisis de lo que se conoce como tiempo de transito.
Tiempo de transito es el intervalo de tiempo finito que tardan los electrones en
desplazarse desde el ctodo al nodo.
El tiempo de transito se puede eliminar:
Bajando la frecuencia este tiempo de transito es muy pequeo con la
frecuencia de oscilacin, lo que hace que sea despreciable.
Reduciendo la distancia entre el ctodo y nodo
2. EXPLIQUE EL DIAGRAMA DE APPLEGATE.

Es un grafico distancia y tiempo.

En este se va dar un agrupamiento de electrones, a este efecto se lo conoce como la

modulacin de la densidad del haz de electrones.
Una lnea representa la historia del electrn y su pendiente es inversamente
proporcional a la velocidad de los electrones.
En los puntos A,B y C los electrones no sufren ningn cambio.
La ubicacin del punto D va a depender de la velocidad inicial promedio de los
electrones y de la amplitud del campo de radio frecuencia, este campo de radio
frecuencia varia en forma peridica esto implica que la modulacin de la velocidad
varia en forma peridica, dando el efecto de modulacin de corriente del haz.
En el punto D se coloca una cavidad resonante para generar oscilaciones a alta
frecuencia, entonces se puede extraer potencia de radio frecuencia.
La energa cintica continua de los electrones se convierte en energa de radio
frecuencia.
3. EXPLIQUE LAS CARACTERSTICAS BSICAS DE LA ESTRUCTURA DE ONDA
PROGRESIVA.
1) La velocidad de los electrones de las ondas electromagnticas es igual a la
velocidad de la luz. La velocidad del haz es menor a la velocidad de la luz.
Para tener la interaccin continua se reduce la velocidad de las ondas
electromagnticas del campo de radio frecuencia.
2) El campo de radio frecuencia debe generar una componente de campo elctrico
paralelo al eje del haz. Para que se mantenga la interaccin continua entre el
campo de radio frecuencia y el haz.
En la hlice tipo vaina
El espaciamiento entre espiras adyacentes es equivalente a cero. El grosor del alambre
de la espira tiende a cero.
Con estas condiciones se habla que tiene una estructura elctricamente suave, esto
hace que la conductividad en la direccin del alambre es alta tiende al infinito y esta se
hace cero en direcciones perpendiculares al alambre.

4. EXPLIQUE COMO SE GENERA LA RESISTENCIA NEGATIVA EN EL DIODO GUNN Y

PORQUE SE LLAMA DISPOSITIVO DE TRANSFERENCIA DE ELECTRONES.
El efecto donde la corriente oscila en un material semiconductor, si la tensin aplicada
pasa un valor umbral, por efectos del volumen del material semiconductor, se lo
conoce como efecto de resistencia negativa.
RESISTENCIA DINAMICA NEGATIVA
LEY DE OHM
Proporcionalidad entre la corriente que circula por un elemento y el voltaje aplicado
en sus extremos.
Donde: R es el factor de proporcionalidad.
Linealidad
directamente proporsionales, nose cumple al cien por ciento en los
semiconductores.
No linealidad
se tiene por la presencia de campos elctricos intensos o elevados
en el semiconductor.
Los campos elctricos van a provocar un cambio en el comportamiento de los
electrones, lo cual hace que se tenga electrones ms energticos que otros.
Se habla que los electrones mas energticos se mueven o se movilizan con mayor
lentitud que los electrones menos energticos.
La diferencia de velocidades de los electrones hace que la corriente se desfase con
respecto a la tensin aplicada, esto hace que tenga el efecto de resistencia negativa.
Se habla que es un dispositivo de transferencia de electrones desde el valle alto hasta
el valle bajo.
5. EXPLIQUE LA ESTRUCTURA DE RADIO FRECUENCIA DEL MAGNETRN.
La estructura de radio frecuencia ms usual de un magnetrn esta constituida por
cierto nmero de cavidades cilndricas abiertas en un espacio angular denominado
regin de interaccin.
La geometra de la estructura del magnetrn.
I
c

En donde C es el ctodo cilndrico, I es la regin de interaccin y A es el cuerpo de

nodo que incluye cavidades mltiples, diseadas para modos TE con lneas de campo
elctricas.
La configuracin del campo elctrico en radio frecuencia en una porcin de la
estructura. La distribucin de campo dentro de la cavidad corresponde al modo TE10 de
una cavidad cilndrica. Aun para distribucin de campos semejantes en todas las
cavidades mostradas la estructura del magnetrn soporta diversas variedades de
modos, dependiendo de la diferencia en fase entre campos elctricos.
LECCION DE OPTATIVA II
1. EXPLIQUE EL DIAGRAMA DE APPLEGATE
Es un grafico distancia y tiempo.
En este se va dar un agrupamiento de electrones, a este efecto se lo conoce como la

modulacin de la densidad del haz de electrones.
Una lnea representa la historia del electrn y su pendiente es inversamente
proporcional a la velocidad de los electrones.
En los puntos A, B y C los electrones no sufren ningn cambio.
La ubicacin del punto D va a depender de la velocidad inicial promedio de los
electrones y de la amplitud del campo de radio frecuencia, este campo de radio
frecuencia varia en forma peridica esto implica que la modulacin de la velocidad
varia en forma peridica, dando el efecto de modulacin de corriente del haz.

En el punto D se coloca una cavidad resonante para generar oscilaciones a alta

frecuencia, entonces se puede extraer potencia de radio frecuencia.
La energa cintica continua de los electrones se convierte en energa de radio
frecuencia.
LECCION DE OPTATIVA II
1. Con un ejemplo explique el dBr.
A veces es conveniente referir los niveles logartmicos de voltaje o potencia al nivel
que se tiene en un punto determinado de un circuito o sistema. A este punto de
referencia, se le asigna arbitrariamente el nivel de 0 dBr (dB relativos). En la literatura
en ingls este nivel se designa tambin como 0 dB TL o 0 dB TLP (Test Level Point), es
decir, el nivel de 0 dB relativos en el punto de prueba. Supngase el ejemplo de la
figura 2.3, en que se toma como referencia el nivel de potencia en el punto B de la
figura 2.4.
El nivel absoluto en este punto es, como puede verse de los valores de la figura, de 26
dBm. Los valores absolutos y relativos en cada punto del sistema son, por
consecuencia:

El nivel relativo en cualquier punto en un circuito expresa la ganancia o atenuacin en

dB, entre el punto de referencia de 0 dBr y el punto considerado.
2. Explique que es la frecuencia intermedia y cul es su uso bsico.
Se denomina Frecuencia intermedia (FI) a la Frecuencia que en los aparatos
de radio que emplean el principio superheterodino se obtiene de la mezcla de la seal
sintonizada en antena con una frecuencia variable generada localmente en el propio
aparato mediante un oscilador local (OL) y que guarda con ella una diferencia
constante. Esta diferencia entre las dos frecuencias es precisamente la frecuencia
intermedia.
USO
Su uso bsico esta en los receptores de TV.
La frecuencia intermedia se toma de la etapa de mezclador-oscilador del sintonizador.
El oscilador local se hace oscilar en una frecuencia que es 39,5 MHz mayor que la
portadora seleccionada. La frecuencia intermedia se obtiene, entonces, mediante la
seleccin de la diferencia entre las frecuencias portadoras y del oscilador.
3. Que es el modo de acumulacin de carga de espacio limitado.(LSA)
Este modo no tiene la frecuencia de oscilacin Relacionada con el tiempo de transito.
En el modo LSA (Limited Space charge Accumulation) se invita la formacin de
dominios y se aprovecha realmente el efecto de volumen de resistencia dinmica
negativa. El dispositivo debe actuar en un crculo resonador sintonizado a una
frecuencia varias veces mayor que la intrnseca y se polariza por encima de la tensin
umbral. Antes de que pueda formarse un dominio, la tensin oscilante cae por debajo
del umbral, eliminndose la carga especial formada con anterioridad en el ciclo de RF.
El dispositivo pasa la mayor parte del ciclo de RF con valor de campo elctrico elevado,
en rgimen de movilidad baja y no puede formarse la carga de espacio.
El modo LSA tiene inters por su mayor frecuencia y potencia de salida, que al no
depender del tiempo de transito no decae segn
como se presenta en el siguiente
apartado. Sin embargo, al ser la longitud L de la muestra mayor que para el modo de
dominios, las caractersticas trmicas son peores y es muy difcil alcanzar potencias
elevadas por problemas de disipacin de calor.

EVALUACION DE OPTATIVA II
1. Explique las aplicaciones del TWT
Los TWT son muy verstiles.
El TWT de baja potencia y bajo ruido, ha sido usado en radares y en otros receptores
de microondas, en instrumentos de laboratorio y como conductores para tubos de
mayor potencia. Su sujecin en esas aplicaciones es ms leve que antes por los
avances de los semiconductores, los amplificadores a transistores, diodos tnel y
diodos Schottky pueden ser ms manuales en muchos de estos usos.
Los TWT CW de mediana y alta potencia son usados para comunicaciones y radar,
incluyendo ECM (electronic countermeasures). Estos tienen un gran margen de
seguridad, alta ganancia, gran ancho de banda y caractersticas constantes. La mayora
de las estaciones terrenas usan TWT como tubos de salida, y asi se hacen un gran
nmero de enlaces por tropodispersin.
Los enlaces en la banda de la microondas tambin usan TWT, generalmente usando
tubos en el rango inferior a los 100 W.
Los TWT CW sern tratados por supuesto en FM y pueden ser usados algunos para
amplificar seales de AM o para generarlas en cualquier caso ntese que se debe
tomar en cuenta el hecho de que el TWT as como el amplificador Klystron se saturan
aproximadamente al 70% de su mxima salida.
2. Demuestre matemticamente como se genera la resistencia negativa en un diodo
Impatt

3. Explique el modo de dominio y tiempo de transito en el Diodo Gunn

Los (e-)s que son frenados, se van agrupando alrededor del ctodo esto implica que en
el nodo exista un dficit de electrones.
Esta concentracin de (e-)s, hace que el campo elctrico se localice alrededor del
ctodo.
Campo elctrico localizado
La intensidad del campo elctrico es alta
V
E
E0
La concentracin de (e-)s viaja del ctodo al nodo con la velocidad de saturacin

(velocidad baja).
Corriente impulsional
Peridica
Frecuencia de oscilacin

L
C
4. Demuestre que si en una medicin la impedancia del medidor es igual a la

impedancia de carga el valor medido es 3.52 dB que si la medicin hubiera sido
realizada con un medidor de impedancia alta
CON ALTA IMPEDANCIA

Nota.- debido a que dice el enunciado que la medicin no fue realizada con un medidor de
impedancia alta la respuesta es la siguiente:
1. Explique qu condicin se debe tener para que se produzca la transferencia de

energa del electrn al campo de radio frecuencia en un magnetrn.

Si se tiene un (e-) emitido por el ctodo.

a. Ausencia en campos RF
Cumple con la trayectoria a0 ; el (e-) vuelve a caer al ctodo.
b. Presencia de campos RF
Si el campo E esta en la misma direccin que la velocidad del electrn, el
campo RF le retarda al (e-) (le frena) y lo empuja hacia el nodo. Esto hace que
los valores de los campos estticos E y H se ajusten de tal manera que al llegar
el (e-) a la segunda cavidad haya pasado medio periodo con esta condicin, el
(e-) sufre un nuevo retardo lo que ocasiona que se libere energa del (e-) al
campo RF. Esta condicin se repite en las dems cavidades.
Esto genera las oscilaciones de microondas.
El proceso contina hasta que el (e-) cae en el nodo, el (e-) libera gran parte
de su energa potencial al campo RF.
Nota: para que se produzca esto se debe analizar dos conclusiones:
1. El sitio del ctodo del que es emitido el (e-)
2. Instante de tiempo que es emitido el (e-)
Las dinmicas del movimiento electrnico favorecen la liberacin de energa.


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Explique la diferencia entre conexin imagen e iterativa

Explique guas de ondas TE, Tm y TEM

TEM: (Transversal electromagntico), el campo elctrico como el magntico en la direccin de

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En este se va dar un agrupamiento de electrones, a este efecto se lo conoce como la

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directamente proporsionales, nose cumple al cien por ciento en los

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En donde C es el ctodo cilndrico, I es la regin de interaccin y A es el cuerpo de

En este se va dar un agrupamiento de electrones, a este efecto se lo conoce como la

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En el punto D se coloca una cavidad resonante para generar oscilaciones a alta

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El nivel relativo en cualquier punto en un circuito expresa la ganancia o atenuacin en

como se presenta en el siguiente

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3. Explique el modo de dominio y tiempo de transito en el Diodo Gunn

La concentracin de (e-)s viaja del ctodo al nodo con la velocidad de saturacin

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4. Demuestre que si en una medicin la impedancia del medidor es igual a la

CON ALTA IMPEDANCIA

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1. Explique qu condicin se debe tener para que se produzca la transferencia de

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Si se tiene un (e-) emitido por el ctodo.

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