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Captulo 4

TRANSDUCTORES
Termopar,Termistor,Efecto Hall

4.1

TRANSDUCTORES

Por transductor se entiende a cualquier dispositivo o elemento capaz de convertir una se


nal de entrada en una se
nal de salida de car
arcter diferente.
Ejemplos tpicos son el microfono, el cual convierte una se
nal sonora en una
se
nal electrica, y la corneta, la cual convierte una se
nal electrica en una se
nal
sonora.
Tanto en la vida cotidiana como en los laboratorios, muchos equipos utilizan transductores de diversa ndole. En esta practica estudiaremos dos de
ellos, de particular importancia en laboratorios: el transductor temperaturavoltaje o termopar y el transductor de Efecto Hall, los cuales se originan de
dos fenomenos fsicos como son el Efecto Termoelectrico y el Efecto Hall, y
que permiten la medicion de temperaturas y de campos magneticos respectivamente. Ambos transductores se caracterizan por tener una se
nal de salida
muy peque
na, en el orden de los milivolts.
Tambien veremos con caracter ilustrativo u
nicamente el termistor, elemento
cuya resistencia depende drasticamente de la temperatura.
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4.2
4.2.1

TERMOPAR

EFECTO TERMOELECTRICO

El proceso de conversion de energa electrica en calor en una resistencia, mas


conocido como Efecto Joule, es un fenomeno irreversible, ya que no hay proceso inverso en la resistencia capaz de reconvertir el calor disipado en energa
electrica (la resistencia es un elemento disipativo).
Sin embargo, existen elementos de circuitos donde ocurren procesos
reversibles en los cuales el calor se obtiene a expensas de la corriente electrica
cuando esta circula en un sentido, mientras que cuando circula en el sentido
contrario, se obtiene energa electrica a expensas del calor. Esta conversion reversibles de calor en energa electrica se conoce como Efecto Termoel
ectrico
y puede ocurrir de tres formas diferentes, una de las cuales, el Efecto Seebeck
origina al termopar.
El efecto Seebeck, es un fenomeno en el cual un sistema constitudo por
dos metales diferentes unidos en dos juntas, cada una de las cuales se mantienen a temperatura diferente, act
ua como una fuente de fuerza electromotriz s .

Para tratar de entender cualitativamente lo que ocurre en el Efecto Seebeck,


debemos estudiar primero los otros dos efectos: el Efecto Thomson y el Efecto
Peltier.
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4.2.2

EFECTO THOMSON

Calentemos una varilla metalica en uno de sus extremos, como la temperatura sera diferente a lo largo de la varilla, se produce un gradiente de
temperatura que se dirige de la zona fra a la zona caliente.

Si suponemos que los electrones libres de la varilla metalica se comportan como las moleculas de un gas, podemos esperar que en el extremo caliente la
presion del gas aumente, lo cual provoca una difusion de electrones desde la
region caliente hacia la region fra. La acumulacion de electrones en el extremo
fro establece un campo electrico creciente Eo dentro de la varilla el cual contrarresta la acumulacion adicional, y de hecho, la difusion cesara cuando la fuerza
sobre los electrones debida a este campo Eo sea lo sucientemente grande para balancear la tendencia a difundir causada por la diferencia de temperatura.
Notamos entonces que el extremo caliente queda con un potencial positivo
respecto al extremo fro, y podemos esperar que esta diferencia de potencial
aumente al incrementar el calentamiento del extremo correspondiente, o sea,
al aumentar la diferencia de temperatura entre los dos extremos.
De aqu en adelante supondremos que e = +1, 61019 C, de manera que la
direccion de las fuerzas electricas y magneticas puedan ser jadas sin ninguna
duda.
Si ahora establecemos una corriente electrica en la misma direccion del gradiente de temperatura (electrones moviendose en contra de la fuerza electrica
eEo ) se observa experimentalmente que hay una absorcion de calor por el
conductor, mientras que al invertir la corriente (electrones moviendose a favor
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de la fuerza electrica eEo ) se observa emision de calor por el conductor. Este


proceso reversible se conoce con el nombre de Efecto Thomson.

4.2.3

EFECTO PELTIER

Consideremos ahora dos varillas conductoras distintas A y B que se encuentran unidas por uno de sus extremos y a la misma temperatura. Si las
densidades de electrones libres de los materiales son diferentes, ocurrira un
proceso de difusion de electrones libres desde el elemento con mayor densidad
hacia el elemento con menor densidad, el cual tiende a igualar las densidades
o presiones de los gases de electrones. En la gura se muestra al material
B como de mayor densidad.
A

0
E

difusi
on

Notese que el proceso de difusion crea un exceso de carga negativa en el material A y un decit de carga negativa en el material B (inicialmente A y B
son electricamente neutros), por lo cual en la zona de la junta se establece un
campo electrico creciente E1 el cual contrarresta el proceso de transferencia de
electrones, cesando la difusion cuando E1 se hace sucientemente grande como
para compensarla.
Observamos que el extremo libre de A queda con un potencial negativo
con respecto al extremo libre de B, y que esta diferencia de potencial debe
aumentar si crece la diferencia de densidad de electrones libres.
Si analogamente al caso anterior establecemos una corriente electrica en la
misma direccion del gradiente de densidad n : A B (electrones moviendose en contra de la fuerza electrica eE1 ) se observa experimentalmente que
la junta se enfra, mientras que invirtiendo la corriente se observa un calentamiento de la junta. Este proceso reversible se conoce con el nombre de Efecto
Peltier.
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4.2.4

EFECTO SEEBECK

El Efecto Seebeck se puede entender entonces como una combinacion de los


dos efectos descritos anteriormente, y por lo tanto puede deducirse que la
fuerza electromotriz existente en el sistema constituido por dos metales diferentes unidos en dos juntas, cada una de las cuales se mantiene a temperatura
diferente, debe depender de la diferencia de temperatura (T TR ) as como de
la naturaleza de los metales.

Este sistema recibe el nombre de termopar y normalmente una de las juntas se encuentra a una temperatura de referencia constante TR (por ejemplo
0o C: agua con hielo), de manera que para un termopar dado la fuerza electromotriz de Seebeck s solo depende de la temperatura T de la otra junta.
Se procede entonces a calibrar el termopar de manera de observar la relacion entre s y (T TR ), la cual suele dar una curva que puede ser aproximada
por la expresion emprica:
1
s = a(T TR ) + b(T TR )2
2
donde a y b son constantes caractersticas de cada par de metales. Usualmente
b << a de manera que la relacion es lineal si la diferencia de temperatura no
es muy elevada.

4.3

EL TERMISTOR

El termistor es un material semiconductor cuya resistencia es fuertemente


dependiente con el inverso de la temperatura,T , debido fundamentalmente a
que el n
umero de portadores de carga (ver proximas subsecciones 4.4.1y 4.4.2)
en un semiconductor puro aumenta con T :
87

Esta propiedad permite medir temperaturas con una alta precision a traves
de un cambio relativamente grande de la resistencia. El termistor tambien se
usa como dispositivo para control termico.

4.4
4.4.1

EFECTO HALL

FUERZA MAGNETICA
SOBRE UNA

PARTICULA CARGADA

Si una partcula, de carga q y masa m, se mueve con velocidad v en una


esta partcula
region del espacio libre donde solo existe un campo magnetico B,
estara sometida a una fuerza:
= ma
F = qv B
la solucion de esta ecuacion permite conocer la trayectoria: r = r(t).
Consideremos ahora el caso de un electron libre (carga e, masa me ) que
se mueve dentro de un trozo de material solido al cual se le ha aplicado un
. Ya que este electron tiene interaccion con un n
campo magnetico B
umero
enorme de n
ucleos (positivos) y con otros electrones que lo rodean, no hay
ninguna razon para esperar que se pueda determinar el movimiento del electron
resolviendo la ecuacion:
= mea
F = ev B
sin tomar en cuenta las fuerzas de interaccion. Pero sorprendentemente, se
ha encontrado que todos estos efectos de interaccion pueden ser tomados en
cuenta, manteniendo a
un la validez de la ecuacion anterior si, en lugar de
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usar la masa del electron se reemplaza esta por una masa efectiva mef , sin
considerar para nada las interacciones mutuas o con los n
ucleos. Este procedimiento guarda cierta analoga con la denicion de velocidad de arrastre de
los electrones en un conductor: la aplicacion de una diferencia de potencial
produce una aceleracion constante sobre cada electron, pero la velocidad nal
adquirida es mucho menor que si el electron estuviera en el espacio libre, esto
debido a las m
ultiples colisiones que sufre, por lo cual no se puede describir
su movimiento en terminos de aceleracion. Es preferible describir el efecto
promedio: un movimiento uniforme con una velocidad media que llamamos
velocidad de arrastre.
Especcamente, se encuentra que la masa efectiva es diferente a la masa
electronica y en algunos casos puede resultar negativa. Hay que hacer constar
que, no se arma que la masa real sea negativa, sino que lo es una masa ficticia
que sirve para eludir un calculo que, ademas de ser complicado, no siempre
podra hacerse pues es difcil saber cuales son las fuerzas de interaccion. En
en una
consecuencia cuando mef < 0, la aplicacion de un campo electrico E
determinada direccion, provoca que en este caso el electron se mueva tambien en la misma direccion en lugar de hacerlo en la direccion opuesta usual.
En otras palabras, el electron se comporta como si fuera una partcula positiva.

E
q = e

q=e
+

mef < 0

Electron con masa efectiva negativa

mh

Hueco con carga y masa positivas

Esto ha llevado a introducir el concepto de hueco, como una partcula de


carga positiva y masa positiva mh = |mef | que es equivalente a un electron de
carga y masa negativas, y por lo tanto, se mueven exactamente igual.

4.4.2

PORTADORES DE CARGA

En las practicas anteriores se ha trabajado con materiales conductores, en los


cuales los electrones mas externos de cada atomo no permanecen ligado al mis89

mo, sino que se mueven a traves del material con cierta libertad originando lo
que se llama gas de electrones. Este gas, el cual es electricamente negativo, interact
ua con la estructura que constituye los iones positivos (formados
por cada n
ucleo con sus restantes electrones ) dando lugar de esta manera a
lo que es conocido como enlace met
alico.
Hay otros materiales donde los electrones externos estan mas localizados,
formando parte de enlaces covalentes entre atomos vecinos. Cuando un
electron es sacado del enlace para que quede libre, en el enlace parcialmente
roto se origina una carencia de un electron. Esta carencia podra ser ocupada
por un electron vecino para tratar de restablecer totalmente el enlace, pero al
as ocurrir, la carencia se mueve hacia el sitio de donde vino el elctron vecino;
la repeticion de este proceso origina entonces un desplazamiento de la carencia.
Esto permite visualizar al hueco como un hueco real, es decir, la falta de un
electron en un enlace, el cual al ser ocupado por otro electron origina un desplazamiento del hueco a traves del material y en direccion contraria al movimiento
del electron ligado. Esta imagen resulta u
til y es conveniente recordarla, aunque tambien es importante comprender la justicacion de la misma. Ya que el
movimiento del hueco corresponde en realidad a un movimiento de electrones
ligados, su movilidad es menor que la de los electrones libres en un conductor.
En resumen, al intentar describir el movimiento de un electron dentro de
la materia solida, se encuentra que debido a las fuerzas de interaccion con los
n
ucleos y electrones que lo rodean, su comportamiento es muy diferente al que
tendran en el espacio libre. Estas interacciones dan lugar a dos casos bien
diferenciados:
1. En determinados materiales el comportamiento es mas o menos lo esperado: todo sucede como si las partculas tuviesen carga e, pero con
una masa efectiva m positiva y en general diferente de me . A estas
partculas las llamamos electrones.
2. En otros materiales todo sucede como si la carga electrica fuese transportada por partculas positivas de carga +e y masa mh , en general distintas
de me , a las cuales llamaremos huecos.
Hay casos en que la situacion es mas complicada, pues puede haber simultaneamente huecos y electrones, o electrones de diferente masa efectiva. A
cualquiera de estas partculas las llamaremos portadores de carga.
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4.4.3

EL EFECTO HALL

El Efecto Hall ocurre con mayor notoriedad en materiales que son semiconductores, es decir, con menor capacidad de conduccion que un buen conductor, pero sin llegar a ser un aislante. Supongamos entonces que tenemos
una lamina de ancho a y espesor d, a lo largo de la cual circula una corriente
i, y que perpendicular a la supercie de la lamina existe un campo magnetico
Asumamos tambien que los portadores de carga son huecos. Para
uniforme B.
la disposicion mostrada en la gura, al circular la corriente i, los portadores de
carga son desviados hacia la izquierda por una fuerza de magnitud F = evB,
teniendo lugar una acumulacion de cargas en ese borde. Como todo el conjunto es electricamente neutro, en la parte derecha habra un decit de cargas
positivas,

que se opone a que las cargas


en consecuencia aparecera un campo electrico E
positivas se sigan acumulando a la izquierda. (Este es un fenomeno similar
al del campo electrico que contrarresta la difusion de electrones en el Efecto
sea igual
Termoelectrico). En el momento en que la fuerza debida al campo E
en magnitud y sentido opuesto a la fuerza magnetica, cesar
a la acumulacion.
En este caso se cumple:

eE = evB

o bien:
91

E = vB

y la velocidad v han de expresarse en funcion de magnitudes


El campo E
medibles experimentalmente. Si a es la distancia entre las dos caras en que
se establece una
se acumulan las cargas, al aparecer el campo electrico E,
diferencia de potencial denominada voltaje de Hall, dado por:
Vh = Vb Vb = Ea
La velocidad v puede expresarse en funcion de la densidad de corriente j
del n
umero de portadores por unidad de volumen n:

j = nev = v =

j
i
=
ne
nead

por lo que nalmente:

Vh =

1 iB
ne d

donde 1/ne R, recibe el nombre de constante de Hall, y es una caracterstica del material semiconductor.
Se observa entonces que el voltaje de Hall vara linealmente con la corriente
y con el campo magnetico aplicado. Es interesante destacar que Vh vara
inversamente con el n
umero de portadores, de ah que en los malos conductores
se origina un voltaje mayor que en los buenos conductores. En situaciones
usuales, los voltajes que se presentan en un buen conductor son del orden de
los microvoltios o menos, lo cual es difcil de medir. Por esta razon optamos
por trabajar con semiconductores, donde Vh es del orden de los milivolts.

4.4.4

DE UN CAMPO MAGNETICO

OBTENCION

Los efectos magneticos son conocidos desde la antig


uedad debido a la existencia de imanes naturales. Sin embargo, la necesidad de poder conseguir campos
magneticos cuyas magnitudes y homogeneidades puedan ser controlados, obliga
a recurrir a otro tipo de imanes. En el laboratorio se usan fundamentalmente:
la bobina y el electroiman.

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Una bobina o solenoide esta constituida por un enrollado de alambre


por el cual circula una corriente. Cada elemento de corriente genera un elemento de campo magnetico calculable de acuerdo a la Ley de Biot-Savart;
la integracion correspondiente permitira conocer el valor del campo en cada
region del espacio. Sin embargo, se suele usar como modelo el del solenoide
innito, dentro del cual el campo magnetico es uniforme, siendo cero fuera de
la bobina. El calculo mediante la Ley de Ampere permite obtener que:

B = o nI

o = 4 107

N
A2

donde n es el n
umero de vueltas por unidad de longitud, la corriente esta medida en amperes (A) y el campo en Tesla (T ). La direccion del campo queda
determinada por la regla de la mano derecha: el pulgar apunta en la direccion del campo magnetico cuando los otros cuatros dedos siguen el sentido
de giro de la corriente.

Dado que en la realidad no se puede disponer de un solenoide innito, el


modelo de la bobina innita aplicado a una bobina real solo es u
til cuando el
sistema que va a estar sometido al campo magnetico se puede colocar dentro
de la bobina(en su region central) y la bobina es suficientemente larga
en comparacion con su diametro como para poder considerar el campo uniforme en el centro. De no darse estas condiciones, debe recurrirse a una
curva de calibraci
on, que da el valor del campo para cada posicion a lo
largo del eje, para un valor determinado de la corriente:

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Este caso se vera en la practica de deexion magnetica de electrones.


El funcionamiento de un electroim
an se basa en un fenomeno de la naturaleza llamado ferromagnetismo: en los elementos de transicion (Fe, Ni, Co)
los electrones externos de cada atomo tienen un momento dipolar magn
etico
el cual tiende a alinearse con los momentos dipolares magneticos de los electrones de atomos vecinos.
En un im
an permanente, este alineamiento de dipolos ocurre sobre todo
el volumen del material, originando as el campo natural del iman.
En un material no magnetizado, en cada region microscopica del material ocurre un alineamiento de dipolos. Estas regiones reciben el nombre de
dominios, y los campos de los diferentes dominios estan distribuidos al azar,
por lo cual no hay campo neto en todo el volumen. Al someter a este material
a un campo magnetico externo, los dominios tienden a alinearse con el campo
externo, o a aumentar el tama
no de los dominios paralelos al campo a costa
del tama
no de los otros dominios. De cualquier forma el material queda magnetizado en la direccion del campo externo, superponiendose ambos campos
dentro del material, aunque normalmente el campo intrnseco del material es
muchsimo mayor que el campo externo.
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El electroiman esta compuesto entonces por un solenoide, dentro del cual


hay un n
ucleo de hierro cuyos dos extremos constituyen los polos del electroiman. El peque
no campo generado por la corriente produce un gran campo
dentro del n
ucleo, el cual se extiende a traves de todo el material, saliendo por
el polo norte y cerrando las correspondientes lneas por el polo sur.

El uso de un n
ucleo de forma cuasicerrada permite obtener altos valores de
campo magnetico uniforme entre los polos del mismo.

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El valor del campo magnetico debe ser determinado, por ejemplo con un
gaussmetro, para obtener una curva de campo en funcion de la corriente, la
cual es de esperarse que sea lineal para bajas corrientes.
Si la corriente es baja, al cesar la corriente el n
ucleo regresa a la condicion
inicial de dominios aleatorios, pero si la corriente es alta, el n
ucleo puede
quedar con una imantacion permanente.

4.5
4.5.1

PARTE EXPERIMENTAL
TERMOPAR

1.a Proceda a hacer el montaje indicado en el esquema mostrado a continuacion:

Ajuste el variac de manera de tener unos 70V en su salida.

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1.b Mida la diferencia de potencial s en funcion de la temperatura para un


rango comprendido entre temperatura ambiente y una maxima de 350o C.
Apague el variac al terminar a n de que el horno se enfre lentamente.

1.c Graque s en funcion de T , tomando como temperatura de referencia


la del agua con hielo. Una vez terminada la curva de calibracion, utilcela
para medir la temperatura del horno, el cual esta enfriandose: haga unas
tres medidas con intervalos de cinco minutos.

1.d Determine de la graca los coecientes de la expresion analtica correspondiente.

4.5.2

TERMISTOR

2.a Sin tocar el termistor con los dedos, mida su resistencia: este es el
valor correspondiente a la temperatura ambiente del laboratorio. Haga la
medida en forma rapida para que el mismo no se caliente por efecto Joul,
en ning
un caso deje ambas puntas del tester conectadas al termistor pues
ademas descargara la pila del tester.
2.b Proceda a tocar el termistor y observe como cambia la resistencia. Cuando
se haya estabilizado la lectura tome dicho valor como el correspondiente a
la temperatura de sus dedos (Ud. tiene un termometro en su meson).
2.c Con los datos anteriores, y en base a la apreciacion de su ohmetro, estime
el menor cambio de temperatura que se podra detectar con el termistor.

4.5.3

EFECTO HALL

3.a Instale el circuito para el campo magnetico, el cual se obtiene mediante


un electroiman. El valor del campo es proporcional a la intensidad de la
corriente que circula por las bobinas conectadas en serie. La constante de
proporcionalidad esta dada en el electroiman.
Al conectar en serie las bobinas cuide que los campos producidos por estas
se refuercen en el entrehierro. A n de conseguir un campo homogeneo, los
polos del electroiman deben encontrarse enfrentados y tan cercanos como
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sea posible. En esta region de campo homogeneo se colocara la lamina


semiconductora donde se observara el Efecto Hall.

La intensidad de la corriente que pasa por el electroiman no debe sobrepasar 1A; aumente gradualmente, partiendo desde cero, el voltaje de la
fuente regulable hasta alcanzar la corriente indicada.
3.b La lamina de material semiconductor se encuentra montada sobre un soporte de bakelita y a sus lados estan conectados cuatro cables de diferentes
colores; dos para la corriente (rojo y negro) y dos para medir el voltaje de
Hall (verde y blanco).
El espesor d de la lamina semiconductora es 0.15 mm.

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Las conexiones de la lamina semiconductora son mostradas en el siguiente


circuito:

Evite que la corriente en la l


amina exceda de 150 mA.
Al construir el dispositivo experimental que contiene la lamina semiconductora, los contactos para medir el voltaje de Hall b y b no quedan perfectamente enfrentados, por lo cual, a
un en ausencia de campo magnetico
(B = 0), existe una diferencia de potencial Vo entre estos contactos (Cual
es la causa?). Esta diferencia de potencial es proporcional a la corriente y
no depende de B, es decir, no tiene nada que ver con el efecto Hall.
Por lo tanto el valor indicado por el milivoltmetro no sera exactamente
el voltaje de Hall. El valor medido V es realmente V = Vh Vo , donde
el signo depende del sentido del campo. Para determinar Vh es necesario
entonces medir el efecto tanto con el campo en una direccion como con el
campo en la direccion opuesta.
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3.c A continuacion va a proceder a medir el voltaje de Hall, Vh , en funcion de


la corriente en la lamina para un valor jo del campo magnetico B. Haga
la representacion graca Vh = Vh (i) y calcule la constante de Hall.
3.d Fije una corriente de 100 mA en la lamina, y determine el voltaje de Hall
en funcion del campo magnetico. La graca VH = VH (B) es la curva de
calibracion de su gaussmetro (para i = 100 mA) y la va a utilizar para
estimar la magnitud del campo magnetico existente entre los dos polos del
iman permanente que se le suministrara.
3.e En este experimento se utiliza un semiconductor InAs en el que existe
practicamente un solo tipo de portadores. Determine el signo de los portadores analizando la direccion del campo magnetico, el sentido de la corriente y la polaridad del voltaje de Hall. Para el estudio de la polaridad,
compare la lamina con el punto 3.b y recuerde que la aguja del milivoltmetro indicara un valor solo cuando los cables para medir el voltaje se conecten en forma adecuada al milivoltmetro.

4.6

CONOCIMIENTOS PRELIMINARES

Antes de realizar la practica, el estudiante debe tener claro los siguientes conceptos:
1 2 Todo lo relacionado con la practica del tester.
2 2 Proceso reversible e irreversible.
3 2 Difusion por diferencias de energa termica y difusion por diferencia de
concentraciones.
4 2 Efectos termoelectricos: Efecto Thomson, Efecto Peltier, Efecto Seebeck.
5 2 Proceso fsico que ocurre en un termopar.
6 2 Proceso fsico que ocurre en un termistor.
7 2 Fuerza magnetica sobre una partula cargada en el espacio libre, y sobre
una partcula cargada dentro de un solido.
8 2 Masa efectiva de un electron dentro de un solido.
100

9 2 Concepto de Hueco.
10 2 Enlace metalico (electron libre). Enlace covalente (electron ligado).
11 2 Conductor, semiconductor.
12 2 Portador de carga.
13 2 Proceso fsico que ocurre en una punta de Hall.
14 2 Fuentes de campo magnetico.
15 2 Campo magnetico producido por una corriente. Ley de Biot-Savart y Ley
de Ampere.
16 2 Campo de un solenoide innito. Curva de calibracion de un solenoide
real.
17 2 Magnetismo en materiales: Momento dipolar magnetico. Ferromagnetismo. Dominios.
18 2 Iman permanente. Principio de funcionamiento de un electroiman.

4.7

OBJETIVOS

Al nalizar la practica el estudiante debe estar en capacidad de:


1 2 Saber que es un transductor y que se entiende por se
nal de entrada y se
nal
de salida.
2 2 Instalar correctamente un termopar.
3 2 Hacer la curva de calibracion de un termopar y determinar la expresion
analtica correspondiente.
4 2 Medir una temperatura con el termopar.
5 2 Reconocer un termistor y observar su cambio de resistencia con la temperatura.
6 2 Estimar el menor cambio de temperatura detectable con el termistor.
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7 2 Conectar adecuadamente un electroiman, determinando sus polos norte y


sur.
8 2 Instalar correctamente una punta de Hall y medir el voltaje de Hall.
9 2 Medir el voltaje de Hall en funcion de la corriente en la punta, para campo
magnetico jo, y determinar gracamente la constante de Hall.
10 2 Medir el voltaje de Hall en funcion del campo magnetico para corriente
ja en la punta, y hacer la curva de calibracion de un gaussmetro.
11 2 Medir un campo magnetico con su montaje.
12 2 Determinar el signo de los portadores de carga.

IE/LC/DM/YK/30-11-2001
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