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TRANSDUCTORES
Termopar,Termistor,Efecto Hall
4.1
TRANSDUCTORES
4.2
4.2.1
TERMOPAR
EFECTO TERMOELECTRICO
4.2.2
EFECTO THOMSON
Calentemos una varilla metalica en uno de sus extremos, como la temperatura sera diferente a lo largo de la varilla, se produce un gradiente de
temperatura que se dirige de la zona fra a la zona caliente.
Si suponemos que los electrones libres de la varilla metalica se comportan como las moleculas de un gas, podemos esperar que en el extremo caliente la
presion del gas aumente, lo cual provoca una difusion de electrones desde la
region caliente hacia la region fra. La acumulacion de electrones en el extremo
fro establece un campo electrico creciente Eo dentro de la varilla el cual contrarresta la acumulacion adicional, y de hecho, la difusion cesara cuando la fuerza
sobre los electrones debida a este campo Eo sea lo sucientemente grande para balancear la tendencia a difundir causada por la diferencia de temperatura.
Notamos entonces que el extremo caliente queda con un potencial positivo
respecto al extremo fro, y podemos esperar que esta diferencia de potencial
aumente al incrementar el calentamiento del extremo correspondiente, o sea,
al aumentar la diferencia de temperatura entre los dos extremos.
De aqu en adelante supondremos que e = +1, 61019 C, de manera que la
direccion de las fuerzas electricas y magneticas puedan ser jadas sin ninguna
duda.
Si ahora establecemos una corriente electrica en la misma direccion del gradiente de temperatura (electrones moviendose en contra de la fuerza electrica
eEo ) se observa experimentalmente que hay una absorcion de calor por el
conductor, mientras que al invertir la corriente (electrones moviendose a favor
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4.2.3
EFECTO PELTIER
Consideremos ahora dos varillas conductoras distintas A y B que se encuentran unidas por uno de sus extremos y a la misma temperatura. Si las
densidades de electrones libres de los materiales son diferentes, ocurrira un
proceso de difusion de electrones libres desde el elemento con mayor densidad
hacia el elemento con menor densidad, el cual tiende a igualar las densidades
o presiones de los gases de electrones. En la gura se muestra al material
B como de mayor densidad.
A
0
E
difusi
on
Notese que el proceso de difusion crea un exceso de carga negativa en el material A y un decit de carga negativa en el material B (inicialmente A y B
son electricamente neutros), por lo cual en la zona de la junta se establece un
campo electrico creciente E1 el cual contrarresta el proceso de transferencia de
electrones, cesando la difusion cuando E1 se hace sucientemente grande como
para compensarla.
Observamos que el extremo libre de A queda con un potencial negativo
con respecto al extremo libre de B, y que esta diferencia de potencial debe
aumentar si crece la diferencia de densidad de electrones libres.
Si analogamente al caso anterior establecemos una corriente electrica en la
misma direccion del gradiente de densidad n : A B (electrones moviendose en contra de la fuerza electrica eE1 ) se observa experimentalmente que
la junta se enfra, mientras que invirtiendo la corriente se observa un calentamiento de la junta. Este proceso reversible se conoce con el nombre de Efecto
Peltier.
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4.2.4
EFECTO SEEBECK
Este sistema recibe el nombre de termopar y normalmente una de las juntas se encuentra a una temperatura de referencia constante TR (por ejemplo
0o C: agua con hielo), de manera que para un termopar dado la fuerza electromotriz de Seebeck s solo depende de la temperatura T de la otra junta.
Se procede entonces a calibrar el termopar de manera de observar la relacion entre s y (T TR ), la cual suele dar una curva que puede ser aproximada
por la expresion emprica:
1
s = a(T TR ) + b(T TR )2
2
donde a y b son constantes caractersticas de cada par de metales. Usualmente
b << a de manera que la relacion es lineal si la diferencia de temperatura no
es muy elevada.
4.3
EL TERMISTOR
Esta propiedad permite medir temperaturas con una alta precision a traves
de un cambio relativamente grande de la resistencia. El termistor tambien se
usa como dispositivo para control termico.
4.4
4.4.1
EFECTO HALL
FUERZA MAGNETICA
SOBRE UNA
PARTICULA CARGADA
usar la masa del electron se reemplaza esta por una masa efectiva mef , sin
considerar para nada las interacciones mutuas o con los n
ucleos. Este procedimiento guarda cierta analoga con la denicion de velocidad de arrastre de
los electrones en un conductor: la aplicacion de una diferencia de potencial
produce una aceleracion constante sobre cada electron, pero la velocidad nal
adquirida es mucho menor que si el electron estuviera en el espacio libre, esto
debido a las m
ultiples colisiones que sufre, por lo cual no se puede describir
su movimiento en terminos de aceleracion. Es preferible describir el efecto
promedio: un movimiento uniforme con una velocidad media que llamamos
velocidad de arrastre.
Especcamente, se encuentra que la masa efectiva es diferente a la masa
electronica y en algunos casos puede resultar negativa. Hay que hacer constar
que, no se arma que la masa real sea negativa, sino que lo es una masa ficticia
que sirve para eludir un calculo que, ademas de ser complicado, no siempre
podra hacerse pues es difcil saber cuales son las fuerzas de interaccion. En
en una
consecuencia cuando mef < 0, la aplicacion de un campo electrico E
determinada direccion, provoca que en este caso el electron se mueva tambien en la misma direccion en lugar de hacerlo en la direccion opuesta usual.
En otras palabras, el electron se comporta como si fuera una partcula positiva.
E
q = e
q=e
+
mef < 0
mh
4.4.2
PORTADORES DE CARGA
mo, sino que se mueven a traves del material con cierta libertad originando lo
que se llama gas de electrones. Este gas, el cual es electricamente negativo, interact
ua con la estructura que constituye los iones positivos (formados
por cada n
ucleo con sus restantes electrones ) dando lugar de esta manera a
lo que es conocido como enlace met
alico.
Hay otros materiales donde los electrones externos estan mas localizados,
formando parte de enlaces covalentes entre atomos vecinos. Cuando un
electron es sacado del enlace para que quede libre, en el enlace parcialmente
roto se origina una carencia de un electron. Esta carencia podra ser ocupada
por un electron vecino para tratar de restablecer totalmente el enlace, pero al
as ocurrir, la carencia se mueve hacia el sitio de donde vino el elctron vecino;
la repeticion de este proceso origina entonces un desplazamiento de la carencia.
Esto permite visualizar al hueco como un hueco real, es decir, la falta de un
electron en un enlace, el cual al ser ocupado por otro electron origina un desplazamiento del hueco a traves del material y en direccion contraria al movimiento
del electron ligado. Esta imagen resulta u
til y es conveniente recordarla, aunque tambien es importante comprender la justicacion de la misma. Ya que el
movimiento del hueco corresponde en realidad a un movimiento de electrones
ligados, su movilidad es menor que la de los electrones libres en un conductor.
En resumen, al intentar describir el movimiento de un electron dentro de
la materia solida, se encuentra que debido a las fuerzas de interaccion con los
n
ucleos y electrones que lo rodean, su comportamiento es muy diferente al que
tendran en el espacio libre. Estas interacciones dan lugar a dos casos bien
diferenciados:
1. En determinados materiales el comportamiento es mas o menos lo esperado: todo sucede como si las partculas tuviesen carga e, pero con
una masa efectiva m positiva y en general diferente de me . A estas
partculas las llamamos electrones.
2. En otros materiales todo sucede como si la carga electrica fuese transportada por partculas positivas de carga +e y masa mh , en general distintas
de me , a las cuales llamaremos huecos.
Hay casos en que la situacion es mas complicada, pues puede haber simultaneamente huecos y electrones, o electrones de diferente masa efectiva. A
cualquiera de estas partculas las llamaremos portadores de carga.
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4.4.3
EL EFECTO HALL
El Efecto Hall ocurre con mayor notoriedad en materiales que son semiconductores, es decir, con menor capacidad de conduccion que un buen conductor, pero sin llegar a ser un aislante. Supongamos entonces que tenemos
una lamina de ancho a y espesor d, a lo largo de la cual circula una corriente
i, y que perpendicular a la supercie de la lamina existe un campo magnetico
Asumamos tambien que los portadores de carga son huecos. Para
uniforme B.
la disposicion mostrada en la gura, al circular la corriente i, los portadores de
carga son desviados hacia la izquierda por una fuerza de magnitud F = evB,
teniendo lugar una acumulacion de cargas en ese borde. Como todo el conjunto es electricamente neutro, en la parte derecha habra un decit de cargas
positivas,
eE = evB
o bien:
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E = vB
j = nev = v =
j
i
=
ne
nead
Vh =
1 iB
ne d
donde 1/ne R, recibe el nombre de constante de Hall, y es una caracterstica del material semiconductor.
Se observa entonces que el voltaje de Hall vara linealmente con la corriente
y con el campo magnetico aplicado. Es interesante destacar que Vh vara
inversamente con el n
umero de portadores, de ah que en los malos conductores
se origina un voltaje mayor que en los buenos conductores. En situaciones
usuales, los voltajes que se presentan en un buen conductor son del orden de
los microvoltios o menos, lo cual es difcil de medir. Por esta razon optamos
por trabajar con semiconductores, donde Vh es del orden de los milivolts.
4.4.4
DE UN CAMPO MAGNETICO
OBTENCION
92
B = o nI
o = 4 107
N
A2
donde n es el n
umero de vueltas por unidad de longitud, la corriente esta medida en amperes (A) y el campo en Tesla (T ). La direccion del campo queda
determinada por la regla de la mano derecha: el pulgar apunta en la direccion del campo magnetico cuando los otros cuatros dedos siguen el sentido
de giro de la corriente.
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El uso de un n
ucleo de forma cuasicerrada permite obtener altos valores de
campo magnetico uniforme entre los polos del mismo.
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El valor del campo magnetico debe ser determinado, por ejemplo con un
gaussmetro, para obtener una curva de campo en funcion de la corriente, la
cual es de esperarse que sea lineal para bajas corrientes.
Si la corriente es baja, al cesar la corriente el n
ucleo regresa a la condicion
inicial de dominios aleatorios, pero si la corriente es alta, el n
ucleo puede
quedar con una imantacion permanente.
4.5
4.5.1
PARTE EXPERIMENTAL
TERMOPAR
96
4.5.2
TERMISTOR
2.a Sin tocar el termistor con los dedos, mida su resistencia: este es el
valor correspondiente a la temperatura ambiente del laboratorio. Haga la
medida en forma rapida para que el mismo no se caliente por efecto Joul,
en ning
un caso deje ambas puntas del tester conectadas al termistor pues
ademas descargara la pila del tester.
2.b Proceda a tocar el termistor y observe como cambia la resistencia. Cuando
se haya estabilizado la lectura tome dicho valor como el correspondiente a
la temperatura de sus dedos (Ud. tiene un termometro en su meson).
2.c Con los datos anteriores, y en base a la apreciacion de su ohmetro, estime
el menor cambio de temperatura que se podra detectar con el termistor.
4.5.3
EFECTO HALL
La intensidad de la corriente que pasa por el electroiman no debe sobrepasar 1A; aumente gradualmente, partiendo desde cero, el voltaje de la
fuente regulable hasta alcanzar la corriente indicada.
3.b La lamina de material semiconductor se encuentra montada sobre un soporte de bakelita y a sus lados estan conectados cuatro cables de diferentes
colores; dos para la corriente (rojo y negro) y dos para medir el voltaje de
Hall (verde y blanco).
El espesor d de la lamina semiconductora es 0.15 mm.
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4.6
CONOCIMIENTOS PRELIMINARES
Antes de realizar la practica, el estudiante debe tener claro los siguientes conceptos:
1 2 Todo lo relacionado con la practica del tester.
2 2 Proceso reversible e irreversible.
3 2 Difusion por diferencias de energa termica y difusion por diferencia de
concentraciones.
4 2 Efectos termoelectricos: Efecto Thomson, Efecto Peltier, Efecto Seebeck.
5 2 Proceso fsico que ocurre en un termopar.
6 2 Proceso fsico que ocurre en un termistor.
7 2 Fuerza magnetica sobre una partula cargada en el espacio libre, y sobre
una partcula cargada dentro de un solido.
8 2 Masa efectiva de un electron dentro de un solido.
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9 2 Concepto de Hueco.
10 2 Enlace metalico (electron libre). Enlace covalente (electron ligado).
11 2 Conductor, semiconductor.
12 2 Portador de carga.
13 2 Proceso fsico que ocurre en una punta de Hall.
14 2 Fuentes de campo magnetico.
15 2 Campo magnetico producido por una corriente. Ley de Biot-Savart y Ley
de Ampere.
16 2 Campo de un solenoide innito. Curva de calibracion de un solenoide
real.
17 2 Magnetismo en materiales: Momento dipolar magnetico. Ferromagnetismo. Dominios.
18 2 Iman permanente. Principio de funcionamiento de un electroiman.
4.7
OBJETIVOS
IE/LC/DM/YK/30-11-2001
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