Anlisis Electrnico-Trmico en

Mdulos GSM para DIGITEL C.A.

SOINTELCOM C.A.
sointelcom@cantv.net
Valencia-Venezuela. Junio 2006
Introduccin La operadora de telefona celular
GSM DIGITEL-Venezuela, posee en la actualidad una
alta rata de falla en los mdulos electrnicos CU-Siemens.
Tomando en cuenta las estadsticas de fallas realizadas
por DIGITEL C.A, se evidencia que existe una relacin
65% / 35% de frecuencia de falla en los mdulos
electrnicos instalados en equipos Outdoor/Indoor
respectivamente. SOINTELCOM C.A. como empresa de
servicios
de
tecnologa
electrnica
y
de
telecomunicaciones, brinda un anlisis causa raz de las
fallas ocurridas en los mdulos CU Siemens instalados en
Venezuela.
Como conclusin del anlisis realizado, se brinda un
conjunto
de
soluciones
proporcionadas
por
SOINTELCOM C.A.

1. CONDICIONES DE OPERACIN
De acuerdo a la informacin suministrada por
DIGITEL C.A., en cuanto a las condiciones de
operacin actual de las Radio Bases Siemens BS241,
que son tomadas en cuenta para el anlisis de manejo
trmico del gabinete de equipos y sus mdulos
electrnicos, se tienen los siguientes datos:
Ubicacin Geogrfica
Gabinete Telecom
Coordenadas Geogrficas
Temp. Mx. Ambiental
(Marzo 2006)
Velocidad Promedio Viento
Intensidad Solar
Presin Atmosfrica
Humedad Ambiental
Dimensiones Gabinete
Telecom

Carabobo, Aragua, Falcn y

Cojedes
Marca: Siemens Modelo: BS241 Tecnologa: GSM
Latitud 10-11 y Longitud 68 y -69
37C ( Valencia Maracay)

2. CONDICIONES ESTNDAR DE
OPERACIN
El equipo electrnico bajo anlisis es un
Transreceptor perteneciente a una radio base GSM 900
del fabricante SIEMENS modelo BS241, el mismo
segn documentacin suministrada por el cliente es de
uso estacionario segn las condiciones indicadas en el
estndar ETS 300019-1-4 clase 4.1E de la ETSI
(European Telecommunications Standards Institute),
que define las clases de condiciones medioambientales
y las severidades a las cuales los equipos de uso
estacionario pueden ser sometidos. El estndar
establece que las condiciones severas (mayores a +45
C) pueden ser perjudiciales para el equipo, y que
dichas severidades tendrn una probabilidad de ser
excedidas generalmente el 1% del tiempo de operacin.
La radio base cumple con la clase 4.1E la cual
aplica para condiciones climticas en la mayor parte de
Europa. En la Figura 1, se presenta el rango de la
temperatura del aire y la humedad relativa de las
condiciones de operacin estndar. Las lneas punteadas
corresponden a la clase 4.1E extendida, las
temperaturas de operacin fuera de este rango causaran
condiciones severas de operacin en el equipo de
telecomunicaciones. La definicin de esta clase se
consider en localidades Europeas donde los valores
extremos anuales de baja temperatura fueron de (-45C)
y para alta temperatura de (+45C).

3.79 mts/seg @ 5mts

5650 W/m2/day (Marzo)
98.6 KPa
66 % HR
1750mm*650mm*700mm

[35, 45, 55] C

(Mn, Promedio, Mx.)
[23.3%, 34%] HR
Rango Humedad Interna
(Mn, Mx.)
Tipo de Enfriamiento
Convencin Forzada
Aislamiento Trmico
Poliestireno 2
Mdulos Electrnicos
CU 96 Watts
Capacidad Mdulo CU
8 unidades
Tabla 1. Condiciones de Operacin Gabinetes de Telecom.

Rango Temperatura Interna

Figura 1. Climatograma para la Clase 4.1 y 4.1E

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Mdulos GSM para Digitel C.A.
Las condiciones climticas para la clase
medioambiental 4.1E se presentan a continuacin en la
Tabla 2.
Parmetros Ambientales

Clase
4.1 E

Unidad

a)Baja temperatura de aire

C
b)Alta temperatura de aire
C
c)Baja humedad relativa
%
d)Alta humedad relativa
%
e)Baja humedad absoluta
g/m3
f)Alta humedad absoluta
g/m3
g) Intensidad de lluvia
mm/min
h)Velocidad de cambio de
C/min
temperatura
i)Baja presin de aire3
Kpa
j)Alta presin de aire
Kpa
k)Radiacin solar
W/m2
l)Velocidad del viento
m/s
m)Condensacin
ninguna
n)Precipitacin (lluvia, nieve,
ninguna
granizo)
o)Baja temperatura con lluvia
C
p) Agua de otra fuente diferente a
Ninguna
lluvia
Tabla 2. Estndar 4.1 E.

- 45 C
+ 45 C
8
100
0,003
30
15

Tarjetas
Sigpro
Tx
Rx
Power Supply
Total

70
106
1120
50
SI
SI
+5
Agua
rociada

Potencia
24,61 W
2,77 W
3,99 W
12,23 W
43.6 W

Por criticidad de manejo de potencia en funcin

del encapsulado de los ICs, se seleccionan los ms
crticos (Potencia>500 mW.) para analizarlos en
las condiciones de operacin a las que son
sometidos, estos IC pertenecen a la PCB SIGPRO.
N. ICs

Unidad

Operacin

Estndar

37

45

Kpa
%

98.6
66

106
100

55

45

[35, 45,
55] (Min,

[-45, 45]

Radiacin Solar
W/m2
5650
Tabla 3. Condiciones de Operacin y Estndar

N. ICs.
66 ICs.
21 ICs.
41 ICs.
25 ICs.
153 ICs.

Tabla 4. Cantidad de ICs Presentes en el CU.

De los datos suministrados por el cliente, se puede

observar que el ambiente de operacin del equipo de
telecomunicaciones excede las condiciones climticas
de la clase 4.1E indicadas en el estndar ETS 3000191-4, tal como se puede observar en la Tabla 3. Los
principales parmetros que se encuentran fuera de
especificacin son la temperatura mxima en el
interior del gabinete y la radiacin solar. Se evidencia
a partir de las mediciones de temperatura hechas por el
cliente en el interior del rack, que el equipo electrnico
se encuentra operando en condiciones severas ya que
se supera el lmite de severidad del 1% del tiempo de
operacin que recomienda el estndar ETS 300019-1-4
de la ETSI.

Prom, Max)

A continuacin se presentan en la Tabla 4, los

datos elctricos de los circuitos integrados (IC) del
mdulo electrnico en estudio Unit Carrier (CU), en las
tarjetas PCB (Print Circuit Board) que lo componen, las
cuales son: SIGPRO (Signal Processing Unit), TX
(Transmission Unit), RX (Receiver Unit), y PSU
(Power Supply Unit).

0,5

3. CONDICIONES DE OPERACIN vs.

ESTNDAR

Parmetros Ambientales
Temperatura Mxima del
Viento
Alta Presin de Aire
Alta Humedad Relativa
Temperatura Mxima
Interior del Gabinete
Rango Temperatura Interna

4. ANLISIS ELECTRNICO DEL

MDULO CU

(Min,
Max)

SERIAL

PD
mW

Tj.
o
C

(1) AD6620AS;
0044; DA9115.1
750
130
80 PQFP
(2)
XPC860DCZP50C1
909
95
272
PBGA
(3) DSP
TMS320VC549PGE600
95
100
54 TSOP
Tabla 5. Circuitos Integrados Crticos.

PD

(Power Dissipation) =

Ta
o
C
-40 a
85
0 a - 40

0 a 70

Mxima potencia de disipacin del

integrado.
Tj. (Junction Temperature) = Temperatura de Juntura.
Ts. (Storage Temperature)

Temperatura de almacenamiento.

Ta. (Ambient Temperature) = Temperatura ambiente.

PQFP = Plastic Quad Flat Package
PBGA = Plastic Ball Grid Array
TSOP = Thin Small Outline Package

1120

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Mdulos GSM para Digitel C.A.
5. ANLISIS TRMICO USANDO CFD
Puesto que, las radio bases outdoor operan en
condiciones excepcionales fuera del estndar ETSI
300019-1-4 de la ETSI, se realizar un anlisis trmico
del mdulo Siemens Carrier Unit GSM, con la finalidad
de analizar las temperaturas de operacin de los ICs que
conforman la unidad, utilizando tcnicas de CFD
(Computacional Fluids Dynamics), para ello, se modela
el mdulo electrnico tomando en cuenta las
caractersticas de PCB, IC, Potencia por IC, Sistemas de
Conveccin, Conduccin, Ventilacin, Temperaturas de
Ambiente, Radiacin Solar, Gabinete, entre otros.

Los resultados obtenidos del anlisis CFD, en

cada uno de los ambientes de operacin estudiados son
los siguientes:
Temperaturas en el Interior del Gabinete
45C

55C

35C

25C

AD 6620AS

Tj=118,90

Tj=128,90

Tj=108,00

Tj=90,15

DSP TMS320

Tc=77,93

Tc=87,88

Tc=66,41

Tc=48,30

uP XPC860

Tj=88,88

Tj=98,89

Tj=77,76

Tj=63,24

ICs

Tabla 7. Temperaturas en los ICs crticos en distintos escenarios.

Las grficas de temperatura obtenidas en cada uno

de los ambientes de estudios se pueden apreciar en la
Figura 3.

Figura 2. Modelo del CU Siemens usando CDF

En base a las mediciones de los ambientes de

operacin de los gabinetes de telecomunicaciones
suministradas por DIGITEL, se tomaron en cuenta
cuatro temperaturas para el interior del equipo: 45C,
55C, 35C y 25C. El anlisis trmico toma en cuenta
3 circuitos integrados que representan criticidad en el
funcionamiento del mdulo CU, y son: 1 AD6620, 1
PXPC860 y 3 DSPTMS320. El anlisis trmico
determina la temperatura de la juntura de cada uno de
los circuitos integrados y la temperatura del case, para
luego compararlo con los rangos mximos de
operacin. La Figura 2, representa el desarrollo del
modelo en 3D del mdulo CU Siemens.

Figura 3. Curva de Temperatura de los ICs crticos del mdulo CU

De acuerdo a los datos de fabricante de cada uno de

los circuitos integrados se tiene:
Rango Permitido
Tj (mx.)=130C
AD 6620AS
DSP TMS320 Tc (mx.)=100C
Tj (mx.)=95C
uP XPC860

Figura 4. Imagen Trmica de un Plano sobre las Caras de ICs.

Tabla 6. Temperaturas de Operacin

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Mdulos GSM para Digitel C.A.
6. EFECTO DE LAS CONDICIONES
SEVERAS DE OPERACIN
La condicin ambiental severa, se comporta desde
el punto de vista de la unidad electrnica como una
condicin de aceleracin de los mecanismos de fallas
dependientes del tiempo y activados por altas
temperatura. Cuyos, efectos principales son: cambios de
valores de resistencia, inductancia, capacitancia,
constantes dielctricas, oxidacin y reacciones
qumicas.
Dichos mecanismos se dan principalmente en los
materiales de empaquetados de los Circuito Integrados
y la soldadura de sus junturas. Estos mecanismos de
fallas pueden ser Mecnicos (Creep, Fatigue Cracking),
Elctricos (Show Dielectric breackdown) y Qumicos
(Diffusion, Corrosion y Electromigracin).
El efecto sobre las unidades transreceptoras bajo las
condiciones de operacin severa en el interior del rack
se explica a travs del modelo Stress- Resistencia, el
cual representa el proceso principal de ocurrencia de
fallas tomando en consideracin la relacin entre la
caracterstica de durabilidad de la unidad y el stress
ocasionado por las condiciones ambientales de
operacin.
Este proceso se puede observar en la figura 5, la
falla ocurre cuando el deterioro de la durabilidad del
dispositivo hace que se venza el margen de seguridad
entre la distribucin de probabilidad de ocurrencia del
stress y la distribucin de probabilidad de la resistencia
(durabilidad) del equipo, esto se da cuando el nivel de
resistencia disminuye en el tiempo por el stress de las
condiciones de operacin. En la figura 5 se aprecia
cuando se solapan las reas de las distribuciones.
Distribucin
de resistencia
(Durabilidad )

Distribucin
de resistencia
(Durabilidad )

Resistencia-Stress

Deterioro
de la Durabilidad

Margen
De Seguridad

Ocurre
la Falla

Distribucin
del Stress
0

t
Distribucin
del Stress

Tiempo

Figura 5. Modelo Stress-Resistencia.

El deterioro de la durabilidad es precisamente la

disminucin del tiempo de vida del Carrier Unit.
Matemticamente se puede calcular un factor de
aceleracin de los mecanismos de falla en los IC a
travs de un modelo exponencial considerando como
variable de stress la temperatura de juntura de los IC.
Este modelo es ampliamente utilizado el las pruebas de
confiabilidad y anlisis de fallas en dispositivos
elctricos
y
electrnicos,
especialmente
semiconductores. Su frmula establece que el factor de
aceleracin K es como sigue:
E

RT

E 1

L
e 0
R T0 Ta
=
e
K= 1 =

E
RT
L2
e a

Donde:
E: Energa de activacin (eV).
R: Constante de Boltzmann 8.6159x10-5 (eV/K)
T: Temperatura absoluta (K)
T0: Temperatura de criterio para operacin normal.
Ta: Temperatura de Stress.
L1: Tiempo de vida (horas) bajo temperatura de
Stress.
L2: Tiempo de vida (horas) bajo temperatura de
criterio de operacin normal.
Con Ta > T0.
La energa de activacin vara de acuerdo al
dispositivo sometido a Stress y al mecanismo qumico
de falla activado por alta temperatura.
A continuacin en la Tabla 8, se considerarn
algunos de los mecanismos de fallas en los dispositivos
semiconductores y su energa de activacin:
Dispositivo

Mecanismo de Falla

Energa de
Activacin (eV)

IC

Formacin de
Compuestos entre
Metales Au-Al

IC

Electromigracin del Al

0,6

IC (plstico)
Corrosin del Al
0,56
Tabla 8. Mecanismos de Fallas en los IC y la Energa de
Activacin.

Para efectos de la confiabilidad del Carrier Unit, la

unidad se consider como un sistema complejo,
constituido por los IC los cuales son dependientes uno
del otro, puesto que si falla alguno de ellos la
funcionalidad del CU se pierde. Del anlisis trmico se

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Mdulos GSM para Digitel C.A.
desprende que el AD 6620AS de Anlogo Device es
uno de los IC ms vulnerables cuando se aumenta la
temperatura del interior del rack. Por tal razn, se
analizaron los efectos de las condiciones de operacin
severa en este IC.
A continuacin en la Tabla 9, se presentan las
temperaturas de juntura para cada escenario tomado en
consideracin en el anlisis CFD:

7. SOLUCIONES QUE OFRECE

SOINTELCOM C.A
Para optimizar el desempeo y la confiabilidad de
los dispositivos electrnicos que operan en las
estaciones outdoor de DIGITEL C.A. En ambientes de
operacin severa y presencia de contaminantes
SOINTELCOM C.A ofrece las siguientes soluciones:

AD 6620AS
Temperatura en el interior
25
35
45
55
del rack (C)
Temperatura de Juntura
90 108 118 128
(C)
Tabla 9. Temperatura de Juntura del AD 6620AS para
Diferentes Temperaturas del Aire (25C, 35C, 45C y 55C) en el
Interior del Rack de la Radio Base.

La temperatura mxima de juntura del AD es de

130C, alcanzar esta temperatura segn especificacin
del fabricante, le causara daos irreversibles al IC.
Como se ve el margen de seguridad es bastante bajo
cuando el rack alcanza una temperatura del aire de
55C en el interior. Para calcular la disminucin de la
durabilidad del AD 6620AS se determin el factor de
aceleracin K para las condiciones de operacin de 35,
45C y 55C, considerando un mecanismo de falla de
formacin de compuestos entre metales Au - Al los
resultados se presentan en la siguiente tabla:
Temperatura en
el Interior del
Rack (C)
35
45
55

Temperatura de
Juntura
(C)

Factor de
Aceleracin
(Veces)

Transferencia de calor del interior de los IC-CaseAmbiente (Thermal Interface & Heat Sinks).
Transferencia de calor del interior al exterior del
rack (Rack Cooling).
Limpieza y Proteccin crtica de los ICs y PCB
teniendo en cuenta la criticidad de su operacin,
igualmente proteccin contra humedad y polucin
en equipos que operan en ambientes externos.
(Critical Cleaning & Critical Shielding).

7.1 THERMAL INTERFACE

SOINTELCOM C.A., garantiza la disminucin de
16C en la temperatura de juntura de los IC crticos de
las PCB a travs del uso de interfaces trmicas, en el
ambiente ms crtico de operacin (55C). En este
sentido, se presentan los resultados en la Figura 6, a
travs del anlisis de CFD que es usado para analizar el
performance del uso de las interfaces trmicas en uno
de los ICs crticos, AD 6620AS. Fue adherido a su case
una interfaz trmica para mejorar la transferencia de
calor Juntura - Case - Ambiente.

108
4,47
119
10,42
129
21,75
Tabla 10. Factor de Aceleracin

Finalmente se aprecia el impacto en la durabilidad

del dispositivo cuando la temperatura en el interior del
rack alcanza los 55C en comparacin con 35C, puesto
que el factor de aceleracin del mecanismo de falla de
formacin de compuesto entre metales Au - Al pasa de
4,47 a 21,75 veces, esto quiere decir que la
confiabilidad del Carrier Unit disminuye cuando
aumenta la temperatura en el interior del rack, como
consecuencia del stress generado por la alta
temperatura, que ocasiona el deterioro de la
durabilidad de la unidad.

Figura 6. Performance del Uso de Interfaz Trmica en el IC

AD6620AS.

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Mdulos GSM para Digitel C.A.
Temp Rack
55C
55C
IC

Sin Interfaz
Trmica C

ambiente, flujo de aire y potencia de disipacin del

resto de los componentes entre otros.
Performance

Con Interfaz
Trmica C

AD
Tj=128,90
Tj=112,70
6620AS
Tj=16,20C
AD
Tc=81,81
Tc=108,60
6620AS
Tc=26,79C
Tabla 11. Performance Usando Interfaces Trmicas en los ICs
Crticos.

Una vez disminuida la temperatura de juntura, es

necesario transferir el calor excesivo del case de los IC
crticos al ambiente, para este fin SOINTELCOM C.A
ofrece la instalacin de Heat Sink en los IC Crticos.
7.2 RACK COOLING
Con la finalidad de mejorar la eficiencia de la
transferencia de calor del interior del rack Siemens BS241 hacia el exterior y eliminar el stress al que se
someten los equipos cuando la temperatura supera la
barrera de los 45C, SOINTELCOM C.A. le propone a
DIGITEL C.A. la adecuacin de la temperatura interna
de operacin de los equipos electrnicos disminuyendo
la temperatura de 45C a 25C o 30C a travs de la
instalacin de un sistema de transferencia de calor.
Teniendo en cuenta las unidades CU Siemens,
como fuentes de calor que se encuentran en el interior
del gabinete de Telecom, se calcula la cantidad de calor
que debe extraerse del interior del gabinete para que el
interior del equipo opere a una temperatura que no
genere degradacin de la durabilidad de los dispositivos
electrnicos. Un valor ptimo de temperatura ambiente
en los sistemas de Telecom y de fuentes de energa es
25C, este valor de temperatura es considerado en todas
las pruebas que realiza el fabricante de los circuitos
integrados de conmutacin y de radio frecuencia, estas
pruebas de fbrica a temperaturas extremas son
realizadas solamente a una muestra de los circuitos
integrados de la lnea de produccin.

Equipo
Siemens BS241
8
Capacidad Mdulos CU
250 Watts
Potencia en CUs
Potencia Sistema
120 Watts
Conveccin Forzada
Otros Mdulos
96 Watts
Electrnicos
37 C
Temperatura Exterior
25 C
Temperatura Interior
Tamao Interno del
60*20*20 inch
Gabinete
0.465 KWatts
Carga Activa Calculada
Unidades Transferencia
3 Unidades (160watts c/u)
de Calor
Tensin Unidades de
48 Vdc
Transferencia de Calor
Corriente Mdulo
1.6 VDC (c/u)
Transferencia
Tabla 12. Clculo de Carga Activa Interna.

Ventajas del Intercambiador de Calor

Usa tensin DC 48 Vdc, estndar en los

sistemas de telecomunicaciones.
Mayor Confiabilidad que los sistemas que usan
refrigerantes.
Consumo de corriente comparado a los
sistemas de ventilacin forzada.
Ambiente interno libre de partculas de polvo y
sucio, puesto que el ambiente es cerrado.
Baja Humedad durante la noche y la estacin de
invierno. El sistema de intercambio de calor
cerrado no adquiere humedad del exterior, en
cambio disminuye los valores de Humedad
Relativa en el interior del gabinete.

Por ello el fabricante slo entrega datos confiables a

25C de temperatura ambiente, la limitante de
temperatura estar enfocada en el rango de temperatura
de la juntura que pueda soportar el IC, que es funcin
de la potencia de disipacin, resistencia trmica del
empaque, tipo de tarjeta electrnica, temperatura

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Mdulos GSM para Digitel C.A.
Otra solucin para extender la vida til de los
equipos electrnicos que ofrece SOINTELCOM C.A.
es proteger los equipos electrnicos de los
contaminantes antes mencionados y de la humedad,
puesto que el equipo es de uso estacionario para
intemperie.
Con Critical Shielding, se logra esta proteccin, a
travs de la aplicacin de una sustancia en los
componentes crticos de la unidad, nuestro producto es
de alta resistividad, altamente repelente a la humedad,
alta rigidez dielctrica, sin endurecimiento o
vulcanizacin, no corrosivo, no reactivo, no explosivo,
no txico, no inflamable y no biolgico-infeccioso,
logrando impedir el contacto de la humedad y los
contaminantes con las partes crticas de las tarjetas
electrnicas. El servicio contempla el desarmado,
aplicacin del producto y armado de la unidad.
Figura 7. Adecuacin Trmica para 25C a DIGITEL C.A. 48 Vdc.

7.3 CRITICAL CLEANING & CRITICAL

SHIELDING
Las tarjetas electrnicas alojadas en rack de la radio
base, de operacin a intemperie pueden sufrir la
presencia de una amplia variedad de contaminantes los
cuales dependen del entorno de operacin de las
unidades. Estos contaminantes pueden ser:

Inicos

Aquellos con carga inica, tpicamente las sales

como el sodio, potasio, y cloruros, los cuales son los
de mayor preocupacin ya que son potencialmente
conductivos.

Polar

Contienen una molcula cargada parcialmente

positiva o negativa, este tipo de contaminantes son al
igual que los Inicos potencialmente conductivos.

No polar

No poseen carga, generalmente se encuentra como

una pelcula de residuos orgnicos.
Tabla 13. Tipos de Contaminantes.

Con la finalidad de prevenir los efectos de estos

contaminantes sobre las tarjetas electrnicas
SOINTELCOM C.A ofrece una solucin denominada
Critical Cleaning. Esta solucin consiste en la
limpieza de cada una de las tarjetas que componen la
unidad transreceptora, para lo cual se realiza el
desarme, limpieza
superficial, limpieza under
component, aplicacin de desplazante de humedad,
impermeabilizacin y armado.