La unin P

P--N. Diodos

Electrnica Analgica
Departamento de Tecnologa Electrnica

TE

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
ndice
1.1. Estudio de la unin P-N
2. El diodo: dispositivo basado en la unin P-N
3. Modelado del diodo
4. El diodo zner
5. Aplicaciones del diodo

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Estudio de la unin P-N

Estructura fsica de la unin P-N

Unin metalrgica

Dopaje tipo p

Dopaje tipo n

La unin P-N se forma a partir de un cristal

semiconductor
i
d t
que se puede
d considerar
id
dividido en dos mitades. La primera sufre un
dopaje tipo p y la otra un dopaje tipo n.

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Estudio de la unin P-N

El diodo en equilibrio (VD=0)

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Estudio de la unin P-N

La unin P-N abrupta plana en condiciones estticas

El t
Electrones
Unin abrupta
plana
Dopaje tipo p

Dopaje tipo n

Huecos

ND+
x

NA-

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Estudio de la unin P-N

La unin P-N abrupta plana en condiciones estticas

Dif i
Difusin

Dopaje tipo p

Dopaje tipo n

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Estudio de la unin P-N

La unin P-N abrupta plana en condiciones estticas

Zona de deplexin

Dopaje tipo p

Potencial de barrera

Dopaje tipo n

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Estudio de la unin P-N

La unin P-N abrupta plana en condiciones estticas

Corriente de minoritarios: atrados por
las cargas establecidas en ambas zonas

Dopaje tipo p

Dopaje tipo n

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Estudio de la unin P-N

La unin P-N abrupta plana en condiciones estticas

Corriente de mayoritarios: procesos de
recombinacin

Se establece un equilibrio entre las

corrientes de difusin de mayoritarios
y las corrientes de minoritarios
Dopaje tipo p

Dopaje tipo n

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Estudio de la unin P-N

La unin P-N abrupta plana en condiciones estticas

Zona deplexin

p
g negativa
g
Aparece
una zona con carga
en la zona P y de carga positiva en la N,
que se denomina regin de carga
espacial.
Las cargas situadas en la zona de
deplexin dan lugar a un potencial Vo,
g un campo
p elctrico de la
con el q
que surge
zona N a la P.

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Estudio de la unin P-N

La unin P-N en circuito abierto

Zona deplexin

Corrientes
ID,
corriente
de
difusin
de
mayoritarios, debidas al gradiente de
concentracin. Depender del voltaje o
h
d la
l zona de
d deplexin.
d l i
anchura
de
IS, corriente de arrastre de minoritarios,
debidas al campo elctrico en zona de
deplexin. Esta corriente depender de la
temperatura, pero ser independiente del
voltaje en la zona de deplexin.

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Estudio de la unin P-N

La unin P-N en circuito abierto

Zona deplexin

Corrientes
Cuando estamos en circuito abierto y
se alcanza el equilibrio, la corriente total
debe ser nula, por lo que las corrientes de
mayoritarios y minoritarios se igualan.
La zona de deplexin no crece
indefinidamente porque el campo
elctrico que se crea lo impide,
p
compensando
el efecto de difusin.
La zona de portadores libres presenta
una barrera al paso de corriente con una
diferencia de potencial asociado Vo
(barrera de potencial).
potencial)

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Estudio de la unin P-N

La unin P-N en rgimen dinmico

Polarizacin directa
P

La tensin aplicada V se opone a Vo,

disminuyendo la barrera de potencial.
Al disminuir esta barrera se facilita la
difusin de portadores minoritarios.
Aumenta la corriente de difusin ID.

+
V

Cuando la barrera desaparezca, la

corriente de difusin de mayoritarios
ya muy
yp
poca resistencia.
encontrar y

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Estudio de la unin P-N

La unin P-N en rgimen dinmico

Polarizacin inversa
P

+
V

La tension V refuerza Vo, por lo que

aumenta la barrera de potencial.
Aunque
q
se favorece la corriente de
arrastre de minoritarios, la zona sin
cargas aumenta y la corriente es muy
pequea, hasta que la zona de deplexin
alcanza
l
a todo
t d
ell diodo
di d
(
(ruptura).
t
)
Entonces, el exceso de carga se puede
marchar directamente por el conductor.

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
ndice
1.

2.
3.
4
4.
5.

Estudio de la unin P-N

Eldiodo:
diodo:dispositivo
dispositivobasado
basadoen
enlalaunin
uninP-N
P-N
El
Modelado del diodo
El diodo
di d zner

Aplicaciones del diodo

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
El diodo: dispositivo basado en la unin P-N

El diodo
El diodo de unin P-N est constituido por un monocristal
semiconductor en el que existen dos regiones:
una tipo p, denominada nodo, y
otra tipo n, que se denomina Ctodo.

nodo

Ctodo

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
El diodo: dispositivo basado en la unin P-N

El diodo como elemento de circuito. Grfica V-I

+ V -

La corriente neta originada por los portadores que

atraviesan la unin en un diodo se puede aproximar:

qV/nKT

I= It Is = Is (e
I= It Is

Tensin trmica

VT=

+
V

KT
q

-1)

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
El diodo: dispositivo basado en la unin P-N

El diodo como elemento de circuito. Grfica V-I

+ V -

I
I

qV/nKT
V/ KT

I= It Is = Is (e

-1)
Zona directa

Zona inversa
Zona ruptura

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
El diodo: dispositivo basado en la unin P-N

+ V -

Zona de funcionamiento en directa

I

Si se aplica
p
una tensin en directa,, se reduce el
potencial de barrera y aumenta la corriente de difusin
It. El valor de la corriente que atraviesa el diodo se puede
aproximar por:

I= It Is = Is (e V/nVT -1) Is e V/nVT

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
El diodo: dispositivo basado en la unin P-N

+ V -

Zona de funcionamiento en inversa

Si se aplica
p
una tensin en inversa,, se aumenta el
potencial de barrera y disminuye la corriente de difusin
It. El valor de la corriente que atraviesa el diodo se puede
aproximar por:

I= It Is = Is (e V/nVT -1) -Is

V

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
El diodo: dispositivo basado en la unin P-N

+ V -

Zona de funcionamiento en ruptura

Si se aplica
p
una tensin en inversa excesiva,, aumenta
la corriente de arrastre, lo cual puede disociar los enlaces
covalentes. Normalmente esto produce la ruptura del
diodo.

I
V

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
El diodo: dispositivo basado en la unin P-N
ID

VDD
Suponemos que el diodo
est en directa

Anlisis de circuitos con diodos

+
VD
-

ID= VDD - VD
R
ID Is ee

V /nV
D T

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
El diodo: dispositivo basado en la unin P-N
ID

VDD

Anlisis de circuitos con diodos

Mtodo g
grfico. Rectas de carga
g

+
VD
-

ID Is ee

V /nV
D T

Punto de trabajo
j
Suponemos que el diodo
est en directa

ID

ID= VDD - VD
R
VD

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
El diodo: dispositivo basado en la unin P-N
ID

VDD

Anlisis de circuitos con diodos

Mtodo iterativo

+
VD
-

Necesitamos conocer un
VD=0.7 V; ID=1 mA punto de la curva del diodo
en directa
1

Clculo de la ID en R
Suponemos que el diodo
est en directa

Clculo de la VD en el diodo

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
ndice
1
1.
2.
3.
3.
4.
5.

Estudio de la unin P
P-N
N
El diodo: dispositivo basado en la unin P-N
Modelado
Modeladodel
deldiodo
diodo
El diodo
di d zner

Aplicaciones del diodo

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Modelado del diodo

+ V -

El diodo ideal
I

I
Cortocircuito

Zona directa
M d l d
Modelado

Zona inversa

Circuito abierto

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Modelado del diodo

+ V -

El diodo ideal

Directa:
Di t

Inversa:

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Modelado del diodo

+ V -

Modelo con cada de tensin constante

I
I

I
Zona directa
M d l d
Modelado

Zona inversa

Cada tensin
constante

Circuito abierto

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Modelado del diodo

+ V -

Modelo con cada de tensin constante

Directa:
Di t

Inversa:

VD
+

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Modelado del diodo

+ V -

Modelo simplificado
I

I
Zona directa
M d l d
Modelado

Zona inversa

Recta de inversa

Recta de
directa

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Modelado del diodo

+ V -

Modelo simplificado

Directa:
Di t

VD
+

rD ((directa))
Inversa:

rD (inversa)

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Modelado del diodo

Ejemplo 1
R1
+

0.95K
D1

2,7 V

Para el circuito de la figura, calcular

la tensin vD(t) entre los terminales del
diodo. Usar el modelo del diodo
siguiente:
iD ((mA))

0.01coswt
1

0.7
0
0.75

vD (V)

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Modelado del diodo

Ejemplo 1 (Solucin)
MODELADO DEL DIODO

VD0
+

iD (mA)
RD

iD=0 VD0=0.7 V
0.7
0.75

vD (V)

RD=

0.75-0.7 V
=50
1 mA

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Modelado del diodo

Ejemplo 1 (Solucin)
CIRCUITO DE CONTINUA
R1

ESTUDIO DEL CIRCUITO

R1
+
+

VD0
D1

2,7 V

RD

D1

2,7 V

0.01coswt

Diodo en
directa

ID=

22.7-V
7 VD0 = 2mA
2 A
R1+RD
VD=VD0+RDID = 0.8 V

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Modelado del diodo

Ejemplo 1 (Solucin)
ESTUDIO DEL CIRCUITO

CIRCUITO DE ALTERNA
R1

R1
+

D1
D1

2,7 V

0.01coswt

Diodo en
directa

0.01coswt

RD

id(t)=
(t) 00.01
01 cos wtt = 0.01
0 01 cos wtt mA
A
R1+RD
vd(t)= id(t)RD = 0.0005 cos wt V

vD(t)=Continua + Alterna=0.8+0.0005 cos wt V

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Modelado del diodo

+ V -

Modelo pequea seal

vD (t)= VD +vd (t)

iD (t)= Is (e

iD (t) Is e

(V +v (t))/nV
D d
T

=Is e

V /nV
D T

v (t)/nV
D
T

v (t)/nV
T

e d

-1) Is e

v (t)/nV
D
T

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Modelado del diodo

+ V -

Modelo pequea seal

iD (t)
( ) Is e

V /nV
D T

v ((t)/nV
)
T

e d

V /nV
D T

ID =Is e
e

1+vd (t)/ nVT

v (t)/nV
d
T

vd (t)
iD (t) ID + ID nV
T

L unin
La
i P
P-N.
N Di
Diodos
d
Modelado del diodo

+ V -

Modelo pequea seal

Recta tangente en el
punto de trabajo
p
j Q

vd (t)
()
iD (t) ID + ID nV
T
vd (t)
id (t) = ID nV =
T

1
rd

vd (t)
Resistencia incremental

La unin P
P--N. Diodos

Electrnica Analgica
Departamento de Tecnologa Electrnica

TE