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CAPTULO I: GENERALIDADES
I.
Imaginamos dos placas de un elemento conductor (metal por ejemplo) que han ido cargadas;
vamos a decir que hemos puesto cargas positivas en una placa y negativa en la otra. Si ahora
ponemos un hilo de metal entre estas dos placas se puede observar una corriente elctrica durante
un tiempo finito hasta que las dos placas regresan a un estado de electro-neutralidad. Nota que se
llama Rgimen Transitorio porque pasamos de un estado a otro en un tiempo finito.
Para tener una corriente constante es que no vara con el tiempo o Rgimen Permanente,
necesitamos un generador. El generador produce un campo elctrico o una cada de potencia
independiente del tiempo entre su dos placa o polos. Este dispositivo (Figura 1) transforma una
energa no-elctrica en una energa elctrica.
Figure 1: Esquema tcnico del generador de tensin continuo. El polo P (por positivo) representa el ctodo y el polo N
(por negativo) representa el nodo. Las cargas mviles negativa van del polo N al polo P.
Si ponemos un hilo elctrico entre las dos placas o polos obtenemos una corriente elctrica
constante. Por convencin en teora de redes (ver ms tarde), la corriente va del polo positivo al
polo negativo, pero el sentido fsico de la corriente es del polo negativo al polo positivo.
II.
COPYLEFT
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Notas del Prof. Lionel Trojman
E
A
+
+
+
+
VA
VB
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Notas del Prof. Lionel Trojman
vdt = dl
B
n
dS
(V)
dS
Figure 3: Trayectoria (flechas finas) de la cargas dentro un tubo de corriente. La orientacin del elemento dS es dado por
el vector n. El volumen V est contenido dentro un conductor.
La carga contenida dentro el cilindro de base dS y de generatriz vdt es dada para la cantidad d2q
definida para ec. 5:
d2q = .dS.n.v.dt (ec. 5)
La cantidad expresa la densidad en volumen de carga mvil en A. Si tenemos 10 carga dentro
un cubo de 1m de lado, la densidad en volumen es = 10C/1m3, es decir 10 Coulomb por metro
cubico.
Por definicin, la intensidad elementara de la corriente dI que cruza el elemento dS durante dt es
dada por la ec. 6:
=
(ec.6)
(ec.8)
Donde J es el vector de densidad de corriente. Si hay varios tipos de portadores que no tiene la
misma velocidad (Ejemplo de un elemento activo y bipolar), la densidad de corriente dentro el
conductor es la suma de todas las densidades. Por ejemplo si dentro un conductor tenemos k tipo
de portadores que tiene k diferentes velocidades, la densidad de corriente es (ec. 9):
= (ec. 9)
= () . (ec.10)
Si la superficie cruzada para la densidad de corriente est normal o ortogonal a la direccin del
flujo, tenemos J.n = J. recordamos que n= 1 es un vector normal y J= J.
La intensidad se expresa en Ampres, unidad fundamental del Sistema Internacional (SI). El
modulo del vector J se expresa en A/m2.
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Notas del Prof. Lionel Trojman
(S)
Figure 4: La corriente de carga (flechas) pasa sobre una superficie (S) y a travs una curva arbitraria AB.
= . (ec. 12)
V.
Conservacin de la carga
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Notas del Prof. Lionel Trojman
La intensidad a travs la superficie S est dada para la ecuacin ec. 10. Como la superficie est
cerrada, se usa la convencin geomtrica que el vector normal a la superficie sea al exterior del
volumen. Aumentado la diferencial de un grado se obtiene (ec. 13):
= . . $ . (ec. 13)
Donde d! es un elemento del volumen !. El es el divergente o div.J. Dado q(t), la carga
portada para todos los portadores de carga dentro el volumen ! al instante t. Entre t+dt la carga
varia de q+dq. Entonces una carga total dq cruza la superficie (S) correspondiendo a dI. Si I es
una cantidad positiva, eso significa que las cargas salen del volumen y entonces el nmero de
carga dentro el volumen disminuye con el tiempo. En otras palabras (ec. 14): [se puede imaginar
que a t = 0 el volumen est lleno de cargas y la sol manera de tener una corriente es que las
cargas salen del volumen.]
=
%
(ec. 14)
Mas a el instante t, tenemos (t,P) [la densidad depende de dos variables], la densidad volumen
de carga a t en el punto P sobre (!) y centro de un elemento d!. Entonces la carga se define
como (ec. 15):
&(') = ($) ((', *)! (ec .15)
Usando la definicin de la corriente (ec. 14) se deduce (ec .16):
()
+,(,-)
+
! (ec. 16)
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Notas del Prof. Lionel Trojman
$ . ! . $
+,,-
+
! $ . 0
+,,-
+
! 0 (ec. 17)
+,,-
+
0 (ec. 18)
Figure 6: Trayectorias de la corriente de cargas dentro un conductor. las trayectorias se cierran sobre s mismas. El flujo
de la corriente est conservativa.
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Notas del Prof. Lionel Trojman
+,(,-)
+
. . 3 0 (ec. 21)
Figure 7: Trayectorias de la corriente de cargas dentro un conductor. las trayectorias NO se cierran sobre s mismas. El
flujo de la corriente NO est conservativa.
Dipolo en electrocintica
Para sintetizar:
4565784 79:;<8
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Notas del Prof. Lionel Trojman
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Notas del Prof. Lionel Trojman
VG
VS
VB
VD
BJT
MOSFET
VB
VE
V1
V3
V2
V4
Figure 10: Conjunto de dipolo que formas un sistema "cuadripolar" o tambin llamado dos-puertos. Se nota que se puede
fijar 4 niveles de tensiones o intensidades de corriente.
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Notas del Prof. Lionel Trojman
Lateral field
Channel width
VDS
V >>00
b)
Trayectoria
deseada
Trayectoria
real
a)
Bao
S
Channel length
Figure 11: En el dibujo a) se representa la trayectoria en forma de colisin de una partcula dentro un conductor cuando
aplicamos un campo elctrico. Entre dos colisiones se define una distancia y un tiempo , de tal manera que la velocidad
sea: v = /. En el dibujo b) se muestra una analoga del transporte de partculas dentro un slido de tipo conductor. La
Fuerza elctrica se podra representar para el deseo de ir al bao, la diferencia de potencia como la necesidad fsica de ir
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Notas del Prof. Lionel Trojman
Entonces el viaje o la trayectoria (de los electrones) sera rectilnea y uniforme, es decir se
describe con la ec. 4, slo entre dos colisiones durante el tiempo dt y despus cada colisin la
velocidad es nula. Esta duracin est definida tambin por el tiempo llamado tiempo de vida.
La longitud entre dos colisiones est definida por (Figura 11a). La velocidad entre dos
colisiones (ec. 23) se deduce a partir de las ecuaciones de Newton (ma=F):
v=
% B C
D
(ec. 23)
B
D
(ec. 24)
Ms detalle sobre este coeficiente de transporte est dado en la clase de semiconductor. Podemos
ver que la velocidad depende de las colisiones y del campo elctrico. A su vez la intensidad de la
corriente depende de la velocidad. Nota que el modelo usado aqu tambin llamado el modelo de
Drude es una simplificacin de lo que se sabe sobre la conduccin en los materiales pero es una
buena introduccin. La justificacin de este modelo est dada en el anexo. Un modelo ms real y
sofisticado se estudiado en clase de Semiconductor.
Si N es el nmero de electrones por unidad de volumen viajando a la velocidad v entonces
podemos deducir la densidad en volumen = -qN y combinando la ecuacin ec. 8 y ec. 24
obtenemos ec. 25:
J=
FGH I
J
(ec. 25)
Pongamos =
FGH I
J
superficial). La conductividad permite de definir la ley de Ohm en forma local (ec. 26):
J = E (ec. 26)
En el Sistema Internacional, se expresa en Siemens por metro o S.m-1. La conductividad como
la resistividad que vamos a ver, depende del tipo de material o conductor. Si el material es lineal,
homogneo y isotopo, la conductividad es constantes. En este caso las lneas de corriente estn
confundidas con las lneas de campo (ec .26).
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Notas del Prof. Lionel Trojman
L . L = C. MN (ec. 27)
El ratio entre las ecuaciones ec. 27 y 10 con ecuacin ec. 26 nos da la ec. 28 la cual es la
definicin de la resistencia, R:
O=
PQ %PR
PQ %PR
S
Q C.MN
() .
PQ %PR
S
Q C.MN
() TC.
(ec. 28)
Si la conductividad es independiente de la geometra del material, se pude decir que (ec. 29):
O =
PQ %PR
S
Q C.MN
() C.
(ec. 29)
La relacin VAB = RI es la ley de Ohm para un dipolo pasivo de tipo resistencia. En esta relacin
se comprende que la resistencia depende de las caractersticas geomtricas del material as que
de su tipo (el cual cambia el nmero de colisin). En el Sistema Internacional R se define en
Ohm ().
Por definicin llamamos resistividad ( (ec . 30):
(=
(ec. 30)
PQ %PR
(ec. 31)
En el Sistema Internacional G se define en Siemens (S). Nota que la relacin I =GV es tambin
la ley de Ohm para un dipolo pasivo.
II.
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Notas del Prof. Lionel Trojman
U Q Y
= V
()
(ec. 32)
O = (.
W = T. Z
con
O = [ (ec. 33)
Nota que en este caso el campo elctrico est considerado de amplitud constante en todo punto
del conductor. Se observa que para disminuir el efecto de una resistividad muy alta dentro un
material tenemos que usar elemento con una longitud corta o una seccin larga. El smbolo de la
resistencia se muestra en la Figura 12.
V =RI
I
Figure 12: Smbolo o esquema tcnica de la resistencia donde I y V son cantidades positiva. Nota que el potencial est en
sentido opuesto a la tensin lo que es el contrario de lo que se pasa fsicamente. Es porqu usamos el sentido convencional
(ver ms adelante).
III.
Resistividad
a. Naturaleza del material
b. Efecto de la temperatura
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Notas del Prof. Lionel Trojman
Figure 13: Variacin del numero de electrn conduccin con la temperatura dentro un material semiconductor. De
acuerdo a la definicin de la ley de Ohm (ec. 25 y 26) la resistividad (o conductividad) depende del nmero de carga mvil
(o electrn de conduccin) y del tiempo de colisin. El tiempo de colisin tiene una dependencia negativa de la
temperatura pero mucho menos importante la variacin de la concentracin de electrn la cual es positiva.
Nota que la resistividad de los semiconductores depende tambin de otro efecto: el Dopaje. Esta
tcnica consiste a introducir tomos de valencia diferente de los tomos del semiconductor
usado. El efecto del dopaje sobre la resistividad est dado en la Figura 14.
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Notas del Prof. Lionel Trojman
Figure 14: Variacin del nmero de la resistividad con la aumentacin del dopaje. Nota que el dopaje de tipo n produce
electrones mviles y que el dopaje de tipo p produce cargas positivas mviles llamadas tambin huecos.
Otra particularidad de los semiconductores es que tiene una resistividad que depende de la luz.
Este fenmeno se llama la foto-resistencia que se explica con el efecto foto-elctrico. Este
fenmeno se usa bastante en la tecnologa de los paneles solares.
La explicacin de los fenmenos atrs de las Figuras 13. y 14, y de la foto-resistencia sern
dadas en la clase de Semiconductor.
IV.
Ley de Joule
Regresamos a nuestra conductor que nos ha permitido de definir la ley de Ohm. Ahora
calculamos los trabajos durante un tiempo dt o donde el portador de carga, un electrn, se
desplaza de dl debido a las fuerzas Fe (elctrica) entre dos colisiones. Usando la ecuacin ec. 2,
el trabajo total, dW durante el tiempo se puede definir con la ecuacin (ec. 35):
dW= Fe.dl ] = &L (ec. 35)
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Notas del Prof. Lionel Trojman
^
P
X
(ec. 40)
La energa gastado por efecto Joule durante un tiempo dt es dado por (ec. 41):
dW = RI2dt W0 = RI2 (tf ti) (ec. 41)
Donde tf es el tiempo final y ti es el tiempo inicial.
v.
Un generador puede ser un electrolito (pila o batera por ejemplo) as que tiene un campo
elctrico dentro que llamamos campo electromotor Em. La fuerza electromotriz o f.e.m. o
tambin fem del generador es un cantidad positiva (ec. 51).
-
_ = b CJ `a (ec. 51)
La fem (e) se exprima en Volts (V).
Cuando el circuito est abierto los iones estn inmviles y existe una fuerza elctrica E que se
opone al Em. Es un principio de la naturaleza que dice que si generamos una fuerza en un sentido
se genera una fuerza en el sentido opuesta de manera a tener un campo total nulo.
Entonces Em = - E y tenemos en circuito abierto (ec. 52):
b
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Notas del Prof. Lionel Trojman
I = Ie - ge
r
V0 =r.I
V = e r.I
I0
Ie
g = 1/r
Real
Ideal
a)
Ideal
I0 =ge
b)
Real
Figure 15: En a), el esquema tcnico de un generador usado como fuente de tensin. En b), el esquema tcnico de un
generador usado como una fuente de intensidad de corriente. Idealmente, una fuente de tensin tiene una resistencia
interna nula y una fuente de intensidad una resistencia interna infinita (o conductancia nula).
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Notas del Prof. Lionel Trojman
_c =
-d
S
(ec. 56)
(ec. 57)
Esta potencia est en parte transformada en una potencia no-elctrica (P) y en parte en potencia
calorfica (Pcal) por efecto Joule debido a una resistencia interna r (ec. 58).
P = P+Pcal VNM I = eI + rI2 (ec. 58)
A partir de la ecuacin ec. 58 se deduce la diferencia de potencia a los extremos del receptor (ec.
59) que se llama la ley de Ohm para un receptor :
VMN = e+rI (ec. 59)
M
r
V0 =r.I
VMN = e + r.I
e
I
N
Figure 16: Esquema de un receptor activo que produce una energa no-elctrica con una energa elctrica a travs un
nivel de tensin.
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Notas del Prof. Lionel Trojman
Convencin de algebraica
Como lo hemos explicado no respectar los esquemas puede manejar a consecuencia grave sobre
el uso de los generadores. De hecho los esquemas tienen una justificacin algebraica as que la
teora de redes es un modelo matemtico de la electrocintica. Si se encuentra una relacin no
lgica matemticamente, est relacin no se puede aplicar en electrnica o en un circuito
elctrico. En el caso contrario eso podra producir una destruccin de los dipolos y herir el
usador.
Para usar la ley de Ohm slo cuando eso es posible es necesario de dar una dimensin algebraica
a los corrientes y las diferencias de potencia. Pero por razn historietica, el sentido de la
corriente elegido para los ingenieros elctricos es opuesto al sentido fsicos (Figura 16). Este
sentido elegido por los ingenieros es el sentido que todos los ingenieros tienen que usar porqu
es un estndar mundial. Si no se respecta este sentido se puede tener consecuencia grave en
prctica. Este sentido se llama el sentido convencional o se dice tambin por convencin o
tambin en convencin receptor o pasiva para significar que se trata de una aplicacin de
ingeniera elctrica.
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Notas del Prof. Lionel Trojman
e +-
Sentido
convencional
Sentido Fsico
Figure 17: El esquema tcnico de un circuito elctrico con un generador ideal de tensin un receptor de tipo pasivo. Se
nota que el sentido fsico es opuesto al sentido fsico. Nota que los conductores aqu son slo de tipo metlico es que la
carga mviles es el electrn.
Por definicin si la corriente va del punto A al punto B de un circuito, Entonces (ec. 64):
IAB = IA-IB >0 (ec. 64)
Lo que significa que IBA < 0.
Para un receptor (dipolo pasivo o activo) tenemos la convencin siguiente dada en la Figura 17.a.
Para un generador la convencin es dada en la Figura 17.b. Nota que el sentido convencional de
la intensidad de corriente est opuesto al sentido fsico y real.
II.
El dipolo polarizado tiene que respectar un sentido de la corriente que la pasa o de la diferencia
de potencia a aplicar. Este sentido est indicado para el constructor. Si no se respecta este sentido
eso puede producir la destruccin del dipolo y herir el usador del dipolo. Por los dipolos nopolarizado, no importa el sentido de la corriente o de la diferencia de potencia. Es aconsejado de
siempre verificar si o no un dipolo est polarizado y de cual manera.
III.
Dentro de estas dos categoras se puede tambin definir el tipo de dipolo es decir pasivo o activo.
Adems se define un dipolo simtrico si: I = f(V) = -f(-V) o V = h(I) = -h(-I).
Un punto de coordenadas (V1, I1) dadas de la caracterstica correspondiendo a las condiciones de
funcionamiento del dipolo est llamada punto de funcionamiento. La cantidad (ec. 22):
O =
Pe
Se
(ec. 22)
I [A]
P1
I1
~ 1/ RS
v1
V [V]
P1
a)
~ 1/ RD
V [V]
b)
I [A]
V [V]
c)
Figure 18: Diferentes tipos de caractersticas que se encuentra en teora de redes y electrnica. La caracterstica a) es
lineal y las caractersticas c) y b) son no-lineales. La definicin de la resistencia esttica est dada en la caracterstica a) y
de la resistencia dinmica en la caracterstica b).
IV.
Llamamos circuito un conjunto de dipolo que se cierran sobre un generador. En fsica se puede
ver como un conductor no-homogneo que se cierra sobre un generador. Se dice no-homogneo
porque tiene diferente resistencias entre los dos extremos.
Diferentes resistencias pueden ser grupeadas de 3 maneras posibles:
En serie
En paralelo
Mixto o serie/paralelo
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Notas del Prof. Lionel Trojman
(ec. 42)
Llamamos resistencia equivalente, la resistencia R la cual puesta entre los extremos A y B tiene
la misma diferencia de potencial V y est cruzada para la misma intensidad de corriente I.
En nuestro caso deducimos (ec. 43):
VAB =RI
vAB > 0
VAC
VCD
VC
I VA
R1
VDB
VD
R2
VB
R3
R = R1 + R2 + R3
Figure 19: Esquema tcnico de una asociacin serie de 3 resistencias.
b. En paralelo
Dado 3 resistencias, R1, R2 y R3 puestas en paralelo o // (Figura 20). En esta condicin la
intensidad de la corriente a travs cada resistencia es diferente. Las cargas van a pasar ms
rpidamente donde hay menos resistencia o ms conductancia diferencia. Pero la diferencia de
potencial al extremo de cada resistencia es la misma.
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Notas del Prof. Lionel Trojman
j =
k =
PQ %PR
Xe
PQ %PR
X
PQ %PR
Xl
U + j + k = (L . L ) g
Xe
Xl
(ec. 45)
PQR
X
donde
Xe
Xl
(ec. 47)
= b
;nU (ec. 48)
Xm
vAB > 0
I1
R1
VA I2 R2
I
I3
VB
R3
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Notas del Prof. Lionel Trojman
R = R1 // R2 gX + X h
e
Xe X
Xe oXl
(ec. 48)
c. Mixto o en serie/paralelo
Dado 3 resistencias, R1, R2 y R3 puestas mixto o en serie/paralelo (Figura 21). En este caso,
tenemos la aplicacin a la vez de resistencia en serie y en paralelo. Para encontrar la resistencia
equivalente es importante de empezar a calcular la resistencia equivalente del grupo paralelo de
manera a obtener un sistema de tipo serie.
vAB > 0
VA
R1 I VC
1
I2 R2
I3
VB
VA
R1 I VC
1
R2//R3
VB
R3
R = R1 + R2 // R3
Figure 21: Esquema tcnico de una asociacin serie y paralela o mixta de 3 resistencias
En serie:
En paralelo:
= b
;
[
[m
b
W = ; W;
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Notas del Prof. Lionel Trojman
Reparticin de la potencia
Por cualquiera tipo de grupo de resistencia, la potencia del circuito es siempre la suma de las
potencias disipada por efecto Joule de cada resistencia (ec. 49).
P = P1 + P2 + P3 (ec. 49)
En el caso de la Figura 19, Pi = RiI2 con i =1, 2, 3.
En el caso de la Figura 20, Pi = V2/Ri con i = 1, 2, 3.
Tambin podemos generalizar el concepto a N resistencia en serie, paralelo mixto (ec. 50):
* = b
; *; (ec. 50)
V.
a. Caractersticas
En regla general los generadores no son lineales idealmente pero su caracterstica cerca de la
linealidad se puede aproximar como si fuera idealmente lineal. La caracterstica de un generador
lineal es dada en Figura 20.
I
I = I0
V
V= e
Figure 22: Caracterstica de un generador y de un receptor pasivo.
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Notas del Prof. Lionel Trojman
(ec. 60)
I
I0
I0 g.V
e r.I
Ideal
Real
b)
a)
t
Figure 23: Caracterstica con el tiempo que ensea los factores de no-idealidad y del uso con el tiempo para una fuente de
tensin en a) y de intensidad de corriente en b).
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Notas del Prof. Lionel Trojman
r1
r2
e1
b
e = b
; _; y r = ; p; (ec. 62)
rN
e2
eN
ii. En paralelo
En paralelo las intensidad de corriente se agregan y cada generador tien una diferencia de
potencia diferente a su extremo. Por esta razn es conveniente de usar la forma generador de
corriente (Figura 24). As se puede obtener (ec. 62)
I = I01 g1U + I01 g2U + + I01 gNU (ec. 62)
La asociacin da un generador de corriente equivalente I = I0 + gU donde (ec. 63):
b
I0 = b
; q; y g = ; r;
Ie1
r1
Ie2
(ec. 63)
r2
IeN
rN
Ie
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Notas del Prof. Lionel Trojman
Ojos que no tiene sentido de poner dos generador de tensin en paralelo o generador de corriente
en serie. Eso dar una inecuacin y sera ilgico. A aplicar eso dar la destruccin de los
generadores y puede ir hasta herir el usador del equipo.
VI.
Cuando se polariza un receptor con un generador (Figura 17), tenemos a nuestra disposicin todo
un rango de valores de tensin/intensidad posibles, de acuerdo a la caracterstica del generador
que llamamos tambin recta de carga (Figura 22). Sin embargo el receptor puede tener algunos
puntos de funcionamiento posibles pero trabaja siempre con slo un punto de funcionamiento.
Este punto depender de la polarizacin necesaria para el circuito usado. Para hacer ms sencilla,
el punto de funcionamiento depender del tipo de generador y de receptor usado. Este punto se
encuentra de manera analtica o grafica. La manera grafica es la ms sencilla y se encuentra en la
Figura 26 el punto de funcionamiento P1.
I
I = I0
P1
Caracterstica del
receptor
Recta de carga o
Caracterstica del
generador real
V= e V
Figure 26: Variacin del punto de funcionamiento para varios receptores pasivos y generadores
L=
Xe 5
Xe o4
I.
Introduccin
Los Teoremas y Leyes fundamentales de las electrocinticas son una formulacin de la ley de
Ohm adaptado por los ingenieros Elctricos y Electrnicos. En los pargrafos siguientes vamos a
desarrollar:
Leyes de Kirchoffs
Ley de equivalencia de generadores
Teorema de Norton
Teorema de Thevenin
Teorema de superposicin
Teorema de Millman
Teorema de las mallas ficticia
Leyes de Kirchoff
a. Definicin de una malla y de un nodo
i. Malla
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Notas del Prof. Lionel Trojman
e +-
R1
i1
R2
R5
R3
5
2
c
i3
R6
6
R4
b)
a)
c)
Figure 27: configuracin de circuitos con Mallas y Nodos. En cada caso las flechas indican el sentido de circulacin de la
intensidad de la corriente.
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Notas del Prof. Lionel Trojman
i1
N
i4
i2
i3
(ec. 65)
(ec. 66)
De la ecuacin ec. 66 se nota que las intensidades no son orientadas de la misma manera en
relacin con N. Podemos distinguir las intensidades que llegan al nodo N y las intensidades que
se alejan del nodo N. Aqu se trata solo de emplear una convencin arbitraria. En este texto la
convencin elegida ser la siguiente. Las intensidades que llegan en N son positivas y aquella
que se alejan son negativas de tal manera que tenemos (ec. 66):
i1 + i2 - i3 - i4 - i5 = 0
(ec. 66)
(ec. 68)
En consecuencia se puede deducir una ecuacin en cada nodo. Si tenemos una red de M nodos se
puede definir M ecuaciones. Como todos los nodos estn enlazados entre si, al final se deducir
M-1 ecuaciones independientes.
v4
f
v2
v5
v1
(ec. 70)
De la misma manera que para las intensidades de corrientes, tenemos que elegir una convencin
que define el sentido positivo de las tensiones. En este texto usamos el sentido directo (f en la
Figura 29). As que se obtiene (ec. 71):
v1 + v2 + v3 - v4 + v5 = 0
(ec. 71)
(ec. 72)
La definicin de Vn esta corrida en el sentido generalizado es decir que Vn es la ddp positiva que
puede resultar de un receptor activo/negativo o generador.
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Notas del Prof. Lionel Trojman
OUU
|
OU
_U
OU sU
= [R].(i) = (e)
_
O s
(ec. 73)
Donde ej (fuentes) son unas combinaciones lineales de las intensidades de las corrientes y
tensiones electromotrices y de las resistencias/conductancias de las ramas o
resistencias/conductancias internas de los generadores Rij.
Conclusin se obtiene (ec. 74):
(i) = [R]-1.(e)
(ec. 74)
i.
WU {U
s5U
= [G].(v) = (ie)
s5
W {
(ec. 75)
Donde iej (fuentes) son unas combinaciones lineales de las intensidades de las corrientes y
tensiones electromotrices y de las resistencias/conductancias de las ramas o
resistencias/conductancias internas de los generadores Rij.
Conclusin se obtiene (ec. 76):
(v) = [G]-1.(ie)
(ec. 76)
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Notas del Prof. Lionel Trojman
OUU
|
OU
OU sU
_
=
O s
0
(ec. 77)
fm
O =
fm
(ec.79)
WU {U
s5
=
W {
0
(ec. 79)
fm
f
(ec. 80)
______________________________________________________________________________
Notas del Prof. Lionel Trojman
fm
W =
(ec.81)
fm
f. Aplicacin y metodologa
Vamos a dar algunos ejemplos de aplicaciones sencillo y ms complejo e introducir mtodo
aplicado a algunos casos particulares.
i. Nocin de malla ficticia
Consideramos ahora el circuito resistivo siguiente (Figura 30):
I1
I2
I
R1
j1
e1 +-
R0
R2
j2
+
e2
Vamos a suponer que las corrientes i, i1 y i2 son las desconocidas. En primer lugar se puede notar
que la particularidad de este circuito es que las dos mallas consideradas no estn recorridas por la
misma corriente sus 3 ramas. En tal caso se puede definir una corriente ficticia circulando en un
mismo sentido (arbitrario) en este caso J1 y J2 estn circulando en el sentido directo.
Las leyes de Kirchoff aplicadas a las mallas dan (ec. 82):
._U = (OU + Oq )U . Oq j
_j = .Oq U + (Oj + Oq )j
.Oq
U
Oj + Oq j
O + Oq
U = . U
j
Oq
._U
Oq
g _ h
OUj + Oq
j
______________________________________________________________________________
Notas del Prof. Lionel Trojman
(ec. 90)
Esta nocin de malla ficticia es muy til en caso de red compleja que contiene un nmero
importante de malla. Adems se puede usar este concepto para usar el concepto de sper-malla
que consiste a definir una sola malla a partir de varias mallas. Se puede aplicar en un caso en el
cual se considera por lo menos 3 mallas. En tal caso 2 mallas sern considerada en lugar de 3 con
las corrientes ficticias adecuada de acuerdo a las intensidades de corrientes real.
I2
I
R1
e1 +-
R2
R0
.Oq
U
Oj + Oq j
Donde I = I1-I2
Usando (ec. 79) definimos la resistencia equivalente entre la tensin e1 y i1 es (ec. 92):
______________________________________________________________________________
Notas del Prof. Lionel Trojman
e +-
R1
V2
R2
5.X
Xe oX
Lj = _.
Uo e
V2 = e.
______________________________________________________________________________
Notas del Prof. Lionel Trojman
R2
R1
e +-
RN
VN
L = _
e X
(ec. 96)
2. Puente divisor de corriente
De la misma manera que para el puente divisor de tensin se puede disear un puente divisor de
corriente (Figure 34).
I
+
e -
I1
I2
R1
R2
(ec. 97)
j = [
e o[
j =
j =
Uo e
Uo
e
o I2 = I.
(ec. 98)
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Notas del Prof. Lionel Trojman
I
+
e -
I1
I2
R1
R2
RN
=
e [
U/X
o = .
e U/X
(ec. 99)
R5
a
R1
i1
R3
R2
b
R6
i3
R4
En este ejemplo tenemos 6 mallas y 6 nodos. Supongamos en primer lugar que buscamos las
tensin Va, Vb y Vc. Si aplicamos la ley de Kirchoff se obtiene las ecuaciones siguientes.
En el nodo a (ec. 100):
U + j =
P %P
X
P %P
Xe
P %P
X
______________________________________________________________________________
Notas del Prof. Lionel Trojman
P %P
X
P %P
P %P
Xl
P %P
Xe
P %P
X
Xl
Xe + X
U
X
Xl
U
X
U
Xl
.(X + X + X + X )
e
l
L
U
U
U
9
+
L = j (103)
X
X
k
L6
U
III.
Las leyes de Kirchoff ofrecen una descripcin canonical de los circuitos elctricos. Estas leyes
acopladas con las leyes de Joules y Ohm permiten de definir un grupo de teoremas que permite
un estudio ms avanzado de los circuitos en general. Cada teorema puede ser muy fcil a aplicar,
si est aplicado al caso de estudio adecuado.
a. Teorema de Millman
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Notas del Prof. Lionel Trojman
VM
i1
i3
I1
VM
I2
I3
r1
e1
i2
r2
e2
+
r3
e3
+
0V
En consecuencia podemos escribir que (ec. 104):
sU + sj + sj = 0
P %5e
4e
P %5
4
P %5l
4l
=0
(104)
Lv =
e l
o o
e l
e e e
o o
e l
(105)
Est formulacin es general y se puede adaptar a rama sin fuente pero que contiene slo una
resistencia. En tal caso se pone la fuente e = 0. Por ejemplo si en la rama donde hay i2 y i3 la
fuente es igual a cero tenemos (ec. 106):
Lv =
e
e
e e e
o o
e l
(106)
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Notas del Prof. Lionel Trojman
I2
IN
r1
r2
e1
e2
+
eN
+
rN
+
0V
Lv =
m
m
me
m
e
m
me
m
(107)
b. Teorema de superposicin
Como se explico esta clase se limita a los dispositivos lineales. Para estos elementos la relacin
V/I o la ley de Ohm es estrictamente constante. En consecuencia si consideramos una resistencia
R0 que est en un circuito de dos fuentes V1 y V2 podemos decir que (ec. 108):
I0(V1+V2) = I0(V1) + I0(V2)
(108)
R1
Ie
R2
______________________________________________________________________________
Notas del Prof. Lionel Trojman
R1
R2
Ie
+
I2
R1
Ie
R2
CC
e =0 -
5
O
1 + j
OU
I1
I2
R1
R2
CA
Xe oX
(ec. 110)
Uo
e
Xe oX
(111)
______________________________________________________________________________
Notas del Prof. Lionel Trojman
Consideramos un circuito complejo de varias fuentes y elementos lineales. Elijemos dos nodos
en este circuito que llamamos a y b de tal manera que:
a
Ie
Vab
e -
b
CIRCUITO 1
CIRCUITO 2
Figura X
El circuito 1 est compuesto de varios tipos de fuentes y dipolos lineales resistivos o no mientras
que el circuito 2 se trata de un dipolo lineal. En realidad el circuito 2 puede ser tan complejo que
el circuito 1 pero para simplificar lo consideramos as.
Entre los nodos a y b podemos definir una diferencia de potencia Vab.
El teorema de Thevenin dice que podemos definir el circuito 1 como una fuente de tensin
real que suministra una tensin de Thevenin VTH y que tiene una resistencia interna de
Thevenin RTH.
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Notas del Prof. Lionel Trojman
RTH a
Ie
Vab
e +Zeq
CIRCUITO 1
VTH +-
La tensin de Thevenin se obtiene abriendo el circuito entre a y b. Nota que Zeq es la impedancia
o resistencia equivalente de acuerdo a la ley de Ohm (ver Capitulo 3). Zeq se obtiene apagando
todas las fuentes y aplicando las leyes de equivalencia de resistencia o impedancia.
De acuerdo al teorema de Thevenin Vab = VTH y Zeq = RTH.
Conclusin podemos decir que el circuito de la Figura X se puede modelar como el circuito
siguiente:
RTH
VTH +-
I2
I
R1
R2
R0
e1 +-
Circuito1
Circuito2
Aplicamos Thevenin:
______________________________________________________________________________
Notas del Prof. Lionel Trojman
I1
a
Vab = VTH
R1
R0
e1 -
R0
RTH = R1//R0
e1=0
b
L = X eoX
e
(112)
Y se deduce al final:
RTH
VTH +-
R2
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Notas del Prof. Lionel Trojman
Ie
IN
RN
e Zeq
CIRCUITO 1
a
Ie
Iab
e +Zeq
CIRCUITO 1
La resistencia o impedancia equivalente Zeq se obtiene de la misma manera que para el teorema
de Thevenin.
De acuerdo al teorema de Norton Iab = IN y Zeq = RN.
Conclusin podemos decir que el circuito de la Figura X se puede modelar como el circuito
siguiente:
a
IN
RN
Z
b
Para bien entender este teorema tomamos el mismo ejemplo que para el teorema de Thevenin.
Consideramos el circuito siguiente:
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Notas del Prof. Lionel Trojman
a
Iab = IN
R1
a
R1
R0
e1 -
R0
RTH = R1//R0
e1=0
b
Donde IN = e1/R1.
Conclusion:
a
IN
RN
R2
b
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Notas del Prof. Lionel Trojman
RTH
VTH +-
VTH/RTH
RTH
RN
IN
RN
IN RN -
Donde VTH es una fuente real de resitencia interna RTH que est conectada a un dipolo o carga Z.
Si RTH = 0 podramos mandar toda potencia elctrica desde la fuente al dipolo Z. Pero no es el
caso y tenemos VZ < VTH (ec. 113):
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Notas del Prof. Lionel Trojman
(113)
oX
De la misma manera la potencia elctrica es dada por la ley de Joule (Ec. 114):
* =
* = . g
oX
(114)
Como RTH 0 parece obvio que necesitamos Z >> RTH para tener VZ ~ VTH. Sin embargo si
Z entonces PZ 0.
Podemos preguntar nos si existe una relacin entre RTH y Z para que el dipolo Z recibe el
mximo de potencia suministrada por la fuente. En prctica podemos cambiar la resistencia del
dipolo hasta que este dipolo recibe un mximo de potencia. En teora buscamos el mximo de
potencia si variamos Z (Ec. 115):
. g
oX
h = 0
(115)
1.2
Z = RTH
PZ/PZ_MAX
1.0
0.8
Potencia Maxima
para una fuente real
dada y diferente cargas
0.6
0.4
0.2
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Z/RTH
El teorema de mxima transferencia de potencia dice que para mandar la potencia mxima
a un dipolo Z a partir de una fuente dada, necesitamos que el dipolo tenga el mismo valor
que la resistencia interna de la fuente (Z = RTH).
Tambin la potencia mxima que se puede mandar a una carga Z a travs una fuente VTH no
puede exceder (Ec. 116):
*v
(116)
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Notas del Prof. Lionel Trojman
RN
IN
oX
* = . gb
oX
(117)
S
.
(118)
c. Teorema de Kenelly
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Notas del Prof. Lionel Trojman