CONSULTA #2

ELECTRNICA DE POTENCIA

Universidad de las Fuerzas Armadas - ESPE

Carlos Santander

Transistores MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET es un transistor utilizado para
amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la industria
microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue
mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales
estn basados en transistores MOSFET.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y
sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente est conectado internamente al terminal del
surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.

El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el material de la compuerta,

que antes era metlico, ahora se construye con una capa de silicio policristalino. El aluminio fue el
material por excelencia de la compuerta hasta mediados de 1970, cuando el silicio policristalino
comenz a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las
compuertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad de incrementar la
velocidad de operacin de los transistores sin utilizar componentes metlicos en la compuerta. De
manera similar, el 'xido' utilizado como aislante en la compuerta tambin se ha reemplazado por otros
materiales con el propsito de obtener canales fuertes con la aplicacin de tensiones ms pequeas.

Canal P

Canal N

JFET

MOSFET Enriq.

MOSFET Enriq. (sin sustrato)

MOSFET Empob.

Funcionamiento
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS.
Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el drenador y el surtidor, al
aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el
canal, de manera que se forma una regin de inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que
tena el sustrato originalmente. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la
conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin
correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentracin de electrones
(en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se
construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se
construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.
Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se debe hacer
desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una
disminucin de la cantidad de portadores de carga y una disminucin respectiva de la conductividad.

Modos de operacin

El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de operacin,

dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la presente discusin se utiliza un modelo algebraico
que es vlido para las tecnologas bsicas antiguas, y se incluye aqu con fines didcticos. En los MOSFET
modernos se requieren modelos computacionales que exhiben un comportamiento mucho ms
complejo.
Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:
Corte

NMOS en modo de corte. La regin blanca indica que no existen portadores libres en esta zona, debido a
que los electrones son repelidos del canal.
Cuando VGS < Vth
Donde Vth es la tensin de umbral del transistor
De acuerdo con el modelo bsico del transistor, en esta regin el dispositivo se encuentra apagado. No
hay conduccin entre el surtidor y el drenador, de modo que el MOSFET se comporta como un
interruptor abierto.
Regin lineal

NMOS en la regin lineal. Se forma un canal de tipo n al lograr la inversin del sustrato, y la corriente
fluye de drenador a surtidor.
Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS Vth )

Al polarizarse la puerta con una tensin mayor que la tensin de umbral, se crea una regin de
agotamiento en la regin que separa el surtidor y el drenador. Si esta tensin crece lo suficiente,
aparecern portadores minoritarios (huecos en PMOS, electrones en NMOS) en la regin de
agotamiento, que darn lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa entonces a estado de
conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre drenador y surtidor dar lugar a una
corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de compuerta.
La corriente que entra por el drenador y sale por el surtidor es modelada por medio de la ecuacin:

Donde

es la movilidad efectiva de los portadores de carga,

es la capacidad del xido por unidad de rea,

es el ancho de la compuerta,
es la longitud de la compuerta.
Saturacin o activa

NMOS en la regin de saturacin. Al aplicar una tensin de drenador ms alta, los electrones son
atrados con ms fuerza hacia el drenador y el canal se deforma.
Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS Vth )
Cuando la tensin entre drenador y surtidor supera cierto lmite, el canal de conduccin bajo la puerta
sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente que entra por el
drenador y sale por el surtidor no se interrumpe, ya que es debida al campo elctrico entre ambos, pero
se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
En esta regin la corriente de drenador se modela con la siguiente ecuacin:

Transistor IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo
semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de
potencia. Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto
campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando
una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo
dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de
conduccin son como las del BJT.

Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables hasta entonces, en particular
en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en mquinas elctricas y convertidores de
potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes
de eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin, domtica,
Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.

Caractersticas
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 100 kHz y ha sustituido al BJT en muchas
aplicaciones. Es usado en aplicaciones de alta y media potencia como fuente conmutada, control de la
traccin en motores y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos
colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con
voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.

Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad de manejo de
corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin. Sin
embargo las corrientes transitorias de conmutacin de la base pueden ser igualmente altas. En

aplicaciones de electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja ms
potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.

Circuito equivalente de un IGBT.

Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta
es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica
de entrada muy dbil en la puerta.

Circuitos de Proteccin
Estos circuitos protegen al transistor reduciendo sus prdidas de potencia en la conmutacin. No
reducen las prdidas totales de conmutacin. Protegen al dispositivo del stress al que se ve sometido
durante la conmutacin debido a las altas tensiones y corrientes.

IL

DL

IL

v
i
Ds

Formulacin
1 t I Lt
I Lt 2
dt

..................................0 t t f
C 0 t
2Ct f
f

I t
I
1 t
VC t I L dt vc t f L t t f L f ....t f t t x
tf
C
2C
C
VS ..................................................................t t x

Si la corriente del interruptor llega a cero antes de que el condensador se cargue por completo la
tensin del condensador se calcula a partir de la primera ecuacin, saliendo:

I L .t f
2V f

El condensador se elige a veces de forma que la tensin del interruptor alcance su valor final al mismo
tiempo que la corriente vale cero

I L .t f
2VS

Para calcular el valor de la resistencia, sta se elige de forma que el condensador se descargue antes de
que el transistor vuelva a apagarse. Se necesitan de 3 a 5 intervalos de tiempo para que se descargue el
condensador.

tON

5RC , R

tON
5C

1
W CVS2
2
1
CVS2
1
2
PR
CVS2 f
T
2

Las prdidas en el transistor varan con el circuito que se aade. La primera frmula se refiere a las
prdidas en el transistor sin circuito de proteccin.

PQ

1
I LVS ts t f f
2

1
PQ
T

vQ iQ dt f

tf

I Lt 2

2Ct f

t
I L 1
tf

I L2t 2f f
dt
24C

Bibliografa

https://www.ulpgc.es/descargadirecta.php?codigo_archivo=8702
www.gte.us.es/~leopoldo/Store/tsp_6.pdf
www.ecured.cu/index.php/Transistor_IGBT
www.ecured.cu/index.php/Transistor_MOSFET
www.icmm.csic.es/.../8%20Transistores%20de%20Efecto%20Campo.pdf