Electro Analógica I 08

ElectrnicaAnalgicaI 1
Dr.MarioAlbertoGarcaMartnez
ContenidoSinttico.
ICircuitosconDiodosaC.D.
IICircuitosConDiodosaC.A.
1 Recortadores.
2 Sujetadores.
3 Rectificadores.
IIIElTransistorBipolar.
1 CircuitosdePolarizacin.(ComportamientoaC.D.)
IVElTransistorBipolar.
1 AnlisisaSealPequea.(ComportamientoaC.A.)
VElTransistorFET.
1 CircuitosdePolarizacin.
VIElTransistorcomoAmplificador.
1RespuestaaBajaFrecuencia.
UnidadI.
MODELOSDELDIODO
Eldiodoesundispositivosemiconductorqueestaconstruidocon2materiales(uninPN)una
detipoPyotradetipoNyquecuentacon2terminales,nodoyctodo.
MODELOSIMBOLICO
MODELOMATEMTICO
LacaractersticaVIdeundiodosemiconductordegermanioodesilicioestadadapor:
Donde
ID=Corrienteatravsdeldiodo(Amperes).
VD=Voltajeentrelasterminalesdeldiodo(Volts).
IR=Corrienteinversadesaturacin.
q=Cargadelelectrn,1.68x1019Coulombs.
m=Constanteemprica,varade1a2.
K=ConstantedeBoltzman,1.38x1023Joule/K.
T=Temperaturaabsoluta,K.
OPERACIN
Paraqueundiodosecomportecomouncircuitocerradoouncortocircuitoesnecesario
aplicarunvoltajede0.7vensusextremos.
a)Cuandolaterminalaesmaspositivaquelaterminalk.LauninPNestapolarizada
directamenteestoconllevaaqueconducircorriente,secomportacomouncortocircuito.
b) Cuando k es ms positiva que a, la unin esta polarizada inversamente por lo cual se

comportacomouncircuitoabierto.
MODELOGRAFICO
Sederivadelarelacinexistenteentreelvoltajeylacorrienteenlasterminalesdeldiodo.La
curvacaractersticadeundiododegermanioysilicioeslaquesemuestra.
NOTA: En el primer cuadrante se observa la polarizacin directa, mientras que el tercero es

polarizacininversa.ParaelsiliciolaIResennanoamperios.
MODELOANLOGOELECTRICO
(ACDenconduccin)
Donde:
EJEMPLO1:
ParaelsiguientecircuitocalcularVeIatravsdeldiododesiliciocuyaresistenciainternaes
10ohms.
a.Empleandolacurvacaracterstica.
b.Empleandoelmodeloanlogoelctrico
Solucin:
a)Larespuestapara
a.serbasndoseenlagrafica:
1.Utilizandolaformula(1)
2.Es=R1I+VEcuacindelarectadecarga
2=50I+V
siV=0
I=2/50=0.04A=40mA
SiI=0
V=2v
GRAFICANDOAMBOSVALORESENCONTRADOS
b)Ahoraaplicandosucircuitoanlogo:
1.2 VARIACIONDELOSPARAMETROSDELDIODO
Ejemplo1.ConsidereundiododeSicuyoVo=600Mvatemperaturaambiente(25C)sila
temperaturaseincrementaa125CcualserelnuevovalordeVo.
t=100C
Vo=(4mV)(100)
Vo=400mV
Vo=V1+V2
Vo=600400
Vo=200mV
Ejemplo2.ConsidereundiododegermaniosielvalordeIsesde10mAauna
temperaturade25C.CualserelvalordeIsaunatemperaturade125C.
Is=10.24mA
Paralacorriente:
Id=Ir=Vr/r
EJEMPLO3.Considereelsiguientecircuitoydeterminelasexpresionesparalacorrienteyel
voltajeatravsdeldiodo:
E=VD+VR
VD=EVR
ID=IR=
a) Comoeldiodoconduce
VD=0.7V
b) VR=EVD
VR=7.3V
c) IR= =
IR=3.32mA
EJEMPLO4.DeterminelosvaloresdeVOeIDdelsiguientecircuito:
PorLVK
E=VDsi+VDge+VR
VR=EVDsiVDge
VR=120.70.3
VR=11V=VO
ID=IR=
IR=1.96mA
EJEMPLO5.DetermineID,I1eI2delsiguientecircuito:
VD=0.7V
VR2=0.7V
PorLVK
10V+VR1+VR2=0
VR1=10V0.7V
VR1=9.3V
I1=
=9.3mA
I2=
=0.7mA
ID=I1I2
ID=9.3mA0.7mA
ID=8.6mA
EJEMPLO7.DetermineI1,VR1,VR2yVOdelsiguientecircuito:
PorLVK
20V+VR1+0.7V+VR25V=0
VR1+0.7V+VR2=25V
VRE=24.3V
RE=6.8K
I1=
=3.57mA
VR1=(3.57mA)(4.6K)
VR1=16.4V
VR2=(3.57mA)(2.2K)
VR2=7.8V
VO=20+VR1+VD
VO=2.9V
EJEMPLO8.DeterminelosvaloresdeVo,Id1eId2delsiguientecircuito.
I=Id1+Id2
I=Vr1/R1
Id1=Id2=I/2
E=Vr1+Vp
I=9.3v/0.33K
Id1=Id2=14mA
I=28mA
Vr1=EVp
Vr1=10v0.7
Vr1=9.3v
Vo=Vd1=Vd2=0.7v
EJEMPLO9.DeterminelosvaloresdeIdyVodelsiguientecircuito.
E=VdSi+Idr1+Ior3
E=VdSi+Idr1+2Idr3
E=VdSi+Id(r1+2r3)
EVdSi/r1+2r3)=Id
Id=100.7/2K+2(1K)
Id=2.3mA
Io=2IdVr3=Ior3
Io=4.6mAVr3=4.6mA(1K)
Vo=4.6vVr3=4.6v
EJEMPLO10.DeterminelosvaloresdeI1,I2eI3delsiguientecircuito.
Vp=1.4v
E=Vr1+Vp
Vr1=EVp
Vr1=10v1.4v
Vr1=8.6v
10
Vp=1.4vI1=Vr1/r1
E1=Vr1+VpI1=Vr1/r1
Vr1=E1VpI1=8.6v/1K
Vr1=10v1.4vI1=8.6mA
Vr1=8.6v
V2=Vr2+VpI3=I1+I2
Vr2=V2VpI3=8.6mA+3.6mA
Vr2=5v1.4v I3=12.2mA
Vr2=3.6v
I2=Vr2/R2
I2=3.6v/1K=3.6mA
EJEMPLO11.DetermineIDdelsiguientecircuito:
Nota:Eldiodopolarizadoinversamenteactacomocortocircuito.
11
PorLVK
E=VR+VD
E=RI+0.7V
I=
=6.045mA
I=
EJEMPLO12.DeterminelosvaloresdeI1,I2,I3,eI4delsiguientecircuito:
I1
E=VR1+VDT1
E=R1I1+1.4V
I1=
=8.6mA
I3
E=VR1+VR2
E=R1I1+R2I3
I3=
I2=I1I3
I2=7.2mA
Nota:I4noexisteporquenohaysuficientevoltajeparaalimentarlarama.
12
=1.4mA
EJEMPLO13.DeterminelosvaloresdeVOeIdelsiguientecircuito:
I=
=9.3mA
VO=100.7
VO=9.3V
ELEMPLO14.DetermineIyVOdelsiguientecircuito:
VD=0.7V
RE=5.9K
I=
=1.24mA
VO=8VVR1
VO=8(1.2K)(1.24mA)
VO=6.5V
13
UnidadII.
RecortadoresLimitadores.
Los circuitos recortadores se utilizan para eliminar parte de una forma de onda que se
encuentreporencimaopordebajodealgnniveldereferencia.
Son circuitos de diodos que tienen la capacidad de recortar la seal de entrada sin
distorsionarlaparterestantedelaformadeondaalterna.
EJEMPLO 1. Del siguiente circuito determine la seal VO cuando se aplica una seal Vi
mostrada:
a) En0voltsyenvoltaje
negativoeldiodo
noconduce.
14
EJEMPLO2.Dibujelasealdesalidadelsiguientecircuito:
Comportamiento:
a) CuandoVi=0;Noconduce;VO=0
b) CuandoVi=1;Noconduce;VO=0
c) CuandoVi3.7;conduce;VO=0
VO=1030.7=6.3V
d) CuandoVi<3.7;Noconduce;
VO=0
15
EJEMPLO3.DetremineVOdelsiguientecircuito:
Comportamiento:
a) CuandoVi=20;Dconduce
VO=Vi+E0.7=24.3V
b) CuandoVi=10;Dnoconduce
VO=0
16
EJEMPLO4.Determinelaformadeondadelasealdesalidadelsiguientecircuito:
Comportamiento:
a) Vi=0;Dnoconduce;VO=Vi
b) Vi0.7;Dconduce;VO=0.7V
c) Vi<0.7;Dnoconduce;VO=Vi
17
Comportamiento:
a) CuandoVi=0;Dconduce;V0=3.3V
b) CuandoVi>3.3;Dnoconduce;
V0=Vi
18
Comportamiento:
a) CuandoVi=0;Dconduce;
V0=Vi
b) CuandoVi=4.3;Dconduce;V0
=Vi
c) CuandoVi>4.3;Dnoconduce;
V0=5V
d) CuandoVi4.3;Dconduce;V0
=Vi
19
Sujetadoresocambiadoresdenivel
Comosunombreloindicanestossoncapacesdecambiarunasealdecorrientealternaaun
niveldiferentedecorrientedirecta.
EJEMPLO1.Determinelasealdesalidadelsiguientecircuito:
Sugerencia:iniciarelanlisiscuandoeldiodo
conduzca.
Comportamiento:
a) CuandoVi=5V;Dconduce;VO=0.7V
VC=ViVD=50.7=4.3V
b) CuandoVi=5;Dnoconduce;
VO=ViVC=54.3=9.3V
20
EJEMPLO2.DibujeVOdelsiguientecircuito(diodoideal):
Comportamiento:
a) SiVi=positivo;Dconduce;VO
=0yVC=10V
b) SiVi=negativo;Dnoconduce;
VO=EVC=1010=20V
21
EJEMPLO3.DetermineVOdelsiguientecircuito:
Comportamiento:
a) CuandoVi=20;Dconduce;
VO=4.3VyVC=24.3V
b) CuandoVi=10;Dnoconduce;
VO=10+24.3=34.3V
22
RECTIFICADORES
MEDIAONDA
Donde:
Vs=Vpsenwt

Vp=Voltajepico.
Vo=Voltajedesalidarectificadoquese
mideenunvoltmetrodeC.D.
VL=Voltajedesalidarectificadoquese
apreciarenunosciloscopio.
23
Lasecuacionesquedescribenelcomportamientodeestecircuitosemuestranacontinuacin,
enellasseconsideraqueelvoltajedeumbraldeldiodoescerovolts.
LacorrienteenRLes:
Enfuncindelvaloreficaz:
Lacorrienteatravsdeldiodoes:
24
Lacorrientepicoesentonces:
Elvoltajepicoinversocuandoeldiodonoconducees:
Ejemplo 1. Calcular Vo e Io medidos con un voltmetro DC en un circuito rectificador de

onda.Elsecundariodeltransformadorproporcionaunvoltajede12Vrms,ylaresistenciade
cargaesde1k.Calculeademslacorrientemximaatravsdeldiodoyelvoltajepicoinverso.
25
Ejemplo 2. Calcular Vo e Io medidos con un voltmetro DC en un circuito rectificador de

onda.Elsecundariodeltransformadorproporcionaunvoltajede10Vrms,ylaresistenciade
cargaesde1k.Calculeademslacorrientemximaatravsdeldiodoyelvoltajepicoinverso.
Datos:
Vrms=Ve=10V
RL=1K
Vo=0.4Ve
=0.45(10V)
Vo=4.5V
Io=0.45Ve/RL
=[(0.45)(10)]/1K
Io=4.5mA
Idp=1.41Ve/RL
=[(1.41)(10)]/1K
Idp=14.1mA
Vpi=1.41Ve
=1.41(10V)
Vpi=14.1V
26
Ejemplo2.DisearunrectificadordeondaqueproporcionesalasalidaunVo=24Vdcuna
corrienteIo=250mA.
ParaelTransformador:
Vo=0.45Ve
Ve=Vo/0.45=24V/0.45=53.33Vrms
ParalaResistencia:
RL=Vo/Io=24V/250mA=96ohms~100ohms
ParaelDiodo:
Idp=1.41Ve/RL=[1.41(53.33)]/100=750mA
ParaelVoltajePicoInverso:
Vpi=1.41Ve=(1.41)(53.33)=75.2V
27
RECTIFICADORDEONDACOMPLETA
LacorrienteenRLes:
28
Enfuncindelvaloreficaz:
Lacorrienteatravsdelacargaes:
Lacorrienteatravsdelosdiodoseslamitaddelacorrienteenlacarga:
Lacorrientepicodeldiodoes:
Elvoltajepicoinversoenlasterminalesdeldiodoennoconduccinestdadopor:
29
Ejemplo1.CalculeVoeIomedidosconunvoltmetroDCenunrectificadordeondacompleta
(2diodos).Eltransformadortiene10Vrmsencadadevanadoylaresistenciadecargaesde1K.
DetermineademslosvaloresdeIdpyVpi:
Datos:
Ve=10V
RL=1K
Vo=0.9Ve=0.9(10)=9V
Io=Vo/RL=9V/1K=9mA
Id=0.45Ve/RL=[0.45(10)]/1K=4.5mA
Idp=1.41Ve/RL=[1.41(10)]/1K=14.1mA
Vpi=2.82Ve=2.82(10)=28.2V
30
EJEMPLO2.CalcularelvoltajeylacorrientequesernmedidosconunvoltmetrodeC.D.en
uncircuitorectificadordedobleonda.Elsecundariodeltransformadorproporciona12volts
encadadevanadoylaresistenciadecargaesde1K.Calcularademslacorrientemximaa
travsdecadadiodo,Idmxyelvoltajepicoinversoparacadadiodoennoconduccin.
Vin2=12v
31
RECTIFICADORDEMEDIAONDACONCAPACITORCOMOFILTRO
32
Donde:
AVo:Componentedealterna(rizo)
t1to:IntervalodeConduccin.
t2t1:TiempodeDescargadelCapacitor.
Vo:ValorPromedio.
VM:ValorMximodeVL.
Vm:ValorMnimodeVL.
Descripcin:
a) Mientraseldiodoestapolarizadodirectamenteelcapacitorsecargaaunmximode
Vp.
b) PeroVsempiezaadisminuirdespusdesuvalormximo,hastallegaraunvalorque
esmenorqueVp.YaqueVpeselvoltajeenelctododeldiodo,estoprovocaraqueel
diodoseabra(sepolarizainversamente).
c) ApartirdeestemomentoiniciosudescargaatravsdeRLeneltiempot2t1hasta
queVsvuelveasermspositivoqueelvoltajedelcapacitor.
33
SiseconsideraicomounaconstantedevalorI(linealynoexponencial)setieneque:
Si se aproxima ahora la forma de rizo a un diente de sierra se tomar el tiempo de

descargadelcapacitorigualaldelperiododelaseal,esdecir:
34
Donde:
VMeselvalormximodeVRLyesigualaVP.
Vmeselvalormnimode.VRL
Donde,T= t porloque
ComoT=1/f,elvalorpromedioesentonces,
35
Paraelvoltajederizo,
Laexpresinqueseconsideraparaobtenerlacorrienteeneldiodoes:
DondeVPIeselvoltajepicoinversodeldiodo,
36
EJEMPLO 4. Con los datos que se indican a continuacin disear un circuito rectificador de
mediaondaconuncapacitorcomofiltrocomoeldelafigura.
Datos:
RL=1K.Vo=25voltsoV=0.5volts
Paraelvoltajepico,
VRL=VM=Vo+ Vo/2
=25V+0.5/2
VP=VM=25.25V
Paraelvoltajedelsecundariodeltransformador,
VRMS=VP/ 2
=25.25V/1.4142
VRMS=17.85V
Paraelcapacitor:
Vo=VP/fRLC
C=VP/fRL Vo
=25.25V/(60HZ)(1K)(0.5V)
C=841.66F
Paraelvoltajedelcapacitorsetomadosveceselvalordelvoltajepico,
Vc = 2Vp
= 2 * 25.25 V
Vc = 50.5 V
37
Paraelvoltajepicoinversoeneldiodo,
VPI=Vp=25.25V
Paralacorrienteeneldiodo,
CalculandoahoraelcapacitorutilizandoIPsetieneque,
38
RECTIFICADORDEONDACOMPLETACONCAPACITORCOMOFILTRO
Lasecuacionesquesepuedenconsiderarparaestaaplicacinsonentonces,
Paralacorrienteeneldiodo
39
EJEMPLO5.Conlosdatosqueseindicanacontinuacindisearuncircuito
Datos:
RL=100.
Vrms=12volts
Vo=0.1volts
Paraelvoltajepico:
Paraelvoltajedesalida:
Paralacorrientedesalida,
40
Paraelcapacitor,
Paraelvoltajedelcapacitor,
Paraelvoltajepicoinversoeneldiodo,
CalculandoahoraelcapacitorutilizandoIPsetieneque,
Nota:Encualquieraplicacinelvoltajederizonodebeexcederdeun5%delvoltajedesalida.
41
ELDIODOZENER
Los diodos Zener son dispositivos semiconductores formados por una unin PN donde los
materialesutilizadosensufabricacinsondopadosconimpurezas,loquedeterminaelvoltaje
deruptura.
Id
+
Iz
Vd
Vz
CurvacaractersticadeldiodoZener.
I Z mn = Mnima corriente inversa que ha de atravesar el diodo para asegurar su correcto
funcionamiento,tambinllamadacorrientedemantenimiento.
IZmax=Mximacorrienteinversaquepuedeatravesaraldiodocongarantadenodestruccin.
PZ=Potenciadedisipacinnominaldelcomponentequenodebesersobrepasada.
EL DIODO ZENER COMO REGULADOR DE VOLTAJE
LaaplicacinmscomndeldiodoZenerconsisteenestablecerunvoltajefijodereferencia
aplicadoaunacargaRL.
Estosedebeaqueenmuchascircunstanciaselvoltajeaplicadoauncircuitodecargapuede
sufrirvariacionesindeseablesquealterenelfuncionamientonormaldelmismo.
42
ElcircuitobsicodeunreguladorcondiodoZenersemuestraenlafiguraanterior.
ElvoltajequedebeaplicarsealZenerparaponerloenconduccineselsiguiente:
VL=RLIL
OmitiendoaldiodoZeneryaqueestenparaleloconlacargasetienequelacorrienteenla
cargaes:
IL=Vin/RS+RL
Elvoltajeenlacargaesentonces:
VL=RL(Vin/RS+RL
LacorrienteenRSes:
IS = Vin VL / RS
LacorrienteZeneresentonces,
Is=Iz+IL
Iz=IsIL
43
EJEMPLO1.DeterminarlacorrienteIzdelsiguientecircuito.
A)Vth=RLVi/RL+RS
=2K(40)/820+2K
=28.36V
B)Is=ViVz/RS
=4010/820
=0.037A
C)IL=VL/RL
=10/2K
=5mA
D)Iz=IsIL
=37mA5mA
=32mA
44
EFECTO SOBRE LAS CONDICIONES DE REGULACIN
A)DETRMINANDOELVALORDERs
Paraqueelzenerfuncioneadecuadamenteesnecesarioconsiderarlosiguiente.
A)UnVL=MINIMO
B) UnaIL=MXIMA
LA CORRIENTE MINIMA EN RS
Ismin=ViminVz/Rsmax
DEDONDE:
Rsmax=ViminVz/Ismin
ADEMAS:
Iz=IsIL
Izmin=IsminILmax
ELPUNTOCRTICOOCURRECUANDO:
ILmax=Ismin
Izmin=0(Iz=cero)
(NOHAYREGULACIN)
PARAESTECASO:
Rsmax=Vimax=ViminVz/ILmax
PARAQUEEXISTARUPTURA:
Rs<Rsmax
45
EJEMPLO2.ParaelsiguientecircuitoproponerunvalorparaRsqueasegureunaadecuada
regulacindelzener.
ILmax=18/50min
=0.36A
Rsmax=ViminVz/ILmax
=2028/0.36
=5.55
Rs<Rsmax
Rs=4.7<5.5
46
EJEMPLO3.Determinelosvaloresmnimosymximosdelasiguienteresistenciadecargaque
asegurelaregulacindelzener.
Vz=10v
Izmax=32mA
Is=ViminVz/Rsmax
=5010/1000
=0.04A
RLmin=VL/ILmax
=10/8mA
=250
IL=IsIz
=0.040.032
=8mA
Rsmax=VL/ILmax
=10/0.04
=1250
47
EJEMPLO4.Unreguladordevoltajedeentradaquevariade15a20vyunacorrientemxima
enlacargade20mAsielvoltajedelzeneresde6.8vbuscarelvalordeRs.
ILmax=20mA
Vz=6.8v
Vimin=15v
Vimax=20v
Rsmax=ViminVz/ILmax
=156.8/20*10Exp3
=410
Rs<Rsmax
PROPONEMOSRs=390
390<410
48
EJEMPLO5.ConsidereelcircuitosiguienteydetermineelvalordeRsparaqueelzeneropere
adecuadamente.
ILmax=60mA
Rsmax=15.39/60mA=105
Rs<Rsmax
Rs=100<105
49
ELTRANSISTORBIPOLAR
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales construido de tres regiones

semiconductoras y dos uniones P-N.
1.
MODELOSIMBOLICO
TRANSISTORPNP
TRANSISTORNPN
IE=IB+IC
Donde:
E=Emisor.
B=Base.
C=Colector.
50
2.OPERACINDELTRANSISTOR
A)
LauninEBestapolarizaddirectamente(EMISOR)
LauninCBestapolarizadainversamente(COLECTOR)
La unin EB inyecta huecos, que atravesando el material N son recolectados por la

unin CB dando lugar a una corriente Ic.
B)
LacorrienteIcestacompuestapor2trminos:
UnafraccindeIEmaslacorrientedesaturacininversaIco
IC= IE+Ico
DONDE:
IC =0.95A0.995
IE=MA(Ge)
Ico=nA(Si)
C)Lacorrientedelemisores:
IE = IC + IB
51
3.MODELOGRAFICODELTRANSISTORBIPOLAR
(CURVASCARACTERSTICAS)
Lascurvascaractersticasdeltransistordependendeltipodeconfiguracinenqueseemplee
eldispositivo.
BASECOMUN
EMISORCOMUN
COLECTORCOMUN
A)Configuracinbasecomn
VBE
IC
IE
IC
IE
VCB
VBE
+
VCB
_
IB
IB
NPN
PNP
IC= IE
VCB >>VBE
=0.995
B)Configuracinemisorcomn
_
VBE
+
IC
IC
IB
IB
VCE
IE
+
VCE
_
+
VBE
_
IE
PNP
NPN
IC=IB
VCE>VBE
=200600
52
C)Configuracincolectorcomn
IC
IE
IB
+
VCE
_
VBC
_
IC
IB
_
VBC
+
VCE
IE
NPN
PNP
IE=1/1 (IB)
VCE>VBC
YB=Gananciaencorriente(hfe)
Relacinentrey
Yaque:IE=IC+IB
DividiendoentreICIE/IC=1+IB/IC
I/ =1+1/
Dedonde:
= /1
=/1
53
Adems el transistor puede trabajar en 4 modos de operacin.
Paraamplificacin:regin1
Paraconmutacin:regin3+regin4
4.CARACTERSTICASESTATICAS
Serequiereconocerlasrelacionesexistentesentrelassiguientesvariables:
A)VBEIB;VCE=parmetro
B)VBEVCE;IB=parmetro
C)ICIB;VCE=parmetro
D)ICVCE;IB=parmetro
VARIACIN DE LOS PARMETROS DEL TRANSISTORPOR EFECTO DE

LA TEMPERATURA
54
5.POLARIZACIONDELTRANSISTOR
Consideremoselcircuitosiguiente:
Rc
Ic
+
Vb
_
Rb
Vce
Vcc
_
LascurvascaractersticasdelarelacinIcVCEseilustranenelsiguienteesquema.
Vcc=RcIc+VceECUACINDELARECTADECARGA
Paraconocerlospuntosextremos
A)ConIc=0VCE=Vcc
B)ConVce=0IC=Vcc/Rc
55
ANLISISDECIRCUITOSDEPOLARIZACION
Larectadecarga.
Estarectaestconformadaporunainfinidaddeparejasdevalores(Ic,Vce)queseconocen
comoelpuntodeoperacindeltransistor,yquedependerndelcircuitodepolarizacin.Esta
rectadecargatienedospuntosextremos:unoeslacorrientemximaquecirculaporel
colectoryqueseconocecomoIcdesaturacin;mientrasqueelotroextremolodeterminael
valormximodevoltajeVce,queeselvoltajeentreelcolectoryelemisor.Estevalormximo
seconocecomoVcedecorte.
Nota:Laecuacindelarectadecargasedeterminadelanlisisdelamalla,colectoremisor.
56
A)Circuitodepolarizacinfija
Nota1:
Elanlisisdeloscircuitosdepolarizacinconsistirendeterminarlosvaloresdelacorriente
decolector(Ic)ydelvoltajecolectoremisor(Vce)quedeterminaranelpuntodeoperacindel
circuito.
Nota2:
Yaquerealizaremosunanlisisacorrientedirecta,esdecir,abajafrecuencia,consideramosa
loscapacitorescomocircuitosabiertos,yaquerepresentanunaaltareactanciaaCD.
DelamallaBE
Vcc=RbIb+Vbe
Ib
Ib=VccVbe
Rb
Vbe
Rb
Vbe=0.7
Enlareginlinealoactiva
Ic=Ib
57
DelamallaCE
Ic
Vcc=RcIc+Vce
Rc
Ic=VccVce
Rc
Vce
Vce=VccRcIc
Vcc
EJEMPLO1.Calculelacorrienteyelvoltajedepolarizacindelsiguientecircuitoytrazarla
rectadecarga.
+ 12 v
Ib
Vo
Vi
DATOS
Vcc=12v
= 50
Rc=2.2K
Rb=240K
Vbe=0.7v
=50
De la malla B E
Ib240K+0.7=12
Ib=120.7
Vbe
240K
Ib=47.08A
58
Ic=Ib
Ic=50(47F)
Ic=2.35mA
De la malla C E
Ic
Vcc=RcIc+Vce
Vce=VccRcIc
Vce=122.2K(2.45A)
Vce=6.83v
Vce
ICSAT=Vcc/Rc=12/2.2k=5.45mA
Vcc=VCECTE=12V
RECTA DE CARGA
Ic
5.45 mA
Vcc
Rc
2.35 mA
12 v
6.83v
59
Vce
Polarizacinconresistenciaenelemisor.
Del circuito B E
Vcc=RbIb+Vbe+ReIe
Pero:
Ie=Ic+Ib=Ib+Ib
Ie=Ib(+1)
Vcc=RbIb+Vbe+ReIb(+1)
VccVbe=Rb+Re(+1)
Ib
VccVbe=Ib
Rb+Re(+1)
Del circuito C E
Vcc=RcIc+Vce+ReIe
ConsiderandoqueIeIc
Vcc=RcIc+Vce+ReIc
Vce=Vcc(Rc+Re)Ic
60
EJEMPLO2.Calcularelpuntodeoperacindelcircuitomostrado.
Elpuntodeoperacinesentonces:
61
DISEARUNCIRCUITODEPOLARIZACIONPORDIVISORDEVOLTAJECONLOSSIGUIENTES
DATOS:
18 v
R1
Rc
Ic = 5 mA
= 100
R2
Ve=1.8v
Re=Ve/Ie
=1.8/5mA=360
8+Vrc+8+1.8=0
Vrc=1881.8
Vrc=8.2v
Rc=Vrc/Irc
=8.2/5mA=1640
=1.5K
Rb=Re/10
=(100)(360)/10=3600
=3.6K
62
Re
Vbb=1.8+0.7=2.5v
R1=Rb(Vcc)/Vbb
=(3600)(18)/2.5
=2592
=27K
R2=Rb/1(Vbb/Vcc)
=360K/1(2.5/18)
=4180
=4.7K
63
CIRCUITODEPOLARIZACIONPORDIVISORDEVOLTAJE
Ahorautilizandodivisordevoltaje
Rb=R1//R2
VBB=VccR2/(R1+R2)
NOTA:SepuedeconsiderarqueIc=Iecuandolabetadeltransistoresmuygrande,soloasIb
esdespreciable.
Haciendo una malla de la base al emisor
VBB=RbIb+Vbe+ReIe
VBB=RbIb+Vbe+ReIb(+1)
Ib=VbbVbe/(Rb+Re(+1)
Ahorahaciendounamalladelcolectoralemisor:
Vce=VccIc(Rc+Re)
Consideracinsobrelaindependenciadelcircuitodelvalordelabeta.
Impedancia de BETA: uno de los problemas que se tienen en la grfica con el uso de los
transistoresesqueelvalordeBETAvaraconloscambiosdetemperatura.Ysabemosquesi
varialaBetaestaafectaratambinelvalordelpuntodeoperacindeltransistorcontodoslos
inconvenientesqueestoimplica.
EsporesoquesesugierequeloscircuitosdepolarizacinseanindependientesdeBETA.
64
DelcircuitoBE
VBB=RbIb+Vbe+ReIe
Ic~Ie
VBB=Rb(Ic/)+Vbe+ReIc
Ic=(VBBVbe)/(Re+Rb/)
SiRe>>Rb/b
Ic=(VBBVbe)/Re)
NOTAIMPORTANTE:
Paradiseo
Re=(10Rb/)
CalculodeR1YR2paradiseo:
Si
Rb=R1*R2/R1+R2....................1
VBB=(R2/R1+R2)*Vcc.................2
Manipulando1y2:
R1=(RbVcc)/VBB
R2=Rb/(1VBB/Vcc)
65
EJEMPLO1.Determineelpuntodeoperacindelsiguientecircuitoydibujelarectadecarga.
+ 22 v
Vo
Vi
Solucin:
VBB=VccR2/(R1+R2)=[(22v)(3.4K)]/(34K+3.4K)=2V
Ib=VbbVbe/[Rb+Re(+1)]
SiRb=R1*R2/R1+R2=3545.45
Ib=20.7/(3.5K+[1.5K*141])
Ib=6.04A
Ic=Ib=140(6.04A)
Ic=0.84mA
ParaobtenerVce
Vce=Vcc[Rc+Re]Ic
Vce=22(11.5K)(0.84)
Vce=12.34v
Corrientedesaturacin:
ICSAT=Vcc/(Rc+Re)=22V/11.5K=1.91mA
66
ParaobtenerVceCTE
Vcc=VceCTE=22V
EJEMPLO2.Determineelpuntodeoperacindelsiguientecircuitodepolarizacin.
Ic`=Ib+Ic
Ic`=Ib+B*Ib
Ic`=(+1)Ib
67
Solucin:
Haciendounamalladelabasealemisor:
Vcc=R1[Ic`+RbIb+Vbe+ReIe
VccVbe=Ib[(+1)Rc+Rb+(+1)Re]
Ib=VccVbe________
(+1)R1+Rb+(+1)*Re
Ib=200.7
(81)(2.2K)+270K+(81)(1K)
Ib=36.47A
Ie=(+1)*Ib=2.95mA
DelamallaCE
Vcc=Ic`Rc+Vce+IeRe
Ic`=Ie
Vce=VccIe(Rc+Re)
Vce=10.54v
68
EJEMPLO3.Determineelpuntodeoperacindelsiguientecircuitodepolarizacin.
Malladelabasealemisor:
Vcc=R1I1+RbIb+Vbe+ReIe
I1~Ie
Vcc=R1Ie+RbIb+Vbe+ReIe
Ie=Ib(+1)
Vcc=R1[Ib(+1)]+RbIb+Vbe+Re[Ib(+1)]
Vcc=[R1(+1)]+Rb+Re(+1)]Ib+Vbe
Ib=VccVbe________
(+1)R1+Rb+(+1)Re
Ib=200.7
(81)(2.5K)+270K+(81)(1K)
Ib=34.86A
Ie=(+1)Ib=2.78mA
69
DelamallaCE
Vcc=I1R1+Vce+IeRe
I1=Ie
Vce=VccIe(R1+Re)
Vce=20V(2.78mA)(3.5K)
Vce=10.27v
70
CIRCUITODEPOLARIZACIONDEMXIMAEXCURSINSIMETRICA
Paraelsiguientecircuito
Delamallacolectoremisorseobtienelaecuacindelarectadecarga,
Vcc=IcRc+Vce+IeRe
IcIe
Vcc=IcRc+Vce+IcRe
Vce=Vcc(Rc+Re)Ic
Paraelpuntodecorte:Paraelpuntodesaturacin:
71
MAXIMAEXCURCIONSIMETRICA(MES)
LamximaexcursinsimtricaserefiereaqueelpuntodeoperacinQquedaexactamenteen
elcentrodelarectadecarga.Enelsiguienteejemploseveraloanterior.
EJEMPLO1.DetermineelpuntodeoperacindelsiguientecircuitoquehasidodiseadoMES.
SOLUCION:
Primerosedibujalarectadecarga
Vcc=Ic(Rc+Re)+Vce
Aplicando M.E.S. se deber dividir entre dos los puntos que determinaran el punto de
operacin,esdecirlacoordenadaXparaIc=0ylacoordenadaYparaVcc=0.
Ic=Vcc/2=3.75mA
Rc+Re
Vce=Vcc/2=4.5volts
72
CONSIDERACIONESDEDISEO
(METODO RAPIDO)
A) Ve=10%Vcc
Re=Ve/Ic
(Ie=Ic)
B) Rc=4Re
C) Si
Ve=0.1Vcc
Vce=0.5Vcc(M.E.S)
Vc=0.4Vcc
Rc=4Re
D) Rb=Re/10(INDEPENDIENTEDE)
Re=10Rb/
Vbb=Vbe+Ve
R1=RbVcc/Vbb
R2=Rb/1(Vbb/Vcc)
73
EJEMPLO1.DisearuncircuitodepolarizacindeCDparaMESdeunamplificadoremisor
comnpordivisordevoltajeconlosdatosqueseindican.
Ve=10%Vcc
Ve=0.1(20)
Ve=2v
Re=Ve/Ie=2v/5mA=400~470(Debedesermayor)
Rc=4Re=4(470)=18802k
Rb=Re/10=(80)(470)/10=37600/10=3760
Vbb=Ve+Vbe=2+0.7=2.7v
R1=RbVcc/Vbb=(3760)(20)/2.7=75200/2.7=27.85K~22k
R2=Rb/1(Vbb/Vcc)=3760/1(2.7/20)=4.34K~3.9k
74
EJEMPLO2.DisearuncircuitodepolarizacindeCDparaMEScomoelmostradoconlos
datosqueseindican.
Ve=0.1Vcc
Ve=2v
Re=Ve/Ie=2v/2mA=1K
Rc=4Re=4K~4.7K
Vcc=RbIb+Vbe+Ve
20=VRb+0.7+2
VRb=200.72
VRb=17.3v
Ic=Ib
Ib=Ic/=2mA/150=13.33A
Rb=17.3/13.33=1,297,8241.2M
75
Ejemplo3.DadoQ(2mA,10V)calculeR1yRcdelsiguientecircuito.
MallaCE:
Vcc=RcIc+Vce+IeRe
Rc=[VccVceReIe)/Ic
Rc=[1810(1.2K)(2mA)]/2mA=2.8K
Pordivisordevoltaje:
Vb=(VccR2)/(R1+R2)
Vb=Ve+Vbe
Ve=ReIe=(1.2K)(2mA)
Ve=2.4V
Vb=2.4+0.7=3.1V
R1=[(VccR2)/Vb]R2=[(18)(18K)/(3.1)]18K=86.52K
76
Ejemplo4.Disearuncircuitodepolarizacinpordivisordevoltajecomoelmostradoycon
losqueseindican(Ind.BETA)
=100
Ve=10%Vcc
Ve=1.8V
Re=Ve/Ic=1.8V/5mA=360~420
Vcc=IcRc+Vce+IcRe
Rc=(VccVce)/Ic=(188)/5mA=420
Vb=Ve+Vbe=1.8+0.7=2.5V
Rb=Re/10=(100)(420)/10=4.2k
R1=RbVcc/Vb=(4.2k)(18v)/2.5=30.24K
R2=Rb/(1Vb/Vcc)=4.2K/(12.5/18)=583.33
77
AmplificadoresFET
Eltransistorbipolareseldispositivomsimportantedelaelectrnica;funcionamediantedos
tipos de cargas, electrones y huecos, por esta razn, recibe el nombre de bipolar. Existen
aplicaciones en las cuales un transistor unipolar es mucho ms adecuado. Un transistor
unipolarsolonecesitauntipodecargaparafuncionar,yaseanelectronesohuecos;porello,
selellamaunipolar(elprefijounisignificauno).
Un transistor unipolar es el FET (transistor de efecto de campo) y es un dispositivo de tres
terminales. Existen diferencias y semejanzas entre el transistor BJT y el FET. La principal
diferenciaentreestosdosdispositivos,eselhechoqueelBJTesundispositivocontroladopor
corriente(comosemuestraenlafigura1.1a);mientrasqueelFETesundispositivocontrolado
porvoltaje(figura1.1b).
Figura1.1Diferenciasentrelosdosamplificadores.
Ascomoexistentransistorestipopnpynpn,existenFETsdecanalnycanalp;elsiguiente
cuadrosinpticomuestralostiposdeFETsqueexisten:
Canalp
JFET
Canaln
Canaln
FET
TipoIncremental
Canalp
CMOS
MOSFET
Canalp
TipoDecremental
Canaln
78
Un BJT tiene una corriente de emisor IE y un FET tiene una corriente IS. En lugar de una
corriente de base IB, se tiene una corriente de compuerta IG y en lugar de una corriente de
colectorIC,tieneunacorrientededrenajeID.EstonoindicaquesepuedasubstituirunBJTen
uncircuitoporunFETdirectamente,senecesitaantesundiseo.Elcircuitoqueestudiaremos
serelJFET(FETdeunin).
1.2ConstruccindelJFET.
Enlafigura1.2semuestraunJFETdecanaln.Alprincipioesunamuestradematerialtipona
laqueposteriormenteseleagreganlasregionestipop,yaseaporaleacindifusinalvapor;
finalmente, el material n forma un canal entre las capas tipo p. En el extremo superior del
canalnseconectamediantecontactohmicounaterminallacualsellamadrenajeD(drain),
porquedeahseextraenlosportadores;delextremoinferiordelmismomaterial,tambinse
conectaporcontactohmicootraterminal,lacualrecibeelnombredefuenteS(source),por
ser el lugar en donde se originan los portadores mayoritarios. Las regiones tipo p forman la
compuertaG(gate),laquecontrolaelflujodeportadoresyambasterminalesestnunidas.
Figura1.2ConstruccindeunJFET.
UnasemejanzaconelBJTyelFETsonsustresregiones,comosemuestraacontinuacin:
Bipolar
FET
Emisor
Fuente
Base
Compuerta
Colector
Drenaje
Si observamos, el JFET presenta dos uniones pn, al no estar polarizado el dispositivo se

presentaunaregindeempobrecimientoencadaunin(comosemuestraenlafigura1.3a).
Como vimos anteriormente la analoga del BJT, en el JFET tambin se puede establecer una
analoga hidrulica con una llave de agua, la figura 3b muestra el caso. Un voltaje aplicado
entrelaterminaldedrenajeylafuentesepuedeasemejaralafuentedelapresindelagua,
79
el cual establecer un flujo de agua (electrones). Aplicando un voltaje a la compuerta, se

controlaelflujodeaguahaciaeldrenaje.
Figura1.3ElTransistordeEfectodeCampoyanalogaconunsistemahidrulico.
1.3FuncionamientodelJFET.
Lafigura1.4amuestralaformaenquesepolarizaunFET.Observequelaunincompuerta
fuente esta polarizada inversamente (VGS), su funcin es la de establecer regiones de
empobrecimientomuygrandes.Launindrenajefuentesepolarizadirectamente(VDS).Enel
instantedeaplicarestevoltaje,loselectronesdelmaterialtiponsonatradosporlaterminal
positivadelabatera(hacialaterminaldedrenaje),formndoseunacorrienteconvencionalID
(figura1.4b).SielvoltajeVGSesdeunamagnitudquepermitaelflujodeelectrones,esteflujo
soloserlimitadoporlaresistenciadelcanalnentreeldrenajeylafuente.
Enlafigura1.4aseobservaquelaregindeempobrecimientoesmsanchaenelextremode
la terminal de drenaje que en la de la fuente; esto se debe a que el canal presenta una
resistencia,enlafigura1.4csemuestraestecaso.
Figura1.4PolarizacindelJFET.
80
Sicadaresistenciatieneunvalorde1yelvoltajeVDS=2V,podemoscalcularlosvoltajesen
cadaresistenciacomosigue:
R EQ = R1 + R2 + R3 + R 4
R EQ = 1 + 1 + 1 + 1
R EQ = 4
R
V A = V DS 1
R EQ
1
V A = 2V
V A = 0.5V
R + R2
V B = V DS 1
R EQ
1 + 1
V B = 2V
VB = 1V
R + R 2 + R3
VC = V DS 1
R EQ
81
1 + 1 + 1
VC = 2V
VC = 1.5V
R + R 2 + R3 + R 4
V D = V DS 1
R EQ
1 + 1 + 1 + 1
VD = 2V
VD = 2V
Elresultadodeestosvaloresnosindicaquelareginsuperiordelmaterialtipopsepolariza
inversamente hasta los 1.5V logrando que la regin de empobrecimiento sea mucho ms
grandeylaregininferiorcon0.5Vpresentaunaregindeempobrecimientomspequea.
SiseincrementadeformagradualelvoltajeVGS,laregindeempobrecimientosehacecada
vezmsgrandehastaquellegaaunpuntoquelasdosregionessejuntanynopermitenque
existaunflujodecorrienteIDS,aestevoltajeseleconocecomovoltajedeestrechamientoyse
denotaporVP.
DicholoanteriorsecompruebaqueelvoltajeVGScontrolalacantidaddecorrientequefluyea
travsdeldispositivo;porlotanto,esundispositivocontroladoporvoltaje.
1.3.1Simbologa.
LossmbolosquerepresentanalJFETdecanalnypsemuestranenlafigura1.5.Parapoder
memorizar los smbolos, imagnese la delgada lnea vertical como el canal ya sea n p; las
terminales de la fuente y drenaje se conectan a esta lnea. La terminal de la compuerta se
representa por una flecha la cual apunta en la direccin en que IG fluir si la unin pn
estuvierapolarizadadeformadirecta.
Figura1.5SmbolosquerepresentanalJFETdecanalnyeldecanalp.
82
1.3.2Ventajasydesventajas.
EnlasiguientetablasemuestranlasventajasydesventajasquepresentaunJFETante
elBJT.
Tabla1.1ComparacinentreunJFETyunBJT.
Ventajas
Desventajas
Altaimpedanciadeentrada.
Menor sensibilidad a los cambios del

voltajedeentrada.
Ms estables con relacin a la Gananciasmenoresenca.

temperatura.
De un 20 a 30% ms pequeos que un
BJT en su construccin, hacindolos
idealesenlosCI.
1.3.3PolarizacindelJFET.
ConfiguracindePolarizacinFija
En la figura 1.6 se muestra el arreglo de polarizacin ms simple para el JFET de canaln.
Conocida como la configuracin de polarizacin fija, es una de las pocas configuraciones de
FET que pueden resolverse de forma directa tanto con un mtodo matemtico como uno
grfico.
La configuracin de la figura 6.1 incluye los niveles de ac Vi y Vo y los capacitores de
acoplamiento (C1 y C2). Recuerde que los capacitores de acoplamiento se comportan como
circuitosabiertosparaelanlisisdedc.Paraelanlisisendc,
IG0A
yVRG=IGRG=(0A)RG=0V
LacadadecerovoltsatravsdeRGpermitereemplazarRGporuncortocircuitoequivalente
comoapareceenlareddelafigura1.7especficamentevueltoadibujarparaelanlisisendc.
83
Ejemplo
Calculelosiguienteparalareddelafigura6.6.
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
(f)
VGS
ID
VDS
V D
V G
VS
Solucin
Mtodomatemtico:
(a) VGS=VGG=2V
(b) ID=IDSS
=10mA
=10mA(10.25)2=10mA(0.75)2=5.625mA
(c)
(d)
(e)
(f)
VDS=VDDIDRD=16V(5.625mA)(2k)=4.75V
VD=VDS=4.75V
VG=VGS=2V
VS=0V
84
Mtodografico:
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
(f)
VGS=VGG=2V
ID=5.6mA
VDS=VDDIDRD=16V(5.6mA)(2k)=4.8V
VD=VDS=4.8V
VG=VGS=2V
VS=0V
Este resultado claramente confirma el hecho de que las soluciones generadas bajo los
enfoquesmatemticoygrficosonmuycercanas.
Configuracindeautopolarizacin
La configuracin de autopolarizacin elimina la necesidad de contar con dos fuentes de
alimentacin de dc. El voltaje de control de la compuerta a la fuente lo determina ahora el
voltaje a travs del resistor RS que est conectado en la terminal de la fuente de la
configuracincomosemuestraenlafigura1.8.
Para el anlisis en dc, los capacitores pueden reemplazarse nuevamente por circuitos
abiertosyelresistorRGporuncortocircuitoequivalenteyaqueIG=0A.Elresultadoesla
reddelafigura1.9paraelanlisisrelevanteendc.
85
Ejemplo:
Calculeparalareddelafigurasiguiente:
a)
b)
c)
d)
e)
f)
VGS
ID
VDS
VS
VG
VD
SOLUCION:
Paraelprimercaso,elvoltajecompuertafuentesedeterminaporlasiguienteecuacin:
SitomamosaID=4mA,podemosobtenerelvoltajeVGSdelasiguientemanera:
Loanteriorseobservaenlafigurasiguiente,elcualcorrespondealtrazodelalneadeauto
polarizacin:
SinuestraaIDfuesede8mA,elvalorresultantedeVGSseriade8V.Tambinobservamos
que se puede seleccionar cualquier valor adecuado de ID, siempre y cuando se utilice
correspondientevalordeVGS.Undatoimportanteesqueseesposibleseleccionarelvalorde
VGSycalcularIDconlagraficaanterior.
PorotroladoseleccionamosVGS=VP/2=3VparalaecuacindeShockley,tenemosqueID=
IDss /4 = 8 mA/4 = 2 mA, las graficas siguientes muestran lo anterior donde localizamos el
puntodeinterseccindelosdos.Elpuntodeoperacinresultanteindicaunvalorestabledel
voltajepuertafuentequehemosestadocalculandode:
86
b)Enelpuntodeestabilidad:
c)Delaecuacin:
Sustituyendovalores:
d)Paraelsiguientecasodebemostomarencuentalasiguienteecuacindelcualsededucela
VS:
e)CalculandoVG
f)ConlosresultamosanteriorescalculamosVD,delasiguientemanera:
87
Configuracinpordivisordevoltaje
Como apunte podemos inferir que la construccin bsica es exactamente la misma que se
utilizaenelamplificadorBJT,peroelanlisisdecadaunoesdiferente.ParaamplificadoresFET
IG=0A,perolamagnituddeIBparalosamplificadoresBJTdeemisorcomnpuedeafectarlos
niveles de dc de la corriente y el voltaje tanto del circuito de entrada como el de salida. IB
proporcionalarelacinentreelcircuitodeentradayeldesalidaparalaconfiguracinBJTpor
divisordevoltajemientrasqueVGSharlomismoparalaconfiguracindeFET.
Senospresentanlossiguientescircuitos,elsegundoparaunanlisisdecd.Comohemosvisto
loscapacitoressereemplazanporuequivalenteacircuitoabierto.PorotroladolafuenteVDD
seseparendosfuentesequivalentesparapermitirunaseparacinmayorentrelaszonasde
entradaysalidadelared.TomandoencuentaqueIG=0A,laleydeKirchhoffrequiereque
IR1 = IR2 y que el circuito equivalente en serie que aparece del lado izquierdo pueda
emplearseparaencontrarenniveldeVG.ElvoltajeVGequivalentealvoltajeatravsdeR2
puedeconocersealutilizarlaleydeldivisordelvoltajedelasiguientemanera:
AlaplicarlaleydevoltajedeKirchhoffenelsentidodelasmanecillasdelrelojparalamallade
lafiguraderechaobtendremosque:
Ysustituyendo
Tenemosporlotantoque:
88
Ejemplo.Determinedelcircuitosiguientelassiguientesincgnitas:
a)
b)
c)
d)
e)
IDYVGS
VD
VS
VDS
VDG
Solucin:
(a) Paralascaractersticasdetransferencia,siID=IDSS/4=8mA/4=2mA,luegoVGS=Vp=
4V/2=2v.Enlafigura1.10aparecelacurvaresultantequerepresentalaecuacinde
Shockley.Laecuacinderedestdefinidapor:
VG=R2VDD
R1+R
VG=(270K 16v)_
2.1M+0.27M
VG=1.82V
VGS=VGIDRS
VGS=1.8vID(1.5k)
Figura1.10DeterminacindelpuntoQparalareddelafiguramostradaanteriormente.
89
CuandoID=0mA:
VGS=+1.82V
CuandoVGS=Ov:
ID=1.82V=1.21mA
1.5K
Lalneadepolarizacinapareceenlafigura6.26conlosvaloresdeestabilidadde
IDQ=2.4mA
VGSQ=18v
(b) VD=VDDIDRD
=16V(2.4mA)(2.4K)
=10.24V
(c) VS=IDRS=(2.4mA)(1.5k)
=3.6V
(d) VDS=VDDID(RD+RS)
=16V(2.4mA)(2.4K+1.5K)
=6.64V
90
ElMOSFET.
Como se mostr anteriormente, existen 2 tipos de FET; el JFET y el MOSFET. La palabra

MOSFETsignificaTransistordeEfectodeCampodeMetalOxidoSemiconductor(MetalOxide
SemiconductorFieldEffectTransistor). Al igual que el JFET tiene una terminal de fuente,
compuerta y drenaje; sin embargo, la compuerta se encuentra aislada elctricamente del
canal.TambinelMOSFETrecibeelnombredeIGFET,quesignificaFETdecompuertaaislada
(insulatedgateFET),aunqueestenombrecasinoseocupaenlaliteraturaactual.Existendos
tiposdeMOSFET,eltipodecrementalyeltipoincremental.
MOSFETdetipoDecremental.
La construccin de un MOSFET decremental tipo n se muestra en la figura 1.11a. La
regintipopsedenominasubstratoyeslabasedondeseconstruyeeldispositivo.Sedifunden
regiones tipo n+ fuertemente dopadas en el substrato, las cuales estn divididas por otra
regin tipo n que formar un canal. Las terminales de drenaje y fuente se conectan a las
regionesn+atravsdecontactosmetlicos.Unacapadedixidodesilicio(SiO2)sedeposita
sobreelcanaltipon;posteriormenteseconectalacompuertamedianteuncontactometlico.
El dixido de silicio es semejante al vidrio y, por lo tanto, es un aislante conocido como
dielctrico, el cual establece una oposicin a los campos elctricos dentro del dielctrico,
cuando este se expone a un campo externamente aplicado. Como la compuerta est aislada
del canal, el diodo de compuertafuente y compuertadrenaje en el JFET ya no existen en el
MOSFET,lograndounaaltaimpedanciadeentradadeldispositivo.
En la figura 1.11b se muestra el funcionamiento del MOSFET. La terminal de

compuerta se fija a un potencial de cero volts, mientras que en las terminales de drenaje y
fuenteseaplicaunvoltajeVDSpositivo.Elresultadoeslaatraccindeloselectroneslibresdel
canal n debido al potencial positivo en la terminal de drenaje y se establece una corriente
similaralJFET.Ahoraenlafigura1.11c,sehaaplicadounvoltajenegativoenlacompuerta;
estepotencialhacequeloselectronesdelcanaltiponseanrechazadosoempujadoshaciael
substrato tipo p y atraen a los huecos de este material. Dependiendo de la magnitud del
potencial VGS, existir una mayor o menor recombinacin entre los electrones y huecos
obtenindose una reduccin del nmero de electrones libres disponibles para la conduccin
enelcanaln.
Figura1.11FuncionamientodelMOSFETtipoDecremental.
91
1.4.2Simbologa.
Los smbolos grficos para un MOSFET de tipo decremental de canal n y canal p se

muestranenlasiguientefigura.
Figura1.12SmbolosparalosdistintosMOSFETdetipoDecrementaldecanalnyp.
1.4.3PolarizacindelMOSFETdetipoDecremental
Las aparentes similitudes entre las curvas de transferencia de los JFET`s y de los
MOSFET`s de tipo decremental permiten realizar un anlisis perfecto de cada uno en el
dominio de dc. La principal diferencia entre ambos, es el hecho de que el MOSFET de tipo
decremental permite puntos de operacin con valores positivos de VGS y niveles de ID que
excedenIDSS.Dehecho,paratodaslasconfiguracioneshastaaquanalizadas,elanlisisenel
mismoJFETsereemplazaraporunMOSFETdetipodecremental.
LanicapartenodefinidadelanlisiseslaformadegraficarlaecuacindeShockley
paravalorespositivosdeVGS.Hastadndedeberextenderselacurvadetransferenciahacia
laregindevalorespositivosdeVGSyhaciavaloresdeIDmayoresqueIDSS?Paralamayora
delassituaciones,esteintervalorequeridoseencontrarbiendefinidoporlosparmetrosdel
MOSFET y por la lnea de polarizacin resultante de la red. Algunos ejemplos mostrarn el
impactodelcambioeneldispositivosobreelanlisisresultante.
EjemploParaelMOSFETdetipodecrementaldelcanalndelafigura1.13,determine:
(a) IDQyVGSQ
(b) VDS
Figura1.13
92
Solucin
(a) Para las caractersticas de transferencia se define un punto en la grafica establecido
por:
ID=IDSS/4=6mA/4=1.5mAyVGS=Vp/2=3V=1.5V.
SiconsideramoselniveldeVpyelhechodequelaecuacindeShockleydefineuna
curva que crece con mayor rapidez a medida que VGS se vuelve ms positivo, se
definir un punto de la grafica de VGS= 1V. Al sustituir en la ecuacin de Shockley
tenemos:
2
ID=IDSS(1VGS/Vp)
2
2
=6mA(11V/3V)=6mA(1+1/3)=6mA(1.778)
=10.67mA
Lacurvaresultanteapareceenlafigura1.14.Alprocederdelamismaformaquesehizopara
elcasodelosJFETs,tenemos:
VG=___10M(18V)___=1.5V
10M+110M
VGS=VGIDRS=1.5VID(750)
Figura1.14DeterminacindelpuntoQparalareddelafigura1.13
AlfijarID=0mA,seobtiene:
VDS=VG=1.5V
AlfijarVGS=0V,tenemos:
ID=VG=1.5v=2mA
RS750
93
En la figura 1.14 aparecen tanto los puntos de la grafica como la lnea de polarizacin
resultante.Elpuntodeoperacinobtenido:
ID=3.1Ma
VGS=0.8V
(b)
VDS=VDDID(RD+RS)
=18V(3.1mA)(1.8K+750)
=10.1V
1.5MOSFETdetipoIncremental.
Observandolafigura1.15apodemosverdeinmediatoladiferenciaenlaconstruccin
deunMOSFETdetipoincrementalyunodecremental,laausenciadelcanaltipon.Sesiguen
presentandolosmismoscomponentesquesetenanenelMOSFETdetipodecremental.
Su funcionamiento es el siguiente. Si fijamos un potencial de cero volts en las

terminales de compuerta y fuente (VGS) y aplicamos un potencial entre drenaje y fuente, la
ausencia del canal no permite que exista un flujo de corriente entre fuente y drenaje
(figura1.15b).
Figura1.15FuncionamientodelMOSFETdetipoIncremental.
En la figura 1.15b, tanto como VDS como VGS tienen un voltaje aplicado, mayor a los
cerovolts.ELvoltajepositivoenlacompuertaempujaaloshuecosdelsubstratotipop(cargas
iguales se repelen) a todo lo largo de la capa de SiO2. Este efecto logra crear una regin de
empobrecimientocercanaalacapaaislantedeSiO2conausenciadehuecos.Losportadores
minoritariosdelsubstrato(electrones)severnatradosporlacargapositivadelacompuerta
yseacumularnenlaregincercanaalasuperficiedelacapadeSiO2,estacapaimpedirque
los portadores minoritarios sean absorbidos por la terminal de compuerta. Conforme la
magnituddelvoltajeVGSaumente,seincrementarlaconcentracindeelectronescercadela
superficie de SiO2 hasta que la regin tipo n inducida pueda soportar un flujo considerable
94
entre el drenaje y la fuente. El nivel de VGS que resulta del incremento en la corriente de
drenajeseconocecomovoltajedeumbralysedenotaporVT.Alnoexistirningncanalcon
VGS = 0V, el canal se forma conforme se incrementa el voltaje VGS; por lo tanto, este tipo de
MOSFET se conoce como de tipo incremental. Ambos tipos de MOSFET (incremental y
decremental) presentan regiones de acrecentamiento, pero el nombre fue aplicado a estos
ltimosdebidoaqueessunicomododeoperacin.
1.5.1Simbologa.
Los smbolos grficos para un MOSFET de tipo Incremental de canal n y canal p se

muestranenlasiguientefigura.
Figura1.16SmbolosparalosdistintosMOSFETdetipoIncrementaldecanalnyp.
Los smbolos anteriores tratan de reflejar la construccin real del dispositivo. La lnea
segmentada entre el drenaje y la fuente, demuestra que no existe un canal entre los dos
elementos en condiciones sin polarizacin. Esta es la nica diferencia entre los smbolos del
MOSFETtipodecrementalytipoincremental.
1.5.2PolarizacindelMOSFETdetipoIncremental
Ejemplo
DetermineIDQyVDSparaelMOSFETdetipoincrementaldelafigura1.17
Figura1.17
95
Solucin:
Graficadelacurvadetransferencia:
Como se muestra en la figura 1.18, dos puntos se definen de forma inmediata. Resolviendo
parak.
k=ID(encendido).
(VDS(encendido)VGS(Th)) 2
3
=6mA=6x10A/V
(8V3V)25
2
3
=0.24x10A/V 2
ParaVGS=6V(entre3y8V):
3
2
3
ID=0.24X10(6V3V)=0.24X10(9)
=2.16mA
Comosemuestraenlafigura1.18.ParaVGS=10V(ligeramentemayorqueVGS(Th):
3
2
3
ID=0.24x10(6V3V)=0.24X10(49)
=11.76mA
Como tambin aparece en la figura 1.18. Los cuatro puntos son suficientes para graficar la
curvacompletaparaelintervalodeinterscomosemuestraenlafigura1.18.
Figura1.18GraficadelacurvadetransferenciaparaelMOSFETdelafigura1.17
Paralarectadepolarizacindelared:
VGS=VDDIDRD
=12vID(2K)
VGS=VDD=12VID=0mA
ID=VDD=12V=6mAVGS=0v
RD2K
96
Ejemplo
DetermineIDQyVDSQparaelMOSFETdetipoincrementaldelafigura1.19
Solucin.
Grficadelacurvadetransferencia:
Comosemuestraenlafiguradospuntossedefinendeformainmediata,Resolviendoparak:
K=ID(encendido)/[VGS(encendido)VGS(Th)]2=6mA/[8V3V]2=6x103A/25V2=0.24x103A/V2
ParaVGS=6V(entre3y8V):
ID=0.24x103(6V3V)2=0.24x103(9V)=2.16Ma
Comosemuestraenlafigura.ParaVGS=10V(ligeramentemayorqueVGSTh):
ID=0.24x103(10V3V)2=0.24x103(49V)=11.76mA
Comotambinaparecelafigura.Loscuatropuntossonsuficientesparagraficarlacurva
completaparaelintervalodeinterscomosemuestraenlafigura.
97
Paralerectadepolarizacindelared:
VGS=VDDIDRD
=12VID(2K )
VGS=VDD=12VIIp=0mA
ID=VDD/RD=12V/2K =6mAlVGS=0V
Larectadepolarizacinresultane.
Enelpuntodeoperacin:
IDQ=2.75mA
y
VGSQ=6.4V
con
VDSQ=VGSQ=6.4V
Arreglodepolarizacindedivisordevoltaje.
En la figura se muestra un segundo arreglo comn de polarizacin para el MOSFET de tipo

incremental.ElhechodequeIG=0mAdaporresultadolasiguienteecuacinparaVGGcomose
derivaapartirdeunaaplicacindelaregladedivisordevoltaje:
VG=(R2VDD)/(R1+R2)
AlaplicarlaleydevoltajedeKirchhoffalrededordelamallaindicadaenlafiguraresulta:
98
+VGVGSVRs=0
y
VGS=VGVRs
o
VGS=VGIPRs
Paralaseccindesalida:
VRS+VDS+VRDVDD=0
y
VDS=VDDVRSVRD
o
VDS=VSSID(RS+RD)
Solucin
Red:
VG=(R2VDD)/(R1+R2)=[(18M )(40V)]/(22M +18M)=18V
VGS=VGIDRS=18vID(0.82K )
CuandoID=0mA.
VGS=18v(0mA)(0.82K )=18V
Comoaparecerenlafigura.CuandoVGS=0V,
VGS=18vID(0.82K )
0=18vID(0.82K )
ID=18V/(0.82K )
ID=21.85mA
99
Dispositivo:
VGS(Th)=5V,ID(encendido)=3mAconVGS(encendido)=10V
K=ID(encendido)/[VGS(encendido)VGS(Th)]2=3mA/[10V5V]2=0.12x103A/V2
ID=K(VGSVGS(Th)2=0.12x103(VGS5)2
Lacualsetrazasobrelamismagrfica.
IDQ=6.7mA
VGSQ=12.5V
VDS=VDDID(RS+RD)
=40V(6.7mA)(0.82K
=40V25.6V
=14.4V
100
3K )
Tipo
Configuracin
TabladeResumen
Ecuacionesaplicables
JFETcon
polarizacinfija
SolucinGrfica
JFETcon
autopolarizacin
JFETcon
polarizacinpor
divisordevoltaje
MOSFETdetipo
decrementalcon
polarizacinfija
MOSFETdetipo
decrementalcon
polarizacinpor
divisordevoltaje
MOSFETdetipo
incrementalcon
configuracinpor
retroalimentacin
MOSFETdetipo
incrementalcon
polarizacinpor
divisordevoltaje
101
102
UNIDADIII
ANLISISDESEALPEQUEA
Considereelsiguientecircuito:
ParaelanlisisaCAdelcircuitoanteriorseharnlassiguientesconsideraciones:
1.TodaslasfuentesdeCDseigualaranconcero(fuentedevoltajeencortocircuitoyfuente
decorrienteencircuitoabierto).
2.RsyVsrepresentanalgeneradordeseal(enlapracticaRsnoseconectarafsicamente.
103
3.Loscapacitoresenaltafrecuenciatienenunareactanciamuypequea,asesque
prcticamenteseconsiderarancomocortoscircuitos.
Circuito equivalente a CA
Rb=R1//R2
Ii=Corrientedeentrada
Io=Corrientedesalida
Vi=Voltajedeentrada
Vo=Voltajedesalida
Zi=Impedanciadeentrada
Zo=Impedanciadesalida
Av=Vo/Vi=Gananciaenvoltaje
Ai=Io/Ii=Gananciaencorriente
Paraladeterminacindelcircuitoequivalentedeltransistorparasealpequea(Modelo
dinmicodeltransistor).
CUADRIPOLO
Vi
_
104
Io
Ii
+
_Vo
SISTEMADEDOSPUERTOS
Lasvariablessepuedenrelacionardelasiguientemanera:
Vi=h11Ii+h12Vo
Io=h12Ii+h21Vo
Paracadaparmetroh(HIBRIDO)
H11=Vi(OHMS)Impedanciadeentradaencortocircuito
Vo=0
H12=Vi
(ADIMENSIONAL)Relacindevoltajedetransferencia
VoIi=0inversaencircuitoabierto.
H21=Io(ADIMENSIONAL)Relacindecorrientedetransferencia
IiVo=0directaencortocircuito.
H22=Io
(OHSM,SIEMENS)Admitanciadesalidaencto.Abierto.
VoIi=0
EL CIRCUITO EQUIVALENTE SERA:
Ii
+
Io
hi
hrVo
Vi
hfIi
1 / ho
+
Vo
Donde:hi=h11
hr=h12
hf=h21
ho=h22
105
Para el emisor comn
MODELOHBRIDODELEMISORCOMUN
Vi=Vbe=hieIb+hreVce
Io=Ic=hfeIb+hoeVce
Enelcasopractico,paraconfiguracindeemisorcomnengeneral:
hrAPROX.0hr=0
1/hoAPROX.Infinito
NOTA:hie=r+rx;engeneralr>>rx
hie=r
106
ANLISISDEDIFERENTESCONFIGURACIONES
En el anlisis a C.A. consistir en calcular las impedancias de entrada y salida del circuito
debidoalacoplamientoquesernecesariohacerconl.
Habrdecalcularselasgananciasdevoltajeoencorrientequedeterminarnlaeficienciadel
amplificador.
Ejemplo1.DeterminelasexpresionesparaZi,Zo,Av,Ai,delsiguienteamplificador.
Elcircuitoequivalente
Paralasimpedancias
Zo=Rc
Zi=Rb//hie
Paralagananciaenvoltaje
Av=Vo/Vi=Vo/Io.Io/Ib.Ib/Vi
Vo=RcIoIo=hfeIbVi=Ibhie
Vo/Io=RcIo/Ib=hfe
107
Ib/Vi=1/hie
Av=Rc(hfe/hie)
Paralagananciaenlacorriente
Ai=Io/Ii=Io/IbIb/Ii
Io=hfeIb
Ib=IiRb/(Rb+hie)
Io/Ib=hfe
Ib/Ii=Rb/(Rb+hie)
Ai=hfeRb/(Rb+hie)
EJEMPLO2.Dibujeelcircuitoequivalenteparasealpequeaydeterminelasexpresiones
paraZi,ZoyAv.
A) Elcircuitoequivalente
108
Elcircuitopuedemodificarsecomosigue:
NOTA:SeharcircularaIbatravsdeReloquepermitirsepararalafuentedecorrientefeb
desuconexinenelemisor(estoimplicaramultiplicaraReporelfactor+1).
Ie=Ib(+1)
B)Lasimpedancias
Zi=Rb//[hie+Re(+1)]
Zo=Re//Rl
C)LagananciaAv
Av=Vo/Io=Vo/Io*Io/Ib*Ib/Vb*Vb/Vs
Vo/Io=RL
Io/Ib=hfeRc/(Rc+RL)
Ib/Vb=1/[hie+Re(+1)]
Vb/Vs=Zi/(Rs+Zi)
109
EJEMPLO3.DibujeelcircuitoequivalenteparasealpequeaycalculeZi,ZoyAvdelsiguiente
circuito.
A) El circuito equivalente
B)Impedancias
Zi=Rb//hie
=(5K)(1K)/5k+1k
=833
Zo=Rc//RL
=(10)(4.7k)/10+4.7k
=3.19k
C)Gananciaenvoltaje:
Av=Vo/Vs=Vo/Io*Io/Ib*Ib/Vb*Vb/Vs
Vo=IoRL
Vo/Io=RL
110
=4.7k
Io/Ib=hfeRc/(Rc+RL)
=(90)(10)/14.7
=61.2
Ib=Vb/hie
Ib/Vb=1/hie
=1Exp3
Vb/Vs=Zi/Rs+Zi
=0.45
Av=(4.7k)(61.2)(1Exp3)(0.45)
=129.48
Nota:Comounavarianteparaelcircuitodeentradaseproponelaaplicacindetheveninenla
base
Rb // Rs
Ib
Ib
Av=Vo/Io=Io/Ib*Ib/Vb
Vo/Io=RL
111
Io/Ib=hfeRc/Rc+RL
Vb=[(Rb//Rs)hie]Ib
Ib/Vb=1/Rb//Rs(hie)
Vb/Vs=Rb/Rb+Rs
EJEMPLO4.Delcircuitomostrado(Emisorseguidor)determinarlasimpedanciasdeentraday
salida,ascomolasgananciasdecorrienteyvoltaje.
Haciendosucircuitoequivalente
Rb=Rb1//Rb2
112
A)Paralasimpedanciassoloseilustranlasformulasparacadaunadeellas.
Zi=Rb//[hie+(Re1//Re2)*(+1)]
Zo=Re1//[hie+(Rb//Rs)]
(+1)
B)Paradeterminarlasgananciassepudeaplicarunatcnicaqueconsisteenobtenerun
equivalentedetheveninparalaregindeentradadelcircuito.
Rs // Rb
Ib
hie
(Re1 // Re2)( + 1)
Gananciadevoltaje:Av=Vo/Vsydelcircuito
Vo=Vb[RL//Re](+1)
Rs//Rb+hie+[RL//Re](+1)
Vo/Vb=0.99
Vb/Vs=Rb/(Rb+Rs)
Vb/Vs=0.72
113
Multiplicando ambos resultados

Av=(Vo/Vb)*(Vb/Vs)
Av=0.71
B) Para las ganancias de corriente

Ai=Io/Is=(Io/Ie)*(Ie/Ib)*(Ib/Is)
Io/Ie=RL/(RL+Re)
Io/Ie=0.9
Ie/Ib=(+1)=101
Ib/Is=Rb/[Rb+hie+(RL//Re)*(+1)]
Ib/Is=0.026
Ai=2.45
114
EJEMPLO5.DeterminarAv,Zi,Zodelsiguientecircuito:
Amplificadoremisorcomnde2etapas
A) El circuito equivalente
Zi=Rb1//[hie1+Re1(+1)]
Zo=RL//Rc2
B) Ganancia de voltaje
Av=Vo/Vs=Vo/Io*Io/Ib2*Ib2/Ib1*Ib1/Vb*Vb/Vs
Vo/Io=RL
Io/Ib2=hfe2Rc2/Rc2*RL
IB2/Ib1=hfe1(Rc1//Rb2)/(Rc1//Rb2)+hie2
Ibi/Vb=1/hie1+Re1(+1)
Vb/Vs=Rb1//[hie1+Re1(+1)]/Rs+Rb1//[hie1+Re1(+1)]
115
RESPUESTAENBAJAFRECUENCIA
Larespuestaenfrecuenciadeunamplificadorsepuedeilustrarenlafigurasiguiente.
Donde:
Av=Gananciaenvoltaje
f=Frecuencia
fl=Frecuenciadecortebaja
f=Frecuenciadecortealta
B=Anchodebanda=(fHfL)
Ademsconsiderarlarespuestaenfrecuenciadeuncapacitorconlarelacinsiguiente:
FRECUENCIA DE CORTE DEL CAPACITOR
Fc=1/2CZc
Donde:
C=Capacitancia
Zc=Impedanciaqueelcapacitorveradesdesusextremosatierra.
116
EJEMPLO.Determinarlafrecuenciadecortebajadelsiguienteamplificador.
Elcircuitoequivalente
Rb=R1//R2=9.09k
(hfeIb=Circuitoabierto);(Vi=Cortocircuito)
Zc2=Rc+RL
=2k
Zce=Re//[hie/+1]
=100//[1k/101]
=9
fc2=1/2Zc2C2
=3.97hz
fce=1/2ZceCe
=1.76khz
117
EJEMPLO:DisearunamplificadorcomoelmostradoparaqueopereconunafL=50hz.
B) Circuito equivalente
b=R1//R2=1.3k
NOTA:Cuandoexaminamoslaimpedanciaqueestasiendodeloscapacitores,seconsideran
encortocircuito.
B) Impedancias
Zc1=Rs+Rb//[hie+Re(+1)]
=2.2k
118
Zc2=Rc+RL
=9.4k
Zce=Re2//[Re1+hie+Rs//Rb]
+1
=93.67
C) Capacitores
C1=1/2Zc1fL
=1/2(2.2k)(50)
=1.44F
C2=1/2Zc2fL
=1/2(9.4k)(50)
=3.38F
Ce=1/2ZcefL
=1/2(93.69)(50)
=33.98F
NOTA:Cuandohaymsdeuncapacitorenelcircuitodediseoseescogealcapacitormayor
paraquefijelafrecuenciadecortebajoyalosdemsselesmandaatrabajarunadcadaa
bajodelafrecuenciadecortemultiplicandoaestoscapacitores*10.
FL.Relacininversamenteproporcional
Finalmente(implementarfsicamente)
Ce=33.98Fa50hz
C1=1.44Fa5hz
C2=3.38Fa5hz
119

Electro Analógica I 08

Cargado por

Información del documento

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Electro Analógica I 08

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

ElectrnicaAnalgicaI 1

b) Cuando k es ms positiva que a, la unin esta polarizada inversamente por lo cual se

NOTA: En el primer cuadrante se observa la polarizacin directa, mientras que el tercero es

Ejemplo 1. Calcular Vo e Io medidos con un voltmetro DC en un circuito rectificador de

Ejemplo 2. Calcular Vo e Io medidos con un voltmetro DC en un circuito rectificador de

Si se aproxima ahora la forma de rizo a un diente de sierra se tomar el tiempo de

EL DIODO ZENER COMO REGULADOR DE VOLTAJE

EFECTO SOBRE LAS CONDICIONES DE REGULACIN

El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales construido de tres regiones

La unin EB inyecta huecos, que atravesando el material N son recolectados por la

Adems el transistor puede trabajar en 4 modos de operacin.

VARIACIN DE LOS PARMETROS DEL TRANSISTORPOR EFECTO DE

Haciendo una malla de la base al emisor

Si observamos, el JFET presenta dos uniones pn, al no estar polarizado el dispositivo se

el cual establecer un flujo de agua (electrones). Aplicando un voltaje a la compuerta, se

Menor sensibilidad a los cambios del

Ms estables con relacin a la Gananciasmenoresenca.

Como se mostr anteriormente, existen 2 tipos de FET; el JFET y el MOSFET. La palabra

En la figura 1.11b se muestra el funcionamiento del MOSFET. La terminal de

Los smbolos grficos para un MOSFET de tipo decremental de canal n y canal p se

Su funcionamiento es el siguiente. Si fijamos un potencial de cero volts en las

Los smbolos grficos para un MOSFET de tipo Incremental de canal n y canal p se

En la figura se muestra un segundo arreglo comn de polarizacin para el MOSFET de tipo

EL CIRCUITO EQUIVALENTE SERA:

Para el emisor comn

Multiplicando ambos resultados

B) Para las ganancias de corriente

FRECUENCIA DE CORTE DEL CAPACITOR

También podría gustarte