RESUMEN: En este informe se van a presentar unos circuitos

con elementos pasivos y activos, ya sean fuentes de tensin o

resistencias, para poder analizar los comportamientos de los
diodos, mediante el uso de las aproximaciones, y comprobar
su precisin en los valores a hallar, para esto se instal un
circuito que posee un diodo y se utilizaron las aproximaciones.
Y se encontr que la aproximacin ms certera es la tercera,
pero la primera se utiliza para hallar fallas de una manera
rpida.
Palabras clave:
ABSTRACT: In this document e are !oin! to present some
circuits ith passive an active elements, hich could be
sources of volta!e either current, to analyze the behavior of
the diodes, by the approximations, and chec" their accuracy in
the values to found, for this as installed a circuit that had a
diode and e used the approximations. #nd it as found that
the third approximation had the best accuracy, but the first
approximation it$s used to detect failures, in a fast ay.
Key words:
INTRODUCCIN
Este trabajo tiene como objetivo encontrar la precisin
electrnica de las tres aproximaciones, en un circuito que
posee un diodo, para determinar la potencia disipada en una
resistencia, aplicndole una diferencia de potencial de 2 y de
20 voltios. Para esto se deben tener en cuenta los siguientes
conceptos electrnicos
!ey de "#m !a ley de "#m establece una relacin entre la
corriente, el voltaje y la resistencia, en cualquier lugar del
circuito.
Ecuacin 1.
Potencia !a potencia es la cantidad de energ$a que se genera
o se consume, por unidad de tiempo, si es negativo esto
quiere decir que introduce potencia al circuito, y si es positivo
esto indica que gasta potencia. !a potencia es el producto de
la ca$da de tensin, o aumento, por la corriente.
Ecuacin 2.
Una relacin muy utilizada, en la solucin de circuitos, es
entre la ley de Ohm y la potencia, est dada al despejar ya sea

o la corriente o el voltaje, en la ley de ohm y esto se reemplaza

en la ecuacin de potencia.
%&'() '&%)
P&'.% P&'
2
() P& %
2
.)
Tabla 1. Relacin ley de ohm y La potencia.
*arrera de potencial la barrera de potencial es un valor de
energ$a que debe tener una part$cula el cual debe superar
para que supere esa barrera, si no, part$cula rebotara por
poseer una menor energ$a.
+iodo !os diodos son unos componentes electrnicos, que
permiten el paso de la corriente en un sentido y en el otro no lo
permite, ya sea si esta polari,ado en directo o en inverso.
-uando el diodo esta polari,ado inversamente, no permite el
paso de los electrones, pero si se le aplica una diferencia de
potencial muy grande, esto provoca un efecto cascada que
produce el rompimiento del diodo. y cuando esta polari,ado
directamente, este permite el paso de los electrones, pero si
se aplica una diferencia de potencial, este se podr$a llegar a
romper.
/ay dos tipos de diodos, diferenciados por el material del que
estn #ec#os, ya sea por 0ermanio o por 1ilicio, que poseen
una barrera de potencial, a superar para que circule la
corriente, de 0.2 ' o 0.3 ', respectivamente.
4proximaciones !as aproximaciones son relaciones
electrnicas con modelos matemticos que nos permiten
estimar un valor cercano de cualquier tipo en un circuito que
posee un diodo, #ay tres tipos de aproximaciones !a primera
aproximacin consiste en reempla,ar el diodo por un corto si
se encuentra directo, y abierto en inverso, como lo muestra la
ilustracin 5 y 2.
En la segunda
aproximacin, adems
de reempla,ar el diodo
por un corto, se le
agrega una fuente de
tensin determinada por
la barrera de potencial
del material usado,
siempre y cuando este
polari,ado directamente,
como se puede observar
en la ilustracin 2.
6ulin Enr$que,.
Email 6enrique,5778agosto9#otmail.com
:ar$a !uisa !lanos
Email maria.llanos9uao.edu.co
4lejandro 'sque,
Email alejandro.vasque,;fe9uao.edu.co
<niversidad 4utnoma de occidente
+%"+"1
1
Ilut!acin 2. Diodo pola!i"ado
di!ectamente.
Ilut!acin 1. Diodo
pola!i"ado in#e!amente.
En la tercera aproximacin, se agregara otro elemento, pero
esta ve, uno pasivo, adems de la fuente de tensin, por una
resistencia en lugar de menor potencial de la fuente de voltaje,
siempre y cuando este polari,ado directamente, como se
puede ver en la ilustracin =.
-onservacin de la energ$a !a conservacin de la energ$a es
una ley que rige en todo lo largo de la naturale,a, la energ$a
no se crea ni se destruye, y de este enunciado nace la ley de
>irc##off de voltaje, que dice que la suma de los voltajes
generados y las ca$das de tensin, en una malla son iguales a
cero.
Ecuacin $.
%ETODOLO&'(.
Para poder reali,ar este informe se necesit el circuito, y
poder medir los valores, para esto se necesitaron las
siguientes #erramientas y elementos, que se muestran en la
tabla 2.
-antidad Elemento
5 :ult$metro
5 Protoboard
5 ?uente de tensin
@ )esistencias
2 -ables de conexin
Tabla 2. %ate!iale a utili"a!.
En primer lugar se instalaron las aproximaciones con sus
respectivas resistencias y fuentes de tensin, en la protoboard,
despuAs se le puso la diferencia de potencial a todo el circuito
de 2, o de 20 voltios, como se ve en la ilustracin 8.
B se prosigui a la toma de los valores de corriente y voltaje
en la resistencia, en los seis circuitos, para as$ poder #allar la
potencia disipada en la resistencia.
RE)ULT(DO)
<na de las diferencias del voltaje en polari,acin directa C'?D
es como se puede ver en la figura Eo.5 se nota que la grfica
de la simulacin tiene forma exponencial creciente mientras
en la figura Eo.8 del datas#eet se observa una grfica algo
similar a una curva de forma logar$tmica. FambiAn se puede
notar que el datas#eet el C'?D se da que a 5 4 le genera una
caiga 5 'olt mientras que en la grfica de simulacin se ve que
a 5 4 le genera una caiga 0.738 'olts
:ientras que el voltaje de ruptura C')D en polari,acin inversa
de la grfica de la figura Eo.= de la simulacin se muestra un
voltaje de ruptura del diodo de 38 volts y en el datas#eet se
muestra con un valor de 80 volts
*i+u!a No.1 ,!ime! Ci!cuito
Diodo 1n-..1
*i+u!a No. 2 ,ola!i"acin di!ecta
2
Ilustracin 3. Relacin
Diodo-fuente. de tensin.
Ilustracin 4. Relacin Diodo-
Fuente de tensin y
resistencia.
Ilustracin 5. Circuito
instalar.
*i+u!a No. $ ,ola!i"acin In#e!a
*i+u!a No.-. Ruptu!a En ,ola!i"acin In#e!a
*i+u!a No./ E0t!accin del Dataheet De La *amilia De
Lo Diodo 1n-..0
*i+u!a No.1 &!a2ica del Dataheet
!a diferencia entre el voltaje de polari,acin directa C'?D es
que en la figura del datas#eet se ve que a 50 4 le genera una
caiga de 5.8 volts mientras que en la simulacin de la figura
Eo.G se ve que a 50 4 le genera una caiga 0.738 'olts
El circuito a resolver que nos dieron deb$a cumplir ciertas
caracter$sticas, entre ellas era que la potencia que se deb$a
disipar en la resistencia era de 0.8 H CHattsD, para poder
determinar el valor de la resistencia se reali,aron clculos, y
estos datos se simularon para determinar su veracidad, y a
continuacin se van a corroborar los valores de las potencias
en cada circuito.
*i+u!a No.3 Ci!cuito 2 Diodo )hottd4y 1n/515
*i+u!a No.5 ,ola!i"acin di!ecta
3
*i+u!a No.6 ,ola!i"acin In#e!a
*i+u!a No.1. Cu!#a ca!acte!7tica dataheet
En la ilustracin 3 del circuito de la primera aproximacin, se
puede observar que la corriente que pasa por todo el circuito
es de 0.28 4 C4mperiosD, y la ca$da de la tensin en la
resistencia es de 2' CvoltiosD, y la potencia que se disipa en la
resistencia de G I C"#mD. Para esto se utili, la ecuacin 2.
+e esta misma forma se resolvieron todos los otros @ circuitos,
y los resultados se pueden observar en la tabla
Tabla 28 #alo!e potencia pa!a cada una de la ap!o0imacione
+e esta tabla se puede determinar que son muy prximos a
los requeridos, si se tomaran una los valores mayor cantidad
de d$gitos, la potencia disipada seria de 0,8 H. 4dems se
pueden observar dos opciones de valores en la tercera
aproximacin y esto se debe a que cuando se estaba
reali,ando el circuito dio una ecuacin con doble valor de
corriente, esto se debe a que estaba la corriente al cuadrado y
dio como resultado dos valores, en la ecuacin cuadrtica, y
por consiguiente dos valores propios de resistencias que
disipaban esa misma cantidad de energ$a.
Ba teniendo los valores antes mencionados se procede a
obtener de las curvas el punto J, en la ?ig.55 en este caso el
punto de corte se encuentra en C5@7m4, 5,=2'D, mientras que
para la ?ig.52 el punto J se encuentra en C52,@m4, 50,3 'D,
este punto es el punto de trabajo del dioso
*i+u!a 118 cu!#a ca!acte!7tica diodo .1n-..1 ci!cuito con
2uente de 29
*i+u!a 128 cu!#a ca!acte!7tica diodo .1n-..1 ci!cuito con
2uente de 29
4
Ilustracin 7. Circuito No1
Primera !ro".
CONCLU)IONE)
!as aproximaciones son metodos por los cuales podemos
llegar a una solucion de un circuito, ya sea si se necesita de
una fomra rapida, o si se necesita de tener los valores mas
proximos, ademas al simular los diferentes circuitos se pueden
corroborar los valores obtenidos por los calculos, y asi
determinar su veracidad.
El voltaje de polari,acion inversa C'?D y el voltaje de
polari,acion inversa o voltaje de ruptura C')Dnotan muc#as
diferencias entre la simulacion y la #oja de datos Cdatas#eetD
por unos desfases algo grande como se pudo observer con el
diodo 5n=005 y el diodo 5n8G5G
!"!!#$%&'
(1)

*