Examen de Tecnologa de Semiconductores

Examen General
ByFrancisco Morales Morales.
1.- Describe los pasos que se utilizan en la tecnologa planar.
Hay seis pasos principales del proceso de fabricacin que se aplican de manera universal a todos los
dispositivos semiconductores de silicio: Limpieza,oxidacin, litografa, grabado, impurificacin,
deposicin qumica de vapor y metalizacin.
Una vez limpiada la superficie de la oblea se somete a un proceso de oxidacin para crear una capa
de oxido en su superficie. Esta capa protege en primer lugar la superficie de impurezas y sirve
adems de mscara en el proceso de difusin posterior. Se puede formar bien por oxidacin trmica
o por deposicin.
En el caso de la deposicin ambos elementos Si y O2 se dirigen a la superficie de la oblea y
reaccionan all formando una capa SiO2.
En el proceso de oxidacin trmica se produce una reaccin entre los tomos de silicio de la
superficie de la oblea y oxigeno dentro de un horno a alta temperatura. El oxido creado por
oxidacin trmica tiene mucha ms calidad que el que se obtiene mediante deposicin. Aunque su
estructura es amorfa, tiene un ratio estoico mtrico casi perfecto y est fuertemente unido al silicio.
Adems la interface SiO2 Si tiene muy buenas propiedades elctricas.
Para crear el oxido trmico las obleas de silicio se montan en un carrete de cuarzo y este se mete
dentro de un tubo de cuarzo situado dentro de un horno de apertura cilndrica calentado por
resistencia.
La oxidacin Trmica puede ser de dos tipos:
(a) Oxidacin hmeda
(b) Oxidacin seca
La litografa, conocida tambin como fotolitografa o enmascaramiento,es un mtodo de formar
patrones exactos sobre la oblea oxidada. El microcircuito electrnico se construye capa por capa, y
cada una de stas recibe un patrn de una mscara especificada en el diseo del circuito.
El grabado elimina las capas de dixido de silicio (SiO2), losmetales y el polisilicio, as como los
protectores, de conformidadcon los patrones deseados, delimitados por la proteccin. Las dos
categoras principales de grabado son el grabado qumicohmedo y el seco. El grabado hmedo es
el ms utilizado yconsiste en el empleo de soluciones que contienen los mordientes(por lo comn
una mezcla de cidos) en la concentracindeseada, que reaccionan con los materiales a eliminar.
Elgrabado seco consiste en el empleo de gases reactivos en condicionesde vaco en una cmara de
alta energa, que tambinelimina las capas deseadas no cubiertas por el protector.
ImpurificacinLa formacin de una unin elctrica entre regiones p y n de unaoblea individual de
silicio cristalino es el elemento esencial para elfuncionamiento de todos los dispositivos
semiconductores. Las
uniones permiten el paso de corriente en un sentido con muchams facilidad que en el otro.
Constituyen la base de los efectos dediodo y transistor en todos los semiconductores.
Difusin es un trmino empleado para describir el movimiento delas impurezas desde las regiones
de alta concentracin en elextremo de la fuente del horno de difusin hasta regiones
deconcentracin ms baja en la oblea de silicio. La difusin es elmtodo ms extendido para la
formacin de uniones.
La implantacin inica es el mtodo ms moderno de introducir elementos de impurezas a la
temperatura ambiente en obleas de silicio para la formacin de uniones. tomos de impureza
ionizados (es decir, tomos a los que se han arrancado uno o ms de sus electrones) son acelerados
mediante el paso por una diferencia de potencial de decenas de miles de voltios hasta adquirir una
energa elevada.
El depsito de vapores de sustancias qumicas (CVD) consiste enla formacin de capas adicionales
de material sobre la superficiede la oblea de silicio.
Depsito epitaxial de vapores de sustancias qumicasEl crecimiento epitaxial es la deposicin
perfectamente controladade una sola pelcula delgada de material que posee la mismaestructura
cristalina que el sustrato existente en la capa de laoblea.
Metalizacin.Una vez fabricados los dispositivos en el sustrato de silicio, tienenque conectarse para
ejecutar funciones de circuito. Este procesose denomina metalizacin, y es un medio de alambrar o
interconectarlas capas superiores de los circuitos integrados mediante eldepsito de patrones
complejos de materiales conductores, queencaminan la energa elctrica en el interior de los
circuitos.


2.- Mencione al menos tres diferencias y tres similitudes entre los mtodos de Bridgman y
Czochraski.
Similitudes:
1. El crecimiento de las dos tcnicas es a partir de una semilla (cristal) monocristalina. El crecimiento
se realiza ms fcilmente a lo largo de los planos
2. Ambas tcnicas crecen a partir de fundidos
3. Las dos tcnicas requieren que el semiconductor fundido est sobre un crisol de otro material como
puede ser el cuarzo
4. Se obtienen lingotes semiconductores III-V, GaAs, InP, etc., as como del grupo IV (silicio)
Diferencias:
1. En la tcnica de Bridgman el lingote no es cilndrico, sino que toma la forma del crisol, en cambio
con la tcnica de Czochraski el lingote es prcticamente cilndrico, debido a que la interfaz no est
en contacto con el contenedor, sino que flota.
2. En el mtodo bridgman el fundido, el lingote y la interfaz estn determinadas por el crisol, en cambio
con Czochraski el grosor del lingote depende del control de temperatura y la velocidad de la varilla.
3. En el mtodo Czocharski hay un motor que le proporciona giro al lingote para irlo sacando en
cambio en el mtodo Bridgman es deslizable.
4. En el mtodo Bridgman hay dos zonas de calentamiento, en cambio en el mtodo Czochraski se tiene
un control de la temperatura durante el crecimiento del lingote.

3.- Cules son los argumentos principales que se manejan en el modelo de Grove-Deal.
El modelo de Deal-Grove describe matemticamente el crecimiento de un xido de capa en la
superficie de un material. En particular, se utiliza para analizar la oxidacin trmica del silicio en la
fabricacin de dispositivos semiconductores .
El modelo asume que la oxidacin dela reaccin se produce en la interfase entre el xido y el
substrato, en lugar de entre el xido y el ambiente de gas . Por lo tanto, se consideran tres
fenmenos que la oxidacin se somete, en este orden:
1. Se difunde a partir de la mayor parte del gas en el ambiente a la superficie.
2. Se difunde a travs de la capa de xidos existentes en la interfaz xido-sustrato.
3. Reacciona con el sustrato.
El modelo asume que cada una de estas etapas avanza a una velocidad proporcional a la
concentracin del oxidante. En el primer caso, esto significa que la ley de Henry
1
, en el segundo, la
ley de Fick de la difusin y en el tercero, una reaccin de primer orden con respecto a los
antioxidantes. Tambin se asume el estado de equilibrio las condiciones, es decir, que los efectos
transitorios no aparecen.
1
ley de Henry es una de las leyes de los gases formuladas por William Henry en 1803.
A una temperatura constante, la cantidad de un gas dado se disuelve en un tipo dado y el volumen de lquido es directamente
proporcional a la presin parcial de este gas en equilibrio con ese lquido.

4.-Escriba las ecuaciones que describen la primera y segunda leyes de Fick y mencione cual es la
diferencia fundamental entre ellas.
Solucin:
La primera ley de Fick est dada por:

, donde J es la densidad de corriente de partculas, D es el

coeficiente de Difusin y

es el gradiente de concentracin, y establece que el flujo de partculas que

atraviesa una superficie (J partculas/s/m2) es proporcional al gradiente de concentracin (c partculas/m3) de
dichas partculas.
Estado Estacionario: J es constante ya que no cambia la concentracin de tomos de soluto en un punto con el
tiempo.
El signo negativo indica que la direccin de difusin es contraria al gradiente de concentracin (desde elevada
concentracin a baja concentracin)
La segunda ley de Fick est dada por:

, y es una difusin en estado no estacionario. La

concentracin de tomos de soluto en un punto del material cambia con el tiempo flujo de difusin y el
gradiente de concentracin
de tomos cambian con el tiempo.

La diferencia fundamental que existe entre la primera y la segunda ley de Fick es que en la primera el
fenmeno del proceso de difusin depende de la concentracin, mientras que en la segunda depende de la
posicin.

5.-. En el proceso de difusin se tiene un pre depsito y una distribucin cul es el propsito de
cada uno?
El primero tiene lugar en un horno cuya temperatura se selecciona para conseguir el mejor control
de las cantidades de impureza. La temperatura determinar la solubilidad de la impureza.
El segundo la oblea se transporta a un segundo horno, por lo general a una mayor temperatura,
donde un segundo tratamiento en caliente hace penetrar las impurezas hasta la profundidad de
difusin deseada en la red de la oblea de silicio.

6.- Explique cul es el fenmeno qumico que da lugar al crecimiento epitaxial por LPE y a que se
debe que este mtodo de crecimiento se produzca en condiciones cercanas al equilibrio trmico.
Solucin:
El crecimiento epitaxial consiste en el crecimiento orientado de capas sobre substratos cristalinos a partir de la
precipitacin directa de la fase lquida. Esta tcnica se basa en dos conceptos que son: solubilidad y
sobresaturacin. La solubilidad puede definirse como la mxima cantidad que puede ser disuelta en un
determinado solvente a una determinada temperatura y presin. La sobresaturacin puede obtenerse mediante
el enfriamiento de una solucin que est previamente saturada, consiguindose as que la cantidad de material
disuelto en la solucin, sea superior a la permitida por la solubilidad.
Una de las principales ventajas que ofrece esta tcnica es que permite hacer el crecimiento a temperaturas por
debajo del punto de fusin de cristales. Adems permite controlar de forma precisa, el grosor de la capa
mediante el ajuste de la sobresaturacin y el tiempo de crecimiento, as como el dopaje de las capas con iones
activos.
El proceso de crecimiento tiene lugar en diferentes etapas, que son:
1. Creacin de una sobresaturacin en la solucin que puede ser debida a una disminucin de la
temperatura de la solucin.
2. Transporte de material desde la solucin hasta la interfase slido-lquida mediante fenmenos de
conveccin y difusin.
3. Adsorcin e integracin de los tomos en la superficie de la estructura del substrato.
Dependiendo de la forma de transportar el material a crecer desde la fuente hasta el substrato existen tres
tcnicas fundamentales de crecimiento epitaxial.
Crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE).
El termino Molecular BeamEpitaxy( MBE ), describe el crecimiento epitaxial de laminas delgadas de
semiconductores compuestos mediante la reaccin de haces moleculares trmicos de los elementos
constituyentes con la superficie de un sustrato cristalino, mantenido a temperatura adecuada y en condiciones
de ultravaco.
Consiste en la evaporacin de fuentes slidas de manera que se producen haces moleculares y se dirigen sobre
un sustrato caliente sobre el cual se deposita el material.
La VPE es un proceso en el que el material es trasportado al sustrato en forma de vapor, generalmente
formado por compuestos. Estos, una vez alcanzado el sustrato se descomponen, y se incorporan a su
superficie.
MOCVD
Deposicin qumica metal-orgnica por vapor; proceso de CVD que utiliza compuestos metal-orgnicos como
materiales de origen; los compuestos metal-orgnicos se descomponen trmicamente a temperaturas menores
que otros compuestos que contienen metales; mtodo usado a menudo en el crecimiento epitaxial de pelculas
muy delgadas de semiconductores III-V.

7.-Se desea evaporar una capa metlica uniforme sobre un substrato plano, si la distancia de
separacin entre la fuente y el substrato es de 25 cm. y el metal a depositar es oro.
a) Qu cantidad deber usarse para obtener una capa de espesor de 1 .
b) Debido a las caractersticas intrnsecas de un sistema de evaporacin se presenta falta de
homogeneidad en el depsito, explique a que se debe y como se minimiza
Solucin:
a) Los datos que se tienen son: ,

Tenemos que el grosor est determinado por:

) (

) (

()

()

)
()( ) ()()
Por lo tanto la cantidad de material a utilizar de oro es de 14.9225 gr.
b) La no homogeneidad se presenta debido a que se utiliza una resistencia para calentar y evaporar el
material, esta evaporacin es en todas direcciones de forma radial y al tener un sustrato plano pues no
puede tenerse una homogeneidad. Mientras mayor sea la distancia a la que se encuentre el sustrato de
la fuente el espesor o grosor de la pelcula depositada ser ms uniforme


8.-Haciendo uso de la tabla mostrada y de la ecuacin que describe el crecimiento de un xido:

( ) obtenga el grosor del xido de silicio en procesos de oxidacin seca y

hmeda durante 1hr. a 1100 C.
Oxidationcoefficientsforsilicon
Dry Wet (640 torr)
Temperatura (C) A () B (

) () A () B (

)
800 0.370 0.0011 9 --- ---
920 0.235 0.0049 1.4 0.50 0.203
1000 0.165 0.0117 0.37 0.226 0.287
1100 0.090 0.027 0.076 0.11 0.510
1200 0.040 0.045 0.027 0.05 0.720

Solucin:
Dada la ecuacin que describe el crecimiento de un xido:

( ),tenemos:

( ) , tenemos que la solucin est dada por:

()

.
Por lo tanto tenemos que para la oxidacin seca se tienen los parmetros: ,

, y , entonces

( )

)( )

Para la oxidacin hmeda se tienen los parmetros: ,

, y
, entonces

( )

)( )