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UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO

FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES ARAGON

LABORATORO DE DISPOSITIVOS ELECTRICOS

GONZALEZ LEDEZMA ALBERTO

JUAN MANUEL GONZALEZ NAVARRO

GRUPO: 8425


TAREA DE CASA NO.5

Horario 11-13 horas. L3




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ndice

Introduccin pginas 3-5
Preguntas pgina 5
Respuestas pginas 6-12
Bibliografa pagina 12
















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Introduccin
Diodo avalancha: Los diodos avalancha estn diseados para operar en un voltaje inverso
definido sin que se destruya. La diferencia entre el diodo avalancha (el cual tiene un voltaje de
reversa de aproximadamente 6.2V) y el diodo Zener es que el ancho del canal del primero
excede la "libre asociacin" de los electrones, por lo que se producen colisiones entre ellos en
el camino. La nica diferencia prctica es que los dos tienen coeficientes de temperatura de
polaridades opuestas. Si a un diodo Zener se le aplica una corriente
elctrica del nodo al ctodo (polarizacin directa) toma las caractersticas de un diodo
rectificador bsico(la mayora de casos), pero si se le suministra corriente
elctrica de ctodo a nodo (polarizacin inversa), el diodo solo dejara pasar una tensin
constante. En conclusin: el diodo Zener debe ser polarizado al revs para que adopte su
caracterstica de regulador de tensin
Diodo de Silicio: Suelen tener un tamao milimtrico y, alineados, constituyen detectores
multicanal que permiten obtener espectros en milisegundos. Son menos sensibles que los
fotomultiplicadores. Es un semiconductor de tipo p (con huecos) en contacto con un
semiconductor de tipo n (electrones). La radiacin comunica la energa para liberar los electrones
que se desplazan hacia los huecos, estableciendo una corriente elctrica proporcional a la
potencia radiante.
Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su compuerta conectada a la fuente, y
funciona como un limitador de corriente de dos terminales anlogo al diodo Zener, el cual limita el
voltaje. Permiten una corriente a travs de ellos para alcanzar un valor adecuado y as
estabilizarse en un valor especfico.
Diodo tnel o Esaki: Tienen una regin de operacin que produce una resistencia negativa
debido al efecto tnel, permitiendo amplificar seales y circuitos muy simples que poseen dos
estados. Debido a la alta concentracin de carga, los diodos tnel son muy rpidos, pueden
usarse en temperaturas muy bajas, campos magnticos de gran magnitud y en entornos con
radiacin alta.
Diodo Gunn: Similar al diodo tnel son construidos de materiales como GaAs o InP que produce
una resistencia negativa. Bajo condiciones apropiadas, las formas de dominio del dipolo y
propagacin a travs del diodo, permitiendo osciladores de ondas microondas de alta frecuencia.
Diodo emisor de luz: Es un diodo formado de un semiconductor con huecos en su banda de
energa, tal como arseniuro de galio, los portadores de carga que cruzan la unin
emiten fotones cuando se recombinan con los portadores mayoritarios en el otro lado.
Dependiendo del material, la longitud de onda que se pueden producir vara desde el

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infrarrojo hasta longitudes de onda cercanas al ultravioleta. El potencial que admiten estos diodos
dependen de la longitud de onda que ellos emiten: 2.1V corresponde al rojo, 4.0V al violeta.
Diodo lser: Cuando la estructura de un led se introduce en una cavidad resonante formada al
pulir las caras de los extremos, se puede formar un lser. Los diodos lser se usan
frecuentemente en dispositivos de almacenamiento pticos y para la comunicacin ptica de alta
velocidad.
Diodo trmico: Este trmino tambin se usa para los diodos convencionales usados para
monitorear la temperatura a la variacin de voltaje con la temperatura, y para refrigeradores
termoelctricos para la refrigeracin termoelctrica.
Diodo con puntas de contacto: Funcionan igual que los diodos semiconductores de unin
mencionados anteriormente aunque su construccin es ms simple. Se fabrica una seccin de
semiconductor tipo n, y se hace un conductor de punta aguda con un metal del grupo 3 de
manera que haga contacto con el semiconductor
Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una seccin central sin doparse o en otras palabras una capa
intrnseca formando una estructura p-intrnseca-n. Son usados como interruptores de alta
frecuencia y atenuadores. Tambin son usados como detectores de radiacin ionizante de gran
volumen y como fotodetectores. Los diodos PIN tambin se usan en la electrnica de potencia y
su capa central puede soportar altos voltajes. Adems, la estructura del PIN puede encontrarse
en dispositivos semiconductores de potencia, tales como IGBTs, MOSFETs de potencia
y tiristores.
Diodo Schottky: El diodo Schottky estn construidos de un metal a un contacto de semiconductor.
Tiene una tensin de ruptura mucho menor que los diodos pn. Su tensin de ruptura en
corrientes de 1mA est en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual los hace tiles en aplicaciones de
fijacin y prevencin de saturacin en un transistor. Tambin se pueden usar como rectificadores
con bajas prdidas aunque su corriente de fuga es mucho ms alta que la de otros diodos.
funcionan como interruptores veloces y se usan para circuitos de alta velocidad como fuentes
conmutadas, mezclador de frecuencias y detectores.
Stabistor: El Stabistor (tambin llamado Diodo de Referencia en Directa). Estos dispositivos estn
diseados especialmente para aplicaciones de estabilizacin en bajas tensiones donde se
requiera mantener la tensin muy estable dentro de un amplio rango de corriente y temperatura.



PREGUNTAS

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Qu es optoelectrnica?

Cules son los dispositivos opto electrnicos ms comunes?, mencione sus nombres, que son
y sus aplicaciones.

Cul es el funcionamiento de un diodo Zener?

























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RESPUESTAS
1. La optoelectrnica es la rama de la electrnica que trata con la luz. Los dispositivos pticos
son aquellos que responden a la radiacin de la luz, o que emiten radiacin. Estos dispositivos
responden a una frecuencia especfica de radiacin. Bsicamente hay tres bandas en el
espectro ptico de frecuencias:
Infrarrojo: Esta banda corresponde a las longitudes de onda de la luz que son muy largas para
ser vistas por el ojo humano.
Visible: Corresponde a las longitudes de onda a las cuales responde el ojo humano.
Comprende aproximadamente entre los 400nm y 800nm de longitud de onda. En esta banda
estn comprendidos todos los es que el ojo humano distingue:
Violeta azul verde amarillo naranja rojo

Ultravioleta: Longitudes de onda que son muy cortas para ser vistas por los humanos
El campo de la optoelectrnica se ha convertido en una rea de creciente inters en la electrnica;
dispositivos tales como LEDs optocopladores y fotodetectores se estn construyendo ahora con una
mayor capacidad de manejo de corriente. La optoelectrnica ha probado ser de alta efectividad en el
campo de las comunicaciones, donde las fibras pticas pueden manejar frecuencias mayores a las
velocidades de conmutacin de la electrnica de hoy en da.
2.
Clasificacin de los dispositivos optoelectrnicos
Todos los dispositivos optoelectrnicas realizan una de dos funciones, las cuales se utilizan para su
clasificacin:
Conversin de energa elctrica a energa radiante
A estos dispositivos se les llama electroluminiscentes. Es importante aclarar que la mayora de
cristales de semiconductores al ser bombardeados con fotones, calor o electrones emiten luz visible
o en la banda infrarroja. Sin embargo, especficamente llamamos electroluminiscentes a aqullos
que responden a la corriente elctrica. Al aplicarle una corriente a dichos dispositivos, los electrones
se mueven del material N hacia el P y se combinan con los huecos. Cuando los electrones se
mueven del alto estado energtico de la banda de conduccin al bajo estado energtico de la banda
de valencia, fotones de energa son liberados. La siguiente figura ilustra este proceso, donde se
representan en amarillo los fotones que salen del material. Dichos materiales pueden emitir luz
visible, o como en el caso de los diodos infrarrojos, luz infrarroja.

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Ejemplos de dispositivos luminiscentes
LEDs (Light Emitting Diode)

IRLED (infrared LED)

Display LED

Conversin de energa radiante a energa elctrica
Este tipo de dispositivos a menudo son llamados fotodetectores. En este caso, la energa que entra
al cristal de semiconductor excita a los electrones a niveles ms altos de energa, dejando huecos
atrs. Posteriormente estos electrones y huecos se alejan unos de otros, conformando una corriente
elctrica. La figura ilustra este proceso, en el cual la radiacin se representa como fotones que
inciden sobre el material semiconductor, y la corriente se observa como electrones que abandonan el
material.

Ejemplos de dispositivos fotodetectores

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Fotoemisores, que emiten electrones cuando existe energa radiante que incide sobre material
sensible a dicha radiacin. Dentro de esta categora encontramos:
Fototransitores

LASCR (Light Sensitive Sillicon Controlled Rectifier)

Fotoconductores, que cambian su resistencia elctrica debido a la exposicin a energa radiante.
Ejemplos:
Fotoresistores

Fotodiodo

Fotovoltaicos, los cuales generan un voltaje al exponerse a energa radiante. Ejemplo:
Fotoceldas

Fototransistores
Es importante decir que todos los transistores son sensibles a la luz, pero los fototransitores estn
diseados para aprovechar esta caracterstica. Existen transistores FET (de efecto de campo), que
son muy sensibles a la luz, pero encontramos que la mayora de los fototransistores consisten en
una unin npn con una regin de base amplia y expuesta, como se muestra en la figura :




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El funcionamiento de un fototransistor es el siguiente:
Al exponer el fototransistor a la luz, los fotones entran en contacto con la base del mismo, generando
huecos y con ello una corriente de base que hace que el transistor entre en la region activa, y se
presente una corriente de colector a emisor. Es decir, los fotones en este caso, reemplazan la
corriente de base que normalmente se aplica elctricamente. Es por este motivo que a menudo el
terminal correspondiente a la base est ausente del transistor. La caracterstica ms sobresaliente
de un fototransistor es que permite detectar luz y amplificar mediante el uso de un slo dispositivo.
Construccin de los fototransistores
Los fototransistores se construyen con silicio o germanio, similarmente a cualquier tipo de transistor
bipolar. Existen fototransistores NPN como PNP. Debido a que la radiacin es la que dispara la base
del transistor, y no una corriente aplicada elctricamente, usualmente el terminal correspondiente a
la base no se incluye en el transistor. El mtodo de construccin es el de difusin. Este consiste en
que se utiliza silicio o germanio, as como gases como impurezas o dopantes. Por medio de la
difusin, los gases dopantes penetran la superficie slida del silicio. Sobre una superficie sobre la
cual ya ha ocurrido la difusin, se pueden realizar difusiones posteriores, creando capas de dopantes
en el material. La parte exterior del fototransistor est hecha de un material llamado epoxy, que es
una resina que permite el ingreso de radiacin hacia la base del transistor

Aplicaciones de los fototransistores

Funcionamiento
Este circuito muestra el principio de un seguidor, o control de posicin en el cual se utilizan
dos fototransistores. Cuando exista una misma cantidad de radiacin de luz incidiendo sobre
los dos transistores, el capacitor C se carga durante ambas medias ondas senoidales a travs

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de los transistores, con la misma carga pero polaridad opuesta. El voltaje resultante por lo
tanto es aproximadamente cero. Cuando existe una radiacin desigual en los fototransistores,
la seal diferencial es amplificada con el op amp, con el fin de energizar un motor, por
ejemplo. En el semiciclo positivo de la onda de entrada, la corriente viaja por el diodo D1, por
el fototransistor derecho, y por lo tanto aparece una carga neta positiva en el capacitor. Por el
contrario, cuando viene el semiciclo negativo de la onda, el diodo D2 conduce, y aparece un
voltaje negativo en el capacitor. Este cambio de polaridad se puede utilizar para controlar la
direccin de giro de un motor, controlando la radiacin incidente sobre los fototransistores.

Funcionamiento
La figura muestra un amplificador DC utilizando fototransistores, y con compensacin de
temperatura. El circuito contiene el fototransistor T1 empleado como fotodetector, y al
fototransistor T2 oscurecido, empleado como referencia. Como se sabe de los dispositivos
semiconductores, la temperatura origina tambin que se generen corrientes en el
fototransistor, por lo que se pueden obtener respuestas que no slo dependen de la luz. Para
corregir este efecto, y que el circuito entregue una salida dependiente slo de la radiacin que
caiga sobre l, se incluye el fototransistor T2 oscurecido, de manera que el operacional es
comandado nicamente por una seal de diferencia. La dispersin entre especmenes de los
fototransistores y del amplificador operacional se compensa por medio del potencimetro R1.
La ganancia es fijada por la resistencia R2. Este circuito se emplea como amplificador de
escaneo y como detector en acopladores optoelectrnicos.
3. Diodo avalancha: Los diodos avalancha estn diseados para operar en un voltaje inverso
definido sin que se destruya. La diferencia entre el diodo avalancha (el cual tiene un voltaje de
reversa de aproximadamente 6.2V) y el diodo Zener es que el ancho del canal del primero
excede la "libre asociacin" de los electrones, por lo que se producen colisiones entre ellos en
el camino. La nica diferencia prctica es que los dos tienen coeficientes de temperatura de
polaridades opuestas. Si a un diodo Zener se le aplica una corriente
elctrica del nodo al ctodo (polarizacin directa) toma las caractersticas de un diodo
rectificador bsico(la mayora de casos), pero si se le suministra corriente
elctrica de ctodo a nodo (polarizacin inversa), el diodo solo dejara pasar una tensin
constante. En conclusin: el diodo Zener debe ser polarizado al revs para que adopte su
caracterstica de regulador de tensin


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BIBLIOGRAFIA
http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/optoelect/optot.htm
http://electronica.yoreparo.com/datasheets/diferencia-entre-un-diodo-1n4001-y-1n4007-t314151.html
http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=1n4001
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo