Electr+ Nica Anal+ Gica II - Parte I - 2012

Universidad Nacional de Crdoba
Facultad de Ciencias Exactas, Fsicas y Naturales

Escuela de Ingeniera Electrnica

Ctedra Electrnica Analgica II
2012

Ing. Oscar H. Puigdellibol
Profesor Titular de la Ctedra de Electrnica Analgica II de la
Facultad de Ciencias Exactas, Fsicas y Naturales de la
Universidad Nacional de Crdoba
Ctedra de Electrnica Analgica II
Conexiones Especiales con Varios Transistores

Ing. Oscar H. Puigdellibol Pg. 1 de 81

Indice
Universidad Nacional de Crdoba ................................................................................. 0
Facultad de Ciencias Exactas, Fsicas y Naturales .............................................. 0
Ctedra Electrnica Analgica II ........................................................................... 0
CONEXIONES ESPECIALES DE TRANSISTORES ............................................. 3
Fuentes de Corriente ...................................................................................................... 3
3.2 Fuentes de Corriente Integradas. ................................................................... 11
Espejo de Corriente .................................................................................................. 11
Versin MOS del Espejo de Corriente. .............................................................. 14
Versiones Modificadas. ............................................................................................ 15
Escaleo por Relacin Resistiva. ............................................................................ 16
Fuente de Corriente Widlar .................................................................................... 17
Fuente de Corriente Wilson ................................................................................... 18
Espejo de Corriente Complementaria. .............................................................. 20
3.3. Conexin Darlington. ......................................................................................... 21
Anlisis en Continua ................................................................................................. 22
Anlisis con Pequea Seal. .................................................................................. 23
Clculo de h
ied
............................................................................................................. 24
Clculo de h
fed
............................................................................................................. 25
Clculo de h
oed
............................................................................................................ 26
Clculo de h
red
............................................................................................................. 27
Modificaciones a la Conexin Darlington. ...................................................... 27
3.4 Conexin Cascode. ................................................................................................ 29
Desplazador de Nivel Activo. ................................................................................ 29
Amplificador de Tensin. ........................................................................................ 31
3.6. Amplificador Diferencial. ................................................................................... 37
3.6.1 Introduccin ................................................................................................ 37
3.6.2. Amplificador sin excitacin: v
1
=v
2
= 0 ,(Bases a tierra). ............. 38
3.6.3. Amplificador con Excitacin Simtrica, v
1
= v
2
= 0. ....................... 39
3.6.4. Excitacin Asimtrica, v
1
= -v
2
. ............................................................. 40
3.6.5. Determinacin del Rango de Modo Comn. ...................................... 43


3.6.6.Modo Diferencial Mximo............................................................................ 44
3.6.7. Anlisis con Seal Dbil en Baja Frecuencia. ......................... 47
Impedancia de Entrada de Modo Comn. ............................................... 48
Impedancia de Entrada de Modo Diferencial. ...................................... 50
Relacin de Rechazo de Modo Comn ............................................................... 50
Relaciones tiles. ....................................................................................................... 50
3.6.8. Configuraciones Diferenciales Integradas .......................................... 52
Anlisis con Excitacin Simtrica, (Modo Comn). ...................................... 57
Anlisis del Rango del Modo Comn. ......................................................... 58
Excitacin Asimtrica, (Modo Diferencial). .......................................................... 59
Anlisis con Seal Dbil. ......................................................................................... 60
Modo Comn. .............................................................................................................. 60
Modo diferencial. ........................................................................................................ 61



3
CONEXIONES ESPECIALES DE TRANSISTORES

Fuentes de Corriente
Las fuentes de corriente lineales tienen gran desarrollo a partir del
correspondiente a los circuitos integrados monolticos, debido a que es un
circuito muy utilizado en su estructura, principalmente para polarizacin
de sus componentes activos, evitando las tcnicas clsicas de polarizacin
con resistores por el gran requerimiento de rea implcito.
En rigor no existen fuentes de corriente independientes, tal como se
entiende a partir de sus equivalentes en tensin, sino que son
controladas, generalmente por un parmetro elctrico (ejemplo
transistores BJT y FET), o un parmetro fsico, (diodo fotovoltaico y
fototransistor). No obstante que el smbolo Standard para fuentes
controladas es la figura romboidal vertical, se usara en este texto el
clsico crculo.
Obviamente las fuentes de corriente controladas reales difieren de las
ideales. Es conveniente recordar que una fuente de corriente continua
ideal, puede operar en los 4 cuadrantes I-V, presenta impedancia interna
infinita y coeficiente de temperatura cero.
Se analizan a continuacin algunos tipos de fuentes de corriente reales
discretas e integradas.

3.1. Fuentes de Corriente Discretas.
Diodo Fotovoltaico
Una juntura N-P, de silicio encapsulada en material opaco configura un
diodo rectificador. Si la capsula es transparente y antirreflectora en la
zona de material tipo n, la radiacin incidente modifica la caracterstica
I-V, del dispositivo.
En efecto, la relacin tensin corriente de una juntura NP, no
expuesta a radiacin sigue la ley de Shockley.


) 1 ( =
T
D
V
V
S D
e
I I
(3.1.1)
Donde: I
S
= Corriente de saturacin inversa
V
T
= Tensin termica = KT/q
En cambio cuando la junta es iluminada con longitudes de onda
adecuadas, la corriente comienza a tener un trmino proporcional a la
intensidad de iluminacin (Efecto Fotovoltaico).
CR e
T
D
V
V
S D I I
= ) 1 ( (3.1.2)
Donde: R= Radiacin lumnica en ( watts/ m
2
)
C = Cte proporcional al rea activa.

La figura 3.1 muestra la caracterstica I-V, para diferentes niveles de
iluminacin.
De (3.1.2), se definen dos parmetros caractersticos.
La corriente de cortocircuito, V
D
= 0 I
SC
= CR y la tensin a circuito
abierto, I
D
= 0 V
D
= Voc .
La primera es proporcional a la cantidad de radiacin y tiene coeficiente
de temperatura positivo y la segunda se corresponde con la tensin de
codo del diodo que para el silicio como substrato es de aproximadamente
0.45v a (T=25centig.), con coeficiente negativo.
dVoc/dT) = -2mV/centig

Id
Vd
Voc
Isc
R1
R3
R2
R4

Fig.3.1.1


Debido a que el modo de operacin utilizado en estos dispositivos es en
el tercer y cuarto cuadrante I-V, se invierte la grafica, Fig.3.1.2, a los
efectos de manejar nmeros positivos para la corriente.
Id
Vd
Voc
Isc
R1
R3
R2
R4

Fig 3.1.2
Las caractersticas muestran que opera como fuente de corriente en una
zona restringida del primer y segundo cuadrante y adems la pendiente
implica la presencia de una impedancia interna finita.
Desde el punto de vista de la utilizacin de este dispositivo se pueden
diferenciar dos tipos, el fotodiodo y la celda solar. No obstante el principio
de operacin es el mismo, tienen aplicaciones y caractersticas
constructivas diferentes. Los primeros que son utilizados
fundamentalmente como sensores lumnicos, opto acopladores etc, tienen
generalmente rea de junta activa del orden del milmetro cuadrado. En
aplicaciones de sensado y bajas frecuencias operan en cortocircuito
(Modo fotovoltaico), en cambio en altas frecuencias, (Recepcin -
transmisin de seales pticas pulsantes), lo hace en el modo
fotoconductivo, es decir con polarizacin inversa (Segundo cuadrante de
fig.3.1.2), para reducir su capacidad parsita.
La celda solar en cambio opera en el primer cuadrante y debido a que
su aplicacin principal es la conversin de energa lumnica en elctrica,
puede tener varios cm cuadrados de rea activa para aumentar su
capacidad de corriente, esto trae aparejado un aumento de la corriente de
saturacin inversa de la junta (Is) y consecuentemente una impedancia
interna bastante ms baja que en un fotodiodo. Para conformar un panel
solar se conectan n celdas iguales en serie hasta lograr la tensin de
operacin (n V
D
) y con tiras iguales en paralelo se aumenta la capacidad
de corriente del panel.
La figura 3.1.3, muestra el circuito equivalente en bajas frecuencias
para estos dispositivos.


R
Isc
ri ideal
Id
Vd

Fig.3.1.3

Fuentes con Transistores.
El transistor bipolar y el de efecto de campo son intrnsecamente fuentes
de corrientes controladas, el primero por la corriente inyectada en base y
el segundo por la tensin entre puerta y surtidor.
As, una fuente de corriente constante se logra simplemente polarizando
adecuadamente un transistor. La figura siguiente muestra dos
configuraciones para alimentar cargas flotantes.

(a) (b)
Fig.3.1.4
Utilizando transistores complementarios se pueden implementar fuentes
de corriente para alimentar cargas que tengan un terminal conectado a
tierra. Por ejemplo, la versin bipolar ser:

Fig.3.1.5
Es necesario conocer en una fuente de corriente, su comportamiento
trmico y dinmico, (coeficiente de temperatura, impedancia interna y


rango dinmico). As por ejemplo, en las versiones bipolares anteriores se
cumple:

0
I
R
V V
I
E
BEQ Z
CQ
=
=
El coeficiente de temperatura de la corriente ser:
|
.
|
\
|
~
T
V
T
V
R T
I
BE Z
E
CQ
o
o
o
o
o
o
1
(3.1.3)
Donde
~ C mV
T
V
BE
/ 2
o
o
para el silicio
El doble signo del coeficiente trmico del zener, se debe a que ser
negativo para aquellos con valores de tensin inferiores a 6V y positivo
para valores superiores, tambin los hay internamente compensados en
temperatura, es decir
0

~
T
V
Z
o
o

La impedancia interna de la fuente de corriente constante es un
parmetro dinmico de la misma, es decir vlida para pequea seal y en
el caso que bajo anlisis es la vista desde el colector de Q
1
.
Del modelo de pequea seal, donde se ha despreciado la resistencia
dinmica del diodo zener, se deduce Z
i
.

Fig.3.1. 6


0
v

Fig. 3.1.7
Z
v
i
i
=
0
0

La ecuacin de equilibrio de corrientes en el nudo de colector
es:
i h i v v h
f
e
b E oe 0 0
+ = ( )
v i h R
E ie E
=
0
( / / ) e
ie E
E
b
h R
R
i i
+
=
0

Operando las anteriores y tomando trminos relevantes se obtiene:
|
|
.
|
\
|
+
+ ~ =
E ie
e
f E
oe
i
R h
h R
h i
v
Z 1
1
0
0
(3.1.4)
En la anterior el trmino entre parntesis es bastante mayor que la
unidad y muestra que la resistencia R
E
puede elevar considerablemente la
impedancia interna de la fuente.
La fig.3.1.8 modela la fuente de corriente constante real, con las
especificaciones a continuacin.


0
I

Fig. 3.1.8
E
Z
R
V
I
6 , 0
0

= ; |
.
|
\
|
+ ~ = C mV
T
V
RE T
I
CT
Z
/ 2
1
0
o
o
o
o

Z
h
R h
h R
i
oe
E fe
ie e
~ +
+
(
1
1 ;
+ =
=
) ( max
0 min
0 e CEsat CC
AB
R I V V
V
Las fuentes lineales bipolares como la descripta, son utilizadas
frecuentemente en aplicaciones de laboratorio con capacidades de
corriente que no van ms all de los cientos de miliamperes, debido a los
problemas inherentes de la disipacin de potencia en el transistor.
La configuracin de la fig.3.1.4.b, utiliza transistor de efecto de campo
y tiene una performance ms pobre que la anterior, pero el gran atractivo
es la simplicidad, a tal punto que se comercializa como componente de
dos terminales. La corriente que suministran es la de saturacin de
drenador para V
GS
= 0, cuyo valor en FETs de juntura no supera las pocas
decenas de miliamperes.

2
1
|
|
.
|
\
|
+ =
PO
GS
DSS DS
v
v
I I



D
i

Fig. 3.1.9
La impedancia interna de la fuente es la resistencia dinmica de
drenador r
ds
, parmetro que no supera la centena de K. A continuacin
se resumen sus caractersticas.
0
I

Fig.3.1.10
I
0
= I
DSS

Z
i
= r
ds

=
=
0
0
p DD
AB
V V max
min
V
Fueron descriptas estas configuraciones bsicas a los efectos de
familiarizar al estudiante con los conceptos involucrados en la utilizacin
de una fuente de corriente electrnica real, pero es necesario aclarar que
existen configuraciones discretas e integradas que superan largamente en
complejidad a las vistas, aunque siempre atendiendo a mejorar sus
caractersticas. En aplicaciones electrnicas, de potencias superiores a las
decenas de miliwats la fuente de corriente lineal, al igual que la de tensin
dejan de ser atractivas por el bajo rendimiento que poseen, entonces se
recurre a fuentes hibridas conmutadas.


3.2 Fuentes de Corriente Integradas.
En circuitos integrados, las tcnicas de polarizacin de componentes
activos son diferentes a las utilizadas en circuitos discretos, debido a que
la elevada cantidad de componentes activos que tiene un chip, exigira
elevar en demasa el rea de integracin, si se utilizara el mtodo
convencional de polarizacin con resistencias y con prestacin mas
deficitaria desde el punto de vista trmico. En sntesis, en tecnologa
monoltica se trata de evitar la integracin de resistores, en cambio la
gran disponibilidad de componentes activos en reas muy reducidas del
chip, sumados a las ventajas de un gran apareamiento de caractersticas y
acoplamiento trmico entre los mismos, hace que las tcnicas de
polarizacin se basen en la utilizacin de aquellos, configurando fuentes
de corriente. En las secciones siguientes se describen algunas de ellas.
Espejo de Corriente
La conexin de la Figura 3.2.1, se denomina espejo de corriente debido
a que a igualdad de caractersticas de ambos transistores, Q2 copia la
corriente inyectada al colector de Q1. Esto muestra la figura en trminos
unitarios. En efecto debido a la simetra de la malla de entrada ambas
bases tomarn la misma corriente, luego por cada unidad de esta
circularn h
FE
unidades en los respectivos colectores siendo la relacin de
copiado unitaria y tomando la relacin de I
C2
, con respecto a la de
referencia, I
O
habr un error de 2 unidades.
I
C2
/I
C1
=1 I
C2
/I
O
=h
FE
/(h
FE
+2) (3.2.1)

Fig. 3.2.1


El transistor Q
1
opera conectado como diodo. No obstante siendo su
tensin V
CB
=0, aquel permanece en zona activa (Fig.3.2.2) y por lo tanto
tienen vigencia las relaciones del efecto transistor, es decir la corriente de
base controla la corriente del colector
I
C
=h
FE
I
B

Fig.3.2.2
Otra perspectiva del funcionamiento se obtiene partiendo de las
ecuaciones de Ebbers- Moll para operacin en modo activo directo.
Describiendo a la corriente de colector de Q
1
y Q
2
con aquellas
expresiones y despreciando el efecto Early en Q
2
, se obtiene.
t
BE
T
BE
V
V
ES
v
V
ES C
e I e I I
1
1
1
1 1 1
1 ~
(
(
~
|
|
.
|
\
|
o
t
BE
T
BE
V
V
ES
v
V
ES C
e I e I I
2
1
2
2 2 2
1 ~
(
(
~
|
|
.
|
\
|
o
La conexin iguala la tensin de juntas, (V
BE1
= V
BE2
) y considerando
apareamiento trmico unitario (V
t1
= V
t2
), hacen que la relacin de
corrientes sea.

1
2
1
2
ES
ES
C
C
I
I
I
I
~
La corriente de saturacin inversa de la juntura base emisor, I
ES
, es
proporcional al rea ( A
e
) de la misma.
I
ES
= T
e
A
e

Asumiendo que el coeficiente de inyeccin, T
e
, es el mismo en ambos
transistores la relacin anterior queda:



1
2
1
2
e
e
C
C
A
A
I
I
~
Si las reas respectivas son iguales la relacin de copiado es unitaria
pero dentro de ciertos limites se puede reducir esta relacin. Esto es una
gran ventaja del espejo de corriente ya que se puede reproducir la
corriente de referencia I
0
escaleada en el colector de Q
2
, simplemente
modificando la relacin de reas de emisor del transistor Objeto, ( Q
1
) e
imagen (Q
2
), hecho que en tecnologa monoltica es simple y precisa.
La impedancia interna de la fuente de corriente es la vista desde el
colector Q
2
en conexin emisor comn (1/h
oe
).
El espejo, en condiciones ideales de apareamiento trmico de los
transistores no agrega corrimiento trmico a la copiada,I
C2
, respecto del
que tenga originalmente la corriente de referencia I
O
, esto es:
T
I
T
I
O
o
o
c
c

C2
~
En efecto, considerando las variaciones producidas en la tensin Base-
Emisor por la temperatura y tomando stas como generadores de
pequea seal en serie con cada junta se obtiene la fig. 3.2.3.
AV
BE1
= AV
BE2
AI
B
= 0 AI
C2
= 0

Fig.3.2.3
La estructura de Fig.3.2.1, permite adems repetir la corriente de
referencia I
0
, (Escaleada o no), segn se muestra en el esquema
siguiente



0
I

Fig. 3.2.4
El modelo en bajas frecuencias de la fuente de corriente espejo bipolar
es:

Versin MOS del Espejo de Corriente.
La versin NMOS del Espejo de Corriente esta esquematizado en la
Figura 3.2.5 y es ampliamente utilizada en circuitos integrados de esta
tecnologa. Es sencillo demostrar que la corriente de drenador del
transistor M
2
, es igual a la de referencia, I
0
, utilizando la relacin de
transferencia cuadrtica vlida en zona de saturacin.
( )
2

th GS P DS
V V K I =
L
W
K
n
C
OX P
=
Donde:
n
= Movilidad superficial de los electrones.
C
ox
= Capacitancia por unidad de rea
W = Ancho de canal
L = Longitud de canal



a c arg
DD
V
EE
V
1
M
GS
V
2
M
O
I
2 DS
I
1 DS
I

Fig.3.2.5
Del circuito de referencia se deduce.
:
Si V
GS1
=V
GS2
y M
1
=M
2
I
DS1
=I
DS2

De igual manera que el caso bipolar es posible escalear la corriente
copiada a travs de las dimensiones del canal.
Una ventaja de esta versin respecto de la bipolar es que aqu no existe
el trmino de error de corriente de base y una desventaja es que la
tensin V
DSmin
de operacin de la fuente de corriente es superior al voltio
diminuyendo el rango dinmico respecto de la versin bipolar donde la
tensin de saturacin del transistor es del orden de las centenas de
milivoltios.
Versiones Modificadas.
El error de copiado de la corriente de referencia I
0
, debido a la tomada
por las bases, en la estructura bipolar del espejo bsico, (3.2.1) puede ser
drsticamente reducido con el agregado del transistor Q
3,
Fig. 3.2.6.
En efecto las ecuaciones, (64) y (66) de seccin 4.1 quedan
1
2
2 0
+
+ =
FE
B
C
h
i
I I
1
2
0
2
+
+
=
FE
FE
FE C
h
h
h
I
I
(3.2.2)


Fig. 3.2.6
Esta conexin es casi obligatoria en los repetidores de corriente de Fig
(3.2.4).
Escaleo por Relacin Resistiva.
El agregado de resistencias en los emisores del espejo de corriente Fig.
3.2.7, permite aumentar el rango de escaleo de la corriente de referencia
I
0
, por desbalance de las tensiones base emisor respectivas.
La relacin de corriente de fuente, (I
C2
) a corriente de referencia se
obtiene analizando la malla que contiene las juntas base-emisor de Q
1
y
Q
2
.
I
0
R
1
+V
BE1
=I
C2
R
2
+V
BE2

2
2
2 2
1
0
1 0
ES
C
T C
ES
T
I
I
Ln V R I
I
I
Ln V R I + = +
|
|
.
|
\
|
+ =
1 2
2 0
1 0
2
2
1
ES C
ES
T C
I i
I I
Ln V R I
R
I
Si la geometra de los emisores es la misma en ambos transistores
I
ES1
=I
ES2

|
|
.
|
\
|
+ =
2
0
1 0
2
2
1
C
T C
I
I
Ln V R I
R
I (3.2.4)
Ecuacin trascendente se puede resolver por aproximaciones sucesivas
no obstante se puede utilizar la expresin aproximada que resulta de
despreciar el siguiente trmino.
1 0
2
0
R I
I
I
Ln V
C
T
<<
2
1
0 2
R
R
I I
C
~ (3.2.5)


Fig. 3.2.7.
Se puede reproducir I
0
escaleada , manejando la relacin de
resistencias de emisor, cosa que en tecnologa monoltica es muy
preciso y se efecta en el siguiente rango.

0 2 0
10
10
1
I I I
C
< <
Fuente de Corriente Widlar
Esta configuracin permite relaciones de escaleo bastante superiores a
las vistas y utiliza una resistencia en el emisor de Q
2
del espejo bsico de
corriente, para desbalancear las tensiones base emisor respectivas (Fig.
3.2.8).

Fig. 3.2.8
En efecto si o=1, entonces
V
BE1
=V
BE2
+I
C2
R
E

E C
ES
C
T
ES
T
R I
I
I
Ln V
i
I
Ln V
2
2
2
1
0
+ =


E C
C
N T
R I
I
I
L V
2
2
0
= 3.2.6
Ecuacin que permite calcular R
E
dado I
0
y la corriente requerida I
C2
.
El efecto adicional que se logra con la inclusin de la resistencia R
E
, es
la elevacin de la impedancia interna de la fuente,(3.1.4).
Fuente de Corriente Wilson
Mejor performance que la fuente de corriente espejo, tiene, la configuracin con tres
transistores propuesta por Wilson (Fig.3.2.9).

1
) 2 ( ) 2 (
+
+ = +
FE
FE
FE FE
h
h
h h o
EE
V
1
2
+
+
FE
FE
h
h
2 +
FE
h
3
Q
1
2
+
+
+
FE
FE
FE
h
h
h
CC
V

Fig. 3.2.9
Q
1
y Q
2
conforman la corriente espejo analizada previamente y Q
3
el de
salida y Q
3
esta fuertemente realimentado en corriente con error
corriente. En efecto suponga el lector una variacin en la corriente de
colector de Q
3
producida por efecto de la temperatura o cualquier otra
causa y analice el efecto sobre su corriente de base y vera que es de un
sentido tal que tiende a anular la variacin supuesta de I
C3
. Este hecho se
interpreta como un aumento de la impedancia vista hacia el colector de Q
3

La relacin de copiado se obtiene razonando con el procedimiento de
inyeccin de corriente unidad en bases y las relaciones de corriente en los
otros terminales, dadas por el efecto transistor.


2 2
2
2
2
1
3
+ +
+
=
FE FE
FE FE C
h h
h h
I
I
(3.2.7)
Vemos que la relacin tiende a la unidad con el aumento de h
FE
mas
rpidamente que en la configuracin espejo bsico. La Fig. 3.2.10 muestra
cuantitativamente este hecho.
.

Fig. 3.2.10
2 +
FE
FE
h
h
(1)
h h
h h
FE FE
FE FE
+
+ +
2
2 2
2
(2)



Espejo de Corriente Complementaria.
La estructura de transistores PNP de tecnologa lateral con ganancia
controlada es naturalmente un espejo de corriente.

Fig. 3.2.11
En efecto despreciando la corriente de sustrato y considerando que la
tecnologa de hoy produce los mismos con |
f
>100, para ambos
subtransistores (Q
1
y Q
2
), todas las conclusiones obtenidas para la versin
NPN del espejo de corriente pueden ser aplicadas a sta configuracin.
Esta estructura permite la realizacin de fuentes de corriente
multiples por segmentacion del colector anular (Fig.3.2.12).

Fig. 3.2.12
En efecto, la corriente de Q2 del espejo bsico, se distribuye en forma
proporcional al rea de los segmentos C
2

y C
2

Fig.3.2.13


i i i
" '
C2 C2 C2
+ =
=
'
=
'
" A
A
"
C2
C2
i
i
Relacin de reas
Un esquema compacto de la Fig.3.2.14 se da en la figura siguiente.

Fig. 3.2.14

3.3. Conexin Darlington.
La conexin en cascada de dos transistores bipolares, segn muestra la
figura 3.3.1a, se denomina Darlington y es utilizada cuando se desea
ganancia de corriente elevada, adems de alta impedancia de entrada. Es
fcil ver con respecto a la primera, que operando ambos en zona activa
lineal, por cada unidad de corriente inyectada en la base de Q
1
, circulara
por el Terminal que une los colectores, una corriente cuyo valor
dominante ser el producto de las ganancias de cada uno,( h
FE1
h
FE2

unidades). Esta estructura puede ser tratada como un transistor simple
con caractersticas propias Fig.3.3.1b y puede ser analizado como tal en
continua y alterna.

CED
V
1
1
1
+
FE
h
) 1 (
1 2
+
FE FE
h h
2 1 FE FE CD
h h I ~
1 FE
h
BED
V
BD
I

(a) (b)
Fig. 3.3.1


En efecto, en trminos de valores totales ser:
V
BED
= V
BE1
+ V
BE2
; V
CED
= V
CE1
+ V
BE2
y I
CD
=I
ED
~ I
C2

En continua ser (Omitiendo el subndice D por razones de simplicidad)
V
BEQ
~1.2V V
CEsat
~ V
CE1sat
+V
BEQ2

Anlisis en Continua
La figura 3.3.2 muestra al amplificador en conexin emisor comn.

2
R
1
R
C
R
CC
V
C
e
R

3.3.2
Resolviendo la malla de entrada se deduce la corriente de reposo.
V
BB
= V
BEQ
+ i
BQ1
R
b
+ i
EQ
R
E

I
BQ1
=
1
1
1
+
FE
EQ
h
I
I
EQ1
=
1
2
+
FE
EQ
h
I
I
BQ1
=
2 1 FE FE
EQD
h h
I

De las anteriores y tomando los trminos ms importantes se obtiene:

,
2 1 2 1
2 . 1
b
R
FE FE
b
e
BB
FE FE
b
e
BEQ BB
CQ EQ
h h
R
R
V
h h
R
R
V V
I I
+

=
+
= ~
Aplicando el criterio de estabilidad
2 1 FE FE
b
e
h h
R
R >>


e
BB
CQ
R
V
I
2 , 1
~ (3.3.1)
Se debe notar que el criterio de estabilidad se satisface con valores de
mucho ms elevados de R
b
debido al valor de h
FED.
El anlisis de la malla de salida y las respectivas excursiones a travs
de las rectas de carga y se remite al caso del amplificador con transistor
simple.

Fig.3.3.3
Anlisis con Pequea Seal.
Se puede definir un modelo lineal equivalente para pequea seal del
transistor compuesto en configuracin emisor comn a partir del remplazo
de cada transistor por su modelo en parmetros hbridos. La figura 3.3.4
muestra el circuito preparado para la medicin de los parmetros.

Fig. 3.3.4



Parmetros hbridos de cada transistor..
Q
1
Q
2
h
ie1
h
ie2

h
fe1
h
fe2
h
oe1
h
oe2
h
re1
= 0 h
re2
= 0
El modelo matemtico incremental del transistor compuesto esta
definido de la siguiente manera:
v
IN
= h
ied
i
IN
+ h
red
v
0

i
0
= h
fed
i
IN
+ h
oed
v
0

De las anteriores se deduce el modelo elctrico.

Fig. 3.3.5
Notar que si bien se ha despreciado el parmetro h
re
de cada transistor,
necesariamente no ser nulo en el modelo de transistor Darlington.
Clculo de h
ied

h
v
i
ied
in
in
v
=
=
0
0

Esto implica, en la Fig. 3.3.4, S
1
y S
2
cerradas.


Fig. 3.3.6
El cortocircuito a la salida implica el circuito reducido siguiente:

Fig.3.3.7
Del que se deduce:
v i h v
in in ie e
= +
1

)]
1
//( )[ (
1
2 1
oe
ie in fe iN e
h
h i h i v + =
Teniendo presente los rdenes de magnitud de los parmetros se
cumple
h
ie2
h
oe1
<<1 (3.3.1)
h
v
i
h h h
ied
in
in
ie fe ie
= = + +
1 2
1 ( ) (3.3.2)
Clculo de h
fed

0
0
0
=
=
v
in
fed
i
i
h
La configuracin circuital para efectuar esta medicin es la misma que
la de la Figura 3.3.6.


i
0
=h
fe2
i
b2
+i
1
i
b2
=i
IN
+i
1
i
1
=h
fe1
i
IN
-v
e
h
oe1

v
e
=(i
iN
+h
fe1
i
iN
)
|
|
.
|
\
|
)
1
//(
1
2
oe
ie
h
h
Relacionando las anteriores y recordando (3.3.1)

2 1 1 2 2 1 fe fe fe fe fe fe
d
fe
h h h h h h h ~ + + ~ (3.3.3)

Clculo de h
oed

h
i
v
oed
i
in
=
=
0
0
0

Esto implica S
1
y S
2
abiertas, excitando desde la salida con un
generador de seal v
0
, como puede verse en la figura 3.3.8
0
v

Fig. 3.3.8
0
v

Fig. 3.3.9
1 2
1
2 2 2 0 0
1
oe ie
oe o
b fe oe
h h
h v
i h h v i
+
+ + = ~ v
o
h
oe2
+ h
fe2
i
b2
+ v
o
h
oe1

Asumiendo i
b2
~ v
o
h
oe1
, se obtiene:

h h h h
oed oe fe oe
~ + +
2 2 1
1 ( ) (3.3.4)


Clculo de h
red

h
v
v
red
in
i
in
=
=
0
0

Las condiciones para el clculo son idnticas a las utilizadas en el punto
anterior. En consecuencia el circuito utilizado es el mismo al de la figura
3.3.8.
0
v

v
v h
h
h
IN
ie
ie
oe
=
+
0 2
2
1
1
h
v
v
h
h
h
red
IN ie
ie
oe
= =
+
0
2
2
1
1
(3.3.5)
Modificaciones a la Conexin Darlington.
El problema del aumento de la tensin de saturacin de la conexin
vista se elimina con la conexin siguiente.

Fig.3.3.10
Evitando de este modo la saturacin prematura del transistor Q
1
,
cumplindose entonces
v
CEDsat
= v
CE2sat



En las conexiones Darlington vistas, se notar que la corriente de
polarizacin de Q
1
es esclava de la fijada para el transistor Q
2

I
CQ1

2
2
fe
CQ
h
I
~
La forma de independizar el punto de operacin de Q
1
es drenar del
emisor de este una corriente extra, bastante mayor que la que toma la
base de Q2, a travs de una resistencia de sangrado. Figura 3.3.11.
I
R
1
0 7
~
,

I
E1
=I
1
+I
B2
~ I
1

Fig.3.3.11
Un valor prctico para el clculo de R es
I
R
h i
FE B 1 2 2
0 7
= ~
,
34


3.4 Conexin Cascode.
Se denomina as a la conexin serie de dos transistores, como muestra
en la figura 3.4.1.

Fig.3.4.1
La conexin serie, exige que
I
CQ1
= I
CQ2

El circuito de la figura anterior tiene variantes que dependen de la
aplicacin.
Desplazador de Nivel Activo.
En aplicaciones de cascada de amplificadores acoplados directamente,
la seal amplificada contiene un nivel de continua que puede ser
incompatible con la requerida por la etapa siguiente. Intercalando entre
ambos un amplificador cascode es posible modificar el valor del nivel de
continua sin afectar sensiblemente a la componente de seal.
En efecto operando el transistor Q
1
como fuente de corriente constante
y Q
2
como seguidor de tensin excitado por la etapa precedente, que en
figura 3.4.2 est conformado por su equivalente de Thevenin, (v
i
, V
DC
y
r
i
), es posible modificar a la salida, (V
O
) el nivel de continua, mediante la
conexin de la resistencia R.
+
0
v



Fig.3.4.2
A partir de la ecuacin de equilibrio de tensiones de continua de la
malla de entrada de Q
2
hacia la salida V
o
.
V
DC
-I
BQ2
r
i
-V
BEQ
-I
CQ1
R=V
ODC

De la que se deduce que por ejemplo para anular el nivel de continua:
V
ODC
=0 R I r
h
I
V
CQ i
FE
CQ
DC 1
1
7 , 0 =
Se logra ajustando R o I
CQ1

La Fig.3.4.3 muestra el efecto del circuito sobre las componentes de
seal, donde es evidente que, si la impedancia interna de la fuente de
corriente (Q
1
) y la de carga R
L
, son ambas infinitas, la tensin de salida
es igual a la tensin de entrada.
0
v

Fig. 3.4.3
Se cumple el requerimiento impuesto para esta componente.v
o
=v
i
.
Considerando una impedancia de carga real finita (R
L
h
fe
), la atenuacin
de la seal aumenta segn disminuye la relacin
v
v
R h
r h R R h
i
L fe
i ie L fe
0
=
+ + +
.
( )

Es por ello que es necesario acoplar la carga a la salida del desplazador a
travs de un amplificador separador (Buffer), para levantar el valor de la
impedancia vista por aquel. La figura siguiente muestra la idea.


Buffer

Fig. 3.4.4

La ganancia de tensin del conjunto ser:
v
v
R h K
r h Rh R h K
i
L fe
i ie fe L fe
0
1 =
+ + +
~
. .

Amplificador de Tensin.
En esta configuracin la seal se inyecta a la entrada de Q
1
, que opera
en configuracin de emisor comn y su salida excita a Q
2
que trabaja en
base comn. La figura 3.4.5 muestra el circuito bsico. No obstante su
cualidad relevante la tiene en aplicaciones de alta frecuencia es
importante su anlisis en bajas frecuencias.

2
R
1
R
C
R
b
R
e
R

Fig. 3.4.5
A partir del modelo incremental se deduce la ganancia de tensin del
amplificador.


0
v

(a)
1 b
i
m
ib
g
h
1
2
=
C
R
O
v
b
R
be
v
be m
v g
1 ie
h

(b)
Fig. 3.4.6.

Asumiendo excitacin con generador de tensin cuasi - ideal.
(r
i
<<R
b
// hie) v
be1
=v
i

C m m C
i
c
c i
v
R - g ) )(- g ( R
v
i
i
v
v
v
A = ~ = =
2
2
0 0

Esta ganancia de tensin puede ser bastante alta, por ejemplo,
tomando valores tpicos
I
CQ
=3mA g
m
=120mS, R
C2
=2 KO, R
b
=10KO, r
i
=50O

A
v
~ -240



3.5 Carga Activa.
La ganancia de tensin de un amplificador puede expresarse en trminos
generales por la expresin clsica.
A
V
= g
m
R
L
Que aplicada el caso bipolar de Fig. 3.5.1, ser:
A
V
=- (I
CQ
/V
t
) R
L

2
R
1
R
C
R
CC
V
C
E
R
O
v
O
v
i
v
C
R
b
R
i be
v v =
i m
v g
i
v
C CQ
i I +

Fig.3.5.1
De la anterior se deduce que para elevarla se debe operar en el mismo
sentido con la corriente de polarizacin o con la impedancia de carga o
con ambas a la vez pero, esto obligara a aumentar las tensiones de
alimentacin con el consecuente problema tecnolgico, razn por la cual
las ganancias obtenibles tienen un lmite. Este problema en el amplificador
discreto del ejemplo, se debe a que circulan por la impedancia de carga,
tanto la componente de continua como la de seal, problema que en
tecnologa monoltica tiene una solucin sencilla, cargando al transistor
con una fuente de corriente constante, (Carga activa-
Fig.3.5.2.a),generando muy altas ganancias.



i BB
v V +
1
Q
CC
V
CQ
I
i
r
C
i
EE
V
CQ
I
i
r
C
i
i BB
v V +
1
Q

(a) (b)
Carga Activa. Polarizacin con Fuente de Corriente
Fig.3.5.2
En efecto, en este esquema la corriente polarizante y de seal tienen
diferentes caminos, siendo la alta impedancia interna, (ri), la presentada a
esta ltima. Adems una fuente de corriente real, puede operar como tal,
con muy bajas tensiones a bornes, atenuando el problema de la tensin
de alimentacin del conjunto.
La tcnica de polarizacin con divisor resistivo del amplificador de Fig
3.5.1, que frecuentemente se utiliza en amplificadores discretos, es
remplazada en circuitos integrados por polarizacin con fuente de
corriente mejorando sensiblemente la estabilidad, (Fig.3.5.2.b).No
obstante, este circuito presenta un serio problema para la componente de
alterna y se refiere a la reduccin significativa de la ganancia que se
producira si no se desacopla para la seal, la resistencia interna de la
fuente (r
i
). Obviamente no se puede recurrir a la solucin discreta debido
a que sera imposible integrar un capacitor del valor requerido para
generar un camino alternativo de baja impedancia en paralelo. Una
solucin integrada simple, lo da el circuito de Fig.3.5.3, acoplando el
transistor Q2 al emisor de Q
1
en conexin base comn, de manera que
para la alterna, conecta su impedancia de entrada (h
ib2
) en paralelo con r
i

, produciendo prcticamente un cortocircuito del emisor de Q1 a tierra
(Emisor Comn).



2 ib
h
EE
V
CQ
I 2
i BB
v V +
BB
V
C CQ
i I
C CQ
i I +
0 ~ i
i
r
1
Q 2
Q
i ib
r h <<
2
i
v
i
v C
i
C
i
i
r
1
Q
0 ~ i
1
Q

Fig.3.5.3
Las soluciones en tecnologa monolticas planteadas en el anlisis
precedente aplicadas al amplificador discreto del ejemplo, se muestran en
la implementacin prctica de Fig.3.5.4, que utiliza bsicamente espejos
de corriente.

5
Q
4
Q
3
Q
2
Q 1
Q
6
Q
EE
V
R
o
I i BB
v V +
BB
V
1 o
V
2
O
I
7
Q
2
O
I
O
I
CC
V

Fig.3.5.4
En efecto la corriente de referencia, I
O
= (V
CC
+V
EE
-2V
BEQ
) / R, inyectada al
colector de Q
3
, es copiada en verdadera magnitud por Q
4
para polarizar Q
1

y Q
2.
Los subtransistores Q
6
,Q
7
, repiten la corriente de Q
5
, ( I
O
),
escaleada por seccionamiento de reas de colector en relacin , para
cargar activamente a Q
1
y Q
2
respectivamente. Ntese que en la
estructura resultante de Fig.3.5.4,se puede tomar adems seal
de salida del colector de Q
2
,(v
02
), hecho que se justifica en el
anlisis para seal dbil siguiente.


La Fig.3.5.5 muestra el modelo incremental del amplificador descrito del
que se deduce la ganancia de tensin resultante.

i
v
1 be
v
2 ie
h
1 ie
h
2 be
v
1 b
i
e
v
2
1
i
m be m
v
g v g =
6 oe
h
1 o
v

Fig.3.5.5

1
6
6 1
1 1 1
2
1 1
2

=
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
= = =
oe m
oe
m
ie
ie
be
o
i
be
i
o
V
h g
h
g
h
h
v
v
v
v
v
v
A (3.5.1)
La magnitud de la anterior puede ser aproximada fcilmente
relacionando aquellas con las respectivas frmulas de clculo de los
parmetros involucrados

t
p
CQ
P
t
CQ
oe m
i
o
V
V
VAF
I
VAF
V
I
h g
v
v
A
2
1
2
1
2
1
6
1
1
6
1
~ = = =

Recordando que Q
1
y Q
6
tienen la misma corriente de reposo y tomando
la tensin Early del transistor p integrado del orden de los 80V, la anterior
resulta:

1600 ~
V
A



3.6. Amplificador Diferencial.
3.6.1 Introduccin
La configuracin desarrollada en figura 3.5.4, de la seccin anterior con Q
2

y Q
1
unidos por emisor se denomina amplificador diferencial. La
posibilidad de excitacin desde ambos terminales de base, permite
obtener prestaciones especiales, configurando un bloque con
caractersticas particulares denominado Diferencial o tambin
Amplificador de Transconductancia, (OTA) y es casi invariablemente la
etapa de entrada de la cascada de amplificadores directamente acoplados
denominado Operacional.

2 1
E E =
1
B
2
B
1
Q 2
Q

Fig. 3.6.1
Conexin Diferencial.
A los efectos de facilitar el estudio inicial se idealizar la fuente de
corriente polarizante de emisor y se considerar a ambos transistores
cargados en colector pasivamente (Rc), como se muestra en Fig. 3.6.1.
Excitando ambas bases con generadores de tensin v
1
y v
2
, con la nica
restriccin general que sean de igual frecuencia, se analizar a partir de
las ecuaciones de Ebbers Moll, para operacin en modo activo directo, la
condicin de operacin de ambos transistores en tres condiciones
diferentes de amplitud y fase de los respectivos generadores.
.
0
I
EE
V
2 BE
V
2 E
I
1 E
I
CC
V
C
R
1
B
2
B
1
Q 2
Q
C
R
02
v
01
v
1 BE
V
1
v
2
v



Fig. 3.6.1
3.6.2. Amplificador sin excitacin: v
1
=v
2
= 0 ,(Bases a tierra).

0
I
EE
V
2 BE
V
2 E
I
1 E
I
CC
V
C
R
1
B
2
B
1
Q 2
Q
C
R
02
v
01
v
1 BE
V

Las expresiones (3.6.1) y (3.6.2), dan las corrientes de emisor
respectivas.
T
1
BE
1
T
BE1
1
ES1 E1
V
V
e I e
V
V
I I
ES
~
|
|
|
|
|
|
.
|
\
|
~ (3.6.1)

T
BE2
2
T
BE2
1
ES2 E2
V
V
e I e
V
V
I I
ES
~
|
|
|
|
|
|
.
|
\
|
~ (3.6.2)
En el nudo de emisor se cumple que:
0 E2 E1
I I I = +
Luego si : Q
1
= Q
2
I
ES1
= I
ES2

Adems la simetra de las mallas que incluyen a cada junta Base-Emisor
obliga a :
V
BE1
= V
BE2
I
E1
= I
E2
= I
0
/ 2 I
CQ1
= I
CQ2
= o I
0
/2~ I
O
/2
(3.6.3)
La tensin colector-emisor correspondiente se puede calcular segn
muestre la fig. 3.6.2


Fig. 3.6.2
Las condiciones en ambos transistores calculadas previamente permiten
ubicar el punto de operaciones en Q de Fig. 3.6.3.

Fig.3.6.3
3.6.3. Amplificador con Excitacin Simtrica, v
1
= v
2
= 0.
Excitando ambos puertos (B
1
y B
2
) con seales de igual amplitud y fase, la
simetra de ambas mallas de entrada persiste, en consecuencia se repiten
las relaciones (3.6.3), asegurando la constancia de la corriente de ambos
colectores.
.
0
I
EE
V
2 BE
V
2 E
I
1 E
I
CC
V
C
R
1
B 2
B
1
Q 2
Q
C
R
02
v
01
v
1 BE
V
1
v
2
v

Fig. 3.6.4


En cambio la tensin V
CE1
ser:

1 BE1 CQ1 CC
`
1
v V R I V V
C CE
+ = |
.
|
\
|

Las anteriores muestran que el punto de trabajo de los transistores, (Q',
Q , etc.), estn sobre la misma horizontal a izquierda o derecha de Q
segn sea la polaridad respecto de tierra de ambas fuentes, (positiva o
negativa respectivamente).
Esta manera de excitacin se denomina de Modo Comn y el lugar
geomtrico de los puntos de trabajo del transistor, recta de carga de
Modo Comn. Se debe observar que las tensiones de los colectores
permanece constante, (V
CQ
= V
CC
(I
0
/2 )R
C
), en consecuencia no hay
seal de salida, v
o1
= v
o2
= 0. Adems debido a que los transistores
operan en este modo en configuracin seguidor de tensin, la respectiva
de los emisores sube o baja segn sea la magnitud y polaridad de los
generadores. Con estos hacia positivo habr una amplitud mxima
denominada, modo comn mximo, (v
cmax
), que llevar a los transistores
al borde de la saturacin(Q
max.
) y hacia negativo habr otra que deje a la
fuente de corriente polarizante con tensin nula en el caso ideal,
denominada modo comn mnimo,(v
cmin
) que se corresponde con la
posicin del punto Q
min
y

ambos valores definen el Rango de Modo Comn
Admitido.
La pendiente horizontal de la recta de carga de modo comn implica, que
la impedancia total de la malla que carga al transistor entre Colector y
Emisor es infinita, se interpreta entonces como el circuito visto por ambos
transistores en este modo de excitacin al que muestra la figura 3.6.5.

Fig. 3.6.5.
3.6.4. Excitacin Asimtrica, v
1
= -v
2
.
Invirtiendo la conexin de uno de los generadores de manera de excitar
ambas entradas en contrafase pero con igual amplitud, se observa que se
rompe la simetra entre ambas mallas de entrada.


En efecto, debido a que los emisores elctricamente tienen el mismo
potencial, necesariamente las variaciones opuestas de los potenciales de
base respecto de tierra, se traducen en otros iguales en las tensiones
base-emisor respectivas.
v
1
= Av
BE1
= -Av
BE2
= v
2
I
E1
> I
E2

Teniendo en cuenta que:
cte I I I = = +
0 E2 E1

E2 E1
I I A = A o
2 1 C C
I I A = A (3.6.4)
Obviamente en este modo de operacin hay seal de respuesta en
colectores.
C C o C C o
R I v R I v
2 2 1 1
y A = A = (3.6.5)
Esta expresin muestra la amplitud de la respuesta tomando seal entre
cada colector y tierra. En este modo de excitacin es fcil ver que, debido
al desfasaje de 180
o
entre ambas, la seal disponible entre colectores
duplica la amplitud dada por (3.6.4.).
De (3.6.4) y (3.6.5) se deduce que para el transistor Q
1
, el punto de
operacin se trasladara desde el reposo Q, a D
1
y el de Q
2
a D
2
, sobre
una recta cuya pendiente se deriva de las ecuaciones citadas. En efecto
recordando que, en este modo de funcionamiento, el potencial de emisor
permanece constante, se puede escribir por ejemplo, para el transistor Q
1.
C
R I V V
C1 C1 CE1
A = A = A
C CE
C
R
1
=
A
A
V
I
(3.6.6)

Fig. 3.6.6


Este modo de excitacin se denomina diferencial, y al lugar geomtrico
de los puntos de operacin correspondientes, se lo llama, recta de carga
de modo diferencial.
El anlisis previo permite deducir el circuito visto por cada transistor en
este modo de operacin, como lo muestra la figura 3.6.7,a partir del cual
se concluye que en este modo de excitacin opera en configuracin
emisor comn.

+
-

Fig.3.6.7
En general el amplificador puede ser excitado en ambos puertos por
generadores (v
1
y v
2
) que no correspondan a ninguno de los modos puros
descriptos, sino que los llevan implcitos simultneamente, segn veremos
a continuacin.
En efecto, recordando que la nica restriccin impuesta a los generadores
de excitacin v
1
y v
2
, es que sean de igual frecuencia, se define como,
modo comn entre ambos a la siguiente relacin:
v
v v
C
1 2
=
+
2

A su vez se define como modo diferencial a:
2 1 d
v v v =
A partir de las anteriores se puede expresar a los generadores reales por
una combinacin lineal de ambos modos
2
d
C 1
v
v v + = y
2
d
C 2
v
v v = (3.6.7)


Esto muestra la figura siguiente donde se han reemplazado los
generadores v
1
y v
2
, por sus equivalentes, en trminos del modo comn y
diferencial.

Fig. 3.6.8
El anlisis de la respuesta global del amplificador a la excitacin original,
se halla en el esquema de la figura 3.6.8, superponiendo las
correspondientes al modo comn y diferencial analizadas en forma
independiente.
A la luz del anlisis cualitativo realizado sobre esta configuracin, se
puede concluir que responde al modo diferencial de su excitacin,
rechazando en cambio el modo comn presente en la misma.
3.6.5. Determinacin del Rango de Modo Comn.
Se define al RMC, como a los valores extremos del mismo, que admite el
amplificador en operacin lineal.
El anlisis es relativamente sencillo en el caso ideal y bsico de figura
3.6.2. En efecto, para el caso de polarizacin con fuente de corriente
ideal, las corrientes de colector de ambos transistores permanecen
constantes, al excitar el amplificador en modo comn puro. En
consecuencia la tensin mxima positiva aplicable a las bases de ambos
los llevara hacia la saturacin, admitiendo que esta comienza cuando la
tensin colector base se hace cero (V
CB
= 0), se deduce del circuito que:
V
Cmx
= V
Bmax
= V
CQ
s V
CC
-
2
0
I
R
C

La figura 3.6.9 muestra la condicin lmite planteada


Fig.3.6.9
El modo comn mnimo admitido en cambio, saca de funcionamiento
lineal a la fuente de corriente (I
0
). Como a esta se la supuesto ideal en un
cuadrante, ello ocurrir cuando la tensin en sus terminales sea nula, en
consecuencia la tensin necesaria en base para que ello ocurra ser
V
Cmin
= V
B
> - V
EE
+ V
BE

Fig.3.6.10
Obviamente, el anlisis realizado aunque muestra el camino, no se puede
generalizar, pudiendo ser tan complejo como sea la estructura definitiva
del amplificador diferencial real.
3.6.6.Modo Diferencial Mximo
As como para operar linealmente hay lmites para el modo comn
aplicable a un amplificador diferencial, tambin lo habr respecto del
modo diferencial.
En efecto, a partir de las ecuaciones (3.6.1), (3.6.2) y (3.6.3) y sin la
presencia de modo comn sobrepuesto, se deduce:



0
2 1
I e I e I
T
BE
T
BE
V
V
ES
V
V
ES
= +
0
1 2
1
1
1 I e e I
T
BE BE
E
T
BE
V
V V
I
V
V
ES
=
|
|
.
|
\
|
+

Luego: I
I
e
E V V
V
BE BE
T
1
0
1
2 1
=
+

e I
I
e
E V V
V
BE BE
T
2
0
1
1 2
=
+

(3.6.8)

Fig.3.6.11

Recordando que en este modo de excitacin es V
E
= Cte, se cumple:
V
BE1
-V
BE2
=V
B1
-V
B2
= v
d
Luego:
1

0
1
1
C
V
V
E
I
e
I
I
T
d
~
+
=
e
2
0
2
1
C
V
V
E
I
e
I
I
T
d
~
+
= (3.6.9)
Las ecuaciones anteriores se denominan de transferencia y estn
graficadas en trminos normalizados en la figura siguiente.

Fig.3.6.12


A partir de esta grfica se pueden hacer las siguientes observaciones.
a) Si v
d
= 0, la corriente de ambos transistores es la misma e igual a:
I
o
/2
b) La pendiente de la caracterstica, es la transconductancia del
amplificador.
md
d
C
g
V
I
=
c
c

T
m
v
md
V
I
g g
d
2
0
0
0
= ~
=

A partir de lo expuesto se puede considerar operacin lineal, ( Baja
Distorsin), cuando se limita la excursin en este modo a valores
inferiores a la tensin trmica.
V
dmax
s V
T
~ 26mV
Esta es la amplitud de modo diferencial mxima que admite el circuito
para operacin con baja distorsin en ausencia de modo comn. Se
observa adems que superada esta y con V
d
~ 4V
T
el transistor se satura
con
I
Csat
~ I
0
.



3.6.7. Anlisis con Seal Dbil en Baja Frecuencia.
Respuesta al Modo Comn.
La figura 3.6.13, muestra el circuito visto por las componentes de seal.

i
r

Fig.3.6.13
El modelo lineal equivalente ser:
be m
v g
be m
v g C
v
C
v

Circuito de Entrada Circuito de Salida
Fig.3.6.14

Debido a que en la malla de entrada la tensin neta aplicada es nula, se
deduce:
0
2 1
= =
be be
v v 0
2 1
= =
o o
v v
Las anteriores expresan que ganancia de modo comn es nula, tanto para
carga asimtrica como simtrica
A
c
= 0
2 1 2 1
=
= =
c
o o
c
o
c
o
v
v v
v
v
v
v
(3.6.10)


Se verifica que en el caso ideal bajo anlisis, el amplificador no responde a
la excitacin en modo comn.

Impedancia de Entrada de Modo Comn.
La impedancia que ve el generador, v
C
, se denomina de modo comn cuyo
valor se deduce del esquema siguiente.
= =
c
c
ic
i
v
Z

Fig.3.6.15



Respuesta al Modo Diferencial
Recordando que en el anlisis incremental, las tensiones constantes son
reemplazadas por cortocircuitos y en este modo de excitacin V
E
= cte, el
modelo del amplificador queda segn muestra la figura 3.6.16.

2 be m
v g
1 be m
v g
2 be
v
1 be
v

Modelo Lineal
Fig.3.6.16

Del esquema anterior se deduce:

C m
d
o
d
be
R g
v
v
v
v
2

2
1 1
= = y
C m
d
o
R g
v
v
2
2
=
Luego, la ganancia para salida asimtrica es:
1
1
d
d
o
A
v
v
= = -A
d2
=
C m
R g
2
1
(3.6.11)
Tomando salida entre colectores la ganancia se duplica.
C m
d
o o
R g
v
v v
=
2 1
(3.6.12)


Debe observarse que las expresiones anteriores estn en acuerdo con las
resultantes del anlisis efectuado en la seccin 3.6.4.

Impedancia de Entrada de Modo Diferencial.
Esta es la impedancia que ve el generador de modo diferencial y se
calcula en el esquema siguiente.

Fig.3.6.17
Z
V
i
h
id
d
b
ie
= = 2
Relacin de Rechazo de Modo Comn
Una forma de medir la calidad del amplificador diferencial es mediante la
siguiente relacin:
A
A
RRMC
d
c
= (Relacin de Rechazo de Modo Comn)
Para el caso ideal analizado, (3.6.10) Y (3.6.11), tomando salida
diferencial o simple es:
A
A
A
A
d
C
d
C
1
= =
En amplificadores reales es muy alta pero finita.
Relaciones tiles.
La tensin de salida v
ol
y v
o2
cuando los dos modos existan
simultneamente y la relacin de rechazo sea finita ser:
C C
d
d
v A
v
A v + =
2
1 01
=
|
|
|
|
.
|
\
|
+
C
d
d
C
d d
A
A
v
v
v A
1
1
2
1
(3.6.13.a)


C C
d
d
v A
v
A v + =
2
1 02
=
|
|
|
|
.
|
\
|

C
d
d
C
d d
A
A
v
v
v A
1
1
2
1
(3.6.13.b)
d d o
v A v v =
2 01

En las anteriores, la relacin
v
v
C
d
se denomina de amplitudes de seales
(R.S).
El trmino,
RRMC
RS
, representa la desviacin producida por el modo comn
para salida asimetrica respecto de la respuesta del amplificador
diferencial ideal.



3.6.8. Configuraciones Diferenciales Integradas
Del estudio previo se desprende que las caractersticas relevantes en un
amplificador diferencial sern una elevada relacin de rechazo de modo
comn, que se traduce en el mismo sentido en la ganancia de modo
diferencial y altas impedancias de entrada, (Modo diferencial y Modo
comn). En aplicaciones discretas el alcance de estos objetivos estn muy
limitados, en cambio en estructuras integradas existen soluciones simples
y eficaces. Por ejemplo respecto de la primera, se vio en la seccin 3.5,
que la carga activa produce un significativo aumento de la ganancia del
amplificador de emisor comn all desarrollado, este esquema se repite en
la figura 3.6.18. Es fcil advertir que esta estructura se corresponde con
un amplificador diferencial. En efecto observando la malla de entrada del
esquema, se deduce que el transistor Q2, tambin es excitado por la
seal de entrada con igual magnitud que Q
1
pero en contrafase, en
consecuencia tomando salida del colector de Q
7
,v
o2
, se obtiene una
expresin semejante a la dada por (3.5.1) para el colector de Q
1
pero
invertida en fase.
1
7
2
2
1

= =
oe m
i
o
V
h g
v
v
A
Teniendo presente que Q
6
y Q
7
tienen parmetros iguales, (h
oe6
=h
oe7
), las
dos expresiones tienen igual magnitud, en consecuencia si se toma seal
entre ambos colectores, (Carga flotante infinita), se duplica la ganancia tal
que formalmente se repiten las expresiones (3.6.11) y (3.6.12), halladas
en la seccin 3.6.7 :

1
6
1 2
=
=
oe m
i
o o
V
h g
v
v v
A
2
d
m
v
g
7 oe
h
2 o
v
d i
v v =
1 be
v
2 ie
h
1 ie
h
2 be
v
1 b
i
e
v
2
d
m
v
g
6 oe
h
1 o
v
1
B
2
B
5
Q
4
Q 3
Q
2
Q 1
Q
6
Q
R
i
v
7
Q
0 = i
2 o
v
1 o
v
2
d
m
v
g
2
d
m
v
g

Fig.3.6.18


En aplicaciones de amplificadores en cascada directamente acoplados,
(Ej. Amplificadores Operacionales), la etapa diferencial de figura 3.6.18
podra ser utilizada para excitar con la salidas v
o1
y v
o2
, los terminales de
base de otro diferencial con la finalidad de aumentar la ganancia global,
pero es muy frecuente en estas aplicaciones que la etapa siguiente tenga
un solo terminal de excitacin, (Ej. Emisor o Colector Comn), en estas
condiciones la estructura anterior utilizara solo una de las dos salidas
para atacar la etapa siguiente, entregando solo la mitad de la ganancia de
modo diferencial del caso anterior. La estructura diferencial mostrada en
figura 3.6.19, soluciona este problema permitiendo recuperar la otra
mitad utilizando salida por un solo colector, mediante la accin
denominada suma de fases, su modo de operacin ser analizado a
continuacin.
En condiciones de reposo, el par diferencial Q
1
y Q
2
, es polarizado con la
mitad de la corriente de la fuente respectiva de emisor. Los colectores son
cargados por el espejo de corriente bsico Q
6
y Q
7
. La corriente de
colector de Q
1
es extrada del colector del transistor objeto del espejo Q
6
y
copiada en verdadera magnitud por Q
7
, siendo igual a la de colector de
Q
2
.

EE
V
CC
V
7
Q
6
Q
2
o
I
~
2
o
I
~
i
r
1
B
2
B
S

L
R

Fig.3.6.19
Condicin de Reposo
La figura 3.6.20.a, muestra el comportamiento dinmico del amplificador
cuando es excitado por los generadores v
1
y v
2
.
En efecto, considerando nicamente el efecto del modo comn y
considerando este en excursin positiva, las corrientes incrementales que


se establecen estn indicadas en lnea de puntos a la derecha de cada
dispositivo, siendo i
C1c
la de colector de Q1 que es extrada del colector de
Q
6
y copiada por Q
7
que la inyecta al nodo S, si la corriente de Q
2
es igual
a la de Q
1
, aplicando ley de Kirchoff de corrientes al nodo suma (S) y
admitiendo simetra en ambos brazos del diferencial resulta:
c C c C c C
i i i
7 6 1
= =
y si
c C c C
i i
2 1
=
, en el nudo suma se verifica que
la corriente en la carga es nula.
0
2 7
= =
c C c C oc
i i i

Ntese que debido a la polarizacin con fuente de corriente real, hay
respuesta al modo comn en los colectores del diferencial pero si ambos
brazos del diferencial son simtricos, estas no circulan por la carga.
En cambio, considerando excitacin en modo diferencial con polaridad
positiva en la base de Q
1
, las corrientes incrementales que se establecen
estn indicadas por las flechas de lnea llena. En esta condicin en el nodo
suma se cumple que la corriente en la carga es la suma de las
componentes de modo diferencial de los colectores de Q
1
y Q
2

d C d C d C d C od
i i i i i
2 1 2 7
+ = + =

L
R
S
1 7 be m d C
v g i =
2 oe
h
2 2 be m d C
v g i =
6 7
1
v
2
v
d C
i
7
d C
i
6
d C
i
2
d C
i
1
c C
i
7
c C
i
2
c C
i
1
c C
i
6
d C d C
i i i
7 2 0
+ =
o
v

L
R
i
r
S
E
I A
d
v
1 be
v
2 ie
h
1 ie
h
2 be
v
1 b
i
1
B
o
v
7 oe
h
1
2
be m o
v g i =

(a) (b)
Fig. 3.6.20


La figura 3.6.20.b muestra el modelo lineal del amplificador para
excitacin en modo diferencial del que se calcula la ganancia de tensin
respectiva.
T P n
P n
R
L oe oe m
d
o
d
V VAF VAF
VAF VAF
R h h g
v
v
A
O
1
) (
) // // (
1
7
1
2
+
~ = =

3.6.9.Tcnicas de Elevacin de la Impedancia de Entrada de
Modo Diferencial.

En general la impedancia de entrada de modo diferencial es bastante ms
chica que la respectiva de modo comn ya que esta ltima est definida
fundamentalmente por la impedancia de emisor reflejada a la base, que
en el caso de polarizacin con fuente de corriente es muy elevada. Las
tcnicas para elevar Z
id
apuntan obviamente a reducir la corriente de
polarizacin de bases del par diferencial en cualquiera de las
configuraciones vistas. Desde esta perspectiva la conclusin inmediata es
remplazar cada transistor del par por una configuracin Darlington,
(Fig.33.6.21). Con esta modificacin, a igualdad de corriente de
polarizacin (I
o
), que implica mantener el valor de la transconductancia y
con ello de la ganancia, se produce una reduccin considerable de las
corrientes en los terminales de entrada, que se traduce en sentido
contrario en la impedancia de modo diferencial.
En efecto de Figura 3.6.21.b se deduce:

4 2 3 1 4 3 fe ie fe ie ie ie id
h h h h h h Z + + + =
Considerando iguales los parmetros h
fe
de los transistores, la anterior
muestra que la configuracin dobla el valor de la impedancia de modo
diferencial que mostrara un par diferencial simple.

3
4
ie id
h Z ~
3
B
d
v
1
Q
2
Q
4
Q 3
Q
o
I
1 be
v
4 2 fe ie
h h
3 1 fe ie
h h
2 be
v
3 b d
i i =
3
B
4 ie
h
3 ie
h
id
Z

(a) (b)
Fig.3.6.21



Obviamente un salto sustantivo en la elevacin de ambas impedancias de
entrada se obtiene implementando el par diferencial con transistores de
efecto de campo.
La figura 3.6.22 muestra en condiciones de reposo una estructura tpica
con transistores NJFet polarizados con tcnica mixta, por resistencia de
surtidor R
S
y fuente de tensin, V
SS
.

Fig.3.6.22
Asumiendo que ambos transistores son iguales y operan en zona de canal
saturado, la relacin de transferencia es:
2
2 , 1
1
|
|
.
|
\
|
+ =
po
GS
dss D
V
V
I I
En el caso de utilizar transistores NMOS en el diferencial, conviene
expresarla en los siguientes trminos:
( )
2
2 , 1 GS TH n D
V V K I =
Con los mismos argumentos utilizados en la versin bipolar, simetra
circuital en las mallas de entrada, se justifican las siguientes relaciones.

2 1 GS GS
V V =
2
2 1
O
DS DS
I
I I = =
La figura 3.6.23, muestra la solucin grfica sobre las caractersticas de
transferencia y de salida, donde las ecuaciones de las rectas de
polarizacin y de carga resultan:
D S SS GSQ
i R V V 2 = (3.6.14)
( )
D S D SS DD DS
R R i V V V + + = 2


Fig.3.6.23

Anlisis con Excitacin Simtrica, (Modo Comn).
Recordando que la condicin de reposo es un caso particular de la
excitacin en modo comn, el circuito que ve el transistor J
1
en esta
situacin se muestra en la figura siguiente

Fig.3.6.24



Anlisis del Rango del Modo Comn.
En esta condicin de excitacin, la ecuacin de la recta de polarizacin,
(3.6.14) incluye el modo comn aplicado
S D SS GS C S D GS SS C
R i V V v R i V V v 2 2 + = + = + (3.6.15)
El modo comn mnimo, lleva al corte al transistor J
1
, I
DS
=0, en esta
condicin la ecuacin (3.6.15) queda:
v V V
Cmin
i
GS SS
D
.
=
=
0

PO
i
GS
V v
D
=
=0

SS PO
i
C
V V v
D
=
=0
. min

La anterior muestra que la tensin de modo comn ms negativa
aplicable, es superior a la de alimentacin negativa. La grafica de
Fig.3.6.25 ilustra el anlisis.
En cambio la tensin ms positiva de modo comn ser para I
DSmx
= I
DSS
.
.
S DSS SS S D SS
i
GS
i i
C
R I V R I V V v
D D D
2 2
max
0
max
max max
+ = + =
=
=

La conclusin anterior es cierta si y solo si el punto de operacin sobre las
caracterstica de salida Q
mx
en Fig.3.6.23, tiene por abcsa V
CE
> V
PO
.

Figura 3.6.25



Excitacin Asimtrica, (Modo Diferencial).
De igual manera que en el caso bipolar en este modo, los transistores
operan en configuracin surtidor comn, (V
S
= Cte), quedando excitadas
cada una de las juntas compuerta - surtidor con la mitad del modo
diferencial aplicado.
En consecuencia el circuito visto en este modo por cada transistor desde
los terminales de salida ser el siguiente:

2
d
v
1
J
1 d
I
Cte V
S
=

Fig.3.6.25
Teniendo presente que la relacin de transferencia del transistor de efecto
de campo es cuadrtica, a diferencia del caso bipolar que es exponencial,
se puede prever que a igualdad de porcentaje de distorsin no lineal de
salida, el primero admitir amplitudes en modo diferencial bastantes
mayores pudiendo ser algunos cientos de milivoltios.
D
Recta de carga de modo
diferencial

Fig.3.6.26

La figura anterior ilustra lo comentado.



Anlisis con Seal Dbil.
Modo Comn.
El esquema de figura siguiente modela al amplificador de figura 3.6.22,
con el circuito de surtidor reflejado a drenador. En este modo es
c g g
v v v = =
2 1
, de manera que ambos generadores controlados de salida
excitaran en fase el nodo de surtidor

) 1 ( 2 +
S
R

(a) (b)
Fig.3.6.27

Del esquema (b) se deducen las siguientes relaciones.
c
S D
D
o o
v
R rds R
R
v v
) 1 ( 2
2 1
+ + +
= =
La anterior puede ser puesta en trminos de la transconductancia para
ser directamente comparable con el caso bipolar

ds
S
ds
D
D m
c
o
c
o
r
R
r
R
R g
v
v
v
v
) 1 ( 2
1
2 1
+
+ +
= = (3.6.16)


Modo diferencial.
La figura siguiente modela al circuito el esquema 3.6.28, del que se
deduce la ganancia de modo diferencial.

2
d
g
v
v =
2
d
v

Fig.3.6.28

( )
ds D
d D
o
r R
v R
v
+
=

2
1
1 d D
D
v R
rds
R
gm
.
1
2
1
+
=
Generalmente se cumple
R
rds
D
<<1
.
2
1
1 2
D m
d
o
d
o
R g
v
v
v
v
~ = (3.6.17)
Tomando salida diferencial a la salida
D m
c
o o
R g
v
v v
~
1 2
(3.6.18)

No obstante la anterior tiene la forma matemtica clsica de la ganancia
de tensin, es necesario remarcar que a igualdad de corriente de
polarizacin, la transconductancia en el transistor de efecto de campo es
bastante ms chica que en el bipolar.



Relacionando (3.6.17) y (3.6.16) se obtiene la relacin de rechazo de
modo comn para salida asimtrica.

RRMC = )) 1 (
2
1 (
2
1
+ + ~
rds
R
Ac
Ad
S
(3.6.19)
Obviamente en las versiones integradas del amplificador analizado
generalmente se utilizan las tcnicas ya vistas para el caso bipolar de
optimizacin de la performance, carga activa y polarizacin por fuente de
corriente etc.

Impedancias de Entrada.
Debido a que se ha idealizado el modelo considerando a ambas puertas
aisladas, tanto la impedancia que ve el generador de modo comn como
el diferencial resultan infinitas. No obstante en el caso real son finitas y
muy elevadas.



3.7. AMPLIFICADORES DE POTENCIA.
Operacin Clase A.

El bajo rendimiento del amplificador clase A se debe en gran parte a la
potencia de continua que disipa la resistencia de colector debido a la
corriente polarizante de colector, que se suma en el caso de acoplamiento
capacitivo, a la potencia de seal producida por la fraccin de esta que
toma aquella resistencia. Ambos inconvenientes se evitan al utilizar
acoplamiento inductivo como lo muestra la Fig.3.7.2, elevando el
rendimiento.
Este tipo de acoplamiento se utiliza en la actualidad, salvo raras
excepciones, en etapas amplificadoras de seales de radio frecuencia de
banda angosta y utiliza el efecto transformador para acoplar la seal de
una etapa a la siguiente, aislando las condiciones de continua a ambos
lados del mismo. Para una mejor comprensin de sus cualidades conviene
repasar brevemente las caractersticas de funcionamiento del
transformador ideal, Fig. 3.7.1.

Fig.3.7.1

En el esquema se cumple:

v n
d
dt
v n
d
dt
O O 1 1
1
2 2
2
= =
| |
(3.7.1)
1
y
2
son los flujos concatenados por ambos devanados.
Si el acoplamiento magntico entre estos es unitario.
| |
1 2 1
1
2
2
= = v
n
n
v
O O

Adems en el caso ideal es ni n i i n i n
1 1 2 2 1 1 2 2
0 + = = (3.7.2)


Multiplicando miembro a miembro las anteriores se obtiene:

v i v i P P
o O 1 1 2 2 1 2
= =

En cambio dividiendo (3.7.1) y (3.7.2) se obtiene una relacin relevante
en las aplicaciones de este dispositivo.

v
i
n
n
v
i
R
n
n
R
O O
LP LS
1
1
1
2
2
2
2
1
2
2
=
|
\
|
.
| =
|
\
|
.
| (3.7.3)

En efecto, adecuando la relacin de vueltas es posible reflejar al primario
la impedancia con el nivel que ms convenga. La figura 3.7.2 muestra una
aplicacin en baja frecuencia donde, seal y carga estn acopladas
magnticamente a una etapa de emisor comn operando en clase A.

Fig.3.7.2

De la que se deduce a la salida para operacin en continua la siguiente
relacin, que se grafica en Fig. 3.7.4.
e CQ CC CEQ
R I V V =
La figura 3.7.3 muestra el circuito para las componentes incrementales a
partir del cual se realiza el anlisis de alterna.


Fig.3.7.3
La impedancia que ve el valor incremental de la corriente de colector es:
R
n
n
R
P L
=
|
\
|
.
|
1
2
2

De manera que la ecuacin de equilibrio de tensiones en la malla de salida
ser:
v i R
ce c P
=
Refiriendo la ecuacin de la recta de carga de alterna a los valores totales
de la variables. (I
C
y V
CE
) se obtiene:
e CQ CE P c CC
R I V R i V + + =
P C P CQ e CQ CC CE
R I R I R I V V + =
P C CCeq CE
R I V V = (3.7.4)

Fig.3.7.4



En esta aplicacin, generalmente el transformador produce una accin
elevadora de la impedancia hacia el primario, tal que:
R
p
> R
L
y R
p
>> R
e

Esto hace que:
V
CCeq
> V
CC

La posicin del punto de reposo que maximiza la excursin se deduce de
la figura 3.7.4.
En efecto de debe cumplir que:
P CQ CEQ
R I V = (
max C
I

- I
CQ
)
P CQ e
R I R =
( )
P e CQ e C
R R I R I + =
max

CA CC
CEsat CC
P E
CEsat CC
CQ
R R
V V
R R
V V
I
+
=
+
=
Relacin que responde al caso general para clase A.

Relaciones de Potencia.
Si se sacrifica estabilidad del punto de reposo, (R
e
0 ),se cumple que

CC CEQ
V V =
Adems si, 0 ~
CEsat
V y se polariza para mxima excursin simtrica se
obtiene:
CC CE
P
CC
P
CEQ
CQ
V V
R
V
R
V
I 2
max
= = =
En estas condiciones la potencia suministrada por la fuente ser:
P
CC
CC CQ CC
R
V
V I P
2
= = (3.5.5)
La potencia til para seal senoidal.
P
CC
P
CQ
L
R
V
R
I
P
2 2
2
2
max
= = (3.7.6)
% 50 % 5 .
2
1
max
max
max
= = = = q q
CC
L
P
P
(3.7.7)
La anterior muestra que el rendimiento de la etapa duplica al caso ideal
de acoplamiento directo.


Anlisis con Seal Dbil.
La figura siguiente modela al circuito de figura 3.7.3.

Fig. 3.7.5
Del esquema se deducen las siguientes relaciones.

i i
n
n
c 0
1
2
= ; v v
n
n
ce 0
2
1
= ; ' =
|
\
|
.
| h h
n
n
ie ie
3
4
2
; v v
n
n
v
i i be
'
= =
4
3

|
|
.
|
\
|
(
(
|
|
.
|
\
|
= =
3
4
2
2
1
n
n
n
n
gmR
v
v
v
v
A
L
i
be
be
o
v

Z h h
n
n
i ie ie
= ' =
|
\
|
.
|
3
4
5



Operacin Clase B.
Introduccin.
El bajo rendimiento en amplificacin clase A, debido fundamentalmente a
la componente polarizante del dispositivo, hace que en aplicaciones de
potencia se sacrifica linealidad recurriendo a configuraciones que operen
con polarizacin cuasinula o negativa, (Clase B o C, respectivamente).
Diferentes conexiones fueron desarrolladas para satisfacerlas desde la
poca del tubo de vaco, que fueron posteriormente repetidas con
tecnologa de estado slido, agregando otras diferentes debido a la
posibilidad de producir componentes en polaridades complementarias,
cualidad no presente en las vlvulas.
La figura 3.7.6a muestra una etapa de emisor comn operando sin
polarizacin de continua de la junta base emisor, excitada con seal
senoidal y (b) repite la aplicacin con polaridad complementaria. Cuando
la seal pasa por cero no conduce ninguno de los transistores hasta que
se supere el valor de la tensin de codo de la junta base emisor
respectiva, esto ocurrir en el transistor Qn, durante el semiciclo positivo
de la seal y en Qp en el negativo, permaneciendo el resto del ciclo
respectivo cortado. En rigor estos circuitos operan en clase C debido a que
conducen menos de 180
o
ya que no hay conduccin inmediatamente
despus del cruce por cero, sino recin cuando la seal supere la tensin
de codo, produciendo una muesca al comienzo y final del semiciclo de
conduccin, denominada distorsin de cruce.

CC
V
L
R
O V
EE
V
L
R
O
V
in
v
in
v
Rb
Rb
Qn
Qp
Ic
Ic

(a) (b)
Fig.3.7.6

La distorsin de cruce puede ser corregida, polarizando levemente la junta
( V
BEPOL
~ .4V), de manera que la conduccin plena se inicie apenas
superado el cruce por cero de la seal, resultando en consecuencia un
ngulo de conduccin en colector de aproximadamente 180
o
Fig. 3.7.7.



BEpol
V
CC
V
L
R
in
v
cn
I

Fig.3.7.7a
No obstante la correccin de la distorsin de cruce la seal de salida,
aunque amplificada, no repite la de entrada, mostrando fuerte alinealidad,
an considerando la caracterstica de transferencia lineal, (I
C
V
BE
), a
partir de la tensin de prepolarizacin V
BEpol
, como lo muestra la Fig
siguiente.

BEPOL
V
BE
V
t
in
v
C
I
C
I
C
I

3.7.7.b



En efecto, suponiendo que el pulso de corriente de salida I
C
sea un
semiciclo senoidal perfecto, (Clase B), el desarrollo en serie de Fourier
para Qn, responde a la siguiente expresin:

I
Cn
(t)= I
CAV
+I
C1
cose
1
t +I
C2
cos e
2
t+I
C3
cos e
3
t+.. (3.7.9)

Donde las magnitudes de las componentes estn relacionadas con la
cresta del pulso de corriente de colector a travs de la siguiente
expresin.

}

Cn
C1
CAV
I
2
2
I
I
) 1 (
1
2
;
2
) (
n
I I I
t I
n
C C C
Cn
=
t t
(3.7.10)
De las anteriores se infiere que para recuperar la seal original, (I
C1
), es
necesario eliminar los armnicos. Los procedimientos utilizados para
realizarlo dependen de la banda de frecuencias de operacin. Por ejemplo
en altas frecuencias se utiliza el filtrado, cargando el colector con un filtro
pasabanda, sintonizando la frecuencia de la componente fundamental con
un circuito resonante paralelo y acoplando la carga real, capacitiva o
inductivamente. Esta opcin es aplicable en radiofrecuencias debido a que
la realizacin prctica es de volumen y costo reducido. El anlisis siguiente
supone un filtro pasabanda ideal.

Fig 3.7.8.a



Fig.3.7.8 b

La fig 3.7.8 b, muestra la impedancia del circuito tanque, (Ideal), versus
frecuencia, superpuesta al espectro de la seal. De ella se deduce que
excepto la fundamental, las otras componentes de Fourier, del pulso de
corriente de colector, vern impedancia nula en la malla respectiva, en
consecuencia no desarrollarn tensin sobre la carga, en cambio la
fundamental,(Frecuencia de resonancia del tanque), circular por la
resistencia R
L
,

de manera que la ecuacin de equilibrio de tensiones de la
malla de salida ser:

L C CC CE O
R I V V V
1
= = (3.7.11)

Fig.3.7.9


Considerando nula la tensin de saturacin del transistor, la excursin
mxima de corriente en la carga ser:

max CC O
V V =
L
CC
C
R
V
I =
max 1
(3.7.12)
De las anteriores se deduce que la tensin mxima, colector - emisor
duplica la de alimentacin en el semiciclo opuesto:

CC L C CC CE
V R I V V 2
max 1 max
= + = (3.7.13)
En trminos de energa se debe entender que durante el semiciclo de
conduccin del transistor, la fuente entrega energa a la carga y al tanque
de manera que en el siguiente este la devuelve a la carga, (Efecto volante
de inercia), manteniendo el ciclo completo.

Relaciones de Potencia en clase B Ideal.
Del anlisis previo se deducen fcilmente las relaciones de potencia en
operacin clase B ideal.
En efecto considerando las relaciones que tienen las amplitudes de las
componentes de Fourier, con la respectiva del pulso de corriente de
colector,(3.7.10), se deduce:
1
C C
I I =
Teniendo presente que el pulso de corriente de colector es suministrado
por la fuente de alimentacin, la potencia media cedida por esta ser:
CC
C
CC
C
CC CAV CC
V
I
V
I
V I P
t t
1
= = = (3.7.14)
La potencia media entregada a la carga es:

L
C
L
R
I
P
2
2
1
= (3.7.15)
El rendimiento mximo de la etapa se obtendr en condiciones de mxima
excursin.
En efecto a partir de (3.7.14) y (3.7.15) se deduce la siguiente expresin.

785 .
4

max
max
max Im
= = = =
t
q
CC
L
L
CC
ax C
P
P
R
V
I Para (3.7.16)


La potencia disipada en el transistor se encuentra por diferencia de las
citadas.

L
C
CC
C
C
R
I
V
I
P
2

2
2
1 1
=
t
(3.7.17)
De la anterior se puede deducir el valor de la cresta que maximiza la
potencia disipada en colector

L
CC
C
C
C
R
V
I
I
P
t
2
1
1
= =
c
c
(3.7.18)
Valor que llevado a (3.7.17) permite calcular la potencia mxima disipada
en colector.
L
CC
C
R
V
P
2
max
2 . ~ (3.7.18.b)
Esta ltima permite medir un parmetro importante, que se refiere a la
relacin entre la potencia la potencia media mxima en trminos ideales
que se podra entregar a la carga y la mxima exigida al transistor
5
1
max
=
L
Cmx
P
P

La anterior dice que por cada 5W a entregar a la carga el transistor
disipar 1W
El grfico 3.7.10 ilustra el anlisis.

L
CC
C
R
V
I
t
2
1
=
L
CC
C
R
V
I =
max 1
L
P
CC
P
CC
p
max
q
L
p

Fig.3.7.10



Amplificador de simetra complementaria.
EL desarrollo en serie de Fourier semejante a (3.7.9) para el semiciclo de
salida de Qp de Fig 3.7.6.b, teniendo presente que su corriente de
colector, mantiene un desfasaje de 180
o
con respecto Q
n
, ser:

I
Cp
(t)= I
CAV
+I
C1
cos(e
1
t+t) +I
C2
cos (e
2
t+2t)+ I
C3
cos(e
3
t+3t)+

Utilizando la siguiente identidad, cos (et + nt)= (-1)
n
cos (et), El
desarrollo anterior se expresa de la forma siguiente:

I
Cp
(t)= I
CAV
-I
C1
cos(e
1
t) +I
C2
cos (e
2
t)- I
C3
cos(e
3
t)+ (3.7.19)
A partir de (3.7.9) y (3.7.19) se puede ver que restando ambas se puede
eliminar todas las componentes pares de la seal de salida, reduciendo
sensiblemente la distorsin. Una idea circuital de hacerlo es propuesta en
el esquema de Fig.3.7.11, que conecta los circuitos complementarios de
Fig.3.7.6 unidos por emisor, excitados con la misma fuente de seal y
ambos con correccin de la distorsin de cruce. Aqu el funcionamiento de
cada uno repite, exactamente el descrito en forma individual.
En condiciones de simetra de pulsos es fcil ver que tomando salida
(V
on
-V
op
), se produce la cancelacin comentada y se reproduce con mas
fidelidad la seal de entrada amplificada.

V
on
-V
op
= R
L
(I
Cn
-I
Cp
)= R
L
(2I
C1
cos(e
1
t) + 2I
C3
cos(e
3
t)+ ..) (3.7.20)

CC
V
L
R
Rb
Qn
Icn
EE
V
L
R
in
v
Rb
Qp
Icp
on
v
op
v
op on
v v

Fig.3.7.11



Para que la conclusin previa sea practicable es necesario que la resta en
cuestin se realice sobre una impedancia de carga comn, una manera
simple de lograrlo con acoplamiento directo, es cambiando la disposicin
de los componentes en el circuito de Fig.3.7.11, de manera que la
resistencia de carga sea compartida por ambos transistores como lo
muestra la figura 3.7.12a, en estas condiciones la corriente en la carga
ser:
I
L
= I
cn
-I
cp
, satisfaciendo (3.7.20 ).
El razonamiento previo supone simetra de operacin, esto es que ambos
semiciclos de salida tengan idntica amplitud, pero debido a que ambos
operan con ganancia de tensin, ( Emisor comn), en un caso real
difcilmente ser satisfecha la premisa. Esto se corrige en parte,
introduciendo leve realimentacin negativa a travs de pequeas
resistencias en ambos emisores,(Re en Fig.3.7.12.a ), que an a igualdad
de valores, actuar ms fuertemente sobre aquel que trate de conducir
mayor corriente de emisor, ecualizando de esta manera las ganancias y en
consecuencia las excursiones respectivas. En la prctica esta correccin no
es perfecta resultando, distorsin a la salida superior a la que expresa
(3.7.20), debido tambin a la no linealidad de la relacin de transferencia
real [I
C
exp(V
BE
/V
T
)]. Adems el hecho que el punto medio de las
fuentes de alimentacin est flotante y no conectado a la referencia de
seal lo hace muy sensible al ruido externo, no obstante, esta
configuracin es utilizada en aplicaciones donde se requiera elevado
rendimiento y ganancia de tensin.

Rb
Qn
Icn
in
v
Rb
Qp
Icp
L
R
CC
V
EE
V
Rb
Qn
Icn
in
v
Rb
Qp
Icp
L
R
L
R
E
R
E
R
CC
V
EE
V

Simetra Complementaria. E.C. Simetra Complementaria. C.C.
(a) (b)
Fig.3.7.12
En aplicaciones de amplificacin en cascada, la ganancia de tensin
requerida se logra en etapas clase A con bajos valores de potencia,
priorizando linealidad, utilizando operacin clase B o AB en la etapa de


salida, para aportar la potencia final requerida por la carga nicamente en
trminos de ganancia de corriente.
Para satisfacer estos requerimientos se puede utilizar el circuito anterior
simplemente cambiando la referencia de tensin de seal de entrada al
punto medio de las fuentes de alimentacin, Fig 3.7.12b. En estas
condiciones, las caractersticas de operacin del conjunto cambian
fundamentalmente, debido a que los transistores operan alternadamente
pero en configuracin colector comn,(Seguidor de tensin).Aportando
ganancia de corriente y mejorando substancialmente la linealidad, debido
a la ecualizacin efectuada por la fuerte realimentacin negativa que
introduce la propia resistencia de carga en emisor. Adems al utilizar
como Terminal de referencia el punto medio de las fuentes, posibilita, con
un adecuado conexionado, la desensibilizacin al ruido
Esta ltima configuracin, aunque con modificaciones que mejoran su
performance, se denomina de simetra complementaria y es la que se usa
casi sin excepcin a la salida de los amplificadores integrados de
acoplamiento directo. (Ej. Amplificadores Operacionales). La figura 3.7.13,
muestra el anlisis grfico de este ltimo circuito, sobre las caractersticas
de salida, mostrando diferentes rectas de carga para cada semiciclo de
operacin, (Trazos Gruesos).

L
CC
Cn
R
V
I
L
R
1
Vcc
CEn
V
Vcc 2
cn
I

Fig.3.7.13
En efecto para Qn ser, en el semiciclo positivo.

V
CEn
= V
CC
V
L
=V
CC
- I
Cn
R
L

En el negativo en cambio ser:
I
Cn
= 0 V
CEn
= V
CC
V
L
=V
CC
+ I
CP
R
L

Suponiendo:
V
CESAT
=0 V
Lmax
=
CC L Cp
V R I =
V
CEnmax
=2 V
CC
Idnticas conclusiones son aplicables a Qp.


En trminos ideales de filtrado y operacin de los transistores, las
relaciones de potencia desarrolladas en ambas configuraciones sern las
mismas que las deducidas para el amplificador clase B sintonizado de la
seccin anterior, considerando que la amplitud del pulso de corriente de
cada transistor, es igual a la respectiva de la componente fundamental en
la carga
En efecto considerando nicamente la fundamental de la corriente en la
carga y recordando la relacin de I
C1
con la cresta del pulso senoidal,
(Ec. 3.7.10) se obtiene:

I
L
= I
Cn
-I
Cp
= 2I
C1
cos(e
1
t) + 2I
C3
cos(e
3
t).....

Cp Cn C
C
C L
I I I
I
I I

2
1
= = = = =
En efecto en referencia a las formas de onda de corriente mostradas abajo
se cumplen las siguientes relaciones.
) (
) (
) (
t sen I t sen
R
V
i
C
L
O
t C
e e = =
La potencia suministrada por cada fuente es:

t o o
t
t
/ . ) (
2
. ). ( .
1
0
2
0
c I Vcc d i
Vcc
dt t i Vcc
T
Pee Pcc
c c
T

= = = =
} }


Potencia total suministrada

Corriente en la carga
Potencia media en la carga.
La potencia media disipada en los transistores se obtiene por balance de
las mismas en la malla de salida.

L
CC
C CC O
R
V
I V V SI = =
max max

De las anteriores se deduce el nivel de excursin de la corriente respectiva
que maximiza la potencia disipada en el transistor.
L
CC
C
C
C
R
V
I
I
P
t
o
o 2
= =
L
CC
C
R
V
P
2
max
1 . =
Como es obvio, comparando esta ltima con (3.7.18.b), la potencia
disipada en cada transistor resulta la mitad que en el caso sintonizado.

2
.
2
2 C
L L L L
I
R rms I R P

= =
2
. 2 2 2
2
C
L
C CC
L CC C
I
R
I V
P P P

= =
t
t
c I Vcc
Pcc

. . 2
2 =


Finalmente el rendimiento mximo de la etapa para mxima excursin
permitida valdr:

Operacin Clase C.

Reduciendo el ngulo de conduccin del dispositivo activo por debajo de
180
o
se lleva al amplificador a operacin clase C. En estas condiciones se
demuestra que segn se reduce el ngulo de conduccin, la componente
media del pulso de corriente de colector disminuye ms rpidamente que
la amplitud de la fundamental de manera que se puede prever que
filtrando adecuadamente la seal de salida, con un circuito semejante al
utilizado para el anlisis del clase B de Fig 3.7.1, el rendimiento
aumentar con respecto al obtenido en aquel, debido a que la potencia
suministrada por la fuente es proporcional a la primera y la til a la
segunda. El siguiente anlisis justifica el comentario.
EL grfico de fig.3.7.14, muestra el pulso de corriente para operacin
clase B ideal desplazado hacia negativo una cantidad ficticia m
1
debido a
la polarizacin negativa aplicada, de manera que el ngulo de conduccin
real se reduce a, u
c
< t con cresta igual a
C
I
.

Fig.3.7.14
De esta se puede deducir la amplitud de las componentes relevantes para
el anlisis, a partir del desarrollo de Fourier del pulso de corriente de
colector que responde a la siguiente expresin.

785 . 0
4
,
2
= = = =
t
q q
max
L
CC
cmax
ccmx
Lmax
max
R
V
I para
P
P


2
cos cos cos ) (
1
C
C
m m m m I
u
u u u = =
para u

s u
C
/2 (3.7.23)

Atendiendo la condicin de simetra impar del pulso, el desarrollo solo
tendr el trmino de frecuencia cero y los armnicos de funcin coseno.
Interesan particularmente la componente media y la fundamental.

( )
........ cos
cos ) (
1 1
.. 1
0
+ + = + =

=
t I I t n b I t I
C CAV n
n
I
C
CAV
e e

La primera ser:

}
|
.
|
\
|
= |
.
|
\
|
=
2
0
2
cos
2 2 2
cos cos
c
c c c c
CAV
sen
m
d
m
I
u
u u u
t
u
u
u
t
(3.7.24)

A continuacin se deduce la amplitud de la fundamental.

} }
|
.
|
\
|
= =
2
0
2
0
1
cos
2
cos cos cos ) (
2
2
C C
d
m
d I b
C
C
u u
u u
u
u
t
u u u
t

( )
|
|
.
|
\
|
+ =
|
|
.
|
\
|
=
} } }
2
0
2
0
2
0
2
1
2 2
cos 2 cos 1
2
1
2
cos cos
C c C
C C C
sen d
m
d d
m
b
u u u
u u
u u
t
u
u
u u
t

Desarrollando la anterior se obtiene:
( )
C C C
sen
m
I u u
t
=
1
(3.7.25)
En referencia al circuito sintonizado a la frecuencia fundamental de
Fig.3.7.8, la operacin clase C es en todo igual al all descrito para clase B,
en el sentido en que la nica componentes que desarrolla tensin en la
carga es I
C1
, cuyo valor cresta mximo en condiciones de tensin de
saturacin nula en el transistor esta dado por V
CC
/R
L
.
La tensin mxima en la carga ser


2

1 max CC L
C
C L C O
V R sen
m
R I V = |
.
|
\
|
= =
u
u
t
(3.7.26)
Resultando la potencia respectiva

l
O
L
R
V
P
2
2
max
max
=
La potencia suministrada por la fuente en condiciones mximas es:

CAV CC CC
I V P =
max

Finalmente relacionando las tres ltimas se obtiene el rendimiento
mximo resultante en funcin del ngulo de conduccin.

( )
|
.
|
\
|

|
.
|
\
|
=
2
cos
2 2
cos
4
1
max
C C C
C C
sen
u u u
u u
q (3.7.17)
El desarrollo anterior es general y aplicable en trminos ideales al clase B.
La siguiente tabla muestra los rendimientos mximos tericos para
diferentes ngulos de conduccin.

Clase u
c
Rendimiento,(q)

B 180 .785
C 150 ~.85
C 140 ~.86
C 120 ~.89

Electr+ Nica Anal+ Gica II - Parte I - 2012

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Universidad Nacional de Crdoba

Facultad de Ciencias Exactas, Fsicas y Naturales

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