Resumen 1

Resumen Disp.
Electrnicos Juan Pablo Colagrande Mart

U.T.N. F.R.M. - 1 - Dispositivos Electrnicos
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

UNIDAD I: FSICA DE LAS JUNTURAS

Semiconductores: Modelo de Enlace Covalente

Celda Unitaria:

Los elementos Si (Silicio) y Ge (Germanio) tienen cuatro electrones de
valencia, correspondientes a la frmula
2 2
p s . Se denomina a estos
materiales como elementos semiconductores. Dichos elementos cristalizan
como se ve en la figura.

Ligaduras covalentes:

A continuacin se presenta un diagrama de
ligaduras covalentes en stos elementos.
Cada tomo es representado por el ncleo y los
electrones de los niveles interiores (todos excepto
los de valencia). La circunferencia punteada
indica neutralidad de cargas.

Rotura de las ligaduras:

El cristal esta siempre sometido a una temperatura, que le proporciona energa a sus electrones.
Si la temperatura es K 0 = T , entonces el material no conduce, pues los electrones estn ligados
totalmente. A esa temperatura, el semiconductor se vuelve aislante.
Si la temperatura es K 0 > T , algn electrn adquirir una energa cintica que le permita vencer
la barrera de potencial y podr romper la ligadura, y pasar a ser un electrn libre. Adems, este
electrn deja una ligadura rota, que trata de reconstruirse con un electrn vecino. Cuando lo hace,
queda la ligadura vecina rota, generando as sucesivamente un hueco libre.

Este electrn libre permite la conduccin de electricidad. Tambin el hueco libre la permite, ya
que se comporta como una carga positiva en movimiento.

Hay que tener en cuenta que ambas cargas nunca se sitan en el espacio interatmico, pues ah
existe una barrera de potencial muy alta. Cunticamente suponemos que el electrn y el hueco
simplemente se transfieren de tomo en tomo sin haber desplazamiento fsico a travs de la
estructura.

Veremos tambin que el hueco tambin tiene masa. Pero para hablar de la masa de estos entes,
utilizaremos el concepto de masa efectiva, ya que este resume todos los efectos cunticos que
+4 +4
+4 +4
+4 +4
+4
+4
+4

Resumen Disp. Electrnicos Juan Pablo Colagrande Mart

afectan a los mismos. La siguiente tabla muestra los valores relativos de las masas efectivas
respecto del valor de la masa del electrn en reposo.

Electrn Hueco
Silicio
e n
m m . 1 , 1
*
=
e p
m m . 59 , 0
*
=
Germanio
e n
m m . 55 , 0
*
=
e p
m m . 37 , 0
*
=

Semiconductores intrnsecos:

En un semiconductor intrnseco, vale decir puro (intrnseco porque sus propiedades vienen definidas
desde el interior del material), a temperatura ambiente hay dos cargas libres que permiten la conduccin:
los electrones y los huecos. Para ello, cada electrn adquiere trmicamente una energa de eV 1 , 1 si el
material es Silicio, o eV 7 , 0 si es Germanio.
A dicha temperatura ( K 300 T ) en el Silicio aproximadamente 1 de cada
12
10 electrones adquiere esa
energa y escapa del enlace. Si consideramos que hay aproximadamente
22
10 tomos por
3
cm de
material, entonces tendremos una concentracin de electrones libres de:
at 10
el 1
.
cm
at
10
12 3
22
i
n

3
10
cm
el
10
i
n y
3
10
cm
el
10
i
p

siendo
i
n y
i
p la concentracin de electrones y huecos respectivamente en el material.
En todos los casos, los electrones se recombinan nuevamente con los huecos, pero al mismo tiempo se
vuelve a generar otro electrn libre. Hay entonces un equilibrio dinmico en el material que mantiene la
concentracin relativamente constante.

Semiconductores no intrnsecos (o extrnsecos):

Un semiconductor no intrnseco (o extrnseco, porque las propiedades se definen desde afuera) es aquel al
que se le ha agregado cierta concentracin de impurezas. Hasta ahora la presencia de electrones o huecos
se deba a la rotura trmica de las ligaduras y por lo tanto, estaban balanceadas en nmero. Veremos
ahora que agregando pequeas concentraciones de impurezas al material, las cantidades de electrones o
huecos diferirn una con otra.

Tipo N:

Se llaman impurezas donoras a las concentraciones de materiales del grupo V de la tabla
peridica, vale decir que tienen 5 electrones de valencia (pentavalentes), por ejemplo: Arsnico o
Fsforo.
Agregar impurezas donoras es una forma de agregar electrones libres sin agregar al mismo
tiempo huecos, y sin romper la neutralidad elctrica. Slo puede hacerse esto si agregamos
pequeas concentraciones, de modo que los tomos de cada elemento estn lo suficientemente
dispersos en el cristal como para no interactuar entre s.
Grficamente esto sera:



Representaremos a la concentracin de impurezas donoras con
3
14
cm
at.
10
D
N
Adems representaremos con n a la concentracin de portadores negativos y con p la de
portadores positivos:
3
14
cm
el.
10 n (mayoritarios en el material N)

3
6
cm
h.
10 p (minoritarios en el material N)

Siempre se cumple que:
2
.
i
n p n =
Tremosa Pg. 35
Si la temperatura aumenta, el material tiende a la condicin intrnseca, porque los portadores
minoritarios aumentan en cantidad.
/*Estudiar los desarrollos*/

Tipo P:

Se llaman impurezas aceptoras a las concentraciones de materiales del grupo III de la tabla
peridica, vale decir que tienen 3 electrones de valencia (trivalentes), por ejemplo: Aluminio,
Indio y Galio.
Agregar impurezas aceptoras es una forma de agregar huecos libres sin agregar al mismo tiempo
electrones, y sin romper la neutralidad elctrica. Tambin debe hacerse con pequeas
concentraciones.
Grficamente esto sera:

+4 +4
+4 +3
+4 +4
+4
+4
+4
Electrn faltante del tomo trivalente

No es un hueco comn, es un hueco
latente. La energa necesaria para que los
electrones vecinos enlazados llenen ese
hueco, es de eV 05 , 0 E para el Silicio,
lo que provoca la existencia de un hueco
libre.
+4 +4
+4 +5
+4 +4
+4
+4
+4
Quinto Electrn del tomo pentavalente

Sigue unido aunque dbilmente al tomo
pentavalente. Slo necesito una energa de
eV 05 , 0 E para el Silicio para
desprenderlo del enlace.


Representaremos a la concentracin de impurezas aceptoras con
3
14
cm
at.
10
A
N
Las concentraciones de portadores son:
3
14
cm
h.
10 p (mayoritarios en el material P)

3
6
cm
el.
10 n (minoritarios en el material P)

Tambin siempre se cumple que:
2
.
i
n p n =
Tremosa Pg. 35
Anlogamente con el otro tipo de material, si la temperatura aumenta, se tiende a la condicin
intrnseca, porque los portadores minoritarios aumentan en cantidad.
/*Estudiar los desarrollos*/

Podemos graficar la concentracin de
portadores en un material semiconductor
extrnseco con respecto a la temperatura (en
este caso a la inversa). El grfico determina
tres zonas: zona de ionizacin, zona extrnseca
y zona intrnseca. Para el normal
funcionamiento de los dispositivos, el
semiconductor debe trabajar en la zona
extrnseca, que es lo ms frecuente. All, sus
propiedades casi no varan con la temperatura.

Tremosa Pg. 39
Conduccin:

La conduccin elctrica en materiales conductores difiere de la misma en semiconductores. La diferencia
ms significativa radica en la naturaleza de dicha corriente.

Materiales Conductores:

Como vemos en las figuras anteriores, los electrones van chocando a medida que van avanzando,
logrando una velocidad promedio
d
v y una corriente de arrastre de electrones. Obtenemos as la densidad
de corriente de arrastre:
d
v q n J . . =
T
1

p
n

Zona
intrnseca
Zona extrnseca
Zona de
ionizacin de
impurezas
K T 50 = K T 470 =
E
x
Cobre
t
x
v
d
v


donde q es la carga del electrn. Tambin podemos reemplazar E v
d
. = donde es la movilidad que
tienen esos electrones. Obtendremos entonces una frmula as:

E q n J . . . =

y podemos decir que la conductividad del material (inversa de la resistividad) es . .q n = , entonces
obtenemos la ley de Ohm en su expresin de: E J . =

Materiales Semiconductores:

Varias son las causas que perturban el movimiento de los portadores durante la conduccin elctrica en
semiconductores:
a) Agitacin trmica
La agitacin trmica de la estructura cristalina provoca la dispersin de los portadores, y por lo
tanto, un aumento en la resistencia elctrica. A mayor temperatura, mayor dispersin, y por lo
tanto, menor velocidad crtica (la mxima alcanzada, a partir de la cual la aceleracin es cero).
b) tomos de impurezas ionizados
Cuando los electrones o lagunas pasan cerca de un tomo donor o aceptor ionizado, son repelidos
o atrados, segn el caso. Y por lo tanto, este efecto provoca la dispersin de los portadores.
Cuanto mayor es la temperatura, menor es el efecto dispersivo de los iones (porque la velocidad
es alta, y el efecto electrosttico es dbil)
c) tomos de impurezas sin ionizar
Los tomos de impurezas sin ionizar, que slo existen de manera significativa a muy baja
temperatura, dispersan a los portadores por el efecto gravitacional de sus masas, distintas a las
masas de los tomos del semiconductor.
d) Portadores de distinta polaridad
Los electrones y los huecos se dispersan entre ellos. Cuando circula la corriente para un sentido,
ambos portadores van en sentido contrario, y si estn cerca, se atraen, distorsionando el sentido de
la corriente, y disminuyendo su componente en el sentido original.
e) Portadores de la misma polaridad
Estos producen dispersin entre ellos al pasarse cerca, pero no afectan a la corriente, debido a que
sus sentidos de circulacin se mantienen a pesar de haberse dispersado.

En los semiconductores, al tener dos tipos de portadores, vemos que la densidad de corriente de arrastre
es:
E q p E q n J
p n A
. . . . . . + =

En ste caso vemos que diferenciamos con un subndice A para indicar que es de arrastre, porque existe
una corriente de otra naturaleza: la difusin, que denominaremos con el subndice D.

Conductividad:
Veremos cmo vara la conductividad con la temperatura en los semiconductores intrnsecos.



En la zona 1, la conductividad crece rpido
porque la concentracin de portadores crece
rpido debido a la ionizacin de impurezas. El
crecimiento es exponencial, por lo que predomina
sobre la disminucin de la movilidad en esa zona.
En la zona 2, la concentracin de portadores se
mantiene constante, porque prcticamente todas
las impurezas estn ionizadas y la temperatura no
es an suficiente para romper ligaduras a gran
escala. Pero la movilidad disminuye por efecto de
la dispersin trmica de los portadores, y por
ende, disminuye la conductividad. A esta zona
tambin se le llama metlica, porque el
comportamiento es similar a los metales,
disminuyendo la conductividad con la
temperatura.
En al zona 3, el nmero de portadores aumenta
rpidamente por la rotura trmica de ligaduras.
Este aumento, como es exponencial, predomina
sobre la disminucin de la movilidad.
Los nombres de las zonas se deben a la
dependencia de la conductividad con esos hechos.
Tremosa Pg. 40
Supongamos ahora un cristal semiconductor con una concentracin de portadores mucho mayor en un
lado con respecto al otro:

Se crean as corrientes llamadas de Difusin, que dependen de cmo varen las concentraciones en el
cristal, y que se expresan como:
dx
dn
q D J
n Dn
. . =
Corriente de Difusin de electrones

dx
dp
q D J
p Dp
. . =
Corriente de Difusin de huecos

Con esto, presente la difusin, se provoca un campo elctrico que crea una corriente de arrastre, opuesta a
la de difusin, logrando el material un equilibrio dinmico de corrientes.
n=1000 n=10
500
500 5
5
5
500
495
(+) (-)
E
Como hay diferencia de concentraciones, se
DIFUNDEN portadores de un lado al otro.
Al difundirse los portadores se crean excesos
de cargas opuestas, que generan un campo
elctrico que se opone a la difusin.


Semiconductores: Modelo de Bandas de Energa

Principio de Exclusin de Pauli:

El principio de exclusin de Pauli establece que dos electrones no pueden tener el mismo estado cuntico
de energa. Cuando dos tomos estn lo suficientemente separados como para no notar interacciones entre
s (estado gaseoso), los niveles energticos de los electrones pueden coincidir, pero si se comienzan a
acercar (estado slido), los electrones comienzan a ubicarse en distintos niveles energticos intermedios
para no violar el mencionado principio.
Como ejemplo para visualizar esto, veremos qu ocurre en un slido con la energa de sus electrones en
funcin de la distancia interatmica. Sabemos que para los materiales semiconductores, los electrones de
los ltimos niveles tienen la configuracin
2 2
p s . Esto nos dice que hay ocho estados disponibles y
cuatro electrones para ubicarse en ellos, por cada tomo. Al haber una cantidad grande de tomos, ocurre
lo siguiente:

Bandas de Energa:

Al posicionarnos en la distancia real de los tomos, obtenemos el diagrama de bandas de energa del
material.

Interpretacin de las bandas:
Las bandas pueden estar llenas, casi llenas, casi vacas o vacas. El comportamiento elctrico en cada
caso es el siguiente:
a) Una banda llena no conduce corriente
b) Una banda vaca no conduce corriente
c) Una banda casi llena conduce corriente mediante el desplazamiento de huecos
d) Una banda casi vaca conduce corriente mediante el desplazamiento de electrones
Tremosa Pg. 62
Semiconductores intrnsecos:

El diagrama de bandas de energa para el semiconductor intrnseco es:

E
2
s
2
p
= N cantidad de partculas (muy grande)
N A
B
A
= veces la cantidad de electrones y N B = veces la cantidad de estados
=
0
a separacin real de los tomos
6
2

2
2
8
4

4
4

4
0

Se divide en tantos niveles distintos
que se supone continuidad
x 0
a



Para que un electrn salte de la banda de Valencia a la
banda de Conduccin tiene que superar la banda
prohibida, donde ningn electrn puede estar.
Entonces necesita una energa de:

( )
A
T Si, eV 1 , 1 =
V C g
E E E

La Banda de Valencia, a una temperatura de K 0 se encuentra totalmente llena, pues tiene cuatro
estados y cuatro electrones. A esa misma temperatura, la Banda de Conduccin est totalmente
vaca, pues no tiene ningn electrn. A temperatura ambiente ( K 300 = T ), algunos electrones de
la Banda de Valencia adquieren esa energa
g
E y saltan hacia la Banda de Conduccin,
permitiendo la circulacin de una pequea corriente a travs del material, debido a que hay
electrones libres en la Banda de Conduccin, y huecos libres en la Banda de Valencia.

Semiconductores no intrnsecos:
Tipo N:

En un semiconductor tipo N, el diagrama de bandas es similar, slo con una pequea
diferencia. Aparece un nivel de energa donor
d
E , debido a los electrones de los tomos
pentavalentes. Es evidente que ste electrn necesita una pequea energa ( eV 05 , 0 ) para
romper el enlace y quedar libre. Entonces, inicialmente no est en la Banda de
Conduccin. Tampoco est en la Banda de Valencia, pues de esa manera hubiera
necesitado una energa mayor para quedar en conduccin. Entonces decimos que est en
un nivel de energa donor, ubicado en la Banda Prohibida, cerca de la Banda de
Conduccin. No es contradictorio afirmar lo anterior, ya que la banda prohibida es del
semiconductor, el nivel donor es de las impurezas.

Representamos al nivel
donor con una lnea, pues
las concentraciones de
impurezas se suponen
pequeas, para que no
interacten entre s los
tomos de las mismas. A
mayores concentraciones,
el nivel de energa donor
se convierte en una
pequea banda de
energa.
A temperatura ambiente, todos los electrones del nivel donor pasan a la conduccin,
haciendo que menos cantidad de los electrones de Valencia salten la banda prohibida.
Quedan determinados as los dos tipos de portadores: mayoritarios, los electrones; y
minoritarios, los pocos huecos que quedan en la Banda de Valencia.

Banda Prohibida
Banda de Conduccin
Banda de Valencia
E
C
E
V
E
d
E
eV 05 , 0
Banda Prohibida
Banda de Conduccin
Banda de Valencia
E
C
E
V
E
E
C
E
V
E


Tipo P:

En un semiconductor tipo P, aparece un nivel de energa aceptor
a
E , debido a los huecos
generados por los tomos trivalentes. Los electrones que estn en la Banda de Valencia
necesitan una pequea energa ( eV 05 , 0 ) para ubicarse en esos huecos. Entonces, los
huecos no estn en la Banda de Conduccin ni en la de Valencia. Los ubicaremos en un
nivel de energa aceptor, que esta en la Banda Prohibida, cerca de la banda de Valencia.
No es contradictorio afirmar lo anterior, ya que la banda prohibida es del semiconductor,
el nivel aceptor es de las impurezas.

Representamos al nivel
aceptor con una lnea,
pues las concentraciones
de impurezas se suponen
pequeas, para que no
interacten entre s los
tomos de las mismas. A
mayores concentraciones,
el nivel de energa
aceptor se convierte en
una pequea banda de
energa.
A temperatura ambiente, una gran cantidad de electrones de Valencia ganan la energa
suficiente y pasan al nivel aceptor, y unos pocos alcanzan a saltar la Banda Prohibida.
Quedan determinados as los dos tipos de portadores: mayoritarios, los huecos en la
Banda de Valencia; y minoritarios, los pocos electrones que saltan hacia la Banda de
Conduccin.

Si impurifico al material de ambas maneras a la vez, tiende a la condicin intrnseca, pues el salto
de banda ms probable (debido a la cantidad de electrones) es el de la Banda de Valencia hacia la
de Conduccin.

Estadstica de Fermi:

Fermi formula una funcin que determina la probabilidad de encontrar electrones en un estado de energa
determinado, a una temperatura dada. Dicha funcin se expresa de la siguiente manera:

( )
( ) T k E E
F
e
T E f
.
1
1
,
+
=
/*Estudiar el desarrollo*/
Tremosa Pg. 75
donde
F
E es la Energa de Fermi, que expresa la mxima energa que puede tener un electrn en
K 0 = T ; k es la constante de Boltzman.

A continuacin vemos un grfico de dicha funcin a varias temperaturas. El de lnea continua es en el
cero absoluto. A mayores temperaturas (lnea punteada), la curva se aleja de esa condicin.
Banda Prohibida
Banda de Conduccin
Banda de Valencia
E
C
E
V
E
a
E
eV 05 , 0
E
C
E
V
E



Al ver el grfico podemos redefinir la Energa de Fermi como la energa a la cual la probabilidad de
ocupacin vale 0,5 a cualquier temperatura.
El nivel de Fermi es siempre constante, mientras no vare la temperatura en distintos puntos del mismo
material, o las condiciones de equilibrio.
Si representamos dicha funcin sobre los diagramas de bandas para los tres tipos de semiconductores,
podemos sacar conclusiones interesantes:

Semiconductores Intrnsecos:

Aqu hay igual probabilidad para los electrones que para los huecos.

Material tipo N:

Aqu hay mayor probabilidad de encontrar electrones libres en la Banda de Conduccin que huecos en la
Banda de Valencia.

Material tipo P:

Aqu hay mayor probabilidad de encontrar huecos en la Banda de Valencia que electrones libres en la
Banda de Conduccin.

E
C
E
V
E
1
F
E
Probabilidad
menor
Probabilidad
mayor
E
C
E
V
E
1
F
E
Probabilidad
mayor
Probabilidad
menor
E
C
E
V
E
1
F
E
K 300 =
A
T
K 0 = T
Probabilidad que
haya electrones libres
Probabilidad que
haya huecos libres
F
E
1
0,5
E


Teora de Junturas

Juntura P-N:

La Juntura P-N es un monocristal de material semiconductor con contaminaciones distintas en sus
extremos, vale decir, con una variacin de concentracin de portadores de un extremo a otro del material.
Cabe aclarar que la Juntura P-N no es la unin o soldadura de un material N con uno P, sino un
monocristal.
Para comprender cmo funciona, supongamos dicha juntura representada en el siguiente grfico:

Toda juntura est formada por una zona de contaminacin aceptora (tipo P) separada de una de
contaminacin donora (tipo N). El plano que depara ambas zonas se denomina plano metalrgico. En
todo el anlisis vamos a suponer que la juntura es abrupta, ya que por ms que en la realidad no sea as la
construccin, los clculos siguen siendo vlidos debido a que no dependen del tipo de perfiles de las
contaminaciones.

Cuando decimos que la juntura est en equilibrio, nos referimos al equilibrio trmico, con lo cual
afirmamos que el sistema slo interacciona con el ambiente por medio de la temperatura (no existen
efectos de luz, campos magnticos o elctricos).

En nuestro anlisis vamos a hacer una aproximacin de vaciamiento, es decir, suponemos que la zona
de transicin de la juntura (o zona de carga espacial) se vaca de portadores por difusin, dejando las
cargas fijas de los iones de las impurezas. La situacin real es bastante parecida.

Podemos visualizar algunos grficos que representan magnitudes importantes en la juntura en equilibrio.
En ste caso, se ha dibujado una impurificacin simtrica, pero puede no darse ste caso. Se debe
entender cmo variarn los grficos para la situacin mencionada.

P N
p>>
n<<
n>>
p<<
huecos
electrones
Los portadores cercanos a
la juntura se recombinan
por difusin y los pierdo
P N
P N
+
+
+
+
-
-
-
-
E
0
V
Al recombinarse se generan
iones negativos en el lado P y
positivos en el lado N. Esto
genera un campo elctrico
que se opone a la corriente
de difusin.
El campo elctrico es
suficiente como para producir
una corriente de arrastre, que
va a contrarrestar la corriente
de difusin. De sta manera
se llega al EQUILIBRIO
D
I
A
I
Juntura en Equilibrio



En el primer diagrama representamos la diferenciacin de las zonas, entendiendo que todos los dems
diagramas estarn representando lo que ocurre en la zona de transicin de la juntura.
En el segundo, tenemos la densidad espacial de carga. sta carga se debe a los iones de las impurezas y
no a los portadores. Cuando las impurezas se ionizan, algunos portadores liberados cruzan la zona de
transicin y se recombinan. Como las cantidades recombinadas son iguales por ms que las
concentraciones de impurezas no lo sean, las reas de los rectngulos (vale decir la carga) deben ser
iguales.
Al haber carga en la juntura, habr un campo elctrico que representamos en el tercer grfico. Su
magnitud es representada de forma negativa debido a la direccin del mismo. Su variacin es lineal,
porque la cantidad de cargas es constante.
En el cuarto grfico vemos la distribucin de potencial, que sigue una ley cuadrtica debido a que es la
integral del campo respecto a la posicin (deduciendo de la ecuacin de Poisson).
Por ltimo, vemos en el quinto grfico la distribucin de energas de los portadores. El salto de energa
0
.V q es la diferencia de potencial existente entre ambas zonas.

Las curvas de Potencial y Campo Elctrico, se deducen de la Ecuacin de Poisson:

2
2
=
dx
V d

/*Estudiar las deducciones*/

Zona P Zona N
E
V
0
V

(+)
(-)
Zona de transicin
de la Juntura
Densidad espacial
de carga
Campo Elctrico
Potencial
V q U . =
0
.V q
Energa Potencial


El proceso de la difusin termina cuando el campo elctrico que ese mismo proceso genera es
suficientemente intenso, y hace que la corriente resultante en la juntura sea cero. Como resultado de estos
dos procesos que se acaban de analizar, y que se produjeron al fabricar la juntura, nace el potencial
0
V ,
que no puede medirse con ningn instrumento, porque es un potencial de contacto. Su valor numrico se
calcula como:

=
2
0
.
ln .
i
A D
T
n
N N
V V
/*Estudiar la deduccin*/

de donde mV 26
.
=
q
T k
V
T
es la tensin trmica, y ese valor aproximado es para K T 300 =

Diagrama de Bandas en la juntura P-N:

Sabiendo cmo son los diagramas de bandas de Energa para cada tipo de material, podemos unirlo
sabiendo que la energa de Fermi en todo el material es constante, cuando ste est en equilibrio.

Nos queda la forma del mismo diagrama que dedujimos anteriormente, para cada lmite de banda.
La densidad de concentracin de portadores est representada por la cantidad de signos + y -.
Debe recordarse que es stos diagramas los electrones tratan de caer buscando el mnimo de energa
potencial, pero la agitacin trmica, representada por la expresin T k. , trata de enviar electrones hacia
niveles ms altos de energa.
P N
C
E
F
E
V
E
C
E
F
E
V
E
P N
C
E
F
E
V
E
C
E
F
E
V
E
Zona de
Transicin
0
.V q
- - - -
- - - - - - - - - - - - -
+ + + +
+ + + + + + + + + +


La Juntura P-N fuera del equilibrio:

Inyeccin Dbil:

Como en un extremo del cristal, las concentraciones de los portadores difieren de manera
descomunal, a un aumento de portadores (por algn motivo), le corresponde una variacin
relativa, para cada tipo de portador. En los mayoritarios esa variacin no se nota, en cambio en
los minoritarios s. Las variaciones de los portadores se producen, generalmente, por aplicacin
de un potencial externo a la juntura, pero puede tambin producirse por la incidencia de luz al
cristal. Para poder conectar una diferencia de potencial a la juntura, debemos soldar dos contactos
hmicos de muy baja resistencia y que no discriminen el sentido de la corriente, uno a cada lado.
Quedan delimitadas por esos contactos tres zonas: dos zonas neutras y la zona de transicin.
Para el anlisis, vamos a suponer que en las zonas neutras no se produce cada de tensin y que
los contactos son perfectos (resistencia nula para ambas situaciones).

Al polarizar en directo una juntura, se produce un aumento de portadores que llamamos inyeccin
dbil (o inyeccin de portadores minoritarios). Esto se puede ver en la zona de transicin del
siguiente grfico de concentracin de portadores:

Al polarizar en directo la juntura, disminuye el campo elctrico que provocaba la corriente de
arrastre, permitiendo ms difusin.

Fuera de la zona de transicin, las concentraciones son:

De aqu puedo sacar una ecuacin para averiguar la concentracin de portadores en cualquier
lugar fuera de la zona de transicin:

( ) ( )
p
L
x
n
e
n
p
n
p x p
+ = . 0
0

donde =
p
L longitud de difusin, que es la distancia promedio que ingresa el hueco antes de
recombinarse, y no es una constante.
0 P
p
0 P
n
0 n
p
0 n
n
0 P
p
( ) 0
P
n
( ) 0
n
p
0 n
n
JUNTURA EN EQUILIBRIO POLARIZACIN DIRECTA
n p,
n p,
0 P
p
0 P
n
0 n
p
0 n
n
0 P
p
( ) 0
P
n
( ) 0
n
p
0 n
n
JUNTURA EN EQUILIBRIO POLARIZACIN DIRECTA
n p,
n p,
( ) 0
n
p
( ) 0
p
n


Anlogamente:

( ) ( )
n
L
x
P P P
e n n x n
+ = . 0
0

Sabiendo que en la zona de transicin se inyectan portadores, qu sucede fuera de esa zona? No
hay ninguna fuerza que lleve a esos portadores hacia la parte externa de esa zona. Lo que los
impulsa a moverse es la energa trmica del ambiente, combinada con una fuerza de
probabilidad basada simplemente en el lugar en el que se ubican. La ley que rige ste movimiento
determina el flujo de corriente de Difusin. Las ecuaciones son las vistas anteriormente.
Tremosa Pg.: 48
Juntura en equilibrio:

Cuando la juntura est en equilibrio, existen corrientes dentro del material. Dichas corrientes son:

0
4 3 2 1
= + + + I I I I entonces
2 1
I I = e
4 3
I I =

Polarizacin directa:

Cuando conectamos la fuente, de tal manera que el positivo de la
misma se conecte al lado P de la juntura, el potencial de la juntura
0
V disminuye a V V
0
. Entonces las bandas se juntan.

En la zona de transicin nunca se genera un potencial V mayor que
0
V , porque sino se quema el
diodo.
1
I e
4
I son iguales al equilibrio.
2
I e
3
I aumentan, porque la energa que adquieren les permite
pasar la barrera.
La corriente del diodo es:
3 2
I I I
D
+ =

1
I
2
I
3
I
4
I
- - - -
- - - - - - - - - - - - -
+ + + +
+ + + + + + + + + +
( ) V V q
0
.
1
I
2
I
3
I
4
I
- - - -
- - - - - - - - - - - - -
+ + + +
+ + + + + + + + + +


Polarizacin inversa:

Cuando a esa juntura le conectamos una fuente, de tal manera que el
positivo de la misma se conecte al lado N de la juntura, el potencial
de la juntura
0
V aumenta a V V +
0
. Entonces las bandas se separan.

De sta manera se genera una corriente de portadores minoritarios, que es muy pequea.
1
I e
4
I son iguales al equilibrio.
2
I e
3
I tienden a 0, porque la energa que tienen que superar es
ms alta.
La corriente del diodo (que en este caso es inversa) queda determinada como:
4 1
I I I
D
+ =

Ley de la Unin:

Sabiendo que la densidad de corriente de difusin es igual a la densidad de corriente de arrastre en una
juntura en equilibrio, podemos deducir dos relaciones interesantes.

( )
T
V
V
e
n
p
n
p . 0
0
= y ( )
T
V
V
P P
e n n . 0
0
=
Ley de la Unin
/*Estudiar la demostracin*/
Tremosa Pg.: 117
Corriente en la juntura con polarizacin directa:

De los anlisis anteriores surge la existencia de
corriente elctrica en el circuito, pues hay un
cruce de portadores de distinto signo, lo que
supone una corriente en un solo sentido.
Consideraremos el plano de anlisis a uno ubicado
dentro de la zona de transicin, donde la
recombinacin es prcticamente nula.

Viendo el grfico de concentracin de portadores
fuera de la zona de transicin cuando hay
polarizacin directa, si lo derivamos podemos
obtener el grfico de las corrientes del diodo fuera
de la misma zona.

POLARIZACIN DIRECTA
( ) ( ) 0 0
np pn D
I I I + =
(difusin)
np
I (difusin)
pn
I
pp
I
nn
I
I
1
I
2
I
3
I
4
I
- - - -
- - - - - - - - - - - - -
+ + + +
+ + + + + + + + + +
( ) V V q +
0
.


Vemos que la suma de las corrientes de difusin
np
I e
pn
I , en su punto inicial, dan como resultado la
corriente del diodo, que debe ser constante en toda la juntura debido al principio de conservacin de la
carga. Entonces nacen corrientes de arrastre y difusin a la vez, que llamamos
pp
I e
nn
I .
Los portadores, al atravesar la zona de transicin, llegan a una zona neutra y fluyen por difusin. La zona
contraria podra proveer una cantidad mayor de portadores, pues all son mayoritarios, pero es necesario
que fluyan a travs de la zona contraria, por difusin. Entonces determinamos que la limitacin a la
corriente la impone la difusin.
Dentro de la zona de transicin, suponemos que las corrientes se mantienen iguales que en sus estados
iniciales, es decir que dentro de esa zona: ( ) 0
pn pn
I I = e ( ) 0
np np
I I = .
Tomamos como importante la siguiente ecuacin que deducimos grficamente en el paso anterior:
( ) ( ) 0 0
np pn D
I I I + =

A partir de ella podemos deducir la siguiente expresin, que nos da la relacin entre la tensin y la
corriente en la juntura, y por lo tanto, la caracterstica terica del diodo de juntura:
= 1 .
T
V
V
S D
e I I

donde
+ =
n
P n
p
p
S
L
n D
L
n
p D
A q I
0
0
.
.
. . es la Corriente de Saturacin de la juntura
Tremosa Pg.: 119
Corriente de Saturacin inversa:

Es conveniente deducir
S
I como resultado de una polarizacin inversa.

Fuera de la zona de transicin de la juntura, las concentraciones de portadores son:

Las corrientes existentes en ste caso son
1
I e
4
I , que son minoritarias y cruzan la zona de transicin por
difusin.

Calculando esas corrientes, obtendremos la expresin encontrada anteriormente para la corriente inversa
de saturacin de la juntura:
+ =
n
P n
p
p
S
L
n D
L
n
p D
A q I
0
0
.
.
. .

En ste caso, el signo menos indica que es una corriente inversa.

0 P
p
0 P
n
0 n
p
0 n
n
0 P
p
0 P
n
0 n
p
0 n
n
JUNTURA EN EQUILIBRIO POLARIZACIN INVERSA
n p, n p,


La misma frmula puede expresarse de otra manera:

+ =
n
n
P
p
p
S
L A
n
L A
n
p
q I . . . .
0 0


que nos dice que la corriente inversa de saturacin del diodo est formada por los portadores minoritarios
generados trmicamente dentro del espacio de una longitud de difusin, a partir de los planos que forman
la zona de transicin y hacia las zonas neutras.
Tremosa Pg.: 122
Distribucin de las corrientes:

Como se supone que en la zona de transicin no existe
recombinacin de portadores, la corriente, tanto de
huecos como de electrones, ser constante en esa zona.
Sabiendo que son corrientes minoritarias de difusin,
averiguamos su valor. Si sumamos los resultados,
obtendremos una corriente total en la zona de
transicin, pero podemos afirmar que esa misma es la
corriente que atraviesa todo el diodo.

Como las corrientes consideradas se refieren solamente a los portadores minoritarios, debemos aceptar
que los portadores mayoritarios proveen la corriente necesaria para obtener la igualdad en todos los
puntos del circuito.
En los planos de los contactos, es comn que toda la corriente sea conducida por los portadores
mayoritarios.

stas corrientes mayoritarias son de ambas
naturalezas: Difusin y Arrastre. Esto es porque en
las zonas neutras est presente un campo elctrico
muy dbil, cuyo efecto sobre los portadores
minoritarios es despreciable, pero sobre los
mayoritarios es de un orden importante. Al ser de
las dos naturalezas, el clculo de la corriente
mayoritaria resulta complicado. Pero se facilita su
comprensin viendo el grfico. Si la corriente
calculada para la zona de transicin es la misma
para toda la juntura, conociendo las corrientes
minoritarias, podemos saber que las mayoritarias
componen el resto de la corriente para alcanzar la
total.

Tremosa Pg.: 124
El diodo real:

En el diodo real, el comportamiento no es exactamente como el descrito hasta ahora. Las razones de sta
divergencia son:
a) Cadas de tensin asociadas a los campos elctricos en las zonas neutras.
Provoca la existencia de una resistencia en serie con el diodo.
b) Generacin y recombinacin de portadores en la zona de transicin.
Provoca que las corrientes en la zona de transicin no sean constantes, como se ve en el
siguiente grfico:



c) Corrientes de fugas sobre las superficies de las junturas.
Provoca una variacin en la curva de polarizacin inversa del diodo, sobre todo en el
Silicio.
d) Ruptura debida a tensiones inversas excesivas.
Provoca la regin Zner del diodo.
Tremosa Pg.: 128
Capacidades de transicin y de difusin:

Ancho de la juntura:

Basndose en la aproximacin del vaciamiento, se llega a una distribucin lineal, idealizada, en la
distribucin de cargas y campos elctricos. Para poder determinar los efectos capacitivos de la
juntura, usando sta aproximacin, debemos conocer el ancho de la zona de carga espacial, con lo
cual conoceremos la distancia entre las placas del capacitor que asociamos a la juntura.

El ancho de dicha zona es:

( )
=
A D
N N q
V V
l
1 1 . . 2
0

Tremosa Pg.: 130
Capacidad de Transicin:

Si se aplica una tensin V a una juntura (generalmente en polarizacin inversa) y se provoca una
variacin dV , las cargas almacenadas en la zona de transicin de la juntura varan en dQ. Una
variacin de cargas almacenadas al variar la tensin aplicada, implica un efecto capacitivo. Se
define como capacidad de Transicin a:

l
A
dV
dQ
C
j
.
= =

donde l es el ancho de la juntura deducido anteriormente, es la constante dielctrica del
semiconductor, y A es el rea transversal del diodo. Obsrvese que la frmula es idntica a la de
un capacitor de placas paralelas.

En ste caso, la distancia l vara con la tensin aplicada al diodo y, por lo tanto, vara la
capacidad. sta propiedad se utiliza para disponer de capacidades variables electrnicamente, y
cuando al diodo de juntura se lo utiliza aprovechando sta propiedad se lo llama Varactor o
Varicap.

Hemos visto que al polarizar en inverso una juntura se genera una capacidad de transicin. Ella
tambin existe cuando se polariza en directo al diodo, pero en esas condiciones la corriente


directa, de gran valor, enmascara su efecto. Veremos que en esas condiciones, hay una capacidad
ms importante.
Tremosa Pg.: 133
Capacidad de Difusin:

Cuando polarizamos la juntura en directo, y variamos la tensin aplicada, aparece una nueva
capacidad, denominada capacidad de Difusin:

( )
T
V
V
n p p o D
e L n L
n
p
T k
A q
C . . .
. . 2
0
2
+ =

sta capacidad es directamente proporcional a la corriente del diodo.
Tremosa Pg.: 135
Dinmica de los diodos de Juntura

Generalidades:

Existen dos causas principales que provocan corrientes en el diodo cuando la tensin vara:
a) Variacin de la carga almacenada en las zonas neutras:
Existir corriente de inyeccin de portadores para aumentar o disminuir la cantidad de portadores
almacenados en las zonas neutras. La inyeccin de portadores minoritarios en una zona neutra
significa el arrastre de portadores mayoritarios en sentido contrario, para mantener esa
neutralidad. Es as como se almacenan, en una misma zona, portadores mayoritarios y
minoritarios, vale decir, cargas positivas y negativas en cantidades iguales. La similitud con un
condensador, en el cual siempre se almacenan cargas iguales y de distinto signo, es muy grande.
La diferencia fundamental, es que en la juntura, la distribucin de cargas es espacial y no
superficial.
b) Variacin de la carga almacenada en el dipolo de cargas fijas, en la zona de transicin de la
juntura:
Habr corriente en los terminales del diodo, pues una variacin en las cargas fijas significa un
flujo de electrones y lagunas que son las que las neutralizan. No debe olvidarse que el aumento de
las cargas fijas se debe a que electrones y lagunas, en iguales cantidades, se retiran de la zona de
transicin; y la disminucin se debe a que electrones y lagunas, en iguales cantidades, fluyen
hacia la zona neutralizando cierto nmero de iones. Este efecto de almacenamiento y variacin de
cargas es tambin similar, en muchos aspectos, a un condensador.
Tremosa Pg.: 137
Dinmica de los excesos de portadores minoritarios:

En todas las consideraciones que siguen se ha supuesto una juntura n p
+
. De sta manera la inyeccin
de portadores en la juntura consistir casi exclusivamente en lagunas que irn de la zona
+
p hacia la
zona n . Los electrones inyectados en sentido contrario son muy pocos debido a la baja contaminacin de
la zona n .
Debemos prestar especial atencin a las cargas almacenadas en las zonas neutras, pues son las
responsables en mayor grado de los fenmenos que ocurren en la conmutacin.
Realizando algunos procedimientos de anlisis, obtenemos una segunda ecuacin para la corriente del
diodo, dependiente de variables muy diferentes a las de la ecuacin anterior, vale decir, sta segunda
depende de la carga almacenada en la zona neutra:

( )
p
n p
p L A q
I
0 . . .
=


Podemos entonces, a partir de ste anlisis, aadir un trmino a la corriente
del diodo que tenga en cuenta los efectos dinmicos. As, asemejamos a la
juntura con un circuito RC en paralelo.
dt
dq q
i
p
p
p
+ =

La siguiente figura representa la distribucin de cargas en la zona neutra N del diodo cuando la tensin
aplicada v vara rpidamente:

El valor instantneo de la tensin es el mismo para las tres
curvas, pues la concentracin inicial es la misma. Pero la
primera (1), indica que la velocidad de variacin de la tensin
es grande y su magnitud aumenta en valor absoluto; la
segunda (2), representa la distribucin estacionaria, o sea
cuando la velocidad de variacin de la tensin es baja, y la
tercera (3), indica que la velocidad de variacin de la tensin
es grande y su magnitud disminuye en valor absoluto.
Tremosa Pg.: 138
Transitorio de conexin y desconexin:

El transitorio de conexin representa el tiempo necesario para que la tensin y la corriente se estabilicen,
llevando el sistema a rgimen permanente.
El transitorio de desconexin representa el tiempo necesario para que el diodo anule la corriente, llevando
al sistema al nuevo rgimen permanente.
Utilizando el diodo en conmutacin, el comportamiento esperado sera que obtuvisemos que deje pasar
la corriente en el hemiciclo positivo, y que bloquee totalmente el hemiciclo negativo. En la realidad, esto
no ocurre, debido al transitorio de desconexin, que implica hacer regresar a su zona de origen los
portadores almacenados en las zonas neutras, implicando una corriente inversa, durante un cierto tiempo.

Mientras el diodo est polarizado en inverso, en las zonas neutras se generan portadores por efecto de la
agitacin trmica. En los bordes de cada zona, los portadores minoritarios generados dentro de una
distancia de una longitud de difusin se difundirn hacia la zona de transicin, y el campo los impulsar
hacia el otro lado donde son mayoritarios. Dichos portadores en exceso que aparecen en cada zona, sern
extrados por la fuente mediante la polaridad inversa que tiene. De ste modo se preserva la neutralidad.
En el estado de polarizacin directa, los portadores minoritarios inyectados en cada zona se recombinan
por difusin, a medida que se alejan de la juntura, con los mayoritarios de esa zona. Este flujo de
mayoritarios que desaparecen es devuelto por la fuente mediante la polaridad directa, restableciendo la
neutralidad.

Denominaciones de los tiempos puestos en juego:
fr
t = tiempo de recuperacin directa: Es el tiempo que tarda la tensin en ir del valor de tensin
inversa, al valor de tensin de trabajo del diodo.
rr
t = tiempo de recuperacin inversa: Es el tiempo que tarda la tensin en ir del valor de tensin de
trabajo del diodo, al valor de tensin inversa. Tambin es el tiempo que tarda la corriente inversa en
recuperarse en el valor de
S
I . Est compuesto por dos retardos:

s
t = retardo por almacenamiento: Va desde el instante en que se conmuta de directo a inverso,
hasta el instante en que la tensin se hace 0 en el diodo. Tambin es el tiempo que dura la corriente
inversa en el valor
R
I .

t
t = retardo de transicin: Tiempo que toma la corriente inversa en ir desde
R
I hasta
S
I .


Los siguientes grficos y su explicacin aclaran la situacin:

En la figura (a) se representa el voltaje
aplicado al circuito serie con una
resistencia y un diodo.
Desde 0 hasta 0 la tensin es positiva, y
desde 0 hasta 0 es negativa
En la figura (b) vemos que, en el
hemiciclo positivo, la corriente fluye
normalmente, siguiendo la ley de Ohm,
pero no as en el hemiciclo negativo,
donde esperbamos que no existiera
corriente. Lejos de ste caso, al haber
portadores almacenados en la zona
contraria a cada tipo, debido a la corriente
directa que antes circulaba, se establece
una corriente inversa para devolverlos a su
zona de origen o recombinarlos, durante
un cierto tiempo
s
t . Luego sta corriente
comienza a disminuir, hasta que se
estaciona en el valor
S
I , que es la
corriente inversa del diodo.
En la figura (c), se representa la carga en
el capacitor de las zonas neutras. Se ve
que asintticamente se carga el circuito, y
que cuando la corriente es inversa, se
descarga, pero al llegar al valor
S
Q , se
queda en l (haciendo la relacin con la
S
I ).
En la figura (d) se representa la tensin en
el diodo, en su polarizacin directa e
inversa.

Las siguientes figuras representan las variaciones de las cargas en las zonas neutras y su distribucin:

El punto ( ) 0
n
p crece desde el valor inicial
0 n
p ,
al valor final en rgimen permanente.
La corriente en la zona neutra circula
exclusivamente por difusin. A partir de ste
principio, podemos determinar el ngulo .


El ngulo ser:
p
D A q R
V
. . .
tan = , donde el doble signo representa que puede ser utilizado tanto en la
conexin como en la desconexin. La necesidad de un ngulo constante nace de la imposicin del
circuito de una corriente constante, y determina la deformacin de las curvas de distribucin de
portadores de ambas figuras. Desde un comienzo se supuso una tensin con una resistencia en serie
grande respecto a la del diodo, entonces la corriente ser constante y por lo tanto el ngulo tambin. Es
por eso que depende de la tensin y de la resistencia. La deformacin penetra ms cuanto mayor es la
velocidad de conmutacin. La condicin fundamental de un diodo que pretenda conmutar rpidamente es
un bajo valor de tiempo de recombinacin.
Tremosa Pg.: 141 y Guinzburg Pg.: 9-3

UNIDAD II: DIODOS DE JUNTURA
Diodo de juntura P-N

Diodos reales:

Como ya hemos visto, el diodo es un dispositivo semiconductor de juntura P-N.
Su curva caracterstica es la siguiente (diodos de Germanio y de Silicio)

Esta curva deriva de la ecuacin que relaciona
corriente y tensin en el diodo, pero teniendo en
cuenta todos los efectos que en l se producen,
vale decir: resistencia de las zonas neutras,
regin de Zner o avalancha, fugas de corriente,
etc.
Como podemos ver, existe una cierta tensin en
polarizacin directa a partir de la cual, el diodo
se comporta prcticamente como un
cortocircuito. Llamaremos a esa tensin
T
V
(distinta a la tensin trmica que hemos visto
hasta ahora). sta difiere en ambos materiales, y
toma los valores:

( )
( ) Ge V 3 , 0
Si V 7 , 0
T
T
V
V

Si tomamos en cuenta los efectos de la temperatura en la curva del diodo, veremos que a mayor
temperatura, la curva se acerca ms al eje de las y en polarizacin directa y se aleja ms del eje de las x
en polarizacin inversa.
Boylestad Pg.: 15
Niveles de resistencia:
Resistencia esttica o de DC:

Como vemos, la curva del diodo no es lineal, sino que su pendiente vara de un punto a otro. Esta
pendiente determina la resistencia del diodo, en el punto de operacin, la cual no es una constante
como en los elementos resistivos que cumplen con la ley de Ohm. sta resistencia depende del
punto en el que operemos al dispositivo.
Determinamos un nivel de resistencia esttica cuando aplicamos corriente continua al diodo, y
determinamos un punto en la curva.



D
D
D
I
V
R =

Vemos entonces, que a menor corriente, mayor ser la
resistencia del diodo.

Resistencia dinmica o de AC:

Cuando al diodo le aplicamos una corriente alterna, el
punto variar horizontal y verticalmente. Determinamos
as un nivel de resistencia dinmica, con las variaciones
sobre la recta tangente al punto de trabajo.

tangente la sobre
D
D
d
I
V
r
=

Pero no siempre podemos determinar la recta tangente.
Entonces teniendo los dos puntos extremos, determinamos
la secante y obtenemos una resistencia promedio:

secante la sobre
av
D
D
I
V
r
=

sta resistencia slo es vlida como aproximacin cuando
la excursin de la seal es amplia.

Podemos aproximar el valor de la resistencia dinmica, aplicando la derivada a la ecuacin del
diodo, y obtendremos:

D
d
I
r
mV 26
=

para Germanio y Silicio, pero slo en las condiciones en que el punto de trabajo se encuentre en
la regin lineal de operacin del diodo.

En todos los clculos anteriores no se ha tenido en cuenta la resistencia propia del semiconductor,
que puede agregarse como un trmino ms en las frmulas, en caso de conocerla.
Boylestad Pg.: 20
Modelos aproximados (Circuitos equivalentes):

Como hemos visto, el diodo real necesita un cierto voltaje
T
V para encenderse, adems de tener una
cierta resistencia
av
r . Entonces, la complicada curva del diodo ideal puede reemplazarse por un modelo
equivalente de segmentos lineales, y el diodo real puede reemplazarse en un circuito por un equivalente
de tres componentes, que incluye un diodo ideal. Dicho reemplazo simplifica mucho el anlisis para la
utilizacin en polarizacin directa.



Dependiendo de las condiciones
del circuito, podemos despreciar
alguno de los componentes del
modelo anterior. Por ejemplo, si la
resistencia de la red es mucho
mayor que la del diodo, podemos
despreciar sta ltima, o si la
tensin utilizada en la red es
mucho mayor que la de encendido
del diodo, podemos despreciar la
fuente del modelo, y cumpliendo
ambas condiciones a la vez,
obtenemos el comportamiento de
un diodo ideal.
Boylestad Pg.: 26
Anlisis por medio de la recta de carga:

Se puede dibujar una lnea recta sobre las caractersticas del dispositivo que represente la carga aplicada
(o mejor dicho a la red). La interseccin de la recta con las caractersticas, determinar que punto de
trabajo esttico Q. Tomemos el siguiente circuito serie:

Aplicando la ley de voltaje de Kirchoff y reordenando las variables,
obtenemos una ecuacin para la recta de carga:

D D
V
R R
E
I .
1
=

Definimos dos puntos que nos ayudan
a graficar:
1. Sobre el eje
D
I ,
D
V vale 0,
entonces marcamos el punto
R
E
I
D
=
2. Sobre el eje
D
V ,
D
I vale 0,
entonces marcamos el punto
E V
D
=
3. Trazamos la recta.

El anlisis es el mismo si tenemos en cuenta los equivalentes para el diodo real, y obtendremos resultados
muy similares a los que llegamos sin aproximaciones.
Boylestad Pg.: 56
Aplicaciones de diodos:
Rectificadores:

Como la principal caracterstica del diodo ideal es conducir la corriente en un solo sentido, si le
aplicamos una corriente alterna, conducir slo un hemiciclo de sta. En eso se basan los circuitos
rectificadores.


Rectificador de media onda:
Est conformado por un diodo y una resistencia de carga.
Durante el hemiciclo positivo de la onda, el diodo est
encendido, y la onda pasa tal cual es. Durante el hemiciclo
negativo, el diodo est apagado, y no hay tensin en la
carga.
La seal de salida tiene un valor promedio de continua que
es:
max
max dc
. 318 , 0
V
V V = =

Por supuesto, el diodo debe tener un voltaje de pico inverso
dado por:
max
PIV V

Rectificador de onda completa (puente):
Est conformado por cuatro diodos formando un puente. Durante el
hemiciclo positivo de la onda, la seal pasa por el diodo 2, la resistencia
y el diodo 3, dejando en la carga la misma forma que en la entrada.
Durante el hemiciclo negativo, la onda positiva pasa por el diodo 4, la
resistencia y el diodo 1, dejando la misma seal que en la entrada, pero
invertida sobre el eje horizontal. Tenemos as dos hemiciclos positivos
en la salida.
La seal de salida tiene un valor promedio de continua que es:
max
max dc
. 2
. 636 , 0
V
V V = =

El diodo debe tener un voltaje de pico inverso dado por:
max
PIV V

Rectificador de onda completa (con transformador con
punto medio):
Este rectificador da el mismo resultado que el de puente, slo
que aqu se requieren 2 diodos y un transformador con
derivacin central o punto medio.
Durante el hemiciclo positivo de la seal, funciona el diodo 1, y
el 2 est apagado. La seal se replica en la resistencia.
Durante el hemiciclo negativo, funciona el diodo 2, y el 1 est
apagado, pues el nodo del nmero 2 ahora es positivo. La seal
se replica de manera positiva en la resistencia.
La seal de salida tiene un valor promedio de continua que es:
max
max dc
. 2
. 636 , 0
V
V V = =

El diodo debe tener un voltaje de pico inverso dado por:
max
. 2 PIV V

Boylestad Pg.: 74


Recortadores:

Recortadores simples en serie (diodos ideales)
POSITIVO NEGATIVO

Recortadores polarizados en serie (diodos ideales)
POSITIVOS NEGATIVOS

Recortadores simples en paralelo (diodos ideales)
POSITIVO NEGATIVO

Recortadores polarizados en paralelo (diodos ideales)
POSITIVOS NEGATIVOS

Boylestad Pg.: 81


Sujetadores:

Estos circuitos se basan en la aplicacin de los diodos en paralelo con una resistencia y con un
capacitor en serie, el cual se carga y se descarga, generando un desplazamiento de la onda. Lo
importante es que la onda se desplaza, pero mantiene el largo (distancia de pico a pico).

Boylestad Pg.: 88
Compuertas lgicas:

AND OR

Cuando los dos terminales estn en alto,
en la salida hay un estado alto debido a
que la diferencia de potencial en los
diodos es 0.
Cuando alguno est en bajo, ese diodo se
polariza en directo y el voltaje en la
salida es el voltaje del diodo ( V 7 , 0 )
Cuando los dos terminales estn en bajo,
la salida es un estado bajo, porque no hay
tensiones en la red.
Cuando alguno est en alto, ese diodo
conduce y hay tensin en la resistencia, y
por lo tanto en la salida hay un voltaje de
V 3 , 9
Boylestad Pg.: 72


Otros diodos de juntura

Diodo Zner:
El diodo Zner puede trabajar en base a dos
principios fundamentales: efecto tnel y efecto
avalancha. En ambos casos las curvas son iguales,
pero internamente responden a fenmenos fsicos
distintos. El smbolo para ste dispositivo es el que
se ve en la figura. Tambin vemos aqu su curva
caracterstica.

Diodo Zner por efecto tnel:

Se trata de una juntura
+ +
n p , altamente contaminada pero sin llegar a que el nivel de Fermi se
solape con las bandas, sino que queda levemente cercano. El efecto tnel en sentido inverso se
produce slo despus de aplicar una pequea tensin inversa
Z
V .
En sentido directo, el diodo se comporta como una juntura p-n normal. El efecto tnel en sentido
inverso slo puede producirse cuando la distancia l (ancho de la zona de transicin) es pequea,
vale decir, cuando las contaminaciones de ambas zonas son relativamente fuertes.

Si las contaminaciones son menores, el ancho de la juntura es demasiado grande, por lo que antes
que el campo elctrico llegue al valor crtico necesario para que se produzca tunelamiento, se
produce un nuevo efecto, llamado avalancha, que determina tambin un valor de tensin Zner.

Con ste principio se fabrican diodos Zner con bajas tensiones de Zner.

La caracterstica trmica de stos dispositivos, es que al aumentar la temperatura, disminuye
la tensin Zner.

Diodo Zner por efecto avalancha:

En una juntura p-n, con polarizacin inversa, el campo elctrico en la zona de carga espacial
acelera a los portadores minoritarios generados por efecto trmico a ambos lados de la juntura.
Estos portadores minoritarios determinan la corriente de saturacin inversa. Si la tensin es
excesiva, los portadores minoritarios que determinan
S
I se mueven con tal velocidad que
pueden, al hacer impacto sobre los tomos del cristal, provocar la ionizacin de los mismos. Con
esto, se generan nuevos pares de portadores, que volvern a chocar con otros tomos, y
desprender nuevos pares de portadores, y as sucesivamente. ste es el llamado efecto avalancha,
que produce en la curva una pendiente altsima, ya que en ese valor crtico de tensin (
Z
V ) la
corriente tiende a infinito.

Con ste principio se fabrican diodos Zner con medias y altas tensiones de Zner.

La caracterstica trmica de stos dispositivos, es que al aumentar la temperatura, aumenta la
tensin Zner.
Tremosa Pg.: 287
Aplicaciones: Regulador paralelo:

Los pasos a seguir para el anlisis de los circuitos que incluyen un diodo Zner, son los
siguientes:


1. Determinar el estado del diodo Zner (encendido/apagado) mediante su eliminacin del
circuito y por medio del clculo de del voltaje a travs de ese circuito abierto.
2. Sustituir por el circuito equivalente apropiado (fuente de tensin con voltaje
Z
V en el
caso que el diodo est encendido) y resolver para las incgnitas deseadas.

Utilizando el dispositivo como regulador de tensin en paralelo, con una tensin
i
V fija, debemos
tener frmulas que nos permitan determinar entre qu rangos debe estar la resistencia de carga
para que el diodo est encendido.

Z i
Z
L
V V
V R
R
=
.
min
y
min
max
L
Z
L
I
V
R =

min
max
L
Z
L
R
V
I = y
ZM R L
I I I =
min

Donde
ZM
I es el dato de corriente mxima que
soporta el diodo.

Utilizando el dispositivo de la misma manera, pero con una resistencia
L
R fija, debemos
determinar entre qu rangos debe estar la tensin de entrada para que el diodo est encendido:

( )
L
Z L
i
R
V R R
V
.
min
+
= y ( )
Z L ZM i
V R I I V + + = .
max

Boylestad Pg.: 92
Diodo Tnel:

El efecto tnel es un mecanismo cuntico, mediante el cual un electrn puede vencer barreras de potencial
mayores que la energa cintica que posee. Se produce slo entre estados con la misma energa.
Un diodo tnel est formado por una juntura
+ +
n p , cuyo diagrama de energas en equilibrio es el
siguiente:

Se observa que tanto la zona p como la zona n estn muy
contaminadas. La ubicacin del nivel de Fermi en ambos
casos, fuera de la banda prohibida, as lo indica. Esto ocasiona
que el ancho de la juntura sea relativamente pequeo, y a
travs de l surgir una barrera de potencial
0
V . sta barrera
ser superada por tunelamiento por los portadores, debido al
pequeo ancho de la juntura.
Vemos a continuacin la curva caracterstica de
corriente y tensin.


La mejor manera de explicar el funcionamiento, es a travs de los diagramas de energas:

En ste caso la polarizacin es inversa y los electrones
pasan, por efecto tnel, de la banda de valencia de la
zona p
+
a la banda de conduccin de la zona n
+
. La
transicin ocurre entre niveles energticos iguales. El
efecto tnel se produce debido al pequeo ancho de la
barrera de potencial. La poca probabilidad de
tunelamiento se compensa con la gran cantidad de
portadores en el intervalo de energa. Al aumentar la
tensin inversa, aumenta el intervalo de energa, y
por lo tanto la corriente inversa.

La polarizacin ahora es directa, pero la barrera de
potencial es an suficientemente grande como para
que los electrones no puedan vencerla por agitacin
trmica normal. Hay electrones de conduccin
enfrentados dentro de un rango E con estados vacos
y permitidos en la banda de valencia opuesta. El
efecto tnel se produce y la corriente directa aumenta
a medida que aumenta el intervalo de energa de
enfrentamiento.

En sta zona el enfrentamiento de intervalos de
energa es mximo, y por lo tanto se produce la
mxima corriente por efecto de tunelamiento.
Estamos en la zona de pico, donde se determinan los
parmetros de Corriente de Pico y Tensin de Pico
(Punto 3 de la curva).

El intervalo de energa enfrentado comienza a
disminuir nuevamente.

El intervalo de energa enfrentado es ahora nulo, y por
lo tanto la conduccin de corriente comienza a
comportarse siguiendo los principios de una juntura p-
n normal.
Estamos en la zona de valle, donde se determinan los
parmetros de Corriente de Valle y Tensin de Valle
(Punto 5 de la curva).

Aqu el comportamiento es similar a un diodo de
juntura p-n normal.


Las caractersticas que presenta ste dispositivo en su polarizacin inversa, hace que se utilice en el
campo de la conmutacin a alta velocidad, debido a que, como la conduccin es de naturaleza
ondulatoria, no existe tiempo de trnsito ni almacenamiento de portadores.

En la zona que va desde el punto de Pico (3) y el punto de Valle (5), la resistencia dinmica es negativa,
ya que una excursin positiva de tensin establece una excursin negativa en la corriente. Este
comportamiento no afecta la resistencia esttica, ya que los valores puntuales son ambos positivos.
sta resistencia negativa no implica que el dispositivo genere energa, sino que transforma la energa
que recibe en corriente continua, en energa de corriente alterna.

Si trazamos la recta de carga de la red donde aplicamos el circuito, vemos que puede trazar hasta tres
puntos de operacin en las caractersticas. Los puntos donde la resistencia es positiva, se llaman estables,
porque un pequeo cambio no altera el estado. El punto en la zona de resistencia negativa se llama
inestable, pues un pequeo cambio en la red lo lleva a la zona estable. Para poder trabajar de manera
estable con la resistencia negativa, debemos elegir parmetros de la red para que la recta de carga toque
slo al punto en esa zona. Esto se hace con altas corrientes y bajas tensiones.
Tremosa Pg.: 281
Aplicaciones: Osciladores:

Es posible utilizar el diodo tnel para generar un voltaje
senoidal simplemente mediante una fuente de corriente
continua, un circuito tanque y un diodo tnel, que,
polarizado en la regin de resistencia negativa,
compensa la resistencia interna de la bobina, para
eliminar la componente de amortiguamiento del circuito.
La red quedara como en la figura, y el diseo se limita a
encontrar las condiciones para lograr la polarizacin en
la regin mencionada.

Boylestad Pg.: 898
Diodo Schottky:

El diodo Schottky es un dispositivo formado uniendo un metal con un semiconductor
(generalmente tipo n).Su smbolo es el que se ve en la figura.
Los niveles energticos de un metal y un semiconductor son, individualmente, como muestra la figura:


Y cuando realizamos la unin, los niveles energticos quedarn as:

La barrera de potencial disminuir para la polarizacin directa, ya que hay un aumento de la energa de
Fermi en el semiconductor, y por lo tanto corriente de electrones hacia el metal. Entonces, tomando una
unin n-metal, y polarizndola en forma directa (es decir, el terminal negativo al semiconductor tipo n),
existe corriente debido a los electrones del semiconductor que pasan al metal.
La barrera de potencial aumentar en condiciones de polarizacin inversa, ya que hay una disminucin de
la energa de Fermi en el semiconductor, y por lo tanto mayor dificultad para que los electrones del metal
pasen al semiconductor. Entonces, si polarizamos al diodo Schottky en forma inversa (positivo al lado n),
no existe corriente.

Las principales caractersticas de ste dispositivo son:
Para una determinada corriente, presenta menor cada de tensin que un diodo comn.
Los portadores que determinan la corriente son exclusivamente mayoritarios, por lo que no
hay almacenamiento de cargas y el tiempo de almacenamiento es prcticamente nulo. Esto le
permite al diodo Schottky trabajar en conmutacin a altas frecuencias.

Al saber esto surge una pregunta: En qu difiere un diodo Schottky de un contacto metal-semiconductor
comn? La respuesta es: en el nivel de Fermi del metal. Para un semiconductor tipo n, ser diodo
Schottky la unin cuyo metal tenga una energa de Fermi inferior a la del semiconductor, y ser un
contacto hmico la unin cuyo metal tenga una energa de Fermi superior a la del semiconductor. Para un
semiconductor tipo p, ser a la inversa.

Contactos hmicos:
Si el nivel de Fermi del metal es mayor al del semiconductor tipo n (o inferior al del tipo p), los electrones
no enfrentarn barreras de potencial para su flujo, en ninguna de sus dos direcciones, vale decir, del
semiconductor al metal y viceversa. Por lo tanto se comportarn como simples contactos. Esto es de gran
utilidad para poder conectar dispositivos semiconductores con terminales que permitan su aplicacin
electrnica.
Tremosa Pg.: 293 y Boylestad Pg.: 889
Diodo Varicap (o Varactor):

Los diodos varactores son capacitores de semiconductor variables y dependientes del voltaje. Su modo de
operacin depende de la capacidad de transicin que existe en la unin p-n cuando sta se polariza en
inverso. Mientras ms se polariza en inverso, menor es el ancho de la zona de transicin, y por lo tanto,
mayor es la capacidad. sta se define como:


d
T
W
A
C . =

donde es la permitividad de los materiales semiconductores, A es el rea de la unin y
d
W es ancho
de la zona de transicin.

Si queremos relacionar la capacidad de transicin respecto del voltaje inverso aplicado, podemos
calcularla aproximadamente como:

( )
n
R T
T
V V
K
C
+
=

donde K es una constante determinada por el material y la tcnica de construccin,
T
V es el voltaje de
encendido del diodo,
R
V es el voltaje inverso aplicado, y 2 / 1 = n para uniones de aleacin y 3 / 1 = n
para uniones de difusin.

Tambin, en trminos de la capacidad en la condicin de polarizacin cero ( ) 0 C , podemos expresarla
como:

( )
( )
( )
n
T R
R T
V V
C
V C
+
=
1
0

stos diodos se utilizan para controlar la sintonizacin, a travs de la variacin de la capacidad del diodo,
mediante la variacin de la polarizacin aplicada al mismo. Esto permite controlar electrnicamente la
frecuencia de resonancia.
Boylestad Pg.: 892

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