Amplificadores para Comunicaciones

Casa abierta al tiempo
UNI VERSI DAD AUTONOMA METROPOLI TANA

UNI DAD I ZTAPALAPA
Di v i s i n de Ci enc i as Bhsi cas e I ngeni er i a
TI TULO DEL TRABAJ O:
AMPLI FI CADORES PARA COMUNI CACI ONES
Tesi s que presenta e al umno:
OSCAR SANTANA OLGUN
Matricula: 92220627
Para la obtenci n del grado de:
I NGENI ERO EN EL ECT RNI CA Y COMUNI C
Asesor: Doctor J uan
J uni o del 2001
INDICE
Resea Hi stri ca
Justi fi caci n
Introduccin
Objetivos
I AMPLIFICADOR DARLINGTON
1. 1 Anl i sl s de cc
1.2 Anlisis de ca
1.3 Aislamiento
1.4 Ejemplo circuito Darlington
2 AMPLIFICADOR CLASE B
2.1 Circuito Push-Pull
2.2 L nea de carga de cc
2.3 L nea de carga de ca
2.4 Anlisis de ca
2.5 Funcionamiento General
2.6 Distorsin de cruce (crossover)
2.7 Distorsin no Lineal
2.8 Ejemplo Amplificador clase B
2.9 Ejemplo Amplificador Cascode
3 AMPLIFICADOR CLASE C
3.1 Amplificador Sintonizado
3.2 Ausencia de Polarizacin
3.3 Lneas de carga
3.4 Circuito equivalente en ca
3.5 Ca da o disminucin de corriente en resonancia
3.6 Resi stenci a del col ector de ca
3.7 Factor de Servicio
3.8 Filtrado de armnicas
3.9 Potenci a en l a carga
3.10 Consumo de corriente
3.11 Efi ci enci a de l a etapa
3.12 Ejemplo amplificador clase C
4 AMPLIFICADOR EN UHF
4.1 Teora de pequea seiial
4.1.1 Pol ari zaci n
4.1.2 Diseo utilizando parmetros Y
4.1.3 Cdlculos de estabi l i dad
3
7
8
9
IO
11
11
13
13
18
19
20
20
21
22
23
24
25
28
32
33
35
35
36
37
37
39
39
40
41
42
42
47
48
48
51
5 1
1
4.1.4 Max i ma gananc i a di s poni bl e ( MAG)
4. 1. 5 Ac opl ami ent o c onj ugado s i mul t neo
4. 2. 1 Sel ec c i onando el di s pos i t i v o
4. 2. 2 Ef ect os Par Lsi t os
4. 2. 3 Ci r c ui t os equi v al ent es
4. 2. 4 Capac i t anc i a par s i t a o di s t r i bui da
4. 2. 5 l nduc t anc i a de l as t er mi nal es
4. 2. 6 Una gr hf i c a t i l
4. 2 Tc ni c as y Cons t r uc c i n en RF
4. 3 Di se i o del ci r cui t o
4. 4 Equi po Ut i l i zado
4. 5 Met odol og a
4. 6 Resul t ados
4.7 Concl usi ones
BI BLI OGRAF A
ANEXO
52
53
54
54
55
55
56
56
57
58
64
64
65
66
67
69
2
C a r a abiulaal l*mpo
R E S E f l A H I S T 6 R I C A
RESEA HI ST ~ RI CA
Definiremos la comunicacin como el conjunto de medios,
instrumentos y recursos que permiten trasmitir ideas, actitudes
e imgenes de una persona, generacin sociedad a otra.
Nuestros gestos, palabras y escritos pueden ser comunicados -
vale decir, pueden hacerse comunes como lo indica la
etimologa de la palabra, - mediante - una variadisima serie de
recursos que el hombre ha ideado a travs de los siglos. Estos
recursos se inician con el lenguaje, la escritura y el dibujo, y
vienen a culminar con la radio, el cine y la televisin.
En nuestros das, el habitante de cualquier ciudad puede
enterarse con rapidez, de cualquier acontecimiento producido en
el ms apartado rincn del mundo y recibe continuamente
imgenes, sonidos y palabras, emitidos desde miles de
kilmetros de distancia. Esta verdadera revolucin, producida
por la ciencia y la tcnica impulsada por la estructura dinmica
de la economa moderna, es una de las caractersticas ms
importantes de la civilizacin del siglo XX.
La pictografa es la forma ms antigua de escritura. Consistente
en dibujar una imagen esquemtica de las cosas y los actos,
que as pueden combinar formando narraciones religiosas,
cronologas y leyendas trasmisibles a las generaciones futuras.
Los indgenas americanos usaron diversas formas de escritura
pictogrfica, que en las civilizaciones ms adelantadas llegaron
a transformarse en ideogramas, combinaciones de imgenes que
l os aztecas embellecieron con su admirable sentido plstico.
Combinando veintids imgenes, cada una de las cuales
representa un sonido, los fenicios crearon el primer alfabeto.
Con el agregado posterior de varias letras suplementarias, el
sistema ideado por estos grandes mercaderes de la antigedad
ha pasado a ser el fundamento de nuestro alfabeto actual y uno
de los factores bsicos de nuestro patrimonio cultural.
Combinando los signos del abecedario es posible idear
reproducir un nmero ilimitado de palabras, dando al lenguaje
una plasticidad que no poda tener en pocas anteriores.
Colocando una manta sobre una hoguera y retirndola a
intervalos rtmicos, los indgenas americanos lograban trasmitir
mensajes de humo con arreglo de un sistema parecido al cdigo
de los telegrafistas modernos. Los romanos, por su parte,
utilizaban grandes espejos que reflejaban l os rayos del sol y
trasmitan, tambin de acuerdo a cdigo especial, las rdenes
militares y administrativas de las autoridades imperiales. Este
sistema sirvi de base para el heligrafo, aparato muy usado en
las guerras coloniales del siglo pasado. Los indgenas de
algunas regiones africanas y americanas enviaban mensajes
hasta distancias inauditas mediante sus tambores, cuyo rtmico
sonido atravesaba selvas y desiertos.
Alejando Magno, a su vez, cre un gigantesco megfono que
emita un poderosos sonido. Esta "trompeta parlante", que
aterrorizaba a sus enemigos, era considerada una de las
maravillas cientficas de la antigedad. El imperio incico y la
civilizacin azteca tenan equipos de corredores mensajeros
para llevar rdenes e informaciones a las ms apartadas zonas
de sus dilatados territorios. Los mensajeros al llegar a las
postas, estratgicamente ubicadas en distintos sitios, eran
sustituidos por otros corredores que proseguan la marcha con
el mensaje imperial; en esa forma se enviaban, en un da,
mensajes a distancias de ms de 150 kilmetros.
Conclua el siglo XVlll cuando el francs Cfaudio Chappe
inventaba el telgrafo ptico, instrumento formado por dos
brazos mviles que podan enviar mensajes por medio de
seales.
A medida que desentraaban los secretos de esa misteriosa
fuente de energa denominada corriente elctrica, l os hombres
de ciencia trataban de aplicarla a las comunicaciones.
Descubrieron los principios del electromagnetismo, la tarea se
hizo ms fcil y en 1835 aparecera el telgrafo, inventado casi
al mismo tiempo por el ingls Wheastone y el norteamericano
Morse. Este ltimo, que recibe generalmente los honores de la
prioridad construy en 1844 la primera lnea telegrfica y cre
poco despus su famosos alfabeto de puntos y rayas. Veinte
aos ms tarde, quedaba tendido el primer cable telegrfico a
travs del atlntico. El factor tiempo desaparecera as de las
comunicaciones humanas, que podan establecerse a travs de
las ms dilatadas distancias sin perder un minuto.
Lograda la transmisin del sonido a travs de un alambre,
comenzaron las experiencias tendientes a trasmitir tambin la
voz humana. Un maestro alemn llamado Res, logr construir
un aparato que comunicaba a cierta distancia el sonido de las
notas musicales. Poco despus, los norteamericanos Elisa Gray
y Alejandro Bell patentaban un telfono ms perfecto, capaz de
reproducir con fidelidad los matices de la voz humana.
4
. . .
Caraabirnaaltiempo
R E S E ~ A H I S T ~ R I C A
Los nuevos descubrimientos fueron frutos de la labor conjunta
de muchos hombres. Los principios establecidos por el sabio
alemn Enrique Hertz fueron aplicados por el Ingeniero Italiano
Guillermo Marconi, quien logr crear en 1896 el primer trasmisor
telegrfico sin alambre. Su invencin permiti mantener
contacto por primera vez en la historia, con los buques que
navegan en alta mar, impidiendo catstrofes nuticas.
La vlvula ideada por el sabio norteamericano Lee Forest
solucion muchos problemas tcnicos y permiti los grandes
progresos alcanzados por la aviacin. Nuevos desarrollos de los
mismos principios permitieron establecer las primeras
estaciones de radiotelefona. En los aos posteriores a la
primera guerra mundial, los receptores de radio cubrieron casi
toda la tierra.
Pero la ciencia electrdnica no se detienen aqui. Sus
aplicaciones, que estn lejos de haber sido agotadas, han dado
origen al radar, aparato detector que anuncia la presencia de
obstculos en la ruta de buques y aviones. La fotografa y el
cinematgrafo, de tanta importancia para la reproduccin de las
imgenes completan el cuadro de este progreso admirable de la
actividad humana.
El telfono inalmbrico, comnmente llamado radio, fue creado
entre 1910 y 1920, y se convirti en uno de los medios de
distraccin ms populares del mundo. Su influencia ha llegado a
adquirir importancia excepcional; la radio penetra en todos los
hogares con cargamento de emociones, msica, noticias y
propaganda, que llega a todos por igual.
Los primeros satlites artificiales lanzados al espacio a partir de
1957, llevaban dispositivos de radio para establecer
comunicacin con la tierra. El rpido progreso experimentado en
la especializacin de los satlites dio origen a la creacin de un
tipo de satlites llamados de telecomunicacin, que pueden ser
pasivos o activos. Los pasivos sirven solamente de superficies
reflectoras y su funcin se reduce a retransmitir, reflejndola,
los mensajes y seales que llegan a su superficie. Un satlite
de este tipo es el norteamericano ECHO I (1960), primero de su
clase, globo de plstico de 30 metros de dimetro.
Los satlites activos llevan equipos de radio, receptores y
trasmisores, y dispositivos electrnicos de registro y grabacin
de mensajes, que les permiten recibir y retransmitir miles de
palabras por segundo. El satlite norteamericano COURIER I ,
5
caw abieid dlienpo
R E S E ~ A H I S T ~ R I C A
satlite norteamericano TELESTAR I con equipo completo de
telecomunicacin para la recepcin y retrasmisin de programas
simultneos de televisin en colores, de millares de
conversaciones radiotelefnicas y mensajes radiotelegrficos. AI
transmitir el TELESTAR programas de televisin y
comunicaciones radiotelefnicas a las naciones de Europa y
Amrica, se reafirma la gran utilidad de los satlites de esta
clase en la nueva era que el progreso cientfico abre la historia
de las comunicaciones internacionales.
6
Caraab&ailipmpo
J U S T l F l C A C l d N
Una parte importante de la ingeniera electrnica en
comunicaciones es el diseo de equipos de transmisin y
recepcin de seales moduladas.
Parte fundamental de estos equipos se encuentra en la etapa de
amplificacin de radio-frecuencia en la cual, para su diseo se
toman en cuenta gran parte de los conocimientos adquiridos
durante la licenciatura, como por ejemplo:
Circuitos amplificadores con transistores
Respuesta a altas frecuencias de estos circuitos
Compensacin en frecuencia
Acoplamiento de impedancias entre etapas para lograr
mxima transferencia de energa.
Los amplificadores se pueden dividir en tres tipos:
0 Amplificadores de baja frecuencia
Amplificadores de frecuencia intermedia
0 Amplificadores en Alta frecuencia
Dependiendo en que frecuencia se desea que trabaje el
amplificador, se puede tener complicaciones ya que por ejemplo
para un amplificador en alta frecuencia se complica el diseo y
se tienen que tomar en cuenta el comportamiento del circuito en
alta frecuencia.
Al disear un receptor, generalmente se empieza por el detector
o la circuitera de demodulacin, sin embargo la mayora de los
circuitos detectores no trabajan bien en presencia de ruido o
seales de interferencia, adems de requerir de ciertos niveles
de voltaje en la seal deseada.
Dado que la seal de entrada puede tener una intensidad de
campo a la entrada del receptor en el rango de los microvolt/m,
mientras que las intensidades de las seales de interferencia y
seales de ruido captadas por la antena pueden estar en el
rango de los volts/m, se nota la necesidad de ganancia y
selectividad en el amplificador de entrada del receptor.
Los problemas en el diseo de un amplificador de R. F. son los
siguientes:
Controlar el nivel de
distancia adecuada
deseada.
Controlar las no
ruido con el fin
por debajo de
linealidades de
de mantenerlo a una
I nivel de la seal
I dispositivo activo
utilizado por el amplificador, para prevenir distorsin en la
seal o interacciones no deseadas de la seal.
Cuidar que el nivel de ganancia no produzca oscilaciones
no deseadas.
8
O B J E T I V O S
OBJETI VOS
Mostrar y disear un amplificador a baja frecuencia
Mostrar y disear un amplificador a frecuencia media
Disear un amplificador de R. F. a pequea seal para
trabajar a una frecuencia de 100 MHz.
lmplementar el diseo terico, efectuando todos los
ajustes necesarios para su correcto funcionamiento, tales
como: acoplamiento de impedancias, ajuste de circuitos
resonantes y ajuste de las impedancias de entrada y
salida.
9
10
. . I . . . ,
Casa abilrta a l f h
A M P L I F I C A D O R D A R L I N G T O N
AMPLI FI CADOR DARLINGTON
El amplificador Darlington es un circuito transistorizado
ampliamente utilizado, que consiste en emisores seguidores
conectados en cascada, por lo general, un par como el que se
muestra en la figura 1-1. La ganancia total de voltaje es cercana
a la unidad. El resultado principal es un incremento muy grande
en la impedancia de entrada y un decremento igualmente grande
en la impedancia de salida.
- - -
Fi gura 1- 1 Amplificador Darlington
1.1 Analisis de c c
Para empezar, el primer transistor tienen una cada VBE y el
segundo transistor tiene otra cada VBE. Como es habitual, el
divisor de voltaje produce un voltaje de Thvenin que se aplica
a la base de entrada. A causa de las dos cadas VBE , la
corriente de cc de emisor en la segunda etapa es:
La corriente de cc de emisor en la primera etapa es igual a la
corriente de cc de base en la segunda etapa; por lo tanto:
1. 2 Anlisis de ca
Si se desprecia r'e2, la impedancia de entrada en la segunda
etapa es:
11
Donde p2 es la beta de ca del segundo transistor. Esta es la
impedancia vista por el emisor del primer transistor. Si se
desprecia rel, la impedancia de entrada en la base del primer
transistor es:
La impedancia de entrada es extremadamente alta porque se
multiplican las betas de ca y de esta forma la impedancia
aproximada de entrada del amplificador darlington es:
A continuacin, se mostrara la impedancia de salida del
amplificador Darlington. AI igual que antes, la impedancia de ca
de Thvenin en la entrada es:
La impedancia de salida de la primera etapa es:
La segunda etapa tiene una impedancia de salida de:
Donde Zsal(2) = impedancia de salida de Darlington
rel =resistencia de ca del primer diodo emisor
re2 =resistencia de ca del segundo diodo emisor
p l =beta de ca del primer transistor
p2 =beta de ca del segundo transistor
rt, = R, I 1 4 11 R2
Esta impedancia de salida puede ser muy pequea.
12
Casaababiuiaailjfmpa
A M P L I F I C A D O R D A R L l N G T O N
1.3 Ai sl ami ent o
Como se ha visto, la impedancia de entrada aumenta y la
impedancia de salida disminuye. En virtud de esto, los
seguidores de emisor y los amplificadores Darlington se usan
para aislar fuentes de alta impedancia de las cargas de baja
impedancia. Si se introduce una seal directamente desde una
fuente de alta impedancia hacia una carga de baja impedancia,
la mayor parte del voltaje de ca se perder en la impedancia de
la fuente. Insertando un seguidor de emisor o amplificador
Darlington entre la fuente y la carga se evitar una prdida
excesiva de seal, originando una fuente lo bastante estable
para excitar la mayor parte de los resistores de carga.
Tngase presente esta idea de aislar una fuente de alta
impedancia de una carga de baja impedancia, pues de lo
contrario se perder constantemente el voltaje de seal cuando
se conecten circuitos de alta impedancia a cargas de baja
impedancia.
1.4 Ej empl o de un ampl i f i cador Dar l i ngt on
Una fuente de ca de 1 V rms con una impedancia de 3.6 KC2
excita el amplificador Darlington de la Figura 1-2(a).
Los valores propuestos para este circuito son:
p l =p2 = 100
R1 =I 00 kR
RE =360 S2
Tenemos que la corriente de cc de emisor en la segunda etapa
es:
Por lo tanto, la resistencia de ca del segundo diodo emisor es:
25m V
r'e2 - lOmA
-
-.
= 2.32
La corriente de cc de emisor en la primera etapa es :
Por lo tanto, la resistencia de ca del primer diodo emisor es:
La impedancia aproximada de entrada viendo en la base del
primer transistor es:
Ze n t ( l ) 21 - 100(100)(360R) = 3.6A40
Puesto que sta es mucho ms grande que l os resistores de
polarizacin, la impedancia aproximada de entrada del
amplificador Darlington es:
La impedancia de ca de Thvenin a la entrada es:
qh = 3.6k-n 11 1OOkQ ( 1 l00k-n = 3.36k-n
Por tanto, la impedancia de salida del primer emisor es:
14
Si se desprecian l os 360i2, la impedancia de salida del segundo
emisor es:
La figura 1-2(b) resume estos clculos.
En vista de que la impedancia de entrada es mucho ms grande
que antes, casi todo el voltaje de ca de la fuente llega a la
entrada del amplificador:
La ganancia de voltaje es aproximadamente igual a 1 y , por lo
tanto, la salida final es una fuente de voltaje de 0.933V con una
impedancia de 5.340. Una fuente como sta ver estables todas
las cargas que sean mayores de 53452 y firmes todas las cargas
que sean mayores de 53.40.
SI MULACI ~N
Para darnos una aproximacin e idea del comportamiento del
circuito, se utiliza el simulador Microcap 6.0. El circuito armado
ser el mencionado en la figura 1-2(a) y se muestra en la figura
1-3.
Fi gura 1- 3 Circuito Darlington hecho en Microcap 6.0
C~& 14& 1mt ap P
De la figura 1-3 se muestra que la seal de entrada es en el
nodo 1 y la seal de salida en el nodo 8, dicho lo anterior el
comportamiento del circuito se muestra en la siguiente grfica:
De esta grfica se puede ver que la ganancia es:
Resultados
Los resultados obtenidos prcticamente fueron los siguientes
I Salida 1 4.6V
I
La ganancia del amplificador Darlington es:
clw ab& al t hpn
A MP L I F I C A DOR DA R L I NGT ON
Comentarios
Se observa que los resultados calculados tericamente son de
lo mas cercanos a los realizados prcticamente.
Era de esperarse que los valores de la simulacin concordaran
un poco con los valores prcticos, pero bueno, esto se debe
mucho a que los dispositivos utilizados no se comportan de
forma ideal en la prctica.
17
Cara&I & al t kwo
A M P L I F I C A D O R C L A S E 6
18
. . . .,.. "I .... ~. ".*." -.
AMPLIFICADOR CLASE B
La operacin en clase B de un transistor quiere decir que la
corriente de colector fluye slo durante 180" del ciclo de ca.
Esto implica que el punto Q se localiza aproximadamente en el
punto donde se cortan las rectas de carga de cc y de ca. La
ventaja de la operacin en clase B es una menor disipacin de
potencia del transistor y un consumo reducido de corriente.
2.1 Circuito push- pul l
Cuando un transistor opera en clase B, recorta la mitad de un
ciclo. Para evitar la distorsin resultante] se tiene que usar dos
transistores en arreglo push-pull. Esto significa que un
transistor conduce durante un semiciclo y el otro transistor
conduce durante el otro semiciclo. Con los amplificadores push-
pull es posible construir amplificadores de clase B que tengan
baja distorsin, potencia grande en la carga y alta eficiencia.
La Figura 2-1 muestra una forma de conectar un emisor
seguidor push-pull de clase B. Lo que se ha hecho es conectar
un emisor seguidor npn y un emisor seguidor pnp en un arreglo
complementario o push-pull. Para entender lo que esta
sucediendo, empecemos con el anlisis del circuito equivalente
en cc mostrado en la figura 2-2. El diseador selecciona los
resistores de polarizacin para fijar el punto Q en el corte. Esto
polariza el diodo emisor de cada transistor entre 0.6 y 0.7 VI
segn lo que se necesite para dejar justo a punto de bloqueo al
diodo emisor, idealmente:
Fi gur a 2-1 Emi s or s egui dor c l as e B
En Pus h- Pul l
- -
Figura 2-2 Ci r c ui t o equi v al ent e
en c c
. " . " ., ,.L. .r ., ,
Caraabiertaalt i empo
A M P L I F I C A D O R C L A S E B
Ntese la simetra del circuito. Puesto que l os resistores de
polarizacin son iguales, ambos diodos emisores estn
polarizados por el mismo voltaje. Consecuentemente, la cada
de voltaje en cada transistor es la mitad del voltaje de
alimentacin. O sea,
2. 2 L nea de car ga de cc
Puesto que no hay resistencia de cc en los circuitos de colector
o emisor de la figura 2-2, la corriente de cc de saturacin es
infinita. Esto quiere decir que la recta de carga de cc es vertical
como se muestra en la figura 2-3. Si esto parece una situacin
peligrosa, es porque efectivamente lo es. Lo ms difcil, al
disear un amplificador en clase B, es fijar un punto Q estable
en el corte. Cualquier disminucin significativa de VBE con la
temperatura puede mover el punto Q hacia arriba de la recta de
carga en cc a valores altos de corriente que son peligrosos. Sin
embargo por el momento se supone que el punto Q est fijo en
el corte, como se muestra en la figura 2-3.
I C
A
Lnea de carga de cc -+
ycc
2 4
Lnea de carga de ca
"
V CE
.. __. -
2
Fi gur a 2- 3 Lineas de carga
2.3 L nea de car ga de ca
La lnea de carga de ca obtenida anteriormente es aplicable
todava. Para un emisor seguidor, la corriente de saturacin es:
y el voltaje de ca es:
En el emisor seguidor de clase B que se observa en la figura 2-
1, I c Q=O, VCEQ= Vcc/2, y rE=RL; por lo que la corriente de
saturacin de ca y el voltaje de corte se reduce a:
Y
La figura 2-3 muestra la lnea de carga de ca. Cuando
cualquiera de los transistores est conduciendo, su punto de
operacin se mueve hacia arriba sobre la lnea de carga de ca
mientras que el punto de operacin del otro transistor
permanece en corte; la variacin de voltaje del transistor en
conduccin puede recorrer todos los valores desde corte hasta
saturacin. Para la otra mitad del ciclo, el otro transistor opera
de la misma manera. Esto significa que la excursin mxima de
salida de un amplificador push-pull de clase B es mayor que la
de uno de clase A, puesto que es igual a:
Con un suministro de IOV, se puede hacer un push-pull clase B
emisor seguidor con una excursin mxima de salida de ca de
1 ov.
2.4 Anlisis de ca
La figura 2-4 muestra el equivalente en ca del transistor en
conduccin. Este es casi idntico al seguidor de emisor en clase
A. La ganancia de voltaje con carga es:
La impedancia de entrada de la base, bajo condiciones de carga
es:
y la impedancia de salida es
La ganancia de corriente Ai es aproximadamente igual a p, y la
ganancia de potencia es:
A = AYA,
P
- - -
Fi gur a 2- 4 Ci r c ui t o equivalente d e ca
2.5 Funci onami ent o genera1
En este momento se tiene ya una idea de lo que hace el circuito
de la figura 2-1. Durante el semiciclo positivo de la seal de
entrada, el transistor conduce y el inferior corta. El transistor
superior acta como un emisor seguidor normal, de tal forma
que el voltaje de salida es aproximadamente igual al voltaje de
entrada. Como se sabe, la impedancia de salida es muy baja
debido al seguidor de emisor.
Durante el semiciclo negativo de la tensin de entrada, el
transistor superior corta y el transistor inferior conduce, El
transistor inferior acta como un emisor seguidor ordinario y
produce un voltaje en la carga aproximadamente igual al voltaje
de entrada.
22
, . ,
El funcionamiento general est ya claro: el transistor superior
maneja el semiciclo positivo del voltaje de entrada, y el
transistor inferior se encarga del semiciclo negativo. Durante
cada uno de los semiciclos, las bases respectivas presentan una
alta impedancia a la fuente, y a la carga se presenta una baja
impedancia de salida.
2.6 Di s t or s i n de c r uc e ( c r os s ov er )
La figura 2-5 muestra el circuito equivalente de ca de un emisor
seguidor push-pull en clase B. Supngase que no se aplica
polarizacin a los diodos emisores. Entonces, la seal de ca que
se aplique debe alcanzar cerca de 0.7V para superar el
potencial de barrera. Debido a esto, no circula corriente por Q1
cuando la seal de entrada es menor de 0.7V. La operacin del
otro semiciclo es complementaria; no circula corriente en Q2
hasta que el voltaje de entrada de ca es ms negativa que -
0.7V. Por esta razn, si no se tienen polarizacin aplicada a los
diodos emisores, la salida de un seguidor de emisor push-pull
de clase B se parece a la que se muestra en la figura 2-6.
4 4 b
j? L.
1 - -
Fi gur a 2.5 Circuito equivalente de ca Fi gur a 2-6 Distorsin de cruce
-
Para u n amplificador clase B
La seal se encuentra distorsionada; ya no es una seal
sinusoidal, debido a la accin de recorte que se produce en
cada semiciclo. Como este recorte se produce en el intervalo de
tiempo en el que uno de los transistores est en corte y el otro
entra en operacin, se llama di s t or s i n de cr uce. Para eliminar
la distorsin de cruce se requiere aplicar una ligera polarizacin
directa a cada diodo de emisor. Esto quiere decir que el punto Q
se sita levemente por encima del corte, como se muestra en la
figura 2-7. Como gua, una ICQ entre el 1 y el 5 por ciento de la
IC(sat) es suficiente para eliminar la distorsin de cruce.
23
Punto Q
I
I
I V C E
VCEQ
Figura 2- 7 L nea de c ar ga d e c a con p o l ar i zac i 6n l i ger ament e
Ar r i ba del c or t e
Estrictamente hablando, se tiene operacin de clase AB. Esto
significa que la corriente circula en cada transistor ms de 180"
pero menos de 360". Como la operacin se encuentra ms cerca
de la clase B que de la clase A , mucha gente se refiere al
circuito como un amplificador de clase B.
2.7 Distorsin no l i neal
El seguidor de emisor push-pull de clase B reduce la distorsin
an ms, puesto que los semiciclos son idnticos en forma. A
pesar de que an se produce alguna distorsin no lineal, sta es
menor que en los amplificadores de clase A.
La razn de que est distorsin sea menor se debe a que todas
las armnicas pares se cancelan. Las armnicas son mltiplos
de la frecuencia de entrada. Por ejemplo, si fent=1 kHz, la
segunda armnica es de 2 kHz, la tercera armnica es de 3 kHz,
y as sucesivamente. Un amplificador clase A de seal grande
produce todas las armnicas: fent, 2fent, 3fent, 4fent y as
sucesivamente. Un amplificador push-pull de clase B produce
solamente armnicas nones: fent, 3fent, Sfent , etc. Esta es la
razn de que la distorsin sea menor en los amplificadores
push-pull de clase B.
. 1 .
2.8 Ej empl o AMPLIFICADOR CLASE B
El circuito que se armo para est tipo de amplificador se
muestra en la figura 2-8.
vs
Fi gur a 2- 8 Amplificador P ush-P ull
Los valores que se propusieron para est circuito fueron:
c= 1000pf
R3 =33052
vcc = 12v
una ganancia de A =18
Los dems valores se obtuvieron por frmula:
RL =[R3-((A*R3)/p)J /2A con una p =150, RL =8 0
R1+R2 =(4*R3*Vbe)/(Vcc-2Vbe) con un Vbe =0.7V,
RI +R2 =87.1652
as que a R I se le di o un valor de R1 =3. 30 y R2
es una resistencia variable de R2 = 100KQ
Con la resistencia R2 se logra variar el Vbe y con ello que la
seal no Salga perfecta, logrando ver los posibles armnicos de
la seal.
Cr u g i e f i r a i h p o
Si mul aci n
El circuito a simular es el que se muestra en la figura 2-8. El
circuito armado en Microcap 6.0 es el mostrado en la figura 2-9.
VCC
7-
1
vc C
1 ODOU
330
2N3904
3.3
1 QOQu -
v2 1 Ok
1 ooou
- 2N4402 8
330
Fi gur a 2-9 Amplificador Cl ase B armado en Mi crocap 6.0
De la figura 2-9 se observa que: el nodo 2 es la seal de
entrada y en el nodo 6 es la seal de salida. La grfica obtenida
de est simulacin fue la siguiente:
r
De est grfica se pude obtener la ganancia, la cual es:
. ..-... .., ,.,.
A M P L I F I C A D O R C L A S E 8
Resul t ados
Los resultados prcticos obtenidos en laboratorio fueron los
siguientes:
I SEAL I AMPLlTUD(P-P) I
Entrada 1 1 OOmV
Salida 1v
La ganancia del amplificador push-pull es:
Coment ar i os
Dentro del funcionamiento se obtuvo lo ya comentado con
anterioridad, en el sentido de que el sistema se comporto de
manera no lineal y con ta ayuda de la R2 se pudo mostrar como
la seal de salida se distorsionaba an ms, mostrando as las
diferentes armnicas producidas por el sistema.
Los Resultados obtenidos en el amplificador Push-Pull, tai vez
no sean l os esperados dados l os clculos realizados para una
ganancia de 18. Esta ganancia no obtenida se debe muy
probablemente a no considerar la resistencia de la fuente, las
tolerancias de las resistencias y capacitores, la potencia
disipada por los transistores, los valores no ideales de los
transistores, etc.
Si bien la simulacin de un circuito ayuda al diseo del mismo,
en este caso la ganancia obtenida de la simulacin estuvo muy
alejado de la realidad y no se pudo dar una explicacin del
porque la simulacin estuvo muy alejada dela realidad.
27
2.9 AMPLI FI CADOR CASCODE
El circuito armado se muestra en la Figura 2-10.
VI: c
-
Figura 2- 10 Amplificador Cascode
Para el circuito mostrado en la figura 2-10 se proponen los
siguientes valores:
RL = 50K62
Rc =2.2KQ
C= 1OOpF
vcc = 12v
Para obtener la ganancia, se usa la siguiente frmula:
De donde:
De las tablas del fabricantes (ver anexo) se tiene que VT= 27e-3
e I C =0. 2mA, por lo que:
28
hib = 135R
Con este valor de hib el valor de la ganancia es:
El valor de las resistencias de base se encontraron al analizar
la malla de entrada, cuya ecuacin es:
VCC =((RI *lc)/2) +Rl(lC-lb) +Rl(lC-lb)
Despejando a R1 se tiene que:
R1=
2 vcc
4 IC
31c - -
P
De tablas se tiene que p = 135, as que:
El valor de R1 = 40.4KR z 50KR. En cuanto a Re, ser una
resistencia variable con un valor promedio de Re = I KQ, ya que
es la que permitir variar el punto de operacin.
Los valores para el amplificador cascode son
Componentes
RL =50KR, Re =33052
Rc =2.2.KR
R1 =50KR
C = IOOpF
Q =2N2222
Fuente
vcc = 12v
C M *i r ai tienip
Si mul aci n
circuito armado en Microcap 6.0 es el mostrado en la figura 2-
11.
l.:>; 1.
r-"-l
o 1
-
Fi gur a 2-11 Amplificador Cascode armado en Microcap 6.0
I
30
De est grfica se pude obtener la ganancia, la cual es:
Res ul t ados
Los resultados obtenidos fueron los siguientes:
I SEAL 1 AMPLI TUDtP-PI I
I Entrada 218mV 1
I Salida 2v I
La ganancia del amplificador cascode es:
Coment ar i os
En este caso la ganancia obtenida prcticamente no es lo
esperado con respecto a la ganancia terica, pero este circuito
resulto ser muy sencillo de construir con dispositivos
comerciales y con una respuesta bastante alta.
Se puede observar que la ganancia obtenida de la simulacin
del circuito en el microcap 6 . 0 se sale de toda similitud con
respecto a los valores esperados prcticamente.
31
casa abista. I t-o
A M P L I F I C A D O R C L A S E C
32
C m abista al l k mo
A MP L I F I C A D OR C L A S E C
AMPLIFICAOOR CLASE c
Un amplificador clase C puede entregar ms potencia a la carga
que un amplificador clase B; pero si se trata de amplificar una
seal senoidal, necesita sintonizarse a la frecuencia de esa
seal. Es por ello que al amplificador clase C es un circuito de
banda estrecha que slo puede amplificar la frecuencia de
resonancia y aquellas frecuencias cercanas a sta. Estos
amplificadores se operan siempre a radiofrecuencias ( RF) , o sea
a frecuencias mayores de 20 kHz, donde el circuito resonante
puede formarse sin necesidad de usar capacitores e inductores
excesivamente grandes. As pues, los amplificadores clase C,
aunque son los ms eficientes de todos, nicamente son tiles
para aplicaciones de banda estrecha en RF.
La operacin en clase C se caracteriza porque la corriente de
colector circula durante menos de 180" del ciclo de ca. Esto
significa que la corriente de colector de un amplificador clase C
no es senoidal en absoluto ya que circula en forma de pulsos.
Para evitar la distorsin que resultara sobre una carga
puramente resistiva, los amplificadores clase C tienen que
esperar siempre sobre un circuito tanque sintonizado que
permite obtener un voltaje senoidal de salida.
3. 1 Ampl i f i cador Si nt oni zado
En la figura 3- l ( a) puede verse un ejemplo de amplificador clase
C. El circuito resonante paralelo est sintonizado a l a frecuencia
de la seal de entrada. Cuando el circuito tiene un elevado
factor de calidad (a), la resonancia en paralelo se presenta a
una frecuencia
donde fr =frecuencia de resonancia
L =inductancia
C =capacitancia
A la frecuencia de resonancia, la impedancia del circuito
resonante paralelo es muy elevada y puramente resistiva (para
que esta aproximacin sea vlida, se requiere que la Q del
circuito sea superior a 10, suposicin generalmente aceptable
en los circuitos sintonizados de RF). Cuando el circuito est
sintonizado a la frecuencia de resonancia en RL es mximo y
senoidal.
iQcc
+vcc
i'l
RL
Fi gur a 3- 1 (a) Amplificador clase C sintonizado. (b) Respuesta en frecuencia. (c)
Circuito equivalente de cc. (d) Circuito equivalente de ca con Q mayor de 10. (e)
Rectas de carga
34
caw abimal t wnpl l
En la figura 3-l(b) puede verse cmo vara la ganancia de
voltaje con la frecuencia. Como puede verse, la ganancia
alcanza un valor mximo A ma x para la frecuencia fr. Para valores
mayores y menores de esta frecuencia de resonancia la
ganancia de voltaje disminuye. Cuanto mayor sea la Q del
circuito, ms pronunciadas sern estas disminuciones de
ganancia en ambos lados de resonancia.
3.2 Ausenci a de pol ar i zac i n
En la figura 3-l(c) se ha incluido el circuito equivalente de cc;
se puede comprobar que el transistor no tiene polarizacin
alguna. Su punto Q por consiguiente, se representa en el punto
de corte de la lnea de carga en cc. Puesto que no hay
polarizacin, el voltaje VBE de cc es cero y por consiguiente no
puede circular corriente de colector hasta que la seal de
entrada sea mayor aproximadamente 0. 7V. Ntese tambin que
la resistencia de colector en cc es Rs ; sta es la resistencia de
cc del inductor de RF que por lo general es de unos pocos
ohms.
3.3 Lneas de c ar ga
Puesto que RS es muy pequea, la lnea de carga de cc parece
ser casi vertical en la figura 3-l(e); sin embargo, no existe
peligro de avalancha o carrera trmica porque el transistor no
conduce ms corriente que la fuga. El punto esttico de
operacin ( Q) est en corte y no hay posibilidad de avalancha
trmica.
Las frmulas que se obtienen de la lnea de carga de ca son:
Y
En el amplificador clase C de la figura 3-l(a), I C Q =O y VCEQ =
Vcc. Por tanto, las ecuaciones anteriores se reducen a
Y
35
A MPL I FI C A D O R C L A SE C
En la figura 3-l(e) puede verse la recta de carga de ca. Cuando
el transistor est conduciendo, su punto de operacin sube
sobre la recta de carga. La resistencia de ca vista por el
colector es rc. La corriente de saturacin de ca en un
amplificador clase C es Vcc/rc y la variacin mxima de voltaje
es de Vcc.
3.4 Ci r c ui t o equi v al ent e en c a
Cuando la Q del circuito resonante es mayor de 10, se puede
usar el circuito equivalente aproximado de ca que se indica en
la figura 3-l(d). En este circuito, la resistencia en serie del
inductor se ha incluido en la resistencia de colector. En un
amplificador de clase C, el capacitor de entrada forma parte de
un fijador (clamper) negativo de cc. Esto quiere decir que la
seal de entrada a un amplificador clase C tiene un nivel fijo
negativo de cc. En el lado de salida, la fuente de corriente de
colector se aplica a un circuito tanque. En el punto de
resonancia del circuito tanque paralelo, el voltaje pico a pico en
la carga alcanza su valor mximo.
Recurdese que el ancho de banda de un circuito resonante se
define como:
Donde f ? =frecuencia correspondiente al punto inferior de
media potencia
f2 =frecuencia correspondiente al punto superor de media
potencia
El ancho de banda est relacionado con la frecuencia de
resonancia y la Q del circuito por la expresin:
f r
Q
B = --
donde B =ancho de banda
f r =frecuencia de resonancia
Q =factor de calidad del circuito completo
Esto significa que una Q elevada produce un ancho de banda
pequeo que equivale a una sintona muy precisa. Los
amplificadores clase C tienen casi siempre un circuito cuya Q es
mayor de 10. Esto implica que el ancho de banda es menor al
36
....
Cara abiata al -o
10% de la frecuencia de resonancia, razn por la cual se dice
que son amplificadores de banda estrecha. La salida de un
amplificador de banda estrecha es un elevado voltaje senoidal
en el punto de resonancia con una cada rpida de voltaje a un
lado y otro de esa frecuencia.
3.5 Ca da o di s mi nuc i 6n de c or r i ent e en r es onanc i a
Por lo general la Q de los circuitos resonantes es mayor de I O ,
lo que permite usar el circuito equivalente aproximado para ca
de la figura 3- l ( d ) . En este circuito la resistencia en serie del
inductor est incluida en la resistencia de colector rc. Esto deja
un inductor ideal en paralelo con un capacitor ideal y, cuando
este circuito es resonante, la impedancia de ca de la carga vista
por la fuente de corriente del colector es puramente resistiva y
de valor muy elevado, con lo que la corriente de colector pasa
entonces por un mnimo. Por arriba y por debajo de la
frecuencia de resonancia disminuye la impedancia de carga en
ca, con lo que la corriente de colector aumenta.
Supngase, por ejemplo, que la frecuencia de resonancia sea de
5 MHz. Para una seal de entrada de 5 MHz el circuito
resonante hace que la corriente de colector pase por un valor
mnimo. Si la frecuencia de la seal de entrada es menor a 5
MHz, el tanque presenta un efecto inductivo y la corriente de
colector aumenta. Del mismo modo, si la frecuencia de entrada
es superior a 5 MHz, el efecto capacitivo predomina en el
tanque y la corriente de colector tambin aumenta.
Una forma de sintonizar un circuito tanque a la frecuencia de
entrada ser, pues, buscar una caida de la corriente directa
suministrada al circuito. En la figura 6-a se podra conectar un
ampermetro de cc en serie con la Vcc de alimentacin. Cuando
se consiga sintonizar el circuito tanque con la seal de entrada,
la lectura del ampermetro disminuir a un valor mnimo y esta
cada ser la indicacin de que se ha logrado la sintona.
3.6 Res i s t enc i a del c ol ec t or de c a
Toda bobina o inductor tienen cierta resistencia en serie Rs .
Aunque en tos esquemas nunca se representa esta resistencia
como componente separado del circuito, es importante recordar
su existencia y, por ello, se ha incluido en la figura 3-2(a). La Q
del inductor esta dada por
donde QL =factor de calidad de la bobina
XL =reactancia inductiva
37
A MP L I F I C A D O R C L A SE C
Rs =resistencia de la bobina
Figura 3-2 (a) Rs representa las prdidas en la bobina. (b) Rp representa las prdidas
en la bobina
Debe recordarse que se est hablando de la Q de la bobina
solamente. El circuito completo presenta una Q menor, porque
en I hay que incluir tanto la resistencia de carga como la
resistencia de la bobina.
Como se ha aprendido en los cursos bsicos de cal la
resistencia en serie del inductor puede sustituirse por una
resistencia en paralelo RP, como se muestra en la figura 3-2(b).
Esta resistencia equivalente est dada por:
Si la QL es mayor de 10, esta frmula tiene un error menor del
1 %.
Con respecto a la figura 3-2(b), es importante recalcar que
todas las prdidas que se produzcan en la bobina quedan ahora
representadas por la resistencia en paralelo Rp; la resistencia
en serie RS ya no existe en el circuito equivalente. En el punto
de resonancia XL se anula con Xc , dejando nicamente a R p en
paralelo con RL. Esto significa que la resistencia de ca en
resonanci
y la Q del
a, vista desde el-colector, es
rc = R, I I R L
circuito completo est dada por
Como se ve la Q del circuito completo resulta inferior a la Q de
la bobina, QL . En l os amplificadores clase C reales, la Q de la
bobina suele ser de 50 o ms y la Q del circuito es 10 o ms.
Por ello, el circuito resulta ser de banda estrecha. Adems,
puesto que la Q de la bobina es igual o superior a 50, la mayor
parte de la potencia de ca entregada a la carga la absorbe la
resistencia de carga y slo una pequea fraccin se disipa en la
resistencia de la bobina.
3.7 Fact or de ser vi ci o
El breve periodo de conduccin del diodo emisor en cada pico
positivo produce pulsos estrechos de corriente en el colector.
Cuando se tienen formas de onda de este tipo pulsante
convienen usar como medida el factor de servicio (duty cycle),
que se define como:
Por ejemplo, si en el osciloscopio se ve que el ancho de los
pulsos es de 0.2 ps y el perodo es de 1.6 ps, el factor de
servicio ser
lo que equivale al 12.5%
3.8 Fi l t r ado de ar mni cas
Como ya se ha visto, toda onda no senoidal equivale a una
frecuencia fundamental f, ms una segunda armnica de
frecuencia 2f, ms una tercera armnica de frecuencia 3f, etc.
En la figura 3-3(a), la fuente de corriente de colector se aplica
al circuito tanque con la corriente no senoidal de la figura 3-
3(b). Si la frecuencia de resonancia del tanque es la
fundamental f, todas las armnicas resultan filtradas y el voltaje
en la carga resultar ser una senoidal a la frecuencia
fundamental f, como se indica en la figura 3-3(c).
39
% 2vcc
f
Fi gur a 3-3 ( a) Ci r c u i t o eq u i v al en t e d e c a. (b) Pul s os angos t os de l a c or r i ent e de
c ol ec t or . ( c ) Vol t aj e de c ol ec t or .
Como ya se dijo anteriormente, la variacin mxima de voltaje
sobre la lnea de carga de alterna es V c c . Por consiguiente, bajo
condiciones mxima de seal, el voltaje en la carga vara desde
VCE( s at ) hasta 2Vc c . Puesto que VCE( s at ) es prcticamente cero,
la excursin mxima de salida en alterna de un amplificador
clase C resulta ser:
El amplificador clase C es bastante extrao; primeramente fija
un nivel negativo sobre la seal de entrada para obtener pulsos
de corrientes fuertemente distorsionados; a continuacin emplea
un circuito resonante de Q elevada para restaurar la frecuencia
fundamental. Por qu hacer esto? Bsicamente para aumentar
el rendimiento, la eficiencia de la etapa amplificadora. La
ausencia de resistencias de polarizacin ya indica que habr
menos consumo de corriente; adems, debido a lo angosto de
los pulsos de corriente, la disipacin del transistor es menor que
en clase A o en clase B. El resultado neto global es que hay
menos consumo de corriente, lo que se traduce en un mejor
rendimiento. Como se tendr ocasin de comprobar, el
rendimiento de una etapa en clase C puede llegar casi al I 00
por ciento.
40
clra ab& dl t hnpa
3.9 Pot enci a en l a carga
La potencia de ca en la carga de una etapa clase C est dada
por:
Donde PL =potencia de ca en la carga
RL =resistencia de carga
VPP =voltaje de pico a pico en la carga
La potencia en la carga es mxima cuando se usa toda la recta
de carga, puesto que el valor de la mxima excursin de salida,
PP, mide el mximo valor de VPP que se obtienen sin recortar la
seal, se puede escribir la potencia maxima en la carga en
funcin de esta excursin mxima de salida:
PP2
Los amplificadores clase C se usan casi siempre de forma que
operen a todo lo largo de la recta de carga, con lo que se
obtiene la mxima potencia en la carga y la mxima eficiencia
posible en la etapa.
3.10 Consumo de cor r i ent e
Para un ngulo de 180" la corriente promedio es de 0.31 8lc(sat).
Esta corriente media es la nica componente que tiene que
considerarse en el consumo de corriente de una etapa clase C.
La potencia de cc suministrada al circuito es:
donde P s =potencia de cc suministrada por la alimentacin
Vcc =Voltaje de alimentacin
Is =consumo de corriente de cc
La potencia se disipa en la carga, el transistor y la bobina.
Despreciando la pequea potencia de ea suministrada a la
entrada del amplificador:
Donde Ps =potencia de cc entregada por la alimentacin
41
casa abimtaallianpn
PL =potencia de ca en la carga
PD =potencia disipada en el transistor
P( b o b i n a) =potencia disipada en la bobina
Esta ltima ecuacin indica que la potencia de cc entregada al
circuito debe salir en forma de potencia en la carga y de
perdidas de potencia en el transistor y la bobina.
3. 11 Ef i c i enc i a de l a et apa
La eficiencia de una etapa en clase C, o rendimiento de etapa,
es:
D
1
L(mdx)
v = M O O %
ps
En un amplificador de clase C, la mayor parte de la potencia
suministrada por la alimentacin de convierte en potencia de ca
en la carga. Las prdidas en el transistor y la bobina son lo
suficientemente pequeas para ser despreciadas y, por
consiguiente, la eficacia de la etapa es elevada.
Cuando el ngulo de conduccin es de 180, el rendimiento de
la etapa es de 78.5%, o sea el limite mximo terico de una
etapa en clase B. Cuando el ngulo de conduccin disminuye, el
rendimiento aumenta. Como ya se dijo, la eficiencia mxima en
una etapa clase C es tericamente del l oo%, valor al que se
acerca e amplificador con ngulos de conduccin muy
pequeos.
3. 12 Ej empl o ampl i f i c ador c l as e C
Analizar el circuito de la figura 3-4.
0.01 UF 1 000 pF
5 V 8" 4.7 k I ~ I k
i -
- - - -
Figura 3- 4 Ampl i f i cador clase C
42
, . ... ..*_
La frecuencia de resonancia es
Por tanto, la reactancia inductiva valdr:
XI, = 2@. 19MH~)(2pH) = 65 -20
La resistencia en paralelo es:
R, = Q,X, = 50(62.2Q) = 3.26KI
La resistencia de carga de ca es el equivalente de Rp y RL en
paralelo:
La Q del circuito es:
y el ancho de banda es:
La excursin mxima de salida de ca sera:
PP z 2(15V) = 30V
La potencia de ca en la carga es:
La prdida de potencia en la bobina vale:
43
p , = VPK ' - - (30V)'
(bobzna)
8R, 8(3260sZ)
= 34.5m W
Si la potencia disipada por el transistor es de 7. 5 mW, la
potencia de cc entregada por la alimentacin es:
P y = P ' +Po + <bobi nn) = 113mW +7.5mW + 34.5mW = 155mW
Con lo que la eficiencia de la etapa ser
Simulacibn
circuito armado en Microcap 6 . 0 es el mostrado en la figura 3-5.
1 k.
Fi gur a 3- 5 Ampl i f i cador Clase C ar mado en Microcap 6.0
44
cau ahUtlditlrnyw
i
De donde la ganancia es:
Resul t ados
Los resultados prcticos obtenidos fueron los siguientes:
SENAL
29v
Salida
1 ov Entrada
AMPLITUD(P-P)
La ganancia del amplificador clase C es
45
, . . ..
65. 4di- al lirnpo
Comentarios
Este circuito es muy fcil de construir con la ventaja de lograr
una amplificaci6n solamente a la seal deseada.
Los clculos tericos se acercaron mucho a l os obtenidos
prcticamente, inclusive a los realizados en el simulador
microcap 6.0
46
I_-
4 7
Casa b i l r t a a l ~ u
A MP L I F I C A D OR E N U H F
4.1 TEORA DE PEQUEIA SEQAL
4.1.1 POLARiZACltfN
En la mayora de los diseos de amplificadores de radio-
frecuencia, se debe cuidar la parte de polarizacin del
transistor, a menos que el amplificador sea operado a
temperatura ambiente solamente y no sea necesario disear un
punto de operacin de dc, extremadamente estable con la
temperatura. Si por otro lado, el amplificador debe operar
manteniendo ciertas especificaciones (ganancia, figura de ruido,
etc.) sobre grandes rangos de temperatura, l a red de
polarizacin de dc debe ser considerada cuidadosamente.
Observando las curvas de los parmetros Y y S de las hojas de
especificaciones del transistor 2N5179, se ve que un cambio en
el punto de polarizacin del transistor afecta todas las
caractersticas de operacin de rf del transistor.
Hay dos caractersticas internas bsicas del transistor que
tienen un profundo efecto en el punto de operacin de dc del
transistor con la temperatura; ellos son AVBE y Ap . El objeto del
diseo de una buena polarizacin estable con la temperatura es
minimizar los efectos de estos parmetros.
AI incrementarse la temperatura, el voltaje base-emisor ( VBE) ,
del transistor decrece a una tasa de cerca de 2. 5 mV/"C desde
su valor nominal a temperatura ambiente de 0.7 Volt (para un
dispositivo de silicio). Mientras el VBE disminuye, se permite
que fluya mas corriente de base, lo cual produce mayor
corriente de colector, que es exactamente lo que se pretende
prevenir. El cambio total en VBE para un cambio de temperatura
dado, es llamado AVBE . El primer factor externo del circuito que
se puede controlar y con el cual se tiende a minimizar los
efectos del AVBE , es el voltaje de emisor (VE) del transistor.
De la figura anterior se observa que un decremento en V B ~ con
la temperatura causara un incremento en la corriente de emisor
y de aqu, un incremento en VE. El incremento en VE es una
forma de retroalimentacin negativa que tiende a polarizar
inversamente la unin base-emisor y, por eso, decrementa la
corriente de colector. Un decremento de VeE, tiende a ser
contrarrestado por el incremento en VE, y la corriente de
colector no se incrementa tanto con la temperatura.
k d abimtaalcierrar
A M P L I F I C A D O R E N U H F
Fi gura 4- 1 Circuito d e Polarizacin
Poniendo estos hechos en forma de ecuaciones:
donde :
ATc =cambio en la corriente de colector
I C =corriente de colector en el punto creciente
AVBE =cambio en el voltaje base-emisor
VE =voltaje en el punto creciente
As, si VE fuera igual a 20 veces AVBE, el cambio en la corriente
de colector con la temperatura debido a AVBE sera de solo 5%.
La ecuacin (1) implica que entre mas alto sea el valor de VE es
mejor. Esto sera totalmente cierto sino nos tuviramos que
preocupar de nada ms que de la polarizacin del transistor
para un punto de operacin especfico. Un alto voltaje de
emisor, por ejemplo, tiende a desperdiciar potencia y
decrementar la ganancia de la seal en ac. Un capacitor de
bypass en paralelo con RE a la frecuencia de la seal, es usado
49
normalmente para prevenir la prdida en ganancia, pero el
desperdicio de potencia puede seguir siendo un problema.
Si asumimos que el amplificador operar sobre un cambio de
temperatura de no ms de 5 50C, entonces un voltaje de
emisor de 2.5 volts, provocar una variacin de 2 5% en la
corriente de colector debida a VBE. De hecho, la mayora de las
redes de polarizacin para transistores similares a la mostrada,
proporcionan un valor de VE desde 2 hasta 4 volts, dependiendo
de los valores de Vcc y Vc escogidos. Altos valores son
posibles, dependiendo del grado de estabilidad requerido.
El cambio en la ganancia de corriente en dc del transistor, o p,
con la temperatura, tambin debe de tenerse en cuenta, ya que
cualquier variacin en p producira un cambio en la corriente
creciente del colector y cambiara el punto de operacin
diseado. La p de un transistor de silicio tpicamente se
incrementa con la temperatura a una tasa de cerca del 0.5% por
cada "C. As , para una variacin en la temperatura de 5 50C,
la p del transistor, y por lo tanto su corriente de colector,
variar un 225%.
El valor de p no solo varia con la temperatura, ya que el valor
de la tolerancia en la p entre transistores de un mismo lote,
vara en un tango de 1 a 10 (tal como de 50 a 500).
El cambio en la corriente de colector para un correspondiente
cambio en p se puede aproximar por:
donde:
I C I =corriente de colector con p = pi
p1 =valor mas bajo de p
p2 =valor mas alto de p
AP =P 2 - P1
RB =paralelo de R1 y R2
RE =resistor de emisor
Esta ecuacin indica que una vez que se ha especificado el
transistor, el nico control que el diseador tiene sobre el efecto
de los cambios de p sobre la corriente de colector es mediante
la relacin de resistencias RB/RE. Entre ms pequea sea est a
relacin menos vara la corriente de colector.
Sin embargo, mientras se decrementa la relacin RB/RE, se
produce el efecto indeseable de decrementar la ganancia en
corriente del amplificador. Tambin, mientras la relacin se
50
Os aab i ! at aal h q l o
A M P L I F I C A D O R EN U HF
aproxima a la unidad, la mejora en la estabilidad del punto de
operacin rpidamente disminuye. Como una regla prctica
para circuitos estables, la relacin RB/ RE deber ser menor a
1 o.
4.1.2 Di seo utilizando parmetros Y.
El desempeo de un transistor de rf en pequea-seal, puede
ser caracterizado completamente por sus parmetros de
admitancia de dos puertos. Basados en estos parmetros, se
pueden escribir las ecuaciones para ayudar a encontrar un
transistor que cubra nuestras necesidades y completar el
diseo, una vez, que se ha seleccionado el transistor.
Uno de los primeros requerimientos en el diseo de cualquier
amplificador, es escoger el transistor que cubra mejor los
requerimientos deseados. Dos de las consideraciones ms
importantes al escoger un transistor para usarse en cualquier
diseo de amplificadores son, estabilidad y su mxima potencia
disponible (MAG). La estabilidad es una medida de la tendencia
del transistor hacia la oscilacin MAG es un tipo de figura de
mrito para el transistor la cual indica la mxima ganancia en
potencia terica que se espera obtener del dispositivo, cuando
este es acoplado conjugadamente a su impedancia de carga y
de entrada.
4.1.3 Clculos de estabilidad
Es posible predecir el grado de estabilidad de un transistor
mediante el factor de estabilidad de Linvill, C.
donde:
Yr =transferencia de admitancia en inverso
y f =transferencia de admitancia en directo
gi =conductancia de entrada
g, =conductancia de salida
Cuando C es menor a I, el transistor es incondicionalmente
estable en el punto de polarizacin elegido. Esto significa que
se puede elegir cualquier combinacin de impedancias de carga
51
. ".". .
y de fuente para el dispositivo y que el amplificador
permanecer estable.
Si C es mayor a 1 , el transistor es potencialmente inestable y
oscilar para ciertos valores en las impedancias de fuente y de
carga.
El factor de estabilidad de Linvill es til para predecir un
problema potencial de inestabilidad. No indica para que valores
de impedancias el transistor ser inestable, pero obviamente, si
un transistor tiene un factor C menor a 1 (incondicionalmente
estable), ser mucho ms fcil trabajar con I que con uno que
sea potencialmente inestable. Hay que tener presente que si C
es menor pero muy cercano a 1 , para cualquier transistor,
entonces cualquier cambio en el punto de polarizacin debido a
variaciones de la temperatura, podra causar que el transistor se
vuelva potencialmente inestable y ms propenso a oscilar a
algunas frecuencias, por lo que un valor de C pequeo es mejor.
Los parmetros Y tambin pueden ser utilizados para predecir la
estabilidad de un amplificador dados ciertos valores de
impedancias de fuente y de carga. Este es el llamado factor de
estabilidad de Stern, el cual esta dado por:
donde:
Gs =conductancia de la fuente
GL =conductancia de carga
En este caso, si K es mayor a 1, el circuito ser estable para
esos valores de impedancias de la fuente y de carga. Si K es
menor a 1, el circuito es potencialmente inestable y ms
propenso a oscilar a alguna frecuencia.
El factor de estabilidad de Linvill es til para encontrar
transistores estables, mientras que el factor de estabilidad de
Stern predice posibles problemas de estabilidad con circuitos.
52
C m abierta al I mp0
A M P L I F I C A D O R E N U HF
4. 1. 4 Mi i x i ma gananc i a di s poni bl e (MAG)
La MAG de un transistor puede encontrarse utilizando la
siguiente ecuacin:
j Yf 1
MAG="- ......( 5)
4grgo
La MAG es un clculo inicial para buscar un transistor adecuado
para alguna aplicacin particular, ya que da una buena
indicacin de s el transistor proporcionar suficiente ganancia
para nuestros propsitos.
La mxima ganancia de potencia disponible para un transistor,
ocurre cuando yr = O, y cuando YL y YS son complejos
conjugados de yo y yi respectivamente. La condicin de que yr
debe ser igual a cero para que ocurra la mxima ganancia es
debida a que el hecho de que bajo condiciones normales, yr
acta como un patrn interno de retroalimentacin negativa para
el transistor. Con Yr=O, no se permite retroalimentacin y la
ganancia est a su mximo.
En situaciones prcticas, es fsicamente imposible reducir yr a
cero, y como resultado, la MAG nunca puede ser alcanzada, sin
embargo es posible acercarse a este valor mediante un
acoplamiento conjugado simultneo de las admitancias de
entrada y de salida del transistor.
4. 1. 5 Acopl ami ent o conj ugado si mul t dneo
Una ptima ganancia en potencia se obtiene de un transistor
cuando yi y yo son acoplados conjugadamente a YS y YLI
respectivamente. . YL afecta la admitancia de entrada del
transistor y YS afecta su admitancia de salida, con lo cual es
posible proveer al transistor de un acoplamiento conjugado
simultneo para una mxima transferencia de potencia (de la
fuente a la carga) usando las siguientes ecuaciones:
53
Canabiirtaal tprnp.
donde:
Gs =conductancia de la fuente
Bs =susceptancia de la fuente
GL =conductancia de la carga
BL =susceptancia de la carga
4.2 TCNICAS Y CONSTRUCCI N EN RF
Muchos diseadores de equipo de R F con tubos de vaci o
equipos de estado slido de pequea seal, no estn
familiarizados con el diseo de potencia en RF en estado slido,
y la importancia de muchos aspectos en el desarrollo del
hardware. Es verdad que las mismas reglas aplican en cada
caso, pero la construccin fsica de los circuitos de potencia en
RF es mucho ms critico debido a los bajos niveles de la
impedancia de entrada. La importancia de estos aspectos es
frecuencia, voltaje de'alimentacin y nivel de potencia. Para una
alimentacin de voltaje dada las impedancias de entrada son
aproximadamente igual para UHF en 10-15 watts, VHF en 35-40
watts y HF alrededor de 100 watts. Esto significa que los niveles
de impedancia de los dispositivos seleccionados para cada
aplicacin (excepto la salida) son cercanamente igual, pero las
corrientes en RF son una funcin del nivel de potencia. As , esto
puede deducir por ejemplo que las inductancias de emisor son
iguales en operacin de emisor comn.
4.2.1 Sel ecci onando el di sposi t i vo
Los transistores de potencia de Rf son hechos para tres
voltajes bsicos: 12.5V (12-1 5.5V) para mviles en tierra y
aplicaciones marinas; 28V (24-32V) y 50V (40-5OV) para
aviacin, militares y estaciones base. L o s dispositivos
54
, .................
diseados para altos voltajes de operacin pueden ser usados
en bajos voltajes, pero no viceversa. Esto podra resultar en
saturacin en un nivel de potencia baja que en un nivel normal
4. 2. 2 Ef ec t os par s i t os
La capacitancia parsita o distribuida del cableado puede llegar
a degradar seriamente la respuesta en alta frecuencia de un
amplificador. Por esto se requiere tener buen cuidado de usar
conexiones cuando se trate de hacer circuitos que operen a
frecuencias de ms de 100 kHz. Por otra parte, la capacitancia
parsita o distribuida del cableado no es la nica fuente de
problemas; hay otros efectos parsitos que degradan igualmente
la respuesta en alta frecuencia.
4. 2. 3 Ci r c ui t os equi v al ent es
Un simple resistor posee, de hecho, un valor pequeo de
inductancia y de capacitancia. A bajas frecuencias estas
componentes L y C tienen efectos despreciables, pero conforme
la frecuencia aumenta, el resistor empieza a comportarse como
algo ms que una resistencia. La figura 4-2(a) muestra el
circuito equivalente de un resistor con su inductancia y
capacitancia. A bajas frecuencias, la inductancia tiende a cero y
\a capacitancia a infinito. Dicho de otro modo, el inductor
aparece cortocircuitado y el capacitor abierto cuando se trata de
bajas frecuencias. El resistor entonces se comporta como una
resistencia pura.
El efecto inductivo se denomina lnductancia de las terminales
porque se produce en las terminales de conexin del resistor. Y
se hablar de capacitancia parsita para designar el efecto
capacitivo entre los extremos del resistor. Para frecuencias
menores a 100 MHz uno de los dos efectos, capacitivo o
inductivo, predomina, de forma que el circuito equivalente podr
reducirse a alguno de los indicados en la figura 4-2(b) o 4-2(c).
c
P.
(a) ( b) (c)
Figura 4- 2 Circuitos equivalentes para un resistor real. (a) Completo. ( b ) Resistor y
capacitancia parAsita. (c) Resistor con inductancia de terminales.
55
Casa abirrtaal t i m ~ o
AVAP L I F I C ADOR EN U H F
4.2.4 Capaci t anci a par si t a o di st r i bui da
La capacitancia parsita o distribuida de un resistor tpico (de
1/8 W a 2W) est en la vecindad de 1 pF, dependiendo del valor
exacto de la longitud de las terminales el tamao del resistor y
otros factores. En la mayor parte de las aplicaciones puede
despreciarse la capacitancia parsita siempre que se verifique
que:
Por ejemplo, si resistor de 10 k R tiene una capacitancia parsita
asociada de 1 pF, a una frecuencia de 1 MHz el valor de Xc ser
de:
La razn de la reactancia a la resistencia es:
X, 159m
R 10m
"" -
- =15.9
4.2.5 l nduc t anc i a de l as t er mi nal es
En el caso de un resistor tpico esta inductancia vale
aproximadamente 0.02 pH por pulgada. El efecto inductivo se
desprecia cuando
Supngase, por ejemplo, que se cortan las terminales de un
resistor de 1 kR dejando % de pulgada de cada extremo. La
longitud total es de 1 pulgada, lo que equivale a 0.02 pH de
inductancia. A una frecuencia de 300 MHz la reactancia es:
X , = ~Z(~OOMHZ)(O.O~,UH) = 37.7C2
y el cociente entre resistencia y reactancia es:
R - 1000
x, 37.7
~ ."___
- = 26.5
Por tanto, incluso a frecuencias de 300 MHz, es despreciable el
efecto de esta inductancia parsita de un resistor de 1 k Q.
4.2.6 Una gr f i ca t i l
Sean Xc / R = 10 y R / XL = 10; entonces pueden graficarse
frecuencia contra resistencia como en la figura 4- 3. En est
grfica aparecen dos lneas marcando la divisin entre las
aproximaciones resistiva, inductiva y capacitiva, considerando 1
pF de capacitancia parsita y 0.02 pH de inductancia de
terminales.
Ahora se ver de qu modo se usa esta grfica: en la zona
comprendida entre ambas lneas y debajo de ellas puede
considerarse el resistor como ideal, esto es, desprovisto de toda
capacitancia o inductancia parsita. Si el punto de utilizacin
cae arriba de cualquiera de esta lineas habr que tomar en
cuenta el efecto inductivo o capacitivo, segn corresponda. Por
ejemplo, un resistor de 10 kR operando a 1 MHz se comporta
como una resistencia ideal, y en la figura 3 el punto
correspondiente cae bajo la lnea de la derecha. En cambio, si
este mismo resistor operase a 5 MHz habra que incluir el efecto
capacitivo para poder efectuar clculos precisos en el circuito.
Del mismo modo, un resistor de 20 R puede considerarse ideal
hasta frecuencias de 16 MHz, pero a partir de esa frecuencia el
efecto inductivo de sus terminales empieza a ser considerable.
No hay que darle importancia excesiva a la figura 3. Se trata
slo de una gua que ayuda a determinar si, se debe o no incluir
los efectos parsitos en nuestros clculos. Cuando se trabaje
con altas frecuencias, en las que se requieren clculos ms
precisos, probablemente ser necesario medir exactamente la
capacitancia o la inductancia parsitas asociadas al resistor,
empleando para ello un puente RLC de alta frecuencia o un
medidor de Q.
. , .. .,. . ." _ " ,-.',.~....
1 0 0 Mi i r
50 MHz
10 MHz
5
1 MHz
Fi gur a 4- 3 Gr Af i ca de R
4.3 DI SEO DEL CI RCUI TO
Utilizando un transistor 2N5179 para el diseo de un
amplificador a 100 MHz que tenga mxima ganancia en
potencia, con impedancias de entrada y de salida a 50 ohms, y
con un VCE = 10 volts y una I C = 5 mA, de sus hojas de
especificaciones obtenemos los siguientes parmetros Y :
Yi =8 +j56.7 mmhos
Y , =0.4 +jl.5mmhos
Yr =52- j20mmhos
Y , =0.01-j.Olmmho
Calculamos el factor de estab
ecuacin (3).
ilidad de Linvill u tilizando la
A B l P L I F t C A D O R E N U HF
j(52 - j20X0.01- j 0. l)]
- " ..
-
2(8)(0.4) - Re[(52 - j20)(0.01- j 0. I)]
5.57
6.4 - (-1.47)
-
- .~ ""
=0.71
Dado que C es menor a 1 , el dispositivo es incondicionalmente
estable y podemos proceder con el diseo.
La MAG del transistor es calculada con la ecuacin ( 5)
=242.5
=23.8dB
La ganancia prctica que podemos obtener ser algo menor que
sta, debido a y , y prdidas en los componentes.
Utilizando las ecuaciones (6) a (1 O) calculamos las admitancias
de fuente y de carga para un acoplamiento conjugado
simultneo.
Para la fuente, utilizando la ecuacin (6):
2(0.4)
=6.95mmhos
Y con la ecuacin ( 7 )
- 5.37
2(0.4)
=-j 5.7 +j . ~
=-,jl2.41rnmhos
De aqu, la admitancia de fuente que el transistor debe ver para
una ptima transferencia de potencia es 6. 95- j 12. 41 mmhos. La
admitancia de entrada actual del transistor es el conjugado de
este nmero, 6. 95 +j 12. 41 mmhos.
60
caw abistaal liaopo
A M P L I F I C A D O R EN U H F
Para la carga, utilizando la ecuacin ( 9)
Gsgo
w
GL =--p......( 9)
- (6.95)(0.4)
-
8
=0.347mmho
Y con la ecuacin (10)
=- jl.84mmhos
As , para una ptima transferencia de potencia, la admitancia de
carga deber ser de 0. 347 - j 1. 84 mmhos. La admitancia de
salida del transistor es el conjugado de la admitancia de carga,
esto es, 0. 347 f j 1. 84 mmhos.
El siguiente paso es disear las redes de acoplamiento de
impedancia de la entrada y de la salida, que transformarn los
50 ohms de fuente y de carga, a la impedancia que el transistor
deseara ver para obtener una mxima transferencia de
potencia. El diseo del acoplamiento de entrada se muestra en
la carta de Smith*. Esta carta es normalizada para que el
centro de la carta represente 50 ohms o 20 mmhos. As , el
punto YS =6.95 - j 12. 42 mmhos, se normaliza a:
Ys =50( 6. 95 - j 12. 41) mmhos
=0. 34 - j 0. 62 mho
Note que su impedancia normalizada correspondiente puede ser
leda directamente de la carta como 2s =0.69 +j 1. 2 ohms. La
red de acoplamiento de la entrada debe transformar los 50 ohms
61
, . 1 , , " I , , I I I 1 , XI , , " U( , . I , ~ . , , I l ~ l Y" I I 1 ~ NI I I * I . , * 1 ~ ~ . ~ ~ ~ " ~ , ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ . ~ " ~ " ~ ~ ~ ~ ~ " ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ . ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ " ~ ~ , ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ " ~ ~ I I I I . " L UUI I ) U" * I I I . . ~ ~ ~ YNI ~ l l l l l " l \ m . ~ ~ U~ ~ ~ ~ " ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ . ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ " ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ " ~ ~ ~ ~ ~ " ~ ~ " ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ " " ~
de impedancia de la fuente a la impedancia representada pr este
punto.
Utilizando una red L de dos elementos para la red de entrada,
tenemos
Arc AB =C serie =- j l . 3 ohms
Arc BC =L paralelo =- j 1 . 1 mhos
Dado que los valores de admitancia requeridos en la red de
salida son demasiado pequeos, esta carta tuvo que ser
normalizada a 200 ohms (5 mmhos). As , la admitancia
normalizada trazada en la carta es:
YL =200( 0. 347 - j l . 84) mmhos
=0.069 - j0.368 mho
6
ZL =0. 495 +j 2. 62 ohms
La carga normalizada a 50 ohms, debe ser transformada a este
valor de impedancia para mxima transferencia de potencia.
Utilizando nuevamente una red L de dos elementos para el
acoplamiento, tenemos:
Arc AB =C serie =- j 1. 9 ohms
Arc AB =L paralelo =-j 0. 89 mho
Las redes de
mostradas en la
Por simplicidad,
acoplamiento de entrada y de salida son
figura 4- 4.
la circuitera de polarizacin no se muestra.
Figura 4- 4 Redes de acopl ami ent o de ent r ada y sal i da
62
Donde:
1 1
c;, = ="~ ~ "~ - 24 5
- . pF
wXN 2n(100x106)(1.3)(50)
Y
N 50
L, = = - 72
- nH
WB 2n(100x106)(1.1)
Similarmente, para la red de salida:
c* =-~ ___ ~ -
1
2n(100xlO6)(1.9)(200)
- 4.18pF
Y
200
2~(10Ox1O6)(0.89)
L* "" -
- 358nH
El circuito final, incluyendo la red de polarizacin se muestra en
la figura 4- 5. Los capacitores de =0.1 microfarad son bypass de
rf a 100 MHz.
i '
Fi gura 4- 5 Circuito di sef i ado
63
4.4 EQUI PO UTI LI ZADO
El equipo utilizado fue el siguiente
1 Generador de seales para RF
1 Medidor de potencia para RF
1 Fuente de DC de 20 V.
1 Multmetro digital.
4.5 NI ETODOLOG/ A:
Primero se trato de entonar lo ms posible los acoplamientos de
impedancia, tanto de entrada como de salida. Esto se realiz,
colocando un capacitor variable en serie con un capacitor de
22pF, tanto a la entrada como en la salida.
Para el acoplamiento de impedancia de entrada, se conect el
generador de seales (con -30 dBm, a una frecuencia de
100MHz) a la entrada del circuito amplificador, y entre ellos se
conecto un medidor de potencia para poder ajustar la mxima
transferencia de potencia a la entrada del circuito.
Para obtener el punto de resonancia, se ajusto el capacitor
variable hasta tener una lectura mxima en el medidor de
potencia.
En el caso del acoplamiento de la impedancia de salida, se
realizo un procedimiento similar, de igual manera hasta tener un
punto mximo de potencia a la salida del circuito.
Utilizando un generador de seales a la entrada con una
ganancia de -30dBm y a una frecuencia de 100 MHz y en la
salida una carga de 50Q
El circuito implementado se muestra en la figura 4- 5. En este
circuito, se incluyen los valores comerciales utilizados de los
inductores y capacitores en los acoplamientos de entrada y de
salida, utilizndose los valores ms cercanos a los calculados
tericamente.
64
. I .
I I . . I . ..I... "."
A M P L I F I C A D O R E N U HF
Fi gur a 4- 5 Circuito implementado
4.6 RESULTADOS
Como el diseo se realiz para pequea seal, el voltaje de
entrada debe ser menor de 0.7V. En nuestro caso se realizaron
pruebas con un voltaje de V=300mV. Con este voltaje de
entrada, la potencia de entrada es:
Cuyo valor en dBm = 10 x log Pot = 10 x log 9 ~1 0 ' ~ = -30.45
dBm
As con una potencia de entrada, Pin =-30 dBm se obtuvo a la
salida una potencia de Pout = - 14 dBm, obteniendo as una
ganancia de Gan = 16dBm.
65
4. 7 CONCLUSIONES
Basndonos en el diseo terico del circuito amplificador, se
hizo la implementacin prctica de ste, ajustndose l os valores
de resistencias a los valores exactos, logrando con esto que el
punto de operacin en dc fuese el adecuado. En cambio, para
el punto de operacin en ac se tuvieron problemas para ajustar
exactamente los valores tanto del inductor como del capacitor
de los circuitos resonantes de entrada y de salida, debido a que
estos difieren de los valores comerciales de estos dispositivos.
Se observ que los capacitores en los circuitos resonantes de
entrada y de salida, son con l os que se tiene un mayor control
de la frecuencia de resonancia.
Sobre el equipo de medicin de rf (medidor de potencia
analgico), las mediciones tuvieron un margen de error de
0.02dB por escala.
No se tuvo acceso a un analizador de espectros para poder
observar el ancho de banda de la respuesta en frecuencia del
circuito, por lo que no se pudo calcular la selectividad del
circuito (a).
El trabajar a alta frecuencia implica que se tenga mucho cuidado
en cuanto a interferencias externas al circuito, ya que solo el
acercar la mano al circuito puede mover la frecuencia de
resonancia.
La ganancia obtenida experimentalmente difiere de la calculada
tericamente, debido a que los capacitores de los acoplamientos
de impedancia tanto de entrada como de salida no se lograron
ajustar a sus valores exactos, por lo que la ganancia se vio
disminuida, adems de que ciertos componentes como el mismo
inductor proporciona una capacitancia inherente, lo cual hace
que cambie la ganancia del circuito.
Despues de implementar el circuito amplificador y hacer las
mediciones necesarias, podemos decir que se cumpli con los
objetivos expuestos en un principio.
66
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INTEGRATED ELECTRONICS
ED, MACGRAW- HILL
MI CRO- CAP ( STUDENT EDITION)
MARTIN S. RODEN
68
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