TECNO

El transistor Bipolar de Puerta Aislada

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del
TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta
impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET.
Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de
control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia
aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.
Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR
(C) y EMISOR (E) y su smbolo corresponde al dibujo de la figura siguiente.

Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que
no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el
IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va
El IGBT de la figura es una conexin
integrada de un MOSFET y un BJT. El
circuito de excitacin del IGBT es
como el del MOSFET, mientras que las
caractersticas de conduccin son como
las del BJT. El IGBT es adecuado para
velocidades de conmutacin de hasta
20 KHz y ha sustituido al BJT en
muchas aplicaciones
desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo tON en
el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D
debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA seal de
encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es
aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo
de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de drain iD es igual a la
corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo
se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control
de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja.
EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal
gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar
apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el
rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a
apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS
cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se
mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente iD se
autolimita.
El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa como
de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW.
Tiristor SCR
El tiristor (SCR, Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio),
es un dispositivo semiconductor formado por tres uniones PN con la disposicin
PNPN. Est formado por tres terminales, llamados Anodo, Ctodo y Puerta. El
instante de conmutacin, puede ser controlado con toda precisin actuando sobre el
terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal,
rectificador y amplificador a la vez.
Tiene una enorme capacidad de manejar potencia
Son muy robustos
Seguir teniendo aplicaciones debido a que es de los semiconductores con mayor
capacidad de manejar potencia

Estructura de 4 capas


TRIAC (Triodo para Corriente Alterna)

El Triac es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los
dispositivos de control: los tiristores. El triac es en esencia la conexin de
dostiristores en paralelo pero conectados en sentido opuesto y compartiendo la
misma compuerta. (ver imagen).
A1: Anodo 1, A2: Anodo 2, G: Compuerta

El triac slo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor, se dispara por

A
K








la compuerta. Como el triac funciona en corriente alterna, habr una parte de la onda
que ser positiva y otra negativa.
La corriente puede pasar en ambas direcciones.
Adecuados para convertidores de conmutacin forzada en aplicaciones de potencia
intermedia y alta.
Control del encendido por corriente de puerta (pulso). No es posible apagarlo
desde la puerta
Dispositivo capaz de soportar las potencias ms elevadas. nico dispositivo capaz
de soportar 4000Amp y 7000Volt.
Frecuencia mxima de funcionamiento baja, ya que se sacrifica la velocidad (vida
media de los portadores larga) para conseguir una cada en conduccin lo menor
posible. Su funcionamiento se centra en aplicaciones a frecuencia de red.

DIAC (Diodo de disparo bidireccional para corriente alterna)
Dispositivo bidireccional simtrico (sin polaridad) con dos electrodos principales:
MT1 Y MT2, y ninguno de control. Puede conducir en dos sentidos siempre que
llegue a su tensin de disparo.
La mayora tienen una tensin de disparo de 30 v.

Es otro dispositivo tiristor y se usa normalmente para disparar a un TRIAC.
Se comporta como dos Diodos Zener conectados en paralelo pero orientados en
formas opuestas. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de tensin del
zener que est conectado en sentido opuesto.
Normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga, la
conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza.
Se emplean en circuitos que realizan un control de fase de la corriente de un TRIAC,
estos sistemas se utilizan en control de iluminacin con intensidad variable.

UJT( UniJuntion Transistor )
Es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. Los materiales de
los que se compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la
temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o como
conductores. Son dispositivos unidireccionales porque solamente transmiten la
corriente en un nico sentido. Se emplea generalmente para el control de potencia
elctrica.Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos
(B2).Est formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2,
en la que se difunde una regin tipo P+, el emisor, en algn punto a lo largo de la
barra, lo que determina el valor del parmetro , standoff ratio, conocido como razn
de resistencias o factor intrnseco. Cuando el voltaje Veb1 sobrepasa un valor vp
de ruptura, el ujt presenta un fenmeno de modulacin de resistencia que, al
aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por
ello, tambin baja el voltajeen el dispositivo, esta regin se llama regin de
resistencia negativa, este es un proceso realimentado positivamente, por lo que esta
regin no es estable, loque lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo
de tiristores yen osciladores de relajacin.