Procesos de deposicin fsica de vapor son procesos de deposicin en el que los tomos o molculas

de un material se vaporizan de una fuente slida o lquida, que se transportan en forma de un vapor
a travs de un vaco o de baja presin ambiente gaseoso, y se condensan sobre un sustrato. procesos
pueden ser utilizados para depositar pelculas de elemental, aleacin, y materiales compuestos, as
como algunos materiales polimricos. Tpicamente, los procesos se utilizan para depositar pelculas
con un rango de espesor de unos pocos angstroms * a miles de angstroms. Tasas de deposicin PVD
tpicos varan desde 10 hasta 100 A / s. procesos tienen la ventaja de que casi cualquier material
inorgnico y muchos materiales orgnicos se pueden depositar usando procesos de deposicin libre
de contaminacin. Los depsitos pueden ser de materiales individuales, capas con una composicin
graduada, recubrimientos multicapa, o depsitos de gran espesor.
Procesos de PVD se pueden clasificar de la siguiente manera:
La evaporacin al vaco
material procedente de una fuente de vaporizacin trmica alcanza el sustrato sin colisin con
molculas de gas en el espacio entre la fuente y el sustrato.
La deposicin catdica
fuente del material vaporizado es una superficie que est siendo sometida a bombardeo inico
fsico. En lo que se refiere a las propiedades de pelcula deposicin catdica debe subdividirse en la
deposicin catdica de alta y baja presin.
Deposicion de arco vapor
utiliza una alta corriente, de arco elctrico de baja tensin en un gas de baja presin a erosionar el
electrodo catdico slido por un arco de movimiento o para fundir y evaporar el electrodo andico.
utiliza bombardeo concurrente o peridica de la pelcula de depsito por partculas energticas-
atmicas de tamao para modificar y controlar la composicin y las propiedades de la pelcula de
depsito. Recubrimiento inico puede utilizar vaco de pulverizacin catdica de la evaporacin o
vaporizacin de arco como la fuente del material de deposicin. Haz de iones de deposicin asistida
(IBAD) utiliza un haz de iones de alta energa para bombardear la pelcula de deposicin con iones
inertes o reactivos para modificar las propiedades de la pelcula y, en el caso de un ion reactivo,
para mejorar las reacciones qumicas. La figura 1 resume los diversos procesos de PVD.
Pelculas de materiales compuestos se depositan mediante la vaporizacin del material compuesto
(por ejemplo, monxido de silicio) o por tener el material de deposicin reaccionar con un ambiente
gaseoso ambiente, tal como oxgeno o nitrgeno, o una especie codepositado, tales como carbono o
silicio, para formar pelculas de materiales compuestos tales como nitruro de titanio, nitruro de
circonio, dixido de silicio, carburo de titanio, carbonitruro de titanio, siliciuro de tungsteno, etc En
muchos casos las especies codepositing proviene de la descomposicin de plasma de una especie de
precursores de vapor qumico tal como un hidruro, cloruro, o fluoruro. Este procesamiento de tipo
de reaccin es a menudo utilizado como un adjetivo, es decir, la deposicin catdica reactiva o la
implantacin inica reactiva.

LA EVAPORACIN AL VACO
La trayectoria del material vaporizado es, por lo tanto, la lnea de visin. El ambiente de vaco
tambin proporciona la capacidad de reducir la contaminacin gaseosa en el sistema de deposicin a
cualquier nivel deseado. Tpicamente, la evaporacin al vaco de Akes lugar en el rango de presin
de 10 Torr ** 5 a 10 -9 Torr, dependiendo del nivel de contaminacin gaseosa que puede ser
tolerada en la pelcula depositada resultante. La Figura 2 representa una disposicin simple
evaporacin de vaco / deposicin utilizando una fuente de vaporizacin filamento resistivamente
calentado y representa los componentes principales del sistema de deposicin. El fixturing sustrato
es un componente importante de deposicin. Fixturing permite que el sustrato (s) que se celebrar
en una posicin boca abajo para que las partculas no se asientan en la superficie causando agujeros
en la pelcula, es un medio para calentar el sustrato, y permite el movimiento durante la deposicin
que es importante para la obtencin de un deposicin uniforme sobre la superficie del sustrato. El
obturador es un componente importante ya que permite que la fuente de vaporizacin a calentar sin
exponer el sustrato al material contaminante voltil que puede evaporarse de la fuente de primera.
Tambin minimiza el calentamiento radiante de la fuente de vaporizacin. Al abrir y cerrar el
obturador, el tiempo de deposicin puede ser controlada con precisin. La "barra de resplandor"
permite la formacin de plasma en el sistema para la limpieza in situ de la superficie del sustrato en
la cmara de deposicin. La presin de vapor de equilibrio es una propiedad importante del material
a ser vaporizado trmicamente. En un recipiente cerrado en el equilibrio como muchos tomos
vuelven a la superficie como dejar la superficie y la presin por encima de la superficie es la presin
de vapor de equilibrio. Las presiones de vapor son fuertemente dependientes de la temperatura
como se muestra en la Figura 3. La velocidad de vaporizacin de una superficie caliente en un vaco
(velocidad de vaporizacin superficie libre) depende de la temperatura y la presin de vapor de
equilibrio del material a esa temperatura. Los materiales con una alta presin de vapor a bajas
temperaturas son normalmente vaporizados de fuentes resistivamente calentados. Materiales
refractarios, que requieren una alta temperatura para vaporizar, requieren el uso de centrado de
calentamiento por haz de electrones de alta energa para la vaporizacin.
Por evaporacin al vaco, una velocidad de deposicin razonable slo puede obtenerse si la tasa
libre de vaporizacin de la superficie es bastante alto. Una presin de vapor de 10-2 Torr
(aproximadamente 10.3 g / cmz / seg velocidad de vaporizacin superficie libre) es generalmente
considerado el valor necesario para proporcionar una velocidad de depsito de utilidad. Los
materiales con que la presin de vapor por encima del slido se describen como materiales de
sublimacin (por ejemplo, de cromo, de carbono), y los materiales con que la presin de vapor por
encima del lquido se describen como materiales de evaporacin.
Muchos materiales, tales como titanio, pueden ser depositados, ya sea por sublimacin o
evaporacin, dependiendo de la temperatura de la fuente. Para las aleaciones de la tasa de
vaporizacin de cada componente es proporcional a la presin de vapor relativa (la ley de Raou! t);
Por lo tanto, durante la vaporizacin, el material de la presin de vapor ms alta se vaporizar ms
rpidamente, y la fuente ser enriquecido progresivamente en el material de menor presin de vapor
como la evaporacin progresa.
La mayora de los elementos de vaporizar como tomos, pero algunos, como el antimonio, carbn,
y el selenio, tienen una parte de su vapor como racimos de tomos. Para estos materiales fuentes de
vaporizacin especiales llamados fuentes deflectoras se pueden utilizar para asegurar que el vapor
de depsito es en forma de tomos por haciendo que el material a ser vaporizado a partir de
mltiples superficies calientes antes de salir de la fuente.

Algunos compuestos, tales como monxido de silicio, nitruro de silicio, carburo de hafnio, dixido
de estao, nitruro de boro, sulfuro de plomo, y dixido de vanadio, sublime. Las molculas de
muchos materiales compuestos se disocian parcialmente en vaporizacin; Sin embargo, algunos
pueden vaporizar principalmente como molculas. Notable entre los materiales que se vaporizan sin
mucho disociacin molecular son el monxido de silicio y fluoruro de magnesio, que son
ampliamente utilizados en la tecnologa de recubrimiento ptico.
El grado de disociacin de un compuesto depende fuertemente de la temperatura de vaporizacin.
Al depositar un compuesto que se disocia, la pelcula de depsito es generalmente deficiente en el
constituyente gaseoso. Por ejemplo, en la evaporacin de dixido de silicio (SiOz) la pelcula
resultante es deficiente en oxgeno dando un Si02_x, pelcula de composicin, que tiene un color
parduzco. Esta prdida de componentes gaseosos durante la vaporizacin puede ser parcialmente
compensado por el uso de la evaporacin reactiva o evaporacin reactiva activado, donde hay un
gas reactivo de baja presin o de plasma de gas reactivo en el medio ambiente de deposicin, o por
continuo bombardeo inico reactivo del material de deposicin de un "can de iones." Este tipo de
deposicin tambin se llama deposicin cuasi-reactiva.
Para las bajas tasas de vaporizacin del material de un punto de vaporizacin depsitos de origen en
un sustrato con una dependencia de la distancia-y-sustrato-la orientacin dada por la distribucin de
la deposicin del coseno. La figura 4 muestra la distribucin de tomos de vaporizados a partir de
una fuente puntual y la distribucin del espesor de la pelcula formada sobre una superficie plana
por encima de la fuente puntual basado en la ecuacin de distribucin de coseno.
En la actualidad la distribucin del flujo de la fuente puede no ser coseno pero puede ser
modificado por la geometra fuente, las colisiones en el vapor por encima de la superficie de
vaporizacin cuando hay una alta velocidad de vaporizacin, el nivel de en evaporacin en la
fuente, los cambios de la geometra fuente de vaporizacin con el tiempo , etc las tasas de
evaporacin se controlan tpicamente en in situ y en tiempo real mediante la recopilacin de la de
vapor en la superficie de un oscilador de cristal de cuarzo, provocando que la frecuencia de
oscilacin a cambiar. La calibracin permite que el cambio en la frecuencia a estar relacionado con
la masa y el espesor de pelcula depositada.
La fuerte dependencia de la velocidad de deposicin en la geometra y el tiempo que requiere a
menudo fixturing y herramientas pueden utilizar para aleatorizar la posicin sustrato (s) durante la
deposicin con el fin de aumentar la uniformidad de espesor de pelcula. Este fixturing tambin
aleatoriza el ngulo de incidencia del flujo de vapor de depsito, aumentando de este modo la
uniformidad de las propiedades de la pelcula sobre la superficie del sustrato (s).

Ventajas:
pelculas de gran pureza se pueden depositar de material de origen de alta pureza
Fuente de material vaporizado puede ser un slido en cualquier forma y la pureza.
Las altas tasas de evaporacin se pueden lograr.
Las fuentes de trayectoria de lnea de vista y de rea limitada permiten el uso de persianas y
mscaras.
Supervisin y control de deposicin son relativamente fciles.
sistema de deposicin puede ser bombeada a una alta velocidad durante la deposicin.
Los gases residuales y vapores en el medio vaco se controlan fcilmente.
Probablemente el menos costoso de los procesos de PVD.

Desventajas:

Muchas composiciones de aleaciones y compuestos slo pueden ser depositados con dificultad.
Las fuentes de lnea de visin directa y de rea limitada traducen en una cobertura superficial
pobre en superficies complejas sin fixturing y movimiento adecuado del accesorio.
trayectorias lnea de visibilidad directa y fuentes de rea limitada acarrear problemas de
uniformidad de espesor de pelcula en grandes reas sin fixturing y movimiento adecuado del
accesorio.
Pocas variables del proceso estn disponibles para el control de propiedades de la pelcula.
la utilizacin del material de origen puede ser pobre.
Las altas cargas de calor radiante pueden existir en el sistema de deposicin.

La evaporacin al vaco se utiliza para formar recubrimientos pticos de interferencia,
revestimientos de espejo, revestimientos decorativos, pelculas de barrera de permeacin sobre los
materiales de envasado flexibles, elctricamente conductor, pelculas y recubrimientos de
proteccin a la corrosin.


LA DEPOSICIN CATDICA
Deposicin catdica es la deposicin de partculas vaporizadas desde una superficie por la prqcess
de pulverizacin catdica fsica. Pulverizacin catdica fsica es un proceso de vaporizacin no
trmico donde los tomos de superficie son expulsados fsicamente por transferencia de momento
de una partcula bombardeo ING enrgica-atmica de tamao, que es por lo general un ion gaseoso
acelerado desde una pistola de plasma o de iones. Si el tomo de superficie que ha sido golpeado
alcanza la suficiente energa que sacudir otros tomos en la regin cercana a la superficie y una
"cascada de colisiones" se desarrollar. Mltiples colisiones pueden resultar en algo de impulso est
dirigido hacia la superficie y, si la energa alcanzado por un tomo de superficie, que se golpe
desde abajo, es suficiente, puede ser expulsada fsicamente de la superficie, es decir, bombardeo
inico. La mayor parte de la energa que se transfiere por el bombardeo de partculas aparece en
forma de calor en la regin cerca de la superficie.
En todas pero las energas de bombardeo ms el flujo de tomos que estn chisporroteaban de la
superficie de las hojas de la superficie con una distribucin de coseno. Tienen tpicamente energas
cintica media mayor que la de tomos trmicamente vaporizados y tener una energa alta "cola" en
la distribucin de energa que puede ser varias decenas de eV.
El rendimiento de pulverizacin catdica es el nmero de tomos de la superficie que se
chisporroteaban para cada partcula que incide bombardeo enrgico . El rendimiento de
pulverizacin catdica depende de la energa de la partcula bombardeo , masas relativas de las
especies de bombardeo y de destino , el ngulo de incidencia de las especies que bombardean , y la
resistencia de la unin qumica de los tomos de la superficie . El gas inerte ms comn utilizado
para la pulverizacin catdica es de argn ( PM = ' 40 ) . La Figura 5 muestra los rendimientos de
pulverizacin catdica de varios materiales bombardeada con iones de argn a diversas energas .
Como el ngulo de incidencia de las partculas de bombardeo convierte -off normal, el rendimiento
de pulverizacin pueden aumentar 2-3 veces , hasta un punto en donde las partculas de bombardeo
transfieren pequeo impulso a causa de la gran ngulo de colisin y el rendimiento de pulverizacin
cae rpidamente . En estas condiciones la mayor parte de las especies que bombardean se reflejan
desde la superficie . El rendimiento de pulverizacin catdica aparente puede ser afectada por la
topografa de la superficie , ya que, en la pulverizacin catdica una superficie rugosa , algunas de
las partculas estn por sputtering hacia adelante bombardeo inico y vuelvan a depositar en la
superficie .
Dado que el proceso de pulverizacin catdica elimina cada capa atmica superficie slida
consecutivamente, si no hay difusin, la composicin del flujo de vapor que abandona la superficie
es la misma que la composicin de la mayor parte del material que est siendo pulverizado. Esto
permite que el bombardeo inico vaporizacin de composiciones de aleacin, que no puede ser
trmicamente evapor debido en gran medida diferentes presiones de vapor de los componentes.
A menudo, las superficies a ser bombardeada tienen una capa superficial compuesta de un material
reaccionado tal como un xido o nitruro. Puesto que el enlace qumico de los materiales compuestos
es ms fuerte que la del material elemental el rendimiento de pulverizacin catdica es inicialmente
baja hasta que se retire la capa superficial. Adems, si los gases reactivos estn presentes, pueden
continuamente "veneno" la superficie objetivo mediante la formacin de los compuestos sobre la
superficie, dando bajos rendimientos de pulverizacin catdica.
Las partculas que se o por deposicin catdica reflejada desde la superficie del blanco de
pulverizacin catdica a bajas presiones de gas se desplazarn en una trayectoria de lnea de visin,
sin colisiones en fase gaseosa para condensar sobre o bombardear el sustrato. Si la presin del gas
es ms alta, las colisiones en fase gaseosa puede tener lugar, reduciendo as la energa de las
partculas y la dispersin de ellos de una trayectoria de lnea de visin. Si hay suficientes colisiones
las partculas energticas son "therrnalized" a la energa (temperatura) del gas ambiente. Partculas
gaseosas energticos bombardean la superficie de la pelcula en crecimiento pueden afectar el
proceso de formacin de pelcula y las propiedades del material de la pelcula depositada. Por lo
tanto, se hace una diferencia en propiedades de la pelcula si la deposicin catdica se realiza a una
presin de gas de baja presin de gas o de un superior.
Las partculas que se o por deposicin catdica reflejada desde la superficie del blanco de
pulverizacin catdica a bajas presiones de gas se desplazarn en una trayectoria de lnea de visin,
sin colisiones en fase gaseosa para condensar sobre o bombardear el sustrato. Si la presin del gas
es ms alta, las colisiones en fase gaseosa puede tener lugar, reduciendo as la energa de las
partculas y la dispersin de ellos de una trayectoria de lnea de visin. Si hay suficientes colisiones
las partculas energticas son "termalizados" a la energa (temperatura) del gas ambiente. Partculas
gaseosas energticos bombardean la superficie de la pelcula en crecimiento pueden afectar el
proceso de formacin de pelcula y las propiedades del material de la pelcula depositada. Por lo
tanto, se hace una diferencia en propiedades de la pelcula si la deposicin catdica se realiza a una
presin de gas de baja presin de gas o de un superior.
La configuracin de plasma ms simple es "CC de pulverizacin catdica diodo", donde se aplica
una alta tensin de corriente continua negativa a una superficie conductora en un gas, se forma un
plasma, que llena el recipiente, y los iones positivos son acelerados a la superficie. En el resplandor
diodo DC descargue la intensidad de campo elctrico es alta cerca del ctodo y la mayor parte de la
tensin aplicada se "cay" a travs de una regin cerca de la superficie llamado el espacio oscuro
ctodo. Esta regin es la regin primaria de ionizacin. El resto del espacio entre el ctodo y el
nodo, que a menudo est conectado a tierra, est lleno de un plasma, donde hay poca gradiente de
potencial. En la regin del ctodo espacio oscuro, los iones son acelerados a partir del plasma para
incidir sobre la superficie del objetivo con una alta energa cintica.
Este bombardeo de iones provoca la eyeccin de la electrnica secundarias, que son acelerados
lejos del ctodo y la causa de ionizacin y excitacin atmica por la colisin electrn - tomo. En el
equilibrio se crean suficientes electrones para producir suficientes iones para crear el flujo de
electrones necesarios para sostener la descarga , el plasma diodo DC generalmente dbilmente
ionizado con quizs un ion de 104 pases neutrales , y tiene una temperatura promedio de partculas
de varios electronvoltios. Normalmente , un diodo de plasma de argn de pulverizacin catdica
DC ser operado a 10-20 presin de gas mTorr . A esta presin , el espacio oscuro ctodo tendr un
ancho de ~ 1 em , Si una superficie del suelo viene dentro de una distancia de espacio oscuro ctodo
del ctodo el plasma se extinguir entre las dos superficies . Esto significa que los escudos de tierra
pueden ser utilizados para localizar la descarga de plasma a las regiones del ctodo donde se desea
la pulverizacin catdica . Las lneas de campo equipotenciales alrededor de la superficie del ctodo
son de conformacin sobre superficies planas o ligeramente curvas , pero la curva de forma
pronunciada en los bordes y por debajo de los escudos de tierra.
Los iones son acelerados normal a las lneas de campo, lo que da bombardeo uniforme sobre la
mayor parte de la superficie del objetivo, pero donde hay curvatura de campo apreciable,
centrndose del ion dar altas tasas de erosin. En la configuracin de diodo DC, los iones que
inciden en la superficie del objetivo no tienen todo el potencial cada del ctodo ya que la presin de
gas es suficiente para dar a las colisiones de intercambio de carga y colisiones "termalizacin"
(transferencia de momento) entre los iones de aceleracin alta y el neutrales de gases residuales.
Esto crea un flujo de iones y neutrales de alta energa con un espectro de energas que inciden en la
superficie del objetivo.

Cuanto mayor sea la presin del gas, menor es la energa media de las partculas que inciden en el
objetivo. Dado que la energa media es mucho menor que la tensin aplicada, tpicamente 1,000 a
5,000 V se utiliza para DC de pulverizacin catdica a pesar de que las partculas de 500 eV son
muy eficaces para la pulverizacin catdica. A presiones de pulverizacin catdica DC tpicas
partculas energticas reflejadas o bombardeada desde la superficie del objetivo se termalizados a
bajas energas antes de que ataquen una superficie; Sin embargo, los electrones que son acelerados
de distancia desde el ctodo pueden alcanzar altas energas y bombardean superficies que dan
calefaccin, que puede ser indeseable. Tpicamente, diodo DC descargas de pulverizacin catdica
son controlados por la presin del gas de pulverizacin catdica y la potencia objetivo en vatios por
em ". Dado que la mayora de la energa de bombardeo se da en forma de calor el blanco de
pulverizacin catdica debe ser enfriado activamente, generalmente con agua desionizada fra que
fluye.
Los gases reactivos o contaminantes en un plasma se activan por la excitacin, la disociacin, o la
fragmentacin de las molculas para formar radicales, iones y especies excitadas. Estas especies
activadas reaccionan con la superficie del blanco, dando el envenenamiento de la diana mediante la
formacin de los compuestos sobre la superficie del objetivo. La formacin de un compuesto
conductor de la electricidad, tal como nitruro de titanio, sobre la superficie del objetivo reducir el
rendimiento de pulverizacin catdica significativamente, mientras que la formacin de una capa
elctricamente aislante, tal como dixido de titanio, har que la carga de la superficie y la descarga
luminiscente de CC se extinguir . La activacin de las especies contaminantes en el plasma
tambin aumenta la contaminacin del material de la pelcula depositada.
La configuracin de pulverizacin catdica diodo DC tiene la ventaja de que las reas grandes
pueden ser bombardeo inico en lugar de manera uniforme durante largos perodos de tiempo, el
objetivo puede ser hecha conforme con el sustrato, y el material diana est bien utilizado. Adems,
el diodo de plasma de CC, que llena toda la cmara de deposicin, se puede utilizar al plasma
superficies limpias como una parte de la en la limpieza in situ. Desventajas de la deposicin
catdica DC diodo incluyen la tasa bastante baja de pulverizacin catdica, el envenenamiento por
objetivo contaminantes reactivos, calentamiento de la superficie debido a los electrones acelerados
acelerado lejos del objetivo, y que slo los conductores elctricos se pueden utilizar como blancos
de pulverizacin.
La configuracin de pulverizacin catdica diodo DC tiene la ventaja de que las reas grandes
pueden ser bombardeo inico en lugar de manera uniforme durante largos perodos de tiempo, el
objetivo puede ser hecha conforme con el sustrato, y el material diana est bien utilizado. Adems,
el diodo de plasma de CC, que llena toda la cmara de deposicin, se puede utilizar al plasma
superficies limpias como una parte de la en la limpieza in situ. Desventajas de la deposicin
catdica DC diodo incluyen la tasa bastante baja de pulverizacin catdica, el envenenamiento por
objetivo contaminantes reactivos, calentamiento de la superficie debido a los electrones acelerados
acelerado lejos del objetivo, y que slo los conductores elctricos se pueden utilizar como blancos
de pulverizacin.
Simple de pulverizacin catdica DC diodo mejor se puede utilizar para depositar metales
relativamente no reactivos tales como oro, cobre y plata. Dado que la mayora de estos materiales
tambin pueden ser depositados por evaporationthis trmicas tipo de depositionhas pulverizacin
catdica DC no se ha utilizado ampliamente. Ao Inrecent el advenimiento de la utilizacin de
campos magnticos para confinar el plasma cerca de la superficie del objetivo, aumentar la
densidad del plasma, y aumentar el sputteringrate ha permitido el uso de "DC diodo de
pulverizacin catdica magnetrn", que se utiliza para depositar metales y materiales compuestos
de alto tasas. En la deposicin por pulverizacin catdica reactiva de materiales compuestos, tales
como nitruro de titanio, el objetivo se erosiona tan rpidamente que el objetivo no es envenenado
por el gas reactivo usado para formar el material de pelcula de compuesto.
Configuraciones de pulverizacin catdica con magnetrn utilizan un campo magntico (~ 200
Gauss), por lo general de imanes permanentes cerca de la diana (ctodo) de superficie, para confinar
los electrones cerca de la superficie. Cuando un electrn es expulsado de la superficie del blanco,
que se acelera lejos de la superficie por el campo elctrico, pero se ve obligado a girar alrededor de
las lneas de campo magntico. La fuerza EXB hace que el electrn se mueva tambin normal al
plano EXB y, si el campo magntico est dispuesto de manera apropiada, los electrones se formar
un trazado cerrado de circulacin de corriente cerca de la superficie. Esta trayectoria de circulacin
cerrado se puede producir fcilmente en una superficie plana o cualquier superficie de revolucin
tal como un cilindro, cono, hemisferio, etc
Al limitar los electrones cerca de la superficie, la emisin de gases de CC puede ser sostenida a
bajas presiones, donde la colisin y carga las probabilidades de colisin de cambio son bajos. Esto
permite que el potencial catdico aplicado a estar bajo 1000 V) con una alta intensidad de flujo de
iones de alta energa, lo que da un alto rendimiento de pulverizacin y las altas tasas de
pulverizacin catdica. Las diversas configuraciones de pulverizacin catdica magnetrn son las
configuraciones de deposicin por pulverizacin catdica ms ampliamente utilizados. La figura 6
muestra una configuracin de magnetrn planar.
En las configuraciones de magnetrn plano de la pulverizacin catdica es la erosin no uniforme y,
en el caso de la magnetrn plano, el patrn de erosin parece una pista de carreras alargada, que,
para un objetivo estrecho y largo, tiene un patrn de erosin dando dos fuentes de lnea paralelas de
material vaporizado . Esto significa que el patrn de deposicin es no uniforme y espesor de la
pelcula uniformidad debe llevarse a cabo por sustrato (o de destino) movimiento. En el caso del
magnetrn planar esto a menudo se hace pasando sustratos planos sobre un palet sobre las dos
fuentes de lnea. La erosin no uniforme significa tambin que la utilizacin de material de blanco
puede ser pobre. Utilizacin es a menudo mejorada por la conformacin del campo magntico,
moviendo los imanes, o moviendo el material objetivo sobre los imanes.
Confinar el plasma a cerca de la superficie del blanco tambin significa que el plasma no se llena el
espacio entre la fuente y el sustrato y no est disponible para la activacin de plasma de especies
reactivas para la deposicin por pulverizacin catdica reactiva, o como una fuente de iones para la
limpieza por pulverizacin catdica o sesgo deposicin por pulverizacin catdica. Un plasma se
puede formar en el espacio de origen-sustrato mediante la utilizacin de un potencial de RF en el
blanco de pulverizacin catdica junto con el potencial de CC, mediante el establecimiento de una
descarga auxiliar cerca del sustrato, o mediante el uso de una configuracin de magnetrn
"desequilibrada" donde algunos de los electrones emitidos de la superficie del blanco se les permite
escapar al tener una parte de la magntica present normal a la superficie objetivo.
En la deposicin por pulverizacin catdica reactiva, en donde se utilizan gases reactivos o mezclas
de gases, la presin del gas y la composicin son importantes. Un exceso de presin del gas reactivo
puede resultar en envenenamiento de la superficie del blanco, con una reduccin asociada de la
velocidad de pulverizacin catdica. Demasiado presin de gas Iowa puede resultar en insuficiente
de la reaccin con la pelcula de deposicin, lo que resulta en una composicin de la pelcula no
deseable. Magnetrn desequilibrado sputtering es particularmente til en la deposicin catdica
reactiva; Sin embargo, el plasma generado en varias regiones cerca de la diana por las
configuraciones desequilibradas es generalmente no uniforme en las propiedades de plasma debido
a la fuga no uniforme de los electrones de la regin diana.
Cuando el recubrimiento de piezas tridimensionales del magnetrn y objetivos de magnetrn
desequilibradas estn a menudo dispuestos de modo que se pasan las piezas a recubrir entre
objetivos opuestos. Esto permite la deposicin en todos los lados de las partes a pesar de que el
ngulo promedio de incidencia del material de deposicin vara sobre la superficie de la pieza. Esta
variacin en el ngulo de incidencia puede causar una variacin en las propiedades de la pelcula
depositada. Para minimizar esta variacin la parte se puede girar delante del objetivo (s) de
magnetrn. Cuando se utiliza frente a los objetivos de magnetrn desbalanceado que lo mejor es
tener el campo norte desequilibrada de un objetivo sea contrario al campo sur desequilibrada de otro
objetivo.

Ventajas por deposicion por pulverizacin:

Elementos, aleaciones y compuestos pueden chisporroteaban y se depositan,
El objetivo de la pulverizacin catdica proporciona una fuente de vaporizacin de larga duracin
con una geometra estable,
En algunas configuraciones del blanco de pulverizacin catdica proporciona una fuente de
vaporizacin de gran superficie que puede ser de cualquier forma.
En algunas configuraciones de la fuente de pulverizacin catdica puede ser una forma definida
tal como una lnea o una varilla.
En algunas configuraciones de la deposicin reactiva se puede lograr fcilmente usando especies
gaseosas reactivos que se activan en un plasma (es decir, deposicin por pulverizacin catdica
reactiva).

Desventajas:

Las tasas de pulverizacin catdica son bajos en comparacin con los que se puede alcanzar en la
evaporacin trmica.
En muchas configuraciones de la distribucin del flujo de deposicin es no uniforme y requiere
fixturing para aleatorizar la posicin de los sustratos con el fin de obtener pelculas de espesor y
propiedades uniformes.
blancos de pulverizacin en general son caros y la utilizacin del material pueden ser pobres.
La mayor parte de la energa incidente en el objetivo se convierte en calor, que debe ser eliminado.
En general, la velocidad de bombeo del sistema se reduce durante la pulverizacin catdica y la
contaminacin gaseosa no es eliminado fcilmente del sistema.
los contaminantes gaseosos se activan en el plasma, con lo que la contaminacin pelcula de ms
de un problema que en la evaporacin al vaco.
En algunas configuraciones de la radiacin y el bombardeo del plasma o blanco de pulverizacin
catdica puede degradar el sustrato.

Formacin de pelcula por deposicin catdica se inform frrst por Wright en 1877, y Edison
patent un proceso de deposicin por pulverizacin catdica para depositar plata en cilindros
fonogrficos de cera en 1904. Deposicin catdica es ampliamente utilizado para depositar la
metalizacin de pelcula delgada de material semiconductor, la energa que controla recubrimientos
sobre vidrio arquitectnico , revestimientos conductores transparentes sobre el vidrio, los
revestimientos reflectantes en discos compactos, pelculas magnticas, lubricantes de pelcula seca,
recubrimientos resistentes al desgaste, y recubrimientos decorativos.

DEPOSICION POR ARCO DE VAPOR

En la deposicin de vapor de arco el vapor a ser depositado se forma desde el nodo o el ctodo de
una alta corriente de arco de CC de baja tensin, en una atmsfera gaseosa de baja presin. En la
vaporizacin por arco catdico, que es el proceso de vaporizacin de arco de PVD ms comn, la
alta densidad de corriente de arco se mueve ms de un electrodo catdico slido provocando un
calentamiento y la vaporizacin local. El movimiento de arco puede ser aleatoria o "dirigido"
utilizando un campo magntico. En muchos sistemas de deposicin de vapor de arco catdico
mltiples fuentes de arco catdico se utilizan para dar la deposicin en grandes reas.
En andico deposicin de vapor de arco, los electrones se funden y se vaporizan el electrodo
andico.
Los electrones para el arco andico pueden provenir de diversas fuentes, tales como un ctodo
caliente hueco, un ThermoElectron filamento emisor de calor, o de bombardeo inico. La
configuracin de un sistema de deposicin de vapor de arco andica es similar a la de un sistema de
evaporacin trmica por haz de electrones.
Un arco tambin puede ser encendido en una formacin de un arco en vaco de vaco. En el arco
vaco los electrodos deben estar muy juntas y una carga espacial positiva se genera en el espacio
entre los electrodos. Esta carga espacial repele iones cargados positivamente a altas energas. La
figura 7 muestra algunas tcnicas de vaporizacin de arco de vaco.
En la vaporizacin de arco los tomos que se vaporizan pase a travs de una nube de electrones de
alta densidad y muchos, si no la mayora de los tomos se ionizan. Estos "Film-iones" a
continuacin, pueden ser acelerados a altas energas por un campo elctrico en el gas de baja
presin. Los electrones en el arco tambin ionizan el ambiente gaseoso y aquellos iones tambin
pueden ser acelerados a altas energas en un campo elctrico. Si algunos de los iones gaseosos son
de un gas reactivo a continuacin, un material compuesto, tal como un nitruro, se puede depositar.
En la vaporizacin por arco catdico parte del material es expulsado en forma de glbulos fundidos
llamados "macros." Estas macros se depositan sobre el material de la pelcula y crear golpes, que, al
ser desplazado, crean agujeros. Algunos materiales son ms propensos a formar las macros que son
otros. Las macros se pueden eliminar mediante el uso de un conducto de plasma como se muestra
en la Figura 7. En el conducto de plasma un campo magntico dobla los electrones y los iones de la
pelcula siga los electrones para mantener la neutralidad de carga volumtrica en el plasma. Las
macros son depositados sobre las paredes del conducto en lugar de en el sustrato.
Ventajas catodo
La formacin de "cine-iones" les permiten ser acelerados a altas energas.
El arco de plasma "activa" especies reactivas y los hace ms reactivo qumicamente.
Una alta tasa de evaporacin se puede alcanzar.
Las macros no se forman.
Desventajas anodo
Las altas cargas de calor radiante en el. Sistema,
lmites material fundido posicionamiento de las fuentes) en el sistema.
Desventajas catodo:
La formacin de "macros" puede ser un factor determinante en algunos materiales y aplicaciones.
Catdica deposicin de vapor de arco se utiliza para depositar recubrimientos decorativos /
funcionales resistentes al desgaste, como TiN (oro-color) y ZrN (metal-color), sobre una variedad
de sustratos tales como accesorios de plomera y hardware de la puerta. Andica deposicin de
vapor de arco se utiliza para depositar materiales elementales adherentes, tales como el cromo y
carbono similar al diamante, para materiales de resistencia al desgaste y compuestos para
aplicaciones de revestimiento pticos.

ION PLATING

En la dcada de 1960 se demostr que el bombardeo enrgico concurrente controlada del material de
pelcula de depsito por partculas de dimensiones atmicas o moleculares podra utilizarse para
modificar y adaptar las propiedades del material de pelcula depositada. Por lo tanto, el bombardeo
simultneo o peridica durante la deposicin puede ser una importante variable de procesamiento
PVD. Chapado Ion utiliza el bombardeo de partculas energticas concurrente o peridica del
material de pelcula de depsito para modificar y controlar la composicin y las propiedades de la
pelcula de depsito. En revestimiento inico, la fuente de material a depositar puede ser
evaporacin, pulverizacin catdica, la erosin por arco, la ablacin por lser, u otra fuente de
vaporizacin.
Las partculas energticas utilizadas para el bombardeo son generalmente iones de un gas inerte o
reactiva; Sin embargo, cuando se utiliza una fuente de erosin por arco, un alto porcentaje de los
materiales vaporizados se ioniza y los iones del material de la pelcula se puede utilizar para
bombardear la pelcula en crecimiento. Recubrimiento inico se puede realizar en un entorno de
plasma donde los iones para el bombardeo se extraen a partir del plasma, o se pueden llevar a cabo
en un ambiente de vaco donde se forman iones para bombardeo en una pistola de iones separada. La
configuracin de revestimiento inico ltimo es a menudo llamado haz de iones de deposicin
asistida (IBAD). La figura 8 muestra ejemplos de base de plasma y configuraciones recubrimiento
inico a base de vaco.

La forma ms comn de recubrimiento inico es el proceso a base de plasma en el que el sustrato y /
o su soporte es un electrodo utilizado para generar una corriente continua o de plasma de rf en
contacto con la superficie a revestir. Si se deposita un material elemental o de aleacin el plasma
puede ser de un gas inerte, normalmente argn. En sedimentacin inica reactiva, el plasma
proporciona los iones de especies reactivas, tales como nitrgeno, oxgeno o carbono (a partir de un
gas de hidrocarburo), que se aceleran a la superficie para formar compuestos tales como xidos,
nitruros, carburos, o carbonitruros. Tpicamente, en bao de iones a base de plasma, el dispositivo de
substrato es el ctodo del circuito de corriente continua; Sin embargo, el plasma puede formarse
tambin de forma independiente del sustrato y los iones se aceleran desde el plasma a la superficie de
la pelcula en crecimiento.
Bombardeo concurrente o peridica durante el crecimiento de la pelcula modifica las propiedades de
la pelcula al afectar a la nucleacin de los tomos que depositan , la densificacin de la pelcula por
compactacin o " granallado atmica , " mediante la introduccin de energa trmica significativa
directamente en la regin de superficie del sustrato , y mediante pulverizacin catdica y la
redeposicin de la material de pelcula energtico bombardeo de partculas tambin puede introducir
tensin de la pelcula a la compresin por implantacin de retroceso de tomos de la superficie en la
estructura de la red y , en el caso de la deposicin reactiva , la mejora de las reacciones qumicas en
la superficie por las reacciones qumicas de bombardeo mejorada y pulverizacin catdica /
desorcin de las especies no tratados . En el caso de la deposicin reactiva en sedimentacin inica o
fuentes de iones a base de plasma usando un plasma de especies reactivas , el plasma tambin activa
las especies reactivas , lo que mejora la cintica de las reacciones qumicas en la superficie .

Se ha determinado que para el bombardeo de iones de argn la energa de los iones de bombardeo
debe ser mayor que -50 eV y menos de -300 eV para modificar eficazmente las propiedades de la
pelcula. Para energas inicas inferiores, transferencia de momento no es suficiente para desplazar
los tomos de pelcula, y para energas ms altas, las especies que bombardean ser incorporado en
la pelcula a menos que la temperatura del sustrato es alta. Esta incorporacin de gas puede dar
como resultado la formacin de huecos y microporosidad en la pelcula. Para interrumpir
completamente la morfologa de crecimiento columnar en pelculas depositadas de materiales
refractarios requiere que -20 eV por tomo de depositar ser aadido por el bombardeo concurrente.
Esto significa que se utiliza una relacin de bombardeo de iones sobre una enrgica (200 eV) por 10
que depositan tomos de pelcula. Por ejemplo, a una velocidad de deposicin 30 nanosegundos, el
flujo de iones de iones 200 eV debe ser al menos 1,015 iones / CRRR 'zsec o una corriente de iones
(iones cargados individualmente) de -0,1 mA/cm2. En estas energas de los iones y los flujos de una
parte apreciable (10-30%) de los tomos de depositar se pulveriza desde la superficie de la pelcula
en crecimiento dando una tasa de crecimiento menor que la velocidad de deposicin.
Generalmente, en el recubrimiento inico, el bombardeo de alta energa, las partculas tienen carga
positiva iones que se extraen de un plasma y acelerado a la superficie de la pelcula canto, que est a
un potencial negativo con respecto al plasma o el ion, y se extraen y se acelerada de un can de
iones. En bao de iones a base de plasma, el potencial negativo sobre la superficie del sustrato puede
estar formada por la aplicacin de un potencial de CC continua a una superficie conductora de la
electricidad, la aplicacin de un potencial de CC pulsada o RF a una superficie aislante, mediante la
aplicacin de una combinacin de CC y el sesgo de RF , o mediante la induccin de un "yo sesgo" en
una superficie elctricamente aislante o elctricamente "flotante".

Cuando se utiliza una pistola de iones de los iones de alta energa puede ser inyectado en una regin
libre de campo de manera que un potencial negativo no tiene que ser aplicada al sustrato para lograr
una alta energa de bombardeo de la superficie.

Bombardeo concurrente durante el crecimiento de pelcula afecta a casi todos propiedades de la
pelcula tales como la adhesin de la pelcula-sustrato, densidad, rea superficial, la porosidad, la
cobertura de la superficie, tensin de la pelcula residual, ndice de refraccin, y la resistividad
elctrica. En sedimentacin inica reactiva, el uso de bombardeo concurrente permite la deposicin
de pelculas estequiomtricas, de alta densidad de compuestos tales como nitruro de titanio y nitruro
de zirconio en sustratos de baja.

Ventajas de ion platting:

La energa significativo se introduce en la superficie de la pelcula de depsito por el bombardeo de
partculas energticas.
La cobertura de la superficie puede ser mejorada a travs de la evaporacin al vaco y la deposicin
catdica debido a la dispersin de gas y los efectos de pulverizacin / agrisado.
bombardeo Controlada se puede utilizar para modificar propiedades de la pelcula tales como la
adhesin, densidad de la pelcula, tensin de la pelcula residual, propiedades pticas, etc
Propiedades de la pelcula son menos dependiente del ngulo de incidencia del flujo de depositar
material que con la deposicin catdica y evaporacin al vaco debido a la dispersin de gas, y de
bombardeo inico / redeposicin y de granallado atmica efectos.

En sedimentacin inica reactiva, el plasma puede utilizarse para activar especies reactivas y crear
nuevas especies qumicas que se adsorben ms fcilmente con el fin de ayudar en el proceso de
deposicin reactiva.
Inreactive metalizado inico, bombardmentcan ser utilizado para mejorar la composicin qumica
del material de pelcula por "reacciones del bombardeo enhancedchemical" (aumento de la
probabilidad de reaccin) y la pulverizacin catdica de las especies que no han reaccionado de la
superficie de crecimiento.

Desventajas:

A menudo es difcil obtener bombardeo de iones uniforme sobre la superficie del sustrato que lleva
a filmar variaciones de las propiedades sobre la superficie.
El calentamiento del sustrato puede ser excesivo.
En algunas condiciones, el gas de bombardear se puede incorporar en la pelcula en crecimiento.
En algunas condiciones, excesiva tensin de la pelcula de compresin residual puede ser generado
por el bombardeo.
En el bao de iones a base de plasma, la velocidad de bombeo del sistema a veces se limita, por
tanto, el aumento de problemas de contaminacin pelcula.

La implantacin inica se utiliza para depositar recubrimientos duros de materiales compuestos,
recubrimientos metlicos adherentes, recubrimientos pticos con alta densidad y revestimientos de
conformacin sobre superficies complejas.



DEPOSICIN AL VACO EQUIPO DE PROCESAMIENTO
Una parte integral de el proceso de deposicin al vaco es el equipo de vaco utilizado para generar
el entorno de deposicin. Las partes principales del sistema de deposicin son la cmara de
deposicin y fixturing , el cual tiene las partes a recubrir y el sistema de bombeo de vaco, que
elimina los gases y vapores de la cmara de deposicin. La generacin de un vaco tiene dos
propsitos: uno es el de reducir la presin de gas suficiente para que los tomos vaporizados tienen
un "camino libre medio" de largo y no se nuclean en el vapor para formar "holln", y el segundo es
el de reducir la contaminacin nivel hasta el punto de que una pelcula adherente de la composicin
qumica deseada se puede depositar.
El fixturing sostiene los sustratos que van a ser recubierto y proporciona el movimiento, con
respecto a la fuente de vaporizacin, que es a menudo necesario para dar una deposicin uniforme
sobre un rea grande o sobre muchos sustratos. El accesorio junto con el "tiempo de ciclo" del
sistema determina el rendimiento de producto del proceso. La cmara de depsito est
dimensionado de manera que contenga el fixturing y proveer espacio para los accesorios tales como
persianas, monitores de ritmo de deposicin, calentadores, etc diseo adecuado, construccin,
operacin, y mantenimiento del sistema de depsito es necesario para obtener un producto
reproducible con alta el rendimiento y produccin producto deseado.
RESUMEN
Cada uno de los procesos PVD discutidos tiene sus ventajas y desventajas. Cada uno requiere la
supervisin de procesos diferentes y tcnicas que controlan. En general, se deben utilizar los ms
tcnica simple y la configuracin que le dar a las propiedades de la pelcula que desee y el
rendimiento del producto ms econmico. No hay "valores" del manual de las propiedades de las
pelculas delgadas depositadas y las propiedades dependen de los detalles del proceso de
deposicin. Con el fin de tener un proceso reproducible y producto que es importante tener un buen
control de proceso.