Laboratorio de Dispositivos Electrnicos

Tema: Polarizacin de transistores bipolares de juntura (TBJ) Objetivo: Analizar e implementar los principales circuitos de polarizacin para Transistores bipolares de juntura. 1. Consultar las caractersticas y la asignacin de pines de los transistores 2N3904 y 2N3906. TRANSISTOR 2N3904

TRANSISTOR 2N3904

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2. Consultar un mtodo prctico para determinar el tipo y los terminales de un transistor mediante la utilizacin de un multmetro. Un hmetro puede utilizarse para verificar el estado de un transistor, siempre que se tenga en cuenta que para un transistor en la regin activa, (base-emisor) tiene polarizacin directa y la unin base-colector es polarizacin inversa, que por lo general la unin con polarizacin directa debe registrar una resistencia baja, en comparacin con la unin de polarizacin inversa, que muestra una resistencia mucho mayor. Con un hmetro, si se conecta la punta de prueba positiva a la base y la punta de prueba negativa al emisor para un transistor NPN, el hmetro registra una lectura desde unos 100 ohmios hasta unos tantos kilo-ohmios (por lo que si la resistencia obtenida es elevada, el transistor es de tipo PNP); y al conectar la punta positiva al colector y la punta negativa a la base, el hmetro marcar un valor superior a los 100 kohmios. Para un

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transistor PNP las terminales del hmetro se invierten para cada unin. Si al comprobar las terminales de un transistor, la resistencia es grande o pequea en ambas direcciones o sea invirtiendo los contactos para cada unin de un transistor NPN o PNP, el transistor puede estar daado. Para un transistor NPN

Para este tipo de transistores la polarizacin directa que ocurre en la unin Base Emisor hace que la resistencia sea pequea, mientras que para la polarizacin inversa de la unin Base Colector hace que la resistencia sea enorme.

Para un transistor PNP Si en ambas uniones de un transistor dan por resultado las lecturas esperadas, el tipo de transistor tambin puede determinar con solo ver la polaridad de las puntas de prueba cuando e aplican a la unin base-emisor. Si la punta de prueba positiva (+) se conecta a la base y la negativa (-) al emisor, una lectura de baja resistencia indicara un transistor NPN, a su vez, una lectura de alta resistencia indicara un transistor PNP. Aunque tambin puede utilizarse un hmetro para determinar las terminales (base, colector, emisor) de un transistor, se supone que esta determinacin de los contactos en el encapsulado. TEST TRANSISTOR 1. Posicione el interruptor RANGE en la posicin HFE. 2. Determine si el transistor es del tipo NPN o PNP y localice los punteros de medicin de emisor, base y colector. Inserte los punteros de medicin en los orificios correspondientes en la conexin HFE del panel frontal del multmetro. 3. El multmetro reflejar en la pantalla el valor aproximado de HFE en condiciones de base 10A y VCD 2.8V

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3. Realizar el anlisis e indicar el tipo de polarizacin de los circuitos de las siguientes figuras: (Asumir 100 )

R1 100k

R2 2.2k

R6 1.5k + V3 15V Q2 2N3904

Q1 2N3904

+ V1 15V

R4 100k

R3 1k

+ V2 15V

R5 1.2k

Figura 1 [ ] [ ]
R14 10k R12 3.3k

Valores de Voltaje y Corriente DC en el circuito. Valores de Corrientes DC [ ] [ ] ( ) ) [ ] [ ] (

Q4 2N3904

R13 2.2k

R11 1k

Valores de Voltaje DC ( [ ])( [ ]) [ ]

[ ]

])(

])

[ ]

[ ]

[ ]

[ ]

[ ]

[ ]

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[ ]

[ ])

[ ]

[ ]

[ ]

[ ]

R1 100k

R2 2.2k

R6 1.5k + V3 15V Q2 2N3904

Q1 2N3904

+ V1 15V

R4 100k

R3 1k

+ V2 15V

R5 1.2k

Figura 2 Polarizacin con Dos Fuentes DC

R14 10k R12 3.3k

[ ] [ ] [ ]
R13 Valores de Voltaje y Corriente DC en el circuito. 2.2k Valores de Corrientes DC [ ] [ ] ( ) )( [ ]) [ ] (

Q4 2N3904

+ V5 15V

R11 1k

Valores de Voltaje DC ( [ ])( [ [ ] [ ] [ ] ]) ( [ [ ] ])( [ ] [ ]) [ ] [ ]

100k

Q2 2N3904

R3 1k

+ V2 15V

Laboratorio R5 de Dispositivos Electrnicos

1.2k

[ ] [ ]

[ ] [ ]

[ ] [ ]

R14 10k

R12 3.3k

Q4 2N3904 R13 2.2k

+ V5 15V

R11 1k

Figura 3 [ ] [ ] Calculo de Valores de Voltaje y Corrientes DC por el Mtodo Exacto Valores de Corrientes DC [ ] [ [ ] ] [ [ ]

( [ [

])( ]

[ [

]) ]

[ ]

[ ] [ ] (

[ ] )( [

])

Valores de Voltaje DC ( [ ] ( [ [ ])( [ ])( ]) [ ]) [ ] [ ] [ ]

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[ ] [ ] ( [ ]

[ ] [ ]) [ ]

[ ] [ ] [ ]

4.- Realizar y presentar las simulaciones de cada uno de los circuitos

a. Simulacin circuito 1
2
+ -

10.160

R2 2.2k
V: 4.84 V I: 4.62 mA

R1 100k

Probe2,Probe2

Q1 1
Probe1,Probe1 V: 5.42 V I: 95.8 uA + + -

0.125

V1 15 V

2N3904
0.708
V

Probe3,Probe3

R3 1.0k

V: 4.71 V I: 4.71 mA

b. Simulacin circuito 2

1
+ -

7.555

R2 1.5k
V: 7.45 V I: 5.04 mA Probe2,Probe2

V: 6.79 V I: 32.1 uA

4 Q1
+ -

R1 5 V2 10 V 100k

2 Probe1,Probe1
+ -

1.362

V1 15 V

2N3904
0.709
V

Probe3,Probe3

R3 1.2k 0

V: 6.08 V I: 5.07 mA

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5. Disear un interruptor electrnico usando un transistor, incluir sealizacin mediante el uso de un diodo LED. Explicar su funcionamiento incluyendo las diferentes zonas de trabajo que intervienen.

SW?(COM)

D1
LED-BLUE

SW1
SW-SPST

R1
250k

Q1
2N3904

Transistor en saturacin Para obtener Ic se sigue el siguiente procedimiento: De las caractersticas del diodo LED se tiene Ic=10mA Se escoge el B (beta) menor (200) para asegurar de que el transistor se sature. La corriente de base es: Ib = Ic/B = 10 mA/200 = 0.05 mA. Esta es la corriente de base necesaria para que el transistor se sature y encienda el LED. Para calcular Rb se hace una malla en el circuito de la base: 12 V = Rb x Ib Vbe Rb = (120.6)/Ib = 11.4 V/0.05 mA = 228k. Transistor en corte Para que el bombillo se apague, basta que la corriente (Ic) que pase a travs de l sea cero. Para lograrlo se hace que la corriente de base Ib sea cero (Ic = BxIb), poniendo el voltaje que alimenta el circuito de la base en cero (0 Voltios).

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Historia del transistor El desarrollo de la electrnica y de sus mltiples aplicaciones fue posible gracias a la invencin del transistor, ya que este super ampliamente las dificultades que presentaban sus antecesores, las vlvulas. En efecto, las vlvulas, inventadas a principios del siglo XX, haban sido aplicadas exitosamente en telefona como amplificadores y posteriormente popularizadas en radios y televisores. Sin embargo, presentaban inconvenientes que tornaban impracticables algunas de las aplicaciones que luego revolucionaran nuestra sociedad del conocimiento. Uno de sus mayores inconvenientes era que consuman mucha energa para funcionar. Esto provena del hecho de que en las vlvulas se calienta elctricamente un filamento (ctodo) para que emita electrones que luego son colectados en un electrodo (nodo), establecindose as una corriente elctrica. Luego, por medio de un pequeo voltaje (frenador) aplicado entre una grilla y el ctodo se logra el efecto amplificador, controlando el valor de la corriente, de mayor intensidad, entre ctodo y nodo. El filamento no slo consuma mucha energa, sino que tambin sola quemarse, o las vibraciones lograban romperlo, por lo que las vlvulas terminaban resultando poco confiables. Adems, como era necesario evitar la oxidacin del filamento incandescente, la vlvula estaba conformada por una carcasa de vidrio, que contena un gas inerte o vaco, haciendo que el conjunto resultara muy voluminoso. Los transistores, desarrollados en 1947 por los fsicos W. Shockley, J. Bardeen y W. Brattain, resolvieron todos estos inconvenientes y abrieron el camino que, junto con otras invenciones como la de los circuitos integrados potenciaran el desarrollo de las computadoras. Y todo a bajos voltajes, sin necesidad de disipar energa (como era el caso del filamento), en dimensiones reducidas y sin partes mviles o incandescentes que pudieran romperse.

Comparacin entre las vlvulas y antiguos transistores individuales de germanio.

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Esquema

del

triodo

(vlvula)

donde

se

detallan

sus

distintos

componentes.

Los transistores se basan en las propiedades de conduccin elctrica de materiales semiconductores, como el silicio o el germanio. Particularmente el transporte elctrico en estos dispositivos se da a travs de junturas, conformadas por el contacto de materiales semiconductores donde los portadores de carga son de distintos tipos: huecos (tipo P) o electrones (tipo N). Las propiedades de conduccin elctrica de las junturas se ven modificadas dependiendo del signo y de la magnitud del voltaje aplicado, donde, en definitiva, se reproduce el efecto amplificador que se obtena con las vlvulas: operando sobre una juntura mediante un pequeo voltaje se logra modificar las propiedades de conduccin de otra juntura prxima que maneja un voltaje ms importante.

Fotografa del primer transistor realizado por fsicos W. Shockley, J. Bardeen y W. Brattain en diciembre de 1947. Tomada de www.bellsystemmemorial.com/belllabs_transistor.html Los diez aos posteriores a la invencin del primer transistor vieron enormes adelantos en este campo:

se inventaron distintos tipos de transistores (de punto, de juntura, de campo), basados en distintas propiedades bsicas; se emplearon distintos materiales, inicialmente el germanio (1948) y posteriormente el silicio (1954), que domina la industria semiconductora de la actualidad;

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se logr construir una gran cantidad de transistores, otros elementos y los circuitos para acoplarlos directamente sobre una oblea de silicio, a lo que se le dio el nombre de circuito integrado (1958).

En estos primeros circuitos integrados, los transistores tenan dimensiones tpicas de alrededor de 1 cm. En 1971 el microprocesador de Intel 4004 tena unos 2000 transistores, mientras que hoy en da, un Pentium IV tiene unos 10 millones de transistores, con dimensiones tpicas de alrededor de 0.00001 cm. Desde 1970, cada ao y medio aproximadamente, las dimensiones de los transistores se fueron reduciendo a la mitad (ley de Moore). Si se los hace an ms pequeos dejarn de funcionar como esperamos, ya que empezarn a manifestarse las leyes de la mecnica cuntica. Para seguir progresando, deber entonces concebirse una nueva generacin de microprocesadores basados en las propiedades que la materia manifiesta en las escalas nanomtricas.

Todos estos desarrollos respondieron en cada caso al intento de resolver un problema concreto atacado tanto del punto de vista terico como experimental. Muchos de los fsicos que participaron en esta aventura del transistor y en sus desarrollos posteriores dieron lugar al nacimiento de nuevas invenciones (y de empresas como Texas Instruments, Intel y AMD) que hoy da dominan la escena en la que se desarrollan las TIC.

http://ees.wikispaces.com/Historia+del+transistor

Historia del transistor

Varios historiadores de la tecnologa consideran al transistor como "el mayor invento del siglo XX".Es el dispositivo electrnicobsico que dio lugar a los circuitos integrados y dems elementos de la alta escala de integracin.

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As como la Revolucin industrial del siglo XIX se basa en la mquina de vapor de James Watt, puede decirse que la era de las comunicaciones se ha basado en el transistor.

El transistor es un dispositivo de tres terminales que surge en los Laboratorios Bell de la AT&T. Se buscaba un conmutador deestado slido para ser utilizado en telefona y para reemplazar tanto a los rels como a los sistemas de barras. Luego se contempla la posibilidad de obtener el reemplazo de la vlvula (o tubo) de vaco. Quentin Kaiser escribi: "Si no hubiese sido por las microondas o el radar de UHF, probablemente nunca hubiramos tenido la necesidad de detectores de cristal. Si no hubiramos obtenido detectores de cristal, probablemente no habramos tenido el transistor, salvo que hubiera sido desarrollado de algn modo completamente diferente". (Citado en Revolucin en miniatura de E. Braun y S. Macdonald).

Antecedentes fsicos[editar editar fuente]

Se saba que el contacto entre un alambre metlico y la galena (sulfuro de plomo II) permita el paso de corriente en una sola direccin, tal como lo revelaron los trabajos de Carl Ferdinand Braun. El radar, por otra parte, al emplear frecuencias elevadas, deba utilizar un detector eficaz, con muy poca capacidad elctrica, por lo que no era conveniente el uso de los diodos de vaco. El diodo de estado slido era esencial para esa finalidad. En la dcada de los cuarenta estaba completo el estudio terico de los contactos semiconductor-metal. Uno de los inventores del transistor, Walter Brattain, escribi: "Ninguno en la profesin estaba seguro de la analoga entre unrectificador de xido de cobre y un tubo diodo de vaco y muchos tenan la idea de cmo conseguir poner una rejilla, un tercerelectrodo, para hacer un amplificador". Para modificar la conductividad de algunos semiconductores, se tuvo en cuenta los niveles de energa cuantificados de lostomos, que dan lugar a las bandas de energa cuando existen tomos distribuidos regularmente. El estudio del movimiento de los electrones en estas bandas, vislumbr la posibilidad de cambiar la conductividad elctrica de algunos semiconductores agregando 1 impurezas controladas adecuadamente, surgiendo as los materiales de tipo N y de tipo P.

Origen de la denominacin[editar editar fuente]

Un diodo surge al unir un material N con uno P, el transistor surge de una unin de tipo NPN, o bien PNP. La denominacin "transistor" fue sugerida por J.R. Pierce, quin dijo: " y entonces, en aquella poca, el transistor fue imaginado para ser el dual del tubo de vaco, as si un tubo de vaco tena transconductancia, ste debe tener transresistencia, y as llegu a sugerir 2 transistor".

Patentes de invencin[editar editar fuente]

Para obtener las patentes de invencin, luego de efectuarse las primeras pruebas, se lo mantuvo en secreto durante casi siete meses, hasta que se pudo detallar su funcionamiento en forma adecuada. Esta patente le fue concedida a John Bardeen y aWalter Brattain por el transistor de punta de contacto. La patente del transistor de juntura (o unin), aparecido en 1951, le fue concedida a William Shockley. Sobre este ltimo transistor, E. Braun y S. Macdonald escriben: "Es

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asombroso que Shockley hubiera formulado la teora precisa del transistor de unin bipolar al menos dos aos antes de que el dispositivo fuese producido".

Comportamiento elemental[editar editar fuente]

Podemos hacernos una idea del comportamiento del transistor utilizando un circuito que utiliza una fuente de tensin continua, un indicador de corriente (miliampermetro) y dos resistencias con sus respectivos interruptores. Estas resistencias se conectarn entre el colector y la base, mientras que la fuente se conectar entre colector y emisor. Con ambos interruptores abiertos, no habr corriente de base y el indicador de corriente, ubicado a la salida de la fuente, marcar una corriente nula. Si cerramos uno de los interruptores, habr corriente de base y tambin de colector. Si cerramos ambos interruptores, habr mayor paso de corriente. De ah que podamos decir que el transistor se comporta como si fuese una resistencia cuyo valor es controlado por la corriente de base.

Definicin de amplificacin[editar editar fuente]

Una definicin elemental de amplificacin fue dada por William Shockley: "Si usted toma un fardo de heno y lo ata a la cola de una mula y a continuacin le prende fuego, y compara luego la energa disipada a partir de entonces por la mula con la energa disipada antes por usted en frotar 3 el fsforo, entender plenamente el concepto de amplificacin".

Bibliografa[editar editar fuente]

Revolucin en miniatura La historia del impacto de la electrnica del semiconductor Autores: E. Braun y S. Macdonald Fundesco y Editorial Tecnos SA 1986 Electrones, ondas y mensajes Autor: John R. Pierce EUDEBA 1968 Seales La ciencia de las Telecomunicaciones Autores: John R. Pierce y A. Michael Noll Editorial Revert SA 1995 Los Silicon Boys Autor: David A. Kaplan EMECE Editores 1999 Electrnica cuntica Lo fundamental sobre transistores y rayos lser Autor: John R. Pierce EUDEBA 1966

http://es.wikipedia.org/wiki/Historia_del_transistor

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