PRACTICA 2 ESTABILIDAD DEL PUNTO DE OPERACIN DE UN BJT COMPENSACION DE VARIACIONES POR TEMPERATURA

OBJETIVOS: Realizar el diseo de un circuito de polarizacin de transistor BJT por divisor de voltaje a partir de la especificacin de un punto de operacin. Aplicar el mtodo de diseo para compensar los cambios en el punto de operacin respecto a los cambios de temperatura. Determinar la validez del mtodo de diseo analizando los resultados obtenidos. EQUIPO Multmetro Fuente de C.D. variable.

MATERIAL 1 C.I. CA3086 Resistencias varios valores Cables para las conexiones INTRODUCCION

Otra causa importante de la variacin del punto de operacin es la temperatura de trabajo del BJT, debido a que ICBO y V BE dependen de ella. La variacin de IC con la temperatura se puede obtener con la siguiente ecuacin:
(I C = R $ k(T ' +% 1+ B " I CB 0 e 0.07 (T ! 1 % " RE & RE #

El primer trmino del lado derecho representa la dependencia de V BE con la temperatura y el segundo trmino la dependencia de la corriente de fuga, ICBO, con la temperatura, y que originan la variacin de IC. En la mayora de las aplicaciones la variacin de IC con temperatura es debida principalmente a los cambios de VBE y se tiende a despreciar el efecto de las variaciones de ICBO. Un mtodo para reducir las variaciones por la tensin V BE consiste en utilizar la compensacin por diodos. En este circuito, si se elige el diodo de modo que se adapte a la caracterstica de la unin B-E del BJT para que sus dependencias en temperatura sean las mismas, entonces:
"VD "VBE = = !k "T "T

(1)

Figura 1

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En C.I.s los diodos estn formados por BJTs conectando la base al colector como se muestra en la figura 2. La naturaleza del proceso de fabricacin permite que sus caractersticas sean muy parecidas, por lo que la compensacin de temperatura es bastante buena. Para este circuito, la variacin de la IC con temperatura, considerando la igualdad dada en la ec. (1), est dada por:

!I C Rd k = !T R E Rd + R B
Figura 2

(2)

Con un solo diodo no se puede obtener una compensacin perfecta para las variaciones de IC con !I la temperatura ( C = 0 ). Sin embargo, cuando se emplean 2 o ms diodos, como en el !T "I siguiente cto., se puede hacer que C ! 0. "T Para este cto., considerando la ec. (1), se tiene:
(I C 2 RB # k & = $1 ' ! (T R E % Rd + R B "

(3)

Entonces,

!I C

!T

= 0 cuando RB = Rd

Figura 3

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DESARROLLO EXPERIMENTAL 1. Consulte las hojas de datos del fabricante del C.I. CA3086 para determinar el valor de la ganancia de corriente ! y antelo. != . 2. Utilizando uno de los BJTs del C.I. disee el siguiente circuito para establecer un punto de operacin de (5mA, 10V) considerando estabilidad en ! y VCC=15 V. Anote los valores de las resistencias obtenidas en el clculo y empleadas en el circuito: R1= R2= RC= RE= . . . .

Figura 4 En la tabla I anote el punto de operacin experimental en la fila que corresponde a la medicin a temperatura ambiente (TA). 3. Acerque la punta caliente de un cautn al C.I. o use una secadora de pelo (recomendada) algunos segundos, teniendo cuidado de no daar el empaque plstico del C.I., y anote los valores del punto de operacin en la fila correspondiente de la tabla I. NOTA: Trate de que el calor sea uniforme en toda la pastilla del C.I. Temperatura de trabajo T = TA T > TA ICQ
(mA)

VCEQ
(V)

Tabla I La variacin de IC corresponde con lo que se esperaba segn la teora? Anote sus observaciones.

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4. Disee el circuito compensado en temperatura que se muestra enseguida utilizando los tres BJTs NPN del C.I. y considerando estabilidad en ! . Disee para el mismo punto de operacin dado antes en el punto 2 y VCC =15 V. Anote los valores de las resistencias obtenidas en el clculo y empleadas en el circuito: R1= R2= RC= RE= Rd= . . . . .

Figura 5 En la tabla II anote el punto de operacin experimental en la fila que corresponde a la medicin a temperatura ambiente. 5. Repita el punto 3, tratando de aplicar el calor de manera uniforme sobre el C.I. y por el mismo tiempo. Anote sus mediciones en la tabla II. Temperatura de trabajo T = TA T > TA ICQ
(mA)

VCEQ
(V)

Tabla II Corresponden los resultados con los esperados tericamente? Anote sus observaciones.

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ANALISIS DE RESULTADOS Y OBSERVACIONES a) Proponga un mtodo para determinar experimentalmente el valor de ! de los transistores del C.I. utilizado. b) Con los resultados de los puntos 3 y 5 de la prctica, qu observaciones puede hacer? c) Si en lugar de utilizar un C.I. para realizar la prctica se utilizaran BJTs discretos (separados), qu resultados obtendra en cada uno de los puntos? qu pasara con la compensacin? podra hacer la misma comparacin del inciso a)? Explique detalladamente sus respuestas. d) Qu resultados espera obtener en los puntos 3 y 5 de la prctica cuando la temperatura disminuya (T < TA)? Explique.

CONCLUSIONES DE LA PRACTICA

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