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Motivaciones Semiconductores
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El Efecto Fotoel ectrico Espectro At omico
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Los dispositivos semiconductores son el fundamento de la electr onica industrial. Es la industria m as grande del mundo, con ventas globales sobre un trill on de d olares desde 1998. Es escencial para entender cursos de electr onica avanzada. Todas las las comunicaciones actuales est an basadas en tecnolog a electr onica. Los circuitos de alimentaci on de cualquier equipo utilizan dispositivos semiconductores. Existe un largo etc!
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Qu e es un semiconductor? Un semiconductor es un material en el cual su conductividad el ectrica se encuentra entre un conductor y un aislante.
Fuente: Wikipedia
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Entonces, un semicoductor... Se comporta como conductor o como aislante? Respuesta: Se puede comportar como ambos, dependiendo de las condiciones en las que se encuentre.
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Metales: Elementos qu micos con pocos electrones en la u ltima capa. Aislantes: Aquellos que tienen muchos electrones en dicha capa. Los elementos qu micos semiconductores de la tabla peri odica, se resumen en: Elemento Cd Al, Ga, B, In Si, C, Ge P, As, Sb Se, Te, (S) Grupo II B III A IV A VA VI A Electrones ultima capa 2 3 4 5 6
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Desde epocas remotas, los humanos se han interesado por la naturaleza de la materia. Siglo V a.C. Dem ocrito expres o que toda la materia estaba formada por muchas part culas peque nas e indivisibles. Estas part culas las llam o atomos (indestructible o indivisible). Evidencias experimentales apoyaron el concepto del atomismo. Otros experimentos permitieron conocer la composici on interna de dicho atomo: electrones, protones, neutrones, etc.
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Todos los atomos de un mismo elemento tienen igual tama no, masa y propiedades qu micas. Los atomos no se pueden dividir y pueden combinarse para formar compuestos.
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Problema Este modelo no explica fen omenos como la ionizaci on al no considerar la existencia de part culas como neutrones, protones o electrones.
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Motivaciones Semiconductores
En 1900 se sab an que los atomos tienen electr ones y son el ectricamente neutros. Thompson propuso un modelo de una esfera cargada positivamente, con electr ones dentro de ella. Este modelo permiti o explicar el fen omeno de la ionizaci on
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Problema No cumple las leyes de Maxwell. Un electr on orbitando un n ucleo deber a irradiar energ a en forma de un campo magn etico, disminuyendo su energ a hasta caer al n ucleo. No explica espectros at omicos.
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Antecedentes
Los modelos no pod an explicar todos los fen omenos que presenta el atomo. El comportamiento de electrones y atomos no se rigen por las leyes de la mec anica cl asica. La absorci on y emisi on de radiaci on por parte del atomo no se puede explicar en forma completa con estos modelos cl asicos. Fue necesario tomar una nueva teor a: mec anica cu antica. La mec anica cu antica describe el fen omeno electr onico en una forma correcta, y predice el comportamiendo de los electrones en los s olidos. Calma! No estudiaremos mec anica cu antica, solo los puntos y experimentos que son de nuestro inter es.
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Motivaciones Semiconductores
Max Planck observ o que la radiaci on de una muestra caliente emite en unidades discretas de energ a El llam o quanta (cuanto) a estas unidades discretas. Descubri o (1900) que la energ a estaba descrita por el producto de la frecuencia y una constante. E = h = h c
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La constante h, es llamada actualmente constante de Planck y tiene un valor de 6.63 1034 [Js]. Los par ametros c y corresponden a la velocidad de la luz y a la longitud de onda de la energ a emitida, respectivamente.
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El Efecto Fotoel ectrico Espectro At omico
Un haz de luz monocrom atico incide sobre la supercie de una l amina met alica en el vac o. Los e del metal absorben energ a del haz luminoso. Algunos reciben la energ a necesaria para ser eyectados desde la supercie. Este fen omeno se conoce por efecto fotoel ectrico.
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El Efecto Fotoel ectrico Espectro At omico
Si la energ a de los electrones se mide, y se graca la energ a m axima, Em , con respecto a la frecuencia de la luz incidente, , se tiene:
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Em = h q , donde q es la carga del electr on. La cantidad [Volts] es una caracter stica particular del metal utilizado. La energ a q es la m nima energ a requerida por el electr on para escapar del metal. Recibe el nombre de funci on de trabajo del metal. Esto indica que el electr on recibe una energ a h de la luz y pierde una cantidad de q de energ a en escapar de la supercie. As , se logr o demostrar la naturaleza discreta de la luz.
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Este experimento demuestra que la energ a de luz es contenida en unidades discretas en lugar de una distribuci on continua de energ a. Otros experimentos tambi en indican este principio: las unidades cuantizadas de la energ a de luz pueden ser consideradas como paquetes localizados de energ a, llamados fotones. Algunos experimentos enfatizan la naturaleza ondulatoria de la luz, mientras otros experimentos revelan la naturaleza discreta de los fotones. Esta dualidad es fundamental para los procesos cu anticos y no implican una ambig uedad en la teor a.
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Resumen: Einstein propone la existencia de cuantos de luz o fotones, que se propagan como ondas pero interact uan con la materia como part culas. As se explica que los electrones del metal absorben al cuanto de luz y, luego, son expulsados del metal.
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Consecuencia: La energ a del fot on est a determinada por la frecuencia del haz de luz y la constante de Planck: Eluz = hv
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Espectro At omico
Un experimento valioso en la f sica moderna es el an alisis de la absorci on y emisi on de luz por los atomos. Cuando se produce una descarga el ectrica en un gas, los atomos emiten luz en las longitudes de onda caracter sticas de aquel gas. Si la intensidad de la luz emitida se mide como funci on de la longitud de onda se obtienen l neas verticales a lo largo del espectro:
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, n = 2, 3, 4, . . . , n = 3, 4, 5 . . . , n = 4, 5, 6 . . .
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La variable R es llamada la constante de Rydberg y tiene un valor de R = 109.678 cm1 . Al gracar la energ a de los fotones h para valores sucesivos del entero n se tiene
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Se puede notar que cada energ a se obtiene sumando o restando otras energ as en el espectro. Esto se llama principio de combinaci on de Ritz.
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Modelo de Bohr
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Los resultados anteriores, permitieron a Neils Bohr formular un nuevo modelo at omico para el Hidr ogeno. Su modelo orbital asume las posibles transiciones entre orbitas dadas exitaciones externas. Bohr postula una naturaleza discreta de las part culas que puede ser descrita en funci on de algunos par ametros (n umeros cu anticos).
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Los electrones existen en una orbita circular y estable (sin emitir energ a radiante) alrededor del n ucleo. Al no emitir radiaci on electromagn etica no pierde energ a ni cae al n ucleo. Los electrones pueden saltar de una orbita de mayor o menor energ a sin pasar por estados intermedios. Los saltos lo hacen ganando o perdiendo energ a igual a la diferencia de energ as entre estados. Esto se logra por la absorci on o emisi on de fotones. El momento angular del electr on, p , es siempre un m ultiplo entero de la constante de Planck dividido por 2 , de acuerdo al n umero cu antico principal n. p = n h =n 2 , n = 1, 2, 3, 4, . . .
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n2 2 mr2 Como n es un numero entero, entonces existen solo n posibles valores para r, por lo que se denotar a por rn el n- esimo radio permitido. Reemplazando la ecuaci on anterior en la igualdad de fuerzas: mv 2 = n2 2 K mq 2 Igualando la denici on y propiedad del momento para el electr on, se tiene que la velocidad de este es: rn = v= n q2 = mrn Kn
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mq 4 q2 = 2 2 Krn K n
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El test cr tico del modelo es cuando se eval ua la diferencia de energ a entre dos saltos de orbita: E = En2 En1 = mq 4 2K 2 2 1 1 2 2 n1 n2
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Luego, la frecuencia de la luz involucrada en la transici on entre estas orbitas est a dada por = E mq 4 = h 2K 2 2 h 1 1 2 2 n1 n2
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El factor fuera del par entesis es la constante de Rydberg (R) multiplicada por la velocidad de la luz.
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Schr odinger extiende el modelo de Bohr al considerar el principio de dualidad onda part cula de Louis-Victor de Broglie y el principio de incertidumbre de Heisenberg. Busca generar un modelo donde los electrones existen como ondas estacionarias connadas a orb tales discretos. Consistente con experimentos que muestran electr on como part cula (Franck y Hertz) y como onda (difracci on del electr on al pasar por ranuras cercanas). Concepto de dualidad onda part cula (Teor a de De Broglie)
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Teor a de De Broglie
Teor a de De Broglie: Una part cula de masa m que se mueva a una velocidad v puede, en condiciones experimentales adecuadas, presentarse y comportarse como una onda de longitud de onda .. Un conjunto de part culas movi endose a una determinada velocidad puede comportarse seg un todas las propiedades y atributos de una onda, es decir: puede reejarse, refractarse y difractarse. Un rayo de luz puede, en determinadas circunstancias, comportarse como un chorro de part culas (fotones) con una cantidad de movimiento (momento) bien denida. La relaci on entre la masa, velocidad y frecuencia fue establecida por el f sico franc es Louis de Broglie en 1924: h p mv =
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Teor a de De Broglie
Se comprueba experimentalmente en 1927 al observar la difracci on del electr on.
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El 2008 en el art culo Coherent Electron Scattering Captured by an Attosecond Quantum Stroboscope de Mauritsson et al. se muestra por primera vez al electr on en el espacio de los momentos.
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Cuanta mayor certeza se busca en determinar la posici on de una part cula, menos se conoce su momento. Las part culas, en su movimiento, no tienen asociada una trayectoria bien denida.
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Cada part cula es un sistema f sico descrito por una funci on de onda (x, y, z, t) continua, nita y u nica. El momento y energ a se abstraen a operadores matem aticos, para eje x: p(x) j x y E j t
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La probabilidad de encontrar una particula con ecuaci on de onda en el volumen dxdydz es dxdydz . Adem as
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dxdydz = 1
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La potencial ser a V.
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Conforme al postulado 2, entonces esta ecuaci on queda dada por 2 (x, t) (x, t) + V (x)(x, t) = 2m x2 j t
2
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2m
2 + V =
j t
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La forma m as simple de resolver el problema es separar la dependencia temporal de la espacial en la ecuaci on de la onda (separaci on de variables). Llamemos a la parte independiente del tiempo. En coordenadas esf ericas, al aplicar separaci on de variables se tiene: (r, , ) = R(r)()() por lo que se puede obtener cada una de estas funciones en forma independiente.
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d2 + m2 = 0 d2 De cursos anteriores se sabe que la soluci on es de la forma () = Aej m . Para encontrar A, se utiliza el postulado 3: 2 1 ()() d = 1 A = 2 0 Como se repite cada 2 [rad], entonces tambi en se repetir a. Esta situaci on se da solo si m es un n umero entero o cero: m = . . . , 2, 1, 0, +1, +2, . . . Corresponde al segundo n umero cu antico!
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R(r) arroja al n umero cu antico n que puede ser mayor a cero. () arroja al n umero cu antico l que puede ser entero mayor o igual a cero.
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Al juntar las tres soluciones, las interrelaciones entre los n umeros cu anticos ponen las siguientes restricciones: n = 1, 2, 3, . . . l = 0, 1, 2, . . . , n 1 m = l, . . . , 2, 1, 0, +1, +2, . . . , +l Estudios tambi en arrojaron que el electr on posee spin (momento angular) dado por s= 2
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Usando los 4 n umeros cu anticos se puede identicar los estados que el electr on puede ocupar en el atomo de hidr ogeno. El n umero n es llamado el n umero cu antico principal y especica la orbita del electr on en la terminolog a Bohr. Ahora el concepto de de orbita se reemplaza por funci on de densidad de probababilidades. Estos resultados corresponden al atomo de hidr ogeno, pero se pueden extrapolar realizando algunas modicaciones. Para esto se utiliza el principio de exclusi on de Pauli.
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El principio de exclusi on de Pauli dice que dos electrones en un mismo sistema interactivo no pueden tener los mismos n umeros cu anticos. Solo dos electrones pueden tener los mismos n umeros n, m y l, pero necesariamente deben tener spin opuesto. Se puede entender cuantos electrones existen en un determinado orbital mediante las combinaciones de los n umeros cu anticos.
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Algunos ejemplos: Helio (He): Z = 2 2 e en la capa n = 1 y l = m = 0. Ne on (Ne): Z = 10 2 e en la capa n = 1 y l = m = 0. 2 e en la capa n = 2 y l = m = 0. 6 e en la capa n = 2 y l = 1 y m = 1, 0, 1. Silicio (Si): Z = 14 Tiene la misma estructura del Ne, m as cuatro electrones en la capa n = 3.
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En base a los resultados anteriores, se plantea la relaci on entre el n umero cu antico l y los nombres dados por especialistas en espectroscop a en los orignenes del estudio at omico l Nombre 0 sharp s 1 principal p 2 diuse d 3 fundamental f 4 g ... ...
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Ne on (Ne): Z = 10 2 e en la capa n = 1 y l = m = 0. 2 e en la capa n = 2 y l = m = 0. 6 e en la capa n = 2 y l = 1 y m = 1, 0, 1. 1s2 2s2 2p6 Silicio (Si): Z = 14 Tiene la misma estructura del Ne, m as cuatro electrones en la capa n = 3. 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 [N e]3s2 3p2
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El atomo de Silicio tiene: 14 protones y neutrones en el n ucleo. 10 electrones en el coraz on del atomo (capas n = 1 y n = 2) 4 electrones de valencia en subcapas 3s y 3p.
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Si se gracan las energ as de Coulomb asociadas en torno al n ucleo:
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La energ a potencial var a con respecto a la distancia del centro Luego, la energ a potencial tiende a cero al alejarnos al innito
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Concentremosnos en la capa n = 3:
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El orbital 3s es esf erico y sim etrico, sin dependencia angular y siempre positivo. Puede tener dos electrones conforme a Pauli.
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Existen 3 orbitales 3p que son mutuamente perpendiculares, con dos electrones cada uno.
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Al acercase mucho dos atomos de silicio, los orbitales s y p se solapan tanto que pierden sus caracter sticas individuales para generar un orbital h brido s p3
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La parte negativa de los orbitales p anula parte del orbital s y las partes positivas de ven aumentadas
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Estos orbitales h bridos apuntan sim etricamente en el espacio en direcciones tetragonales, similar al diamante.
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Cada atomo tiene 4 electrones en su o rbita m as lejana y los comparte con sus 4 vecinos. El concepto de compartir electrones se llama enlace covalente y los electrones involucrados son llamados electrones de valencia. Cada par de electrnes es un enlace covalente y en el atomo de silicio los electrones pasan igual tiempo en cada n ucleo. A bajas temperaturas, los electrones est an enlazados en sus arreglos tetra edricos por lo que no est an disponibles para la conducci on.
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En altas temperaturas, la vibraci on t ermica podr a romper los enlaces covalentes. Cuando esto sucede, se tiene un electr on libre que puede participar en la corriente el ectrica.
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Esto produce una deciencia de electr on en el arreglo que eventualmente puede ser llenada por otro electr on vecino lo que provoca un desplazamiento de la deciencia. Esta deciencia de electr on se puede considerar como una part cula cticia llamada hueco.
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El hueco se puede considerar como una part cula de carga positiva que se mueve en direcci on opuesta al movimiento de los electrones. El concepo se asemeja a la idea de una burbuja en un l quido. Tanto los electrones como los huecos contribuyen en la corriente el ectrica total.
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13.6 [eV ] n2
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La cantidad electr on-volt es equivalente a 1.6 1019 [J] As , las energ as discretas son -13.6[eV] para estado estable (n = 1), -3.4[eV] para primer nivel exitado (n = 2), etc. Entonces, al tener dos atomos id enticos pero separados, los niveles permitivos de energ a consisten en niveles mutuamente generados Ambos atomos tienen exactamente la misma energ a permitida.
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Al ir acercando estos atomos, los niveles de energ a doblemente generados se derraman en dos niveles por la interacci on entre los atomos. Cuando N atomos aislados se juntan para formar un s olido, las orbitas de los electrones exteriores se solapan e interact uan mutuamente. Esta interacci on y las fuerzas de atracci on/repulsi on entre los atomos produce un corrimiento en los niveles de energ a tal como se produce al interactuar dos atomos. Sin embargo, se tienen N niveles separados, pero muy cercanos entre s .
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El n umero a es la distancia interact omica de equilibrio del crital. Si N es grande, se tiene practicamente una banda continua de energ a.
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Los radios de los estados interiores son muy inferiores a la separaci on at omica del cristal de silicio Los 4 electrones restantes est an en enlaces covalentes m as d ebiles y son compartidos entre los atomos vecinos.
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Al decrecer la distancia interat omica se produce el traslape. En el equilibrio las bandas se separan en dos bandas, con 4 estados cu anticos por atomo cada una.
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Todos los estados de la banda inferior (valencia) est an ocupados y los estados de la banda superior (conducci on) est an vacios. El punto m as bajo de la banda de conducci on se llama Ec y el m as alto de la banda de valencia se le llama Ev . El rango de energ as intermedias se le llama banda prohibida o banda gap, Eg y est a dada por Eg = Ec Ev F sicamente, Eg es la energ a requerida para romper un enlace en el semiconductor, que libera un electr on de la banda de valencia para pasar a la banda de conducci on.
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Banda de valencia. El m as alto de los intervalos de energ as electr onicas que se encuentra ocupado por electrones en el cero absoluto. Banda de conducci on. Intervalo de energ as electr onicas que, estando por encima de la banda de valencia, permite a los electrones sufrir aceleraciones por la presencia de un campo el ectrico externo y, por tanto, permite la presencia de corrientes el ectricas. Banda prohibida (gap). Es la diferencia de energ a entre la parte superior de la banda de valencia y la parte inferior de la banda de conducci on en el cero absoluto.
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La enorme variedad de conductividad el ectrica de los metales, semiconductores y aislantes puede ser explicada en forma cualitativa en terminos de bandas de energ a.
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Metales. En un conductor met alico la banda de conducci on est a parcialmente llena (cobre) o se traslapa con la banda de valencia (zinc y plomo) De cualquier forma, la banda gap desaparece como tal. Un electr on que aumente levemente su energ a cin etica queda libre para moverse dado los muchos estados sin utilizar en los atomos.
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Aislantes. En un aislante como el di oxido de silicio (SiO2 ) los electrones forman enlaces muy fuertes entre atomos vecinos. Estos enlaces son dicil de romper dada la estructura at omica. Los aislantes se caracterizan por un gap grande (>>10[eV] @ 0o K) y que, a pesar de existir estados posibles de usar, los electrones no pueden llegar a ellos.
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E=
p2 2m0
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En un cristal, un electr on en la banda de conducci on es simular a un electr on libre. Sin embargo su masa efectiva (mn ) se ve afectada por el potencial peri odico del n ucleo, por lo que la ecuaci on queda expresada por E= p2 2mn
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La masa efectiva estar a dada por la segunda derivada de la energ a con respecto al momento mn = d2 E dp2
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Mientras m as angosta la par abola (mayor la segunda derivada) entonces menor es la masa efectiva. Utilizando la misma idea para los huecos con carga positiva y masa efectiva mp se tiene un diagrama de energ a-momento de un semiconductor.
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La energ a gap se ubica en la distancia m nima, para este caso, cuando el momento es nulo. La representaci on indica que al producirse transiciones entre bandas no requiere cambio de momento. Esto no se da para el silicio!
Al tener transiciones con cambio de momento se habla de semiconductor indirecto (Si). Al tener transiciones sin cambio de momento se habla de semiconductor directo (GaAs).
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