(' .

\ P I T t: LO

El osciloscopio y otros instrumentos de medicin

--11-------------------22.1 INTRODUCCION
Una de las funciones bsicas de los circuitos electrnicos es la generacin y manipulacin de formas de onda electrnicas. Estas seales electrnicas pueden representar informacin de audio, datos de computadoras, seales de televisin, seales temporizadoras (como las que se utilizan en el RADAR), etctera. Los medidores comunes empleados en mediciones electrnicas son los multmetros (analgico o digital), que permiten la medicin de voltajes de cd o ea, corrientes o impedancias. La mayora de los medidores proporcionan mediciones de ea que son correctas solamente para seales sinusoidales no distorsionadas. El osciloscopio, por otra parte, visualiza la forma de onda exacta, y el observador puede decidir la accin a efectuar a partir de un conjunto de lecturas observadas. El osciloscopio de rayos catdicos (ORC) proporciona una presentacin visual para cualquier forma de onda que se aplique a las terminales de entrada. Un tubo de rayos catdicos (TRC), muy semejante al de una televisin, suministra la exhibicin visual que muestra la for,ma de la seal aplicada como una forma de onda sobre la pantalla. Un haz de electrones se deflecta a medida que va barriendo a travs de la cara del tubo, dejando un trazo de la seal aplicada a las terminales de entrada. Mientras que los multmetros proporcionan informacin numrica acerca de una seal aplicada, el osciloscopio permite visualizar la forma precisa de la forma de onda. Se encuentran disponibles una amplia gama de osciloscopios, algunos ms adecuados para la medicin de seales bajo una frecuencia determinada; otros, para proporcionar medicin de seales de duracin ms corta. Un ORC puede construirse para funcionar en intervalos que van de algunos hertz a cientos de megahertz; los ORC tambin pueden utilizarse para medir intervalos de tiempo desde algunas fracciones de nanosegundo (1O~) hasta varios segundos.

22.2

EL TUBO DE RAYOS CATODICOS: TEORIA Y CONSTRUCCION

El tubo de rayos catdicos (TRC) es el "corazn" del ORC, proporcionando una presentacin visual de la forma de onda de la seal de entrada. Un TRC se compone de cuatro partes bsicas: 1. Un can de electrones para producir un flujo de electrones. 2. Elementos de enfoque y aceleracin para producir un haz bien definido de electrones. 3. Placas deflectoras horizontales y verticales para controlar la trayectoria del haz de electrones. 4. Una ampolla de vidrio al vaco con pantalla fostorescente, que se ilurruna visualmente cuando incide sobre ella el haz de electrones. La figura 22.1 ilustra la construccin bsica de un TRC. Consideraremos en primer lugar el funcionamiento bsico del dispositivo. Un ctodo (K) que contiene un

872

Anodo preacelerador

(A 1)

Anodo acelerador (A3)

Placas de deflexi6n horizontal (H)

Haz de electrones *Suspensi6n coloidal de grafito de agua

Terminales

Rejilla de control (G) Ampolla de vidrio al vaco

Figura 22.1 Tubo de rayos catdicos: construccin

bsica.

::-

recubrimiento de xido se calienta en forma indirecta por medio de un filamento, lo que da por resultado la liberacin de los electrones de la superficie del ctodo. Se suministra una rejilla de control (G) para controlar el nmero de electrones que pasan ms adelante por el tubo. Un voltaje sobre la rejilla de control determina a cuntos electrones liberados por medio del calentamiento se les permitir continuar movindose hacia la parte frontal del tubo. Despus de que los electrones pasan la rejilla de control, son enfocados en un delgado haz y acelerados a muy alta velocidad por medio de los nodos de enfoque y aceleracin. Las partes discutidas hasta aqu comprenden el can de electrones del TRC. El bien definido haz de electrones de alta velocidad pasa a continuacin a travs de dos conjuntos de placas deflectoras. El primer conjunto de estas placas se orienta para desviar el haz de electrones en forma vertical, hacia arriba o hacia abajo. La direccin de la desviacin vertical se determina por la polaridad del voltaje aplicado a las placas deflectoras. La magnitud de la desviacin se establece por la cantidad del voltaje aplicado. El haz tambin se desva en sentido horizontal (a la izquierda o a la derecha) mediante la aplicacin de un voltaje a las placas deflectoras horizontales. El haz desviado se acelera entonces en forma adicional por medio de muy altos voltajes aplicados al tubo, llegando finalmente el haz a incidir sobre el material fosforescente de la cara interna del tubo. Este fsforo brilla cuando inciden los electrones con su energa, permitiendo que la persona que emplea el instrumento observe el destello visible frente al tubo. El TRC es una unidad auto-contenida con terminales que conducen a travs de una base. Se fabrican diversos tipos de TRC en una variedad de tamaos, con diferentes materiales fosforescentes y colocacin de electrodos de deflexin. Ahora, podemos considerar cmo se utiliza el TRC en un osciloscopio.

22.3 OPERACION DEL OSCILOSCOPIO DE RAYOS CATODICOS (ORC)

Para el funcionamiento u operacin de un osciloscopio, el haz de electrones se desva en forma horizontal por un voltaje de barrido, y en forma vertical por medio del voltaje que se va a medir. Mientras el haz de electrones se mueve a travs de la pantalla del TRC por medio de la seal de barrido horizontal, la seal de entrada desva el haz en sentido vertical, resultando en la visualizacin de la forma de onda de la seal de entrada. Un barrido del haz a travs de la pantalla del tubo, seguido por un periodo "en blanco" durante el cual el haz se apaga mientras retorna al punto de partirda a travs de la pantalla del tubo, constituye un barrido del haz. Una visualizacin ms estable se obtiene cuando el haz barre repetidas veces a travs del tubo con exactamente la misma imagen en cada barrido. Esto requiere una sincronizacin, comenzando el barrido en el mismo punto de un ciclo de forma de onda repetitiva. Si la seal se encuentra adecuadamente sincronizada, la imagen visualizada se mantendr estacionaria. En ausencia de sintonizacin, la imagen aparecer con un corrimiento o movimiento horizontal a travs de la pantalla.
22.3 Operacin del osciloscopio de rayos catdicos (ORC)

873

Partes bsicas del ORe

Las partes bsicas de un ORC se presentan en la figura 22.2. Consideraremos primero la operacin del ORC para este diagrama de bloques simplificado. Para obtener una deflexin perceptible del haz, de uno a unos cuantos centmetros, el voltaje usual aplicado a las placas de deflexin debe encontrarse en el orden de decenas a centenas de de voltios. Puesto que las seales medidas haciendo uso de un ORC son por lo general unos pocos voltios, o incluso de unos cuantos mili voltios, se necesitan circuitos de amplificacin para incrementar la seal de entrada a los niveles de vltaje requeridos para hacer funcionar el tubo. Existen secciones amplificadoras tanto para la deflexin horizontal del haz, como para la deflexin vertical del mismo. Para ajustar el nivel de una seal, cada entrada pasa a travs de un circuito atenuador que puede ajustar la amplitud de la imagen visualizada.
Control de arnpli tud de escala

/
Seal de entrada vertical ___ Atenuador de entrada vertical Amplificador vertical

TRC
Seal de entrada >---horizontal o _ Atenuador de e_~~~~~.?~:izontal

Control de base de tiempo

Generador de barrido de ~ diente de sien-a

---?'

Amplificador horizontal

Seal de Pulso de sincrona externo sincrona o Pulso de sincrona interno

Figura

22.2 Osciloscopio de rayos catdicos: diagrama general de bloques:

22.4 OPERACION DEL VOLTAJE DE BARRIDO

Cuando la entrada vertical es de O V, el haz de electrones puede colocarse al centro de la componente vertical de la pantalla. Si tambin se aplican O V a la entrada horizontal, el haz se posiciona entonces en el centro de la pantalla del TRC y permanece como un punto estacionario. Los controles de posicin vertical y horizontal permiten el movimiento del punto hacia cualquier sitio de la pantalla del tubo. Cualquier voltaje de cd aplicado a una entrada resultar en el desplazamiento del punto. La figura 22.3 muestra la pantalla de un TRC con un punto al centro, y con un punto desplazado a causa de un voltaje horizontal positivo (hacia la derecha) y un voltaje de entrada vertical negativo (abajo del centro).

(a)

(b)

Figura 22.3 Punto sobre la pantalla debido a un haz de electrones estacionario: (a) punto en el centro a. consecuencia del haz de electrones estacionario; (b) punto estacionario desplazado del centro.

874

Captulo 22 El osciloscopio y otros instrumentos

de medicin

Seal de barrido horizontal

Para visualizar una seal sobre la pantalla del TRC es necesario deflectar o desviar el haz a travs del TRC mediante una seal de barrido horizontal de modo que cualquier variacin de la seal vertical se pueda observar. La figura 22.4 muestra la lnea recta que se visualiza para un voltaje positivo aplicado a la entrada vertical empleando una seal de barrido lineal (diente de sierra) que se aplica al canal horizontal. Con el haz de electrones fijado a una distancia vertical constante, el voltaje horizontal que va de negativo a cero para el voltaje positivo, ocasiona que el haz se mueva del extremo izquierdo del tubo al centro y al extremo derecho. La imagen resultante es una lnea recta sobre la divisi6n central vertical con el voltaje de cd representado adecuadamente como una lnea recta.

Figura 22.4 Imagen en la pantalla del osciloscopio para una seal vertical de cd y una seal de barrido horizontal.

El voltaje de barrido se representa como una forma de onda continua, no s610como un barrido simple. Esto es necesario si se dispone a visualizarse una imagen de gran longitud. Un barrido simple a travs de la pantalla del tubo se extinguira rpidamente. Al repetir el barrido, la imagen visualizada se genera una y otra vez, y si se genera un nmero suficiente de barridos por segundo, la imagen parecer estar presente en forma continua. Si se disminuye la velocidad del barrido (que se establece por los controles de escala de tiempo del aparato), se puede observar el recorrido real del haz a travs de la pantalla del tubo-. La aplicaci6n sealada de una seal sinusoidal a las entradas verticales (sin barrido horizontal) da por resultado una lnea recta vertical como la que se ilustra en la figura

-f-----\-----+-----\----

t (ms)

t (ms)

Figura 22.5 Imagen resultante en osciloscopio para una entrada vertical sinusoidal sin una entrada horizontal.

22.4 Operacin del voltaje de barrido

875

22.5. Si se reduce la velocidad de barrido (frecuencia de la seal sinusoidal), ser posible apreciar el haz de electrones desplazndose hacia arriba y hacia abajo a lo largo de una trayectoria en lnea recta.

Uso de un barrido lineal de diente de sierra para visualizar una entrada vertical
Para apreciar una seal sinusoidal es necesario el uso de una seal de barrido sobre el canal horizontal, de modo que la seal aplicada al canal vertical pueda observarse sobre la pantalla del tubo. La figura 22.6 ilustra la imagen que se visualiza en el ORe como resultado de un barrido lineal horizontal y una entrada sinusoidal al canal vertical. Para l ciclo de la seal de entrada que aparece en la figura 22.6a, es necesario que las frecuencias de la seal y el barrido lineal se encuentren sincronizados. Si existiera alguna diferencia la imagen aparecer en movimiento (no estar sincronizada), a menos que la frecuencia de barrido sea algn mltiplo de la frecuencia sinusoidal. Disminuir la frecuencia de barrido har posible que aparezca un mayor nmero de ciclos de la seal sinusoidal, mientras que el incremento de la seal de la frecuencia de barrido resultar en una disminucin en la visualizacin de la entrada vertical sinusoidal, apareciendo por consiguiente como un aumento de una parte de la seal de entrada.
Uy

(ms)

t (ms)
(a)

Uy

t (ms)

t (ms) (b)

Figura 22.6 Visualizacin de la entrada vertical sinusoidal y de la entrada de barrido horizontal: (a) visualizacin de la seal de entrada vertical haciendo uso de la seal lineal de barrido para reflexin horizontal; (b) visualizacin en el osciloscopio para una entrada vertical sinusoidal y una velocidad de barrido horizontal igual a un medio de la seal vertical. de medicin

876

Captulo

22 El osciloscopio

y otros instrumentos

Determine cuntos ciclos de una seal sinusoidal de 2 kHz se observan si la frecuencia de barrido es: (a) 2 kHz. (b) 4 kHz. (c) 1kHz. Solucin (a) Cuando las dos seales tienen la misma frecuencia, se ver un ciclo completo. (b) Cuando la frecuencia de barrido se incrementa a 4 kHz, se ver medio ciclo. (e) Cuando la frecuencia de barrido se reduce a 1 kHz, se vern dos ciclos.

EJEMPLO 22.1

La figura 22.7 muestra una forma de onda discreta (tipo pulsante) aplicada como una entrada vertical con barrido horizontal, obteniendo como resultado una visualizacin en el osciloscopio de la seal del pulso. La numeracin en cada forma de onda permite seguir la visualizacin para la variacin de la entrada y el voltaje de barrido durante un ciclo.
Seal vertical

2 3 4 5

~~3~---------- ---~----~

----.r"--t--+.---~-

.... Seal horizontal

Figura 22.7 Empleo del barrido lineal para una forma de onda discreta (tipo pulsante).

22.5 SINCRONIZACION

y DISPARO

La visualizacin en un ORC puede ajustarse al establecer la velocidad de barrido (frecuencia) para apreciar ya sea un ciclo, varios ciclos, o parte de un ciclo. Esta es una muy valiosa caracterstica del ORe. La figura 22.8 muestra la imagen resultante para algunos ciclos de la seal de barrido. Cada vez que el voltaje de barrido horizontal de diente de sierra pasa a travs de un ciclo de barrido lineal (de un negativo mximo a cero para un mximo positivo), ocasiona que el haz de electrones se mueva horizontalmente a travs de la pantalla del tubo, de la izquierda al centro y luego a la derecha. El voltaje de diente de sierra decae entonces rpidamente de regreso hacia el voltaje negativo de arranque, con el haz retornando hacia el extremo izquierdo. Durante el tiempo que el
22.5 Sincronizacin y disparo

877

Sella! de entrada vectical

Sella! de barrido horizontal

Figura 22.8 Imagen estable del osciloscopio: seales de entrada y de barrido sincronizadas.

voltaje de barrido se hace rpidamente negativo (retrasado), el haz se borra (la rejilla de voltaje previene que los electrones incidan en la pantalla del tubo). Para observar una imagen estable cada vez que el haz es barrido a travs de la pantalla del tubo, es necesario que se arranque el barrido en el mismo punto del ciclo de la seal de entrada. En la figura 22.9 la frecuencia de barrido es demasiado baja y la imagen del ORe tendr un "desplazamiento" aparente hacia la izquierda. La figura 22.10 ilustra lo que ocurre cuando se establece una frecuencia de barrido demasiado alta, con un desplazamiento aparente hacia la derecha. Debera ser obvio que es poco prctico ajustar la frecuencia de barrido exactamente al mismo valor de la frecuencia de la seal para obtener un barrido estable. Un
Sella! de entrada vertical

Seal de barrido horizontal

Figura 22.9 Frecuencia de barrido demasiado baja: desplazamiento aparente hacia la izquierda.

878

Captulo 22 El osciloscopio y otros instrumentos

de medicin

Seal de entrada vertical

Seal de barrido horizontal

Cada forma de onda es 3/4 de una onda sinusoidal (O ~ 2 7t). Cada forma de onda se determina por la seccin de entrada vertical entre las lneas interrumpidas determinadas por la seal de barrido.

I -

l'
Figura 22.10 Frecuencia de barrido demasiado alta: desplazamiento aparente hacia la derecha.

lA

procedimiento ms prctico es esperar hasta que la seal alcance el mismo punto en un ciclo para comenzar el trazado. Este disparo tiene diversas caractersticas, como se describe a continuacin.

Disparo
El mtodo usual de sincronizacin emplea una porcin de la seal de entrada para disparar un generador de barrido de modo que la seal de barrido se fije o sincronice con la seal de entrada. Al utilizar una porcin de la misma seal por visualizarse a fin de proporcionar la seal de sincrona, se asegura la sincronizacin. La figura 22.11 muestra un diagrama de bloques que representa cmo se deriva una seal de disparo en una visualizacin de canal simple. La fuente de la seal del disparo se obtiene a partir de la frecuencia de lnea (60 Hz), para visualizar las seales relacionadas a la lnea de voltaje, de una seal externa (alzuna otra de la que se observa), o ms adecuadamente, de una
Acoplador de disparo

o
Fuente del disparo
I I

Nivel

I
I I

o
I I
I

Entrada EXT ----,

Pendiente

I
I I I

o
I
I I

I I
I

EXT

Generador de disparo Amplificador De los circuitos interno verticales de -+ del disparo oscioscopio

INT ------e
L1NEA

Generador
compuerta

de

IL

o
Ajuste de tiempo/cm

l
Integrador ~

o---

,-----0

Voltnjc de ti lmea Barrido principal

Figura 22.11 Diagrama de bloques mostrando la operacin de disparo del osciloscopio.

22.5 Sincronizacin y disparo

879

seal derivada de la aplicada como entrada vertical. El interruptor de seleccin en osciloscopio al fijarse en la opcin interna (INTERNAL) proporcionar una parte de seal de entrada al circuito generador de disparo. La salida del generador de disparo una seal de disparo que se emplea para arrancar el barrido principal del osciloscopio, cual dura el tiempo establecido por el ajuste de tiempo/cm. La figura 22.12 ilustra disparo que se arranca en varios puntos de un ciclo de seal.

el la es el el

(a)

(b)

(e)

(d)

Figura 22.12 Disparo en varios puntos del nivel de la seal (Nora: el signo arranca en el mismo punto del ciclo de cada barrido y por lo tanto se encuentra sineronizado): (a) nivel de positivo a cero; (b) nivel de negativo a cero; (e) nivel de disparo de voltaje positivo; (d) nivel de disparo de voltaje negativo.

La operacin del disparo de barrido tambin puede apreciarse al observar algunas de las formas de onda resultantes. De una seal de entrada dada se obtiene una forma de onda de disparo para proporcionar una seal de barrido. Como se ve en la figura 22.13, el barrido se arranca a un tiempo en el ciclo de la seal de entrada y dura el periodo establecido por los controles de longitud de barrido. Entonces el osciloscopio espera hasta que la entrada alcanza un punto idntico en su ciclo antes de arrancar otra operacin de barrido. La longitud del barrido determina cuntos ciclos se podrn observar, mientras que el disparo asegura que la sincronizacin tenga lugar.
Voltaje de entrada

Seal de disparo

Seal de barrido

~
Longitud de tiempo de barrido establecido por los controles de ttcs

Figura

22.13 Barrido con disparo.

880

Captulo

22 El osciloscopio

y otros instrumentos

de medicin

22.6 OPERACION DEL MULTITRAZADO

La mayora de los osciloscopios modernos proporciona la exhibicin de dos o ms trazos sobre la pantalla del osciloscopio al mismo tiempo. Esto permite comparar la amplitud, caractersticas especiales de la forma de onda y otras caractersticas importantes de las formas de onda. Un trazado mltiple puede obtenerse empleando ms de un can de electrones, creando los haces separados, imgenes separadas. Sin embargo, con mucha frecuencia se emplea un haz de electrones simple para crear las imgenes mltiples. Dos mtodos para desarrollar dos trazos son CONMUT ADO (CHOPPED) y ALTERNADO (ALTERNA TE). Con dos seales de entrada aplicadas, un interruptor electrnico conecta primero una entrada, luego la otra, al circuito de deflexin. En el modo de operacin ALTERNO el haz es barrido a travs de la pantalla del tubo, exhibiendo sin embargo muchos ciclos de una seal de entrada que estn por visualizarse. Luego la entrada se alterna (conmuta) a la segunda entrada y exhibe el mismo nmero de ciclos de la segunda seal. La figura 22.14a muestra la operacin con la visualizacin alternada. En el modo de operacin CONMUTADO (figura 22.14b), el haz se conmuta repetidamente entre las dos seales de entrada durante un barrido del haz. En tanto la seal es de relativa poca frecuencia, la accin de conmutacin no es visible y se observan dos imgenes por separado.

arrido
durante

Iaentr.rl!A ~
Nota: Las lneas blancas muestran la conmutacin del haz de electrones en trazado alterno (alternate) que no es visible en la imagen real del osciloscopio.

[l ---:
~
durante~U la entrada B (a)

Operacin de conmutacin (chopping) para visualizar un trazado doble con un haz simple de electrones (a bajas frecuencias de seal, las lneas de conmutacin o chopping son escasamente visibles)

1
...--:--

(b)

Figura 22.14 Modos de visualizacin alterno (alterna/e) y conmutado (chopped) para operacin de doble trazado: (a) modo alterno para doble trazado empleando un haz simple de electrones; (b) modo conmutado doble trazado utilizando un haz simple de electrones.

para

22.7

MEDICION CON LAS ESCALAS CALIBRADAS DEL ORC

emplearse para escala calibrada lado del centro. de 0.2 cm.
del ORe

La pantalla del tubo del osciloscopio tiene una escala calibrada para efectuar mediciones de amplitud o tiempo. La figura 22.15 ilustra una tpica. Los cuadrantes se dividen en centmetros (cm), con 4 cm a cada Cada centmetro de los cuadrantes se divide adicionalmente en intervalos

22.7 Medicin con las escalas calibradas

881


,
Figura 22.15 Pantalla calibrada del osciloscopio

Mediciones de amplitud
La escala vertical est calibrada en voltios por centmetro (V/cm), o en milivoltios por centmetro (mV/cm). Haciendo uso de la escala establecida por el osciloscopio y la seal medida fuera de la pantalla del osciloscopio, se pueden medir normalmente voltajes pico, o pico-a-pico para una seal de ea.

EJEMPLO 22.2

C~1cule la amplitud pico-a-pico de la seal sinusoidal en la figura 22.16 si la escala del osciloseopio se ajusta a 5 mV/cm.

--

-t-

;~

~~~~r:-;; ~0:i\
::t-~'"'::::,.
. - -;-'

+ti: ..:',It
Solucin

-H+'

Figura 22.16 Forma de onda para el ejemplo 22.2.

La amplitud pico-a-pico es 2 x 2.6cm x 5mV/cm=26mV

Ntese que un osciloscopio proporciona mediciones fciles de valores pico-a-pico. mientras que un multmetro normalmente proporciona mediciones de valores rms (para una forma de onda sinusoidal).

882

Captulo 22

El osciloscopio y otros instrumentos

de medicin

Calcule la amplitud de la seal del pulso en la figura 22.17 (el osciloscopio est ajustado en 100 mV/cm).

EJEMPLO 22.3

"r

.'-l-

,1 ti
1: 1:

-+-+,,1+

-::t
nt-

I
I

:;H-

-b

-+

H
H
'O'

Ir-::-

-1+
..

=H:-

.tt

.++
Solucin

+..J
H

-+..~
'-

-++

"',

... -l+
r-:

Figura 22.17 Forma de onda para el ejemplo 22.3.

La amplitud de pico-a-pico es (2.8 cm + 2.4 cm) X 100 mV/cm

= 520 mV = 0.52

Mediciones de tiempo PERIODO

La escala horizontal del osciloscopio puede utilizarse para medicin del tiempo, ya sea en segundos (s), milisegundos (ms), microsegundos (us) o nanosegundos (ns).El intervalo que abarca un pulso desde su comienzo hasta el final, es el periodo del pulso. Cuando la seal es repetitiva, el periodo es un ciclo de la forma de onda.

Calcule el periodo de la forma de onda que se ilustra en la figura 22.18 (el osciloscopio se encuentra establecido a 20 us/cm).

EJEMPLO 22.4

Figura 22.18 Forma de onda para el ejemplo 22.4. 22.7 Medicin con las escalas calibradas del ORe

883


EJEMPLO 22.5

Solucin
Para la forma de onda de la figura 22.18, periodo
ee T::;:

3.2 cm

20 us/cm ::;:64 us

FRECUENCIA
La medicin de un periodo repetitivo de la forma de onda puede emplearse para calcular la frecuencia de la seal. Puesto que la frecuencia es el recproco del periodo,

(22.1)

Determine la frecuencia de la forma de onda que se ilustra en la figura 22.18 (el ociloscopo se encuentra fijado a 5 us/cm),

Solucin
De la forma de onda periodo = T = 3.2 cm
X

5 J-Ls/cm

= 16 J-Ls

1
16 J-LS

f=

T=

= 62.5 kHz

ANCHURA DEL PULSO

El intervalo de tiempo en que una forma de onda se encuentra en alto (o bajo) es la anchura del pulso de la seal. Cuando los extremos de la forma de onda ascienden o descienden instantneamente, la anchura se mide del comienzo (extremo inicial) al final (extremo frontal) (vase la figura 22.19a). Para una forma de onda con extremos que suben o bajan en cierto intervalo de tiempo, la anchura del pulso se mide a la mitad de los puntos, como se muestra en la figura 22.19b.

Figura 22.19 Medicin de la anchura

del pulso.

884

Captulo 22 El osciloscopio y otros instrumentos

de medicin

Determine la anchura del pulso de la forma de onda en la figura 22.20.

EJEMPLO 22.6

1+ - ...,+ ----------+-+--+H+

, ,,

+ -- + - -+-

.-. + - +H:

.... - -~-- ...

,.

-- - - -+

-H- --H-.Fgura 22.20 Forma de onda para el ejemplo 22.6.

Parmetro de OSCilOSCOPi0G: 2ms/cm

Solucin Para una lectura de 4.6 cm en el punto medio de la forma de onda la anchura del pulso es
Tpw

= 4.6 cm x 2 us/cm = 9.2

f..lS

RETARDO DEL PULSO

El intervalo de tiempo entre los pulsos se conoce como el retardo del pulso. Para formas de onda, como se ilustra en la figura 22.21, el retardo del pulso se mide entre el punto medio y el comienzo de cada pulso.

- -1+

+....
,

-1+

+--

.. -- H--

Parmetro de osciloscopio 50 sIcm

Figura 22.21 Forma de onda para el ejemplo 22.7.

Determine el retardo del pulso (pulse delay) para las formas de onda de la figura 22.21. Solucin De las formas de onda de la figura 22.21, retardo de pulso = TpD = 2 cm x 50 us/cm

EJEMPLO 22.7

= 100 us
del ORe

22.7 Medicin con las escalas calibradas

885

22.8 CARACTERISTICAS ESPECIALES DEL ORC

El ORC ha llegado a ser cada vez ms sotisficado y especializado de mediciones de amplitud, las escalas para medidas de tiempo, que se visualizan, los mtodos para suministrar disparo de mediciones son diferentes dependiendo del rea de uso especfico en su uso. El intervalo el nmero de trazados barrido y los tipos de del osciloscopio.

Barrido con retardo

Una til caracterstica del ORC emplea dos bases de tiempo para proporcionar la seleccin de una pequea parte de la seal por visualizarse. Una base de tiempo selecciona la seal total vista en la pantalla del osciloscopio, mientras que una segunda base permite seleccionar una pequea parte de la seal observada para visualizarse en un modo expandido. La base de tiempo principal se conoce como la base de tiempo A mientras que la segunda base de tiempo, denominada como B, exhibe la seal despus de un retardo de tiempo seleccionado. La figura 22.22 proporciona un diagrama de bloques que muestra la operacin de las dos bases de tiempo. Con los controles frontales del panel ajustados para operar desde el barrido A, se establece una seal de barrido principal para observar un nmero de ciclos de la seal de entrada. Los controles permiten entonces fijar el barrido B empleando un selector de regulacin graduado variable, con el barrido B por lo regular como un intervalo intensificado que puede moverse sobre la imagen del barrido visualizado. Cuando se establece la porcin deseada del barrido visualizado, los controles se mueven para exhibir la parte retardada de la seal, la cual se observa en la segunda base de tiempo establecida como una imagen aumentada. La figura 22.23 ilustra una seal de tipo discreto visualizada primero haciendo uso del barrido A y luego la porcin seleccionada en un ajuste de barrido aumentado.
Figura 22.22 Operacin del barrido retardado: diagrama de bloques.
Seal de disparo

---

Circuitos de : disparo principal

r
_

Circuitos de compuerta principal

rt
ri

Integrador principal

Barrido principal

Comparador de barrido

Figura 22.23 Barridos principal y retardado.

Seal de barrido

Circuitos de disparo retardado

Barrido de compuerta retardado

lruegrador retardado

Barrido retardado

i:iE

jJI."

+--i-

;,

J.

,. .'-4

tt,:'

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1
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t

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886

lit .i:tt+ +++++

t ..

tt1ittt ttl: ~t1Jlit i j.lllrrJt

.' ih

"++h-

-Eth

22.9 GENERADORES DE SEALES

Un generador de seales proporciona una seal de ea de amplitud ajustable y frecuencia variable para usar en la operacin de un amplificador u otro circuito lineal. La frecuencia puede ajustarse normalmente desde unos cuantos hertzs hasta algunos megahertz. La amplitud de la seal puede ajustarse en un intervalo que va de los milivolts hasta unos cuantos volts de amplitud. Mientras que la seal sea por lo regular una forma de onda sinusoidal a menudo se contar con formas de onda discretas (cuadradas) o incluso formas de onda triangulares.

el

Generador de formas de onda (8038)

Un generador de formas de onda de precisin se suministra por medio de la unidad de CI 8038 que se ilustra en la figura 22.24. El sencillo CI de 14 terminales es capaz de producir formas de onda sinusoidales, cuadradas o triangulares altamente precisas para su uso en la operacin o prueba de otro equipo. La consideracin de la operaci6n del CI ayudar a comprender cmo funciona cualquier generador de seales disponible comercialmente. Este CI en particular puede suministrar frecuencia de salida que puede ajustarse desde menos de 1 Hz hasta cerca de 300 kHz. El rango de las unidades comerciales puede ser considerablemente mayor. Como se indica en la figura 22.24, el CI proporciona tres tipos de formas de onda de salida: todas a la misma frecuencia, siendo sta seleccionada por el usuario.
Ajuste
sinusoidal

V(gnd)

803!!

NN

Figura 22.24 Cl generador de formas de onda 8038.

La figura 22.25 muestra las conexiones del CI cuando se utiliza para suministrar una salida de frecuencia ajustable. La frecuencia de la unidad sera entonces de

G[J
f=-

(22.2)

Re

V+(+9 V)

RL
IkQ

6
7 8 8038 11 12

9
3 2

.rtr
./V\

lV'v
Figura 22.25 Conexiones del 8038 como generador de frecuencia variable. 22.9

Generadores

de seales

887

EJEMPLO 22.8

Determine las frecuencias ms baja y ms alta obtenidas cuando se vara el potencimetro kn de su calibracin minima hasta su calibracin mxima.

del 10

Solucin
Haciendo uso de la ecuacin (22.2), para un potencimetro fijo en O, R

IOn:

f=

0.15 (lO kO)(0.5 .tF)

30 Hz

Para un potencimetro establecido a su valor mximo,

0.15 (lO 0)(0.5 .tF) == 30 kHz

AMPLITUD DE SALIDA AJUSTABLE

La conexin de la figura 22.26 muestra cmo proporcionar un ajuste de la amplitud de la forma de onda sinusoidal con la salida sinusoidal suministrada a travs de un manejador. El amp-op 310 es un manejador (buffer) de ganancia unitaria que proporciona la salida sinusoidal de una salida de baja impedancia. [El 310 tiene una ganancia de voltaje cercana a la unidad (1), con una impedancia de salida de alrededor de In.] La frecuencia de salida es ajustable sobre un intervalo de alrededor de 30 Hz hasta 30 kHz, con una amplitud ajustable de casi 9 V pico.

4 7

5 8038

6
2
Ramp

~
10 11 12

100 kn R2 kn

l0 0 3O~0TV
Salida de onda

+9 V

':"

Figura 22.26 Generador de formas de onda siousoidaJes con frecuencia y amplitud ajustables.

GENERADOR DE PULSOS DE 5 V (TTL)

Un circuito que suministra una forma de onda discreta (de pulsos) de 5 Y para emplear con circuitos digitales TIL se ilustra en la figura 22.27. El CI 8038 proporciona una forma de onda rectangular o discreta a una salida fija entre O y +5 V. La frecuencia de la salida puede variarse desde cerca de 30 Hz hasta 30 kHz cuando se ajusta el valor del potencimetro de 10 kn . Un generador de seales comercial probablemente incluir capacitores de conmutacin para suministrar frecuencias sobre un intervalo de valores. En tanto que la fuente emplee un CI regulador para suministrar el voltaje fuente de +5 Y, la salida ser un valor bien definido, como se utiliza tpicamente en circuitos TIL. El seguidor unitario 310 proporciona la salida de una fuente de baja impedancia haciendo posible conectar la salida hacia varias cargas, sin afectar la amplitud o la frecuencia de la seal de la forma de onda.

888

Captulo 22 El osciloscopio y otros instrumentos

de medicin

,-----~-----{)

+5 Y

+5Y

4 7

5
8038

0 0
307

reD

8 10 11

OY

Salida TTL

e
0.5 .F

+5Iu

Figura 22.27 Generador

de formas de onda de seal ITL.

22.9 Generadores de seales

889

\PENDICE

Parmetros hbridos: ecuaciones de conversin (exactas y aproximadas)

A.1EXACTAS
Configuracin emisor comn = (1 +
= (1 =
fe

h.,

hfb)(

1-

hib hrb)

+ hobhib +
+
hfb) hobhib

h
le

hibhob -

hrb(

= 1=

h re

h.,
h

hfb) ( 1 -

hrb)

-hfbO

hrb) -

hobhib

(1

hfb) ( 1

hrb)

-O + hfc)

hobhib

Configuracin base comn

890

Cont1guracin colector comn

A.2 APROXIMADAS
Configuracin emisor comn
h.;

==

hib 1+h

_ fb

=f3re
_ h rb

hibhob

+ hfb
-hfb + hfb

== f3

Conflzuracin base comn

rb

== ==

hiehoe ---':.:.......:=--

_ h re = - h re _

1_

hichoc h 'fc

1 + hfe -hfe + hfe

hfb

==

Configuracin colector comn

h.

== == ==
=

1+ h 1 -1 1

fb

==

f3r e

h.;
hfc

+ hfb == - f3 +
hob ht

oc -

A.2 Aproximadas

891

.\ P E N 1) I (' E

Factor de rizo y clculos de voltaje

B.I FACTOR DE RIZO DEL RECTIFICADOR
El factor de rizo de un voltaje se define mediante

r:---------------------------valor medio de la seal

que puede expresarse como

rms valor de la componente ea de la seal

r=

V,(rms) Ved

Puesto que la componente de voltaje ea de una seal que contiene un nivel cd es

Vac

V -

Vdc

el valor rms de la componente ea es V,(rms) =

[2~rl7 v;c ae
1

= [ 21T

Lo

17

]1/2

(v - Vdc)2 dO (v2

[2~rl7

zvv

+ Vac)

ae J'2

= [V2(rms) - 2Vae = [V2(rms) -

+ Vae]112

Vae] 112

donde V(rms) es el valorrms del voltaje total. Para la seal rectificada de media onda, V,(rms) = [V2(rms)
=

= Vm[
V,(rms)

[(~mr - c;rr2 (~r- (~rr2

- Vae] 1/2
m

= 0.385V

(media onda)1

(B.I)

892

Para la seal rectificada de onda completa,

[(~r - (2:mrr
m

=V

(!_ ~)1I2 2
1T'2

I V,(rms) = O.308V

(onda completa)

(B.2)

B.2 VOLTAJE DE RIZO DEL FILTRO CON CAPACITOR

Suponiendo una aproximacin de forma de onda de rizo triangular como se muestra en la figura B.l, podemos escribir (vase la figura B.2)

V
cd

V _
m

V( , ' P-P)
2

(B.3)

Durante la descarga del capacitor el cambio de voltaje a travs de

e es
(B.4)

A partir de la forma de onda triangular de la figura B.I V(

r

rms

) -

V,(p-p)

2V3

(B.5)

(obtenida mediante clculos que no se presentan).

Forma de onda triangular aproximada

Figura B.l Voltaje de rizo triangular aproximado para un filtro con capacitor.

;..

---'-t/2 V
r

Figura B.2 Voltaje de rizo. B.2 Voltaje de rizo del filtro con capacitor

893

Empleando los detalles de la forma de onda de la figura B.I se obtiene Vr(p-p) TI

v,
T/4

TI = Vr(p-p)(T/4) Vm Asimismo, T2=--TI=--

T
2

Vr(p-p)(T/4)

_ 2TVm

-'

Vr(p"p)T

v,
I...
4

4Vm (B.6)

T 2 -

2Vm

Vr(p-p) V
m

Puesto que la ecuacin (B.3) puede escribirse como

podemos combinar la ltima ecuacin con (B.6):

que, insertada en la ecuacin (B.4), produce Ied(V T) e v"2

cd m

Vr(p-p) =

1 T=-

/
V r(P-P) -

2/e Vm

Ied

Ved

(B.7)

Combinando las ecuaciones (B.5) y (B.7), resolvemos para V,(rms):

(B.8)

B.3 RELACION DE Ved y Vm CON EL RIZO, r

El voltaje cd desarrollado a travs del capacitor del filtro a partir de un transformador que proporciona un voltaje pico, V m' que puede relacionarse con el rizo como sigue:
r=

Vr(rms) Ved

Vr(p-p)

2V3 Ved
Vr(p-p)/2 _ Vr(p) Vm
-

Ved =

Vr(p-p)

Ved

2V3~

V3r

- V3r

V3r

V m - Ved = ;[3rVecL.. V m = (1 + "V3r)Ved

894

Apndice B Factor de rizo y clculos de voltaje

(B.9)

La relacin de la ecuacin (B.9) se aplica tanto a rectificadores de media onda como de onda completa de filtro con condensador y se grafica en la figura B.3. Como ejemplo, a un rizo de 5% el voltaje cd es-Ved = 0.92 V m' O dentro de 10% del voltaje pico, donde como en el rizo de 20% el voltaje cd disminuye slo hasta 0.74 V m que es ms de 25% menor que el valor pico. Ntese que V cd se encuentra dentro de 10% de Vm para un rizo menor que 6.5%. Esta cantidad de rizo representa la lnea frontera de la condicin de carga baja.

,
~ga 0.900 baja [Ved dentro del 160% de V~

0.800 H' 0.700

,
..l

.-~

0.,

o-o

o
Carga baja 6.5%) Figura B.3 Grfica

.....J

10

15

20

25

%r

de (VeIV"')

como funcin del % de r.

B.4 RELACION DE

v, (RMS) y Vm CON EL RIZO, r

Podemos tambin obtener una relacin entre Vr (rms), Vm y la cantidadde rizo para rectificadores de media onda y de onda completa con filtro y capacitor como se indica:
B.4 Relacin de Vr (RMS) y Vm con el rizo, r

895

V3Vr(rms)

v,

i_ V.ed

v,

Empleando la ecuacin (B.9), obtenemos

V3Vr(rms) _ 1 _ 1 Vm 1+
Vr(rms)

\13 r
1 + V3r

_1_(1 _
V3

1 ) = _1_( 1 + V3r - 1)
V3 r 1

Vm

+ V3r

-----;=~ 1 + V3r

(B

La ecuacin (B. lO) se grafica en la figura B.4 Puesto que V cd se encuentra dentro dellO% de Vm para un rizo ~ 6.5%, =r (carga baja)

y podemos emplear V, (rms)/V m =r para un rizo ~ 6.5%

V,(nns)

V,,;

1 +{3r

150

X 10-3

100

50 a baia '

o
Cargabaja

5 ~

10

15

20

25

%r

6.5%)

Figura B.4 Grfica de Vr (rms)IVm como funcin del % de r.

896

Apndice B Factor de rizo y clculos de voltaje

B.5 RELACION ENTRE EL ANGULO DE CONDUCCION, % DE RIZO E IpicJ1cd PARA CIRCUITOS RECTIFICADO RES CON FILTRO DE CAPACITOR
En la figura B.I podemos determinar como sigue, ya que el ngulo al cual el diodo empieza a conducir, O, hasta

v = V m sen 9 = V m - V,(p - p)

9 =9

La utilizacin de la ecuacin (B. 10) y V, (rms) = V,(p-p )/2 produce

V,(p-p) 2v'3Vr(rms) ---'-~-'-= -_"":"":"_-'-

v,

Vm

por consiguiente,

1 - V,(p-p)

v,

1 _ 2v'3V,(rms)

v,

1 _ 2v'3 (

r ) 1 + v'3r

1 - v'3r 1 + v'3r 9 = sen-! 1 -:#r

1

1.f.V3r

(B.11)

donde 91 es el ngulo al cual se inicia la conduccin. Cuando la corriente se vuelve cero despus de cargar las impedancias en paralelo R L Y C, podemos determinar que

Una expresin para roR L C puede obtenerse en la forma siguiente:

r=

(Icd/4v'3C)(VcdlVm) _ VCd,/RL 1 Vcd - 4v'3C Vm 27T( 1

+ lv'3r)
0.907
=

4v'3 wCRL
en consecuencia

wRLC

27T 4v'3 (1 + v'3r)r

r(1

+ v'3r)

De este modo, la conducin se interrumpe a un ngulo

-1

(}z =

7T - tan

(1

+ v'3r)r

0.907

(B. 12)

De acuerdo con la ecuacin (16.10b) podemos escribir Ipico

=.J. =

.!....
TI

1800 () (onda completa) (B.13) (media onda)

Icd

lcd

B.5 Relacin entre el angulo de conduccin, % de rizo e lprJ la! para drcutos rectificadores con ltro de capacitor

897

Una grfica de [pico / [cd como funcin del rizo se presenta en la figura B.5 para la operacin de media onda y de onda completa.

-t-

-t-Media onda

f-

nda completa

15

10

o
(

5 1 +{3r) 1 +{3r

10 9

15 1.814

20
]

25 %r

2=1t-tan-

1[

r[I+v'3rJ

Figura D.5 Grfica de 1pico /Icd versus al % de

r,

para operacin de media onda y de onda completa.

898

Apndice B Factor de rizo y clculos de voltaje

'.'

APENDICE

Grficas y Tablas

TABLA C.I
Nombre
alpha beta gamma delta epsilon zeta eta theta iota kappa lambda mu nu xi omicron pi rho sigma tau upsilon phi chi psi omega

Alfabeto griego y designaciones comunes

Mayscula
A B

Minscula a.

Utilizada para designar

Angulos, rea, coeficientes Angulos, densidad de flujo, coeficientes Conductividad, gravedad especfica Variacin, densidad Base de logaritmos naturales Impedancia, coeficiente, coordenadas Coeficiente de histrisis, eficiencia Temperatura, ngulo de fase Constante di elctrica, susceptibilidad Longitud de onda Micro, factor de amplificacin, permeabilidad Reluctancia

r
I:l E

~
'Y b
E

,"

Z
H

~
'll

e
1

9
t 1C

K A M N

A.
Il

~
O

S
o
1t

n
P

l:
T Y <l> X

p o
't

Razn de la circunferencia al dimetro Resistividad Signo de suma Constante de tiempo, desplazamiento en tiempo de la fase Flujo magntico, ngulos

$ X

'l' n

'1'
O)

Flujo dielctrico, diferencia de fase Mayscula: ohms; minscula: velocidad angular

l
899

TABLA C.2 Valores estndar de resistores adquiribles en el comercio

Ohms
(O) 0.10 0.11 0.12 0.13 0.15 0.16 0.18 0.20 0.22 0.24 0.27 0.30 0.33 0.36 0.39 0.43 0.47 0.51 0.56 0.62 0.68 0.75 0.82 0.91 1.0 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 1.8 2,0 2.2 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91 100 110 120 130 150 160 180 200 220 240 270 300 330 360 390 430 470 510 560 620 680 750 820 910 1000 1100 1200 1300 1500 1600 1800 2000 2200 2400 2700 3000 3300 3600 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91

Kilohms
(hD.)

Megohms
(MD.)

!~
4700 5100 5600 6200 6800 7500 8200 9100

100 110 120 130 150 160 180 200 220 240 270 300 330 360 390 430 470 510 560 620 680 750 820 910

1.0
l.J

10.0
U.O

1.2
J.3

1.5 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1

12.0 13.0 15.0 16.0 18.0 20.0 22.0

TABLA C.3 Valores tpicos de componentes de capacitor

pF 10 12 15 22 27 33 39 47 56 68 82 100 120 150 220 270 330 390 470 560 680 820 1000 1200 1500 2200 2700 3300 3900 4700 5600 6800 8200 100 15000 22000 33000 47000 68000 0.10 0.15 0.22 0.33 0.47 0.68 1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 .tF 10 18 22 33 47 100 180 220 330 470 1000 1800 2200 3300 4700

900

Apndice

Grficas

y Tablas

APENDICE

PSpice

SPICE es un popular programa de anlisis de circuitos elctricos que permite al usuario introducir una descripcin de cualquier circuito dado de una manera descriptiva simple, y luego solicitar puntos de cd, ea o grficas que se proporcionan por varios puntos nodales (nodos) en el circuito. Conociendo cmo utilizar este programa se pueden efectuar diseo de circuitos, anlisis e inclusive simulacin en una forma ms fcil y sencilla. El paquete de programacin (software) PSpice empleado para analizar problemas en las secciones de Anlisis por Computadora a lo largo de este libro es distribuido por la compaa MicroSim Corporation. Se puede proporcionar una versin de evaluacin para aquellos educadores y estudiantes que quieran comenzar a descubrir algunas de las muchas formas en que PSpice puede utilizarse a fin de analizar diversos circuitos de numerosas maneras distintas. A pesar de que los programas en este libro fueron ejecutados en mquinas compatibles con el estndar ffiM, PSpice tambin puede ejecutarse en sistemas VAX, SUN y MAC, as como en otros sistemas. Este apndice proporcionar una ayuda para el uso de PSpice en un sistema tipo ffiM. Para informacin ms detallada, existe una variedad de textos educativos adecuados, * manuales de compaas y textos comerciales disponibles en el mercado.

Requerimiento bsico del sistema

PSpice puede ejecutarse en un sistema tipo ffiM PC o AT configurado adecuadamente. Puede ejecutarse bajo DOS en un sistema con 640K de memoria principal, preferentemente utilizando un rnicroprocesador 80286 o uno ms rpido. La mayora de las impresoras pueden proporcionar lo mismo una salida grfica que una de texto suministrada por el programa PSpice. La salida se obtiene con mayor facilidad cuando el programa se ejecuta desde un disco fijo o rgido debido a la gran capacidad de almacenamiento que necesitan el programa y las libreras auxiliares. La ltima versin de PSpice incluye un editor de entradas integrado y el programa de anlisis SPICE, junto con la capacidad de hojear a travs del archivo de salida (que contiene los resultados de anlisis) y de ejecutar PROBE para visualizar las imgenes grficas de salida.

Operacin completa empleando PSpice

Para llevar a cabo un anlisis continuacin:
SPICE: A Guide 10 Circuir Simulation 1988, Computer-Aided Circuir Analysis 1989.

de PSpice

se deben proceder

como se describe

and Analysis Using PSpice, Prentice-Hall, Using SPlCE, W. Banzhaf, Prentice-Hall,

Englewood Cliffs, N.J., Englewood Cliffs, NJ.,

901

1. Identificar el circuito completo, marcando todos los puntos nodales o nodos, as como les componentes (por nombre y valor del componente). 2. Hacer uso de un editor de texto (como el suministrado por PSpice o cualquier otro que proporcione una salida tipo ASCII), para introducir un archivo de circuito (con extensin: .CIR) que describa el circuito dado. 3. Ejecute o "corra" el anlisis de PSpice para producir un archivo de salida (con extensin: .OUT) que liste los resultados obtenidos, o un archivo de prueba (PROBE.DA T) que puede visualizarse haciendo uso del programa incluido con PSpice.

Nombres de archivo
Los archivos utilizados con PSpice emplean extensiones estndar de tres letras . Archivo de entrada que describe el circuito Archivo de salida que conserva los resultados Archivo de datos de prueba para ejecutar .CIR .OUT PROBE.DAT (slo se tiene un archivo presente a la vez)

Obtencin de un listado impreso

Para obtener una copia permanente (impreso o hard copy) del archivo de salida .OUT, utilice la instruccin PRINT del DOS. Por ejemplo, para obtener una copia impresa del archivo HW5.0UT, teclee PRINT HW5.0UT Si la prueba ha sido utilizada, teclee PROBE y siga las instrucciones para obtener una imagen grfica y, si se desea, una copia impresa.

902

Apndice D PSpice

APENDICE

Soluciones a los problem.as escogidos de . num.ero lm.par

~ CAPITULO 1
3 . Conduccin en una sola direccin. S. (a) 150 kn (b) 12.5 kn (c) 800 kn (d)3~0 RSi: Rcu =50 x 109: 1 9. 18 J 21.56.35 mA 23. (b) 1 (e) Para V = O V, J = 1 Y ID=OmA 27.330 O 29. -10 V: 100 MO, -30 V: 3OOMO 31. RCD = 76 O
rd

(c) 0.194 pF/v : 0.033 pFN =::. 5.88: 1 Awnent la sensibilidadceceade VD = O Y 49. IF= 1 mA, IR =0.5 mA ts = 3 ns, t, = 6 ns 51. TI = 129.17 53. 20 V: Te =::. 0.06%/"C 5 V : Te =::. -0.025%/"C 5 5 0.2 mA: =::. 400 O 1 mA =::. 95 O, lOmA =::. 13 O. Relacin no lineal entre lz y la impedencia dinmica. 57. VF=2.3Y 59. (a) Ipico (mx) = 37 mA (b) Ipico (mx) = 56 mA

25. Pulso posit., pico = 155.56 V, Vcd=49.47V 27.(a)ID ...=20mA(b)/mx=36.71mA (c)ID=18.36mA ~ S~) ID = 36.71 mA > ID =20mA 29. Forma de onda rectificada completa, pico = 100 V; PIV = 100 Y 31. Forma de onda rectificada completa, pico = 56.67 V; Vcd=36.04 V 33. (a) Pulso posit. de 3.28 V (b) Pulso posit. de 14.3 V 35. (a) Recortado a 4.7 Y (b) Recorte positivo a 0.7 V, pico neg = -12 V 37. (a)OVa40Ybalanceo (b)-5Y a 35 V balanceo 39. (a) 28 ms (b) 56: 1 (e) -1.3 Ya -21.3 V balanceo 41. Red de la figura 2.161 con la batera invertida 43.(a)Rs=200, Vz=12Y (b) Pz... = 2.4 W 45. R, = 0.5 kn, IZM= 40 mA 47. Vo = 339.36 V

=3O

RCD ~ rd 33.ID = 1 mA,rd=520vs. 550(#32) ID = 15 mA, rd = 1.73 O vs. 20(#32) 35. 33.3 O vs. 24.4 0(#34) 37. Uso de la mejor aproximacin a la curva ms all de VD = 0.7 V rprom = 4 O 39. Disminuyen rpidamante con el aumento del voltaje de polarizacin inversa. 41. Escala log, T = 25"C:/R = 0.5 nA T = 1oo"C:/R = 60 nA S, a 95"C IR aument a 64 nA. 43. T = 25"C: Pmx = 500 mW, IFm = 714.29 mA T = 1oo"C:Pmx = 260 mW, IF = 371.43 mA .. 45. (a) VR = -25V: CT =::. 0.75 pF VR=-lOV: CT=::. 1.25 pF I1ClI1VR = 0.033 pFN (b) VR =-10 V: CT=::. 1.25 pF VR =-1 y: CT=::. 3 pF I1ClI1VR = 0.194 pFN

CAPITULO 2
1. (a) ID =::. 21.5 mA, VD
a a
=::.

0.92 V,

VR= 7.08 y (b) ID =::. 22.2 mA, VD = 0.7 V, VR

= 7.3 y

(c)ID=24.24mA, VD =OV, a a 3. R = 0.62 kn S. (a) I =0 mA (1))1=0.965 A 7. (a) Vo = 9.5 Y (b) Vo = 7 9. (a) Vo, = 11.3 Y, Vo, = 0.3 (b) Vo , = -9 V, Vo z = --6.6 V (b) Vo= 14.6 V, 1= 0.553 mA

VR=8V (c)1= 1A V V

CAPITULO 3
3. Con la polarizacin directa e inversa 9. le = 7.921 mA, lB = 79.21 ~A 11. VeB = 1 V : V BE = 800 m Y
VeB = 10 V : V BE = 770 m V VeB = 20 V : V BE = 750 mV Slo ligero 13. (a) le =::. 4.5 mA (b) le =::. 4.5 mA

11. (a) Vo= 9.7 Y, 1= 9.7 mA 13. Vo= 6.2 V, ID = 1.55 mA 15. Vo=9.3V 17.Vo""lOV 19. Vo=-0.7 21. Vo=4.7V V
Vd:

(e) Desdeable (d) le posit. mx = (c)IE 2 mA 17. Av = 50'

=::.

lE

15. (a) le = 3.992 mA (b) <X = 0.993

23. vi: V m = 6.98 Y,

0.7 V, neg. pico = -6.98 V id : pulso posit. de 2.85 mA

21. (a) I3cd = 117.65 (b) <Xcd = 0.992

903

(c) ICEO= 0.3 mA (d) ICBO = 2.4 !lA 23. (a) ~cd = 83.75 (b) ~cd = 170 (e) ~cd = 113.33 25. ~cd = 116, ucd = 0.991, IE=2.93 mA 31. le=le m VeB= 5 V VeB = VeB. le = 2 mA le= 4 mA, VeB= 7.5 V VeB= lOV,le=3mA 33. le= le . ' VeE= 3.125 V VeE = VeEml'e = 20.83 mA le= 100 mA, VeE= 6.25 V V CE= 20 V, le = 31.25 mA 35. hFE: le= 0.1 mA, hFE 43 le = 10 mA, hFE 98 hfe: le= 0.1 mA, hfe 72 le== 10 mA, hfe 160 37. le= 1 mA, hfe== 120 le = 10 mA, hfe == 160 39. (a) ~ca = 190 (b) ~cd = 201.7 (c) ~ca = 200 (d) ~cd = 230.77 (e) S

= = =

CAPITULO 4 1. (a) lB = 32.55 !lA (b) le = 2.93 mA (c) V ce ~.g.09V (d) Ve = 8.00 V (e) VB = 0.7 V (f) VE=OV 3. (a) le = 3.98 mA (b) Vee = 15.96 V (c) ~ = 199 (d) RB = 763 k:.Q 5. (b) RB = 812 k:.Q (e) le = 3.4 mA, VeE = 10.75 V (d) ~cd = 1~6 (e) u = Q 0.992 (f) le = 7 mA (h) P D = 36.55 mW (i) Ps =71.92 mW G) PR=3537 mW 7. (a) Re = 2.2 k:.Q(b) RE = 1.2 k:.Q@ RB=356kQ@VCE=52V(e)VB=3.lV 9. le = 5.13 mA 11. (a) le = 2.93 mA, VeE = 8.09 V (b) le = 4.39 mA, VeE = 4.15 V (e) %Me = 49.83%, %L\VeE = 48.70% (d) le = 2.92 mA, VeE = 8.61 V (e) le = 3.93 mA, VeE = 4.67 V (t) %Me = 34.59%, %L\VeE = 46.76% 13. (a) le = 1.28 mA (b) VE = 1.54 V (e) VB = 2.24 V (d) R = 39.4 k:.Q 15. le = 3.49 mA 17. (arle = 2.28 mA (b) VeE = 8.2 V (e) lB = 19.02 !lA (d) V E == 2.28 V (e) VB = 2.98 V Mtodo aproximado vlido 19. (a) Re = 2.4 k:.Q, RE = 0.8 k:.Q (b)VE=4V (c)VB=4.7V (d) R2 = 5.84 k:.Q (e) ~cd = 129.8 (t) 103.84 k:.Q ~ 58.4 (concuerda) 21. l. (a) le = 2.43 mA, VeE=7.55 V (b) le = 2.33 mA, VeE = 7.98 V;

(e) Mtodo aproximado: %Me = 0%, %L\VeE=O% Mtodo exacto: %Me = 2.19%, %L\VeE = 2.68% (d) %Me. = 2.19% vs. 49.83% para el problema 11, %L\V es = 2.68 vs. 49.70% para el problema 11. (e) Configuracin menos sensible de divisor de voltaje 11. %Me Y %L\VCESOn bastantes pequeos 23. (a) le = 2.01 mA (b) Ve = 17.54 V (e) VE = 3.02 V (d) VeE = 14.52 V 25. Ve para 5.98 V a 8.31 V 27. (a) lB = 13.04 !lA (b) le = 2.56 mA (e) ~ = 196.32 (d) VeE = 8 V 29. (a) lB = 13.95 !lA (b) le = 1.81 mA (e) VE = -4.42 V (d) VeE = 5.95 V 31. (a) lE = 3.32 mA (b) Ve = 4.02 V (e) VeE = 4.72 V 33. R B = 430 k:.Q, Re = 1.6 k:.Q, RE = 3900. 35. RE = 1.1 k:.Q, Re = 1.6 k:.Q, R = 51 k:.Q, R2 = 15 k:.Q 37. RB = 43 k:.Q, Re = 0.62 k:.Q 39. (a) Circuito abierto, transistor daado (b) Abierto en la terminal de colector, unin acortada de emisor base (e) Circuito abierto, transistor abierto 41. (a) RBJ..,IBJ..,leJ.., Ve t. (b)~, leJ.. (c)Inalterado (d) Ve IBJ..,leJ.. (e)~, leJ.., VR)' VR.J..,veEi 43. (a) R B abierto, lB = O !lA, le = lCEO O mA, Ve Vee 18 V (b) le i, V Rc..i, VR.i, V e~ (e) RcJ..,lBt, le t, V ET (d) Cae a voltaje relativamente bajo == 0.06V (e) Terminal de base abierta 45. Ve = -13.53 V, lB = 17.5 !lA 47. (a) S(leo) = 91 (b) S(V BE) = -1.92 x 10-4 S (e) S(~) = 32.56 x 10-6 A (d) Me = 1.66 mA 49. (a) S(leo) = 11.08 (b) S(V BE)=-1.27 x 10-3 S (c) S(~) = 2.41 X 10-6 A (d) Me = 0.411 mA 51. S(leo) - Divisor de voltaje menor que los otros tres S(V BE)- Divisor de voltaje ms sensible que los otros tres (que tienen niveles similares) S(~) - Divisor de voltaje menos sensible con polarizacin fija muy sensible. En general, el divisor menos sensible y la polarizacin fija ms sensible.

CAPITULO 5 3. (a) VDS == 1.4 V (b) rd = 233.330. (c) VDS == 1.6 V (d) rd = 533.330. (e) VDS == 1.4 V (f) rd = 933.330. (g) rd = 414.810. (h) rd = 933.20. (i) En general, s 11. (a) ID = 9 mA (b) ID = 1.653 mA (c)ID =OmA (d) ID = O mA 15. IDSS= 12 rnA 17 . VDS= 25 V, ID = 4.8 mA, ID = 10 mA, VDS=12 V ID= 7 mA, VDS = 17.14 V 19. S 21. ID = 4 rnA (equivalencia exacta) 29. IDSS= 11.11 rnA 31. VDs=25 V 35. VT=2V,k=5.31 x 10-4 ID=5.31 X 10-4(VGS-2V)2 37. VGS = 27.36 V

CAPITULO 6
1. (c)ID Q == 4.7 mA, VDSQ = 6.36 V
(d) ID = 4.69 mA, VDS = 6.37 V

&,

sr.

3. (~ID = 3.125 mA (b) VDS = 9 V (e) V GG = 1.5 V 5. VD = 18 V 7. IDQ == 2.6 mA, VGS = -1.95 V 9. (a) ID = 3.33 roA (b) V GS == -1.7 Q Q V (e) loss = 10.06 mA (d) VD = 11.34 V (e) VDS = 9.64 V l1.Vs=I.4V 13. (a) ID == 5.8 mA, V GS = -0.85 V, 1 Q ID i V GS ...(b) 2160. 1~. (a) l~ = 2.7 mA, V GS = -2 V (b)VDs=8.12V, Vs=2V 17. (a) IDQ = 2.9 mA, VGS =-1.2 V Q (b) VDS = 9.27 V, VD = 10.52 V 19. (a) ID == 8.25 mA (b) V GS = VDS '? Q Q =7.9V(C)VD= 12.1 V, Vs=4.21 V (d) VDS = 7.89 V 21. (a) VG == 3.3 V (b) VGSQ =-1.25 V, ID = 3.75 mA (c) lE = 3.75 mA (d) lB = Q 23.44 !lA (e) VD = 11.56 V (f) Ve = 15.88 V 23. Rs = 0.43 k:.Q, RD = 1.3 ko' 25. RD = 0.75 k:.Q, RG = 10 MO, 27 . D-S cortocircuitado; el valor real de IDSSo V p o su combinacin, mayores en magnitud que la especificada. 29. (a) IDQ = 3 mA, VGS = 1.55 V Q (b) VDS =-9.87 V (c) VD = -11.4 V

904

Apndice

E Soluciones a los problemas escogidos de nmero impar

31.

= 4.68 mA vs. 4.69 mA de #1, 6.38 V vs. 6.37 V de # 1 33. ID = 3.3 mAigual, Vos = -1.47 V vs. -1.5 V de # 12
ID
Q

V DS=
Q

CAPITULO 7 1. (a) O(b) Recorte (c) 80.4% 3. 1 kHz: x = 15.92 O 100 kHz : x = 0.1592 O S, mejor a 100 kHz 7. (a) Zo = 50 ill (b) IL = 5.747 mA 9. (a) t, = 8.tA (b) Z = 500 O (e) Vo = -720 mV (d) lo = 1.41 mA (e)A = 176.25 (OA = 176.47 11. (a) re = 15 O (b) Z = 15 O (e) le = 3.168 mA (d) Vo = 6.97 V (e)Av=145.21 (0/b=32J.LA 13. (a) re = 8.571 O (b) lb = 25 .tA (c)le = 3.5 mA (d)A = 132.84 (e) Av = -298.89 19. (a) Vo =-160 V (b) lb = 9.68 x lQ-4 V (e) lb = 1 X 10-3 V (d) 3.2% (e) Primera aproximacin vlida. 21. (a) Vo = -180 V (b) lb = 2.32 x lQ-4V (e) lb = 2.5 x lQ-4V (d) 7.2% (e) S, menos que 10% 23. (a) hfe = 100 (b) he = 120 25. (a) he = 1.5 ill (b) he = 6.5 ill 27 . hfe = 100, he = 2 ill 29. re = 150, j3 = 100, ro = 30.3 ill 31. (a) 75% (b) 70% 33. (a) hoe = 200 .tS(b) 5 kO, no es una buena aproximacin.
35. (a) hfe (b) hoe (e) Mximo: hoe = 30 (normalizado) Mnimo: hoe 0.1 (normalizado) A bajos niveles de le

(d) Los mismos resultados. 9 (a) re = 5.34 O (b) Z = 746.17 O, z, = 2.2 ill (e) Av = -411.99, A = 139.73 (d)Z = 746.17 O, z, = 2.11 ill Av = -394.57, A = 133.83 11. (a) re = 8.72 O, 13re = 959.2 O (b) Z = 142.25 ill, Z = 8.69 O (e) Av = 0.997, A = -52.53 (d) Z = 137.88 ill, = 8.69 O Av 0.997, A = -54.33 13. (a) lB = 4.61.tA, le = 0.922 mA (b) re = 28.05 O (e) Z = 7.03 ill, Z = 27.66 O (d)Av = 0.986, A = -3.47 15. Av = 163.2, A = 0.9868 = 1 17. Re = 1.6 ill, RF =33.59 ill, Vee = 5.28 V 19. (a) Z = 0.62 ill, z, = 1.66 ill (b) Av = -209.82, A = 72.27 (e) Z = 0.62 ill, Zo = 1.6 ill Av = -201.77, A = 69.5 21. (a) re = 8.31 O (b) hfe = 60, he = 498.6 O (e) Z = 497.47 O, Z; = 2.2 ill (d)Av = -264.74, A = 60 (e) Z = 497.47 O, Z = 2.09 ill (O Av = -250.90, A = 56.73 23. (a) Z = 9.38 O, = 2.7 ill (b) Av = 283.43, A = -1 (e) ex = 0.992, j3 = 124, re = 9.45 O, ro = 1 MO 25. (a) Z = 816.210, Z = 814.8 O (b) Av = -357.68

23. Av -9.7 25. Av =-33 27. g.", 6.1 mS

z,

29. Z = 9 Mil, = 198.8 O 31. Av = 7.4, Z =344 O, Zo = 3.3 ill 33. Z = 277.8 O, = 2.2 ill, Av = 5.7 35. Av =~.8 37. Z = 1.97 Mn, z, = 7.7 kil, Av =-10.1

z, z,

CAPITULO

10

1. (a) Av ... = -326.22, Z = 1.01 ill, Z = 3.3 ill, (e) Av = -191.65 (d)A = 41.18 (e) Iguales. 3. RL = 4.7 ill : Av = -191.65 RL = 2.2 ill : Av = -130.49 RL = 0.5 ill : Av = .0.42.42 As RL J" AvJ, 5. (a) Av ... = -557.36, Z = 616.52 O, Z = 4.3 ill (c)Av = -214.98, Av = -81.91 (d)A=49.04 (e)Av = -120.12, As RL i ,Av i (f)A: = -118.67, As RL J" vsv t

z,

(c)A

(d) z, = 72.94 ill, Z~ = 2.14 k!l 27. (a) No! (b) R2 desconectadoen la base.

= 132.70,A=

132.43

(g) No les afecta. 7. (b) Av = -160 vs. -162.4 (#6) 9. (a) Av ... = -3.61, Z = 81.17 ill, Z; = 3 ill (c)Av = -2.2, Av = -2.18 (d) Ninguno (e) Av -Ninguno, Av = -217, As R, i ,Av J, (muy leve apenas para los cambios moderados en R, ' puesto que Z suele ser tan grande) 11. (a) Z = 10.74 il, Zo = 4.7 ill,

Av ... =435.59 (c)Av = 236.83,Av = 22.97 (d) Iguales (e) Av = 138.88, A: = 2.92, Av muy

(d) Regin media. CAPITULO 9 CAPITULO 8

1. gmO = 6 mS 1. (a) Z = 497.47 O, Z = 2.2 ill (b) Av = -264.74, A = 60 (e) Z = 497.47 O, Z = 2.09 ill (dj A; = -250.94, A = 56.74 3. (a) lB = 23.85 .tA, le = 2.38 mA, re= 10.790 (b) Z = 1.08kl, = 4.3 ill (c) Av = - 398.52, A = 100 (d)Av = - 359.83, A = 90.38 5. Vee = 30.68 V 7. ea) re = 5.34 O (b) Z = 118.37 ill, Zo= 2.2 ill (c)Av = -1.81, A =97.39

sensible a aumentar' en R s debido al pequeo Z , R L J, , A vJ, , A v J, 13.(a)Av ... =0.737,Z=2Mil, z, =0.867 ill

z,

3 .IDSS = 8.75 mA 5. IDSS = 12.5 mA 7 . gmO = 2.4 mS 9. Z = 40 ill, Av = -180 11. (a) gmO = 4 mS, (b) gm = 2.8 mS, (c)gm = 2 mS 13. gm = 0.75 mS, rd = 100 ill
15.Av=-5.2

= RLi, Av == Avi (e) POCo efecto, puesto que Rsig (O Ningn efecto sobre Z ni sobre Z

(c)Av =Av=0.529 (d)A: Av = 0.622,

R/~

15. (a)Av =-97.67,Av

I

=-189

(b)Av = 18.46 Av =T 11.54 x

0(1)

17. (a) Z = 10 Mn, (b) z, = 2.9 ill 19. (a) Av = -10.7, (b) Av = -2.5
21.Av=-5.9

x 103, 103 (e) A = 97.67, A = 70 (d)A4 = 6.84 x 103 (e) Ningn efecto (1)Ningn efecto (g) En fase
I ,

Apndice E

Soluciones a los problemas

escogidos de nmero impar

90S

CAPITULO 1. (a) 3.912, difieren 3. (a) -13.01

11

(b)

fp

3, 1.699, -0.151 (b) 6.908, -0.347 (e) Los resultados en magnitud de 2.3 Iguales: 13.98 (b) Iguales: (e) Iguales: 0.699 5 GdBm = 43.98 dBm 7. GdB = 67.96 dB 9. (a) GdB = 69.83 dB (b) o, = 82.83 dB (c)R = 2 ill (d) Vo = 1385.64 V 11. (a) IAJ = 11 -/1 + (1950.43 Hz1!)2 (b) 100 Hz: IAJ = 0.051 1 kHz: lA J = 0.456 2 kHz: IAJ = 0.716 5 kHz: lA J = 0.932 10 kHz: IAJ = 0.982 (c) i, = 1950.43 Hz 13. (a) 10 kHz (b) 1 kHz (e) 5 kHz (d) 100kHz 15; (a) re = 28.48 n (b)Av =-72.91 (c) Z = 2.455 ill (d)Av, = -54.68 (e) h. = 103.4 Hz, fLe = 38.05 Hz, h. = 235.79 Hz
(f)

MHz

25. (a) fH

= 8.03 MHz, T = 883.3 MHz, = 584 MHz, fH = 2.93

23. Vo (rectificacin) = 105 mV

(b) fp = 5.01 MHz, ir = 400.8 MHz 27. (a) gmo = 3.33 mS, gm = 1.91 mS (b) Av ... = -4.39, Av , = -4.27 (e) fH = 1.84 MHz, fH = 3.68 MHz 29. j ~ = 1.09 MHz 31. (a) v = 12.73 x 10-3 [sen 21t(loo x 100)t + ~ sen 21t(3oo x 100)t + ~ sen 21t(5oo x 100)t + ; sen 21t(7oo x 103)t + ~sen 21t (900 x 103) t] (b) BW = 500 kHz (c) h. 3.53 kHz

CAPITULO

15

...

1. 3.

Vo=-175mV,rms Vo=412mV

7. Vo =-2.5 V 11. IL = 6 mA 13. lo ='0.5 mA 15. fOH = 1.45 kHz 17. fOL = 318.3 Hz, fOH = 397.9 Hz

CAPITULO CAPITULO 12

16

1. P = 10.4 W, Po = 640 mW 1. VG = O V, Vs = 1.4 V, VD = 9.86 V 3. V G = O V, Vs = 1.4 V, VD = 10.3 V 5 Z = 10 Mn, Z; = 2.1 ill 7. A VI = -75.8, A V2 = - 3 11. 9,

3. Po=2.1 W
5. R(efectiva) = 2.5 ill

7. a=44.7 9. %r =37%
13. (a) Mximo P = 49.7 W (b) Mximo Po = 39.06 W (e) Mximo %r = 78.5% 17. (a) r, = 27 W (b) Po = 8 W (e) %r =29.6% (d) P2Q = 19 W 19. %D2 = 14.3%, %D3 = 4.8%, %D4 = 2.4% 21 %D2 = 6.8%

Av= 23,642
9. VB = 2.55 V, VE = 1.85 V, Ve = 2.7 V, le = 0.84 mA 11. Z = 10 Mn, = 2.7 ill 13. Av = -214, Vo = -2.14 V 15. VEl = 8.06 V, IEl = 15.8 mA 17. VBI = 4.88 V, Ve2 = 5.58 V, le = 104.2 mA 19. (a) QI encendido, Q2 encendido, Q3 apagado, Q4 apagado (b) QI apagado, Q2 apagado, Q3 encendido, Q4 encendido (e) QI encendido, Q2 apagado, Q3 encendido, Q4 apagado 21.ID =6mA

z,

17. (a) re = 30.23 n (bj A, -{).983 (e) Z = 21.13 ill (d)Av~ 0.955 (e) h. = 71.92 Hz, Ii; = 193.16 Hz (f) t, = fLe; fl 210 Hz (pSpice) 19. (a) V GS = -2.45 V, ID = 2.1 mA Q Q (b) gmo = 2 mS, gm = 1.18 mS

i, = h.

23. 25.

PD=25W PD=3W

CAPITULO

17

(d)Z = 1 Ml (ej A =Av=-2 (f) = 1.59 Hz, he = 4.91 Hz, h. = 32.04 Hz (g) t, 32Hz 21. (a) V GS = -2.55 V, ID = 3.3 mA (b) gmo = 3j3 mS, gm = 1.~1 mS

(c)Av=-2

fG

23.1=3.67mA 25.1=2mA
27 le

9.Vo=13V
13. Periodo = 204.8 us 17. fo = 60 kHz 19. e = 133 pF 21. el = 300 pF

1 mA, Ve

= OV

29. Vo = 1.89 V

CAPITULO 1. 3. 5. 7.

14 CAPITULO 18

(c)Av.=-4.39
(d) Z = 51.94 ill (e) Av.= -4.27 (f) hG = 2.98 Hz, he = 2.46 Hz, h,=41 Hz (g)fl = h. = 41 Hz Z es considerablemente me.nor pero todava lo bastante mayor que R sig para producir un efecto mnimo sobre A vs; sin embargo, Z reducida puede hacer subir el nivel de ti: 23. (a) fH 293 kHz, fH = 3.22 MHz CMRR = 75.56 dB Vo =-18.75 V V=-40mv' Vo =-9.3 V 9. Yo abarca de 5.5 V a 10.5 V 11. Vo =-3.39 V 13. Vo = 0.5 V 15. V2 =-2 V, V3 =4.2 V

17.Vo=6AV 19. lta = 22 nA,

21. ACL = 80

liB =

18 nA

1. Af = -9.95 3. A f = -14.3, Rf = 31.5 ka, Rof = 2.4 ill 5. Sin retroalimentacin: Av = -303.2, Z = 1.18 ill, Z; = 4.7 ill Con retroalimentacin: Avf = -3.82, Z = 45.8 ka 7. i; =4.2 kHz 9. f o = 1.05 MHz 11. i; = 159.2 kHz

906

Apndice E Soluciones a los problemas escogidos de nmero impar

CAPITULO 19
1. Factor de rizo = 0.028 3. Voltaje de rizo = 24.2 V 5. Vr = 1.2 V 7. Vr=0.6Vrrns, Vcd=17V 9. Vr=O.12Vrrns 11.Vm=13.7V 13.%r=7.2% 15.%r= 8.3%, %r' = 3.1% 17 .V, = 0.325 V rrns 19.Vo = 7.6 V,lz = 3.66 mA 21.Vo = 24.6 V 25.lcd = 225 mA 27.Vo=9.9V

7. (a) CT = 41.85 pF (b) k

1p-12 9.

71

CAPITULO 20
3. 30: 1 o mejor, es tpico; corto periodo; diseo de eneapsulado 5. 124% de aumento, VR = 25 V

(a) C = 5.17 pF (b) Mediante una grfica, C = 5 pF 11. TI = 50'C 13. Q = 26.93, Q decae signifieativamenvamente con el aumento en la frecuencia 19. lT = 5 mA, V T = 60 mV lT=2.8mA, VT =900 mV 21. i, = 2228 Hz 23. (a) 3750 A -+ 7500 A (b) = 8400 A (e) BW = 4200 A 25. (a) Silicio (b) Anaranjado 27. (a) = 0.9 n/fe (b) = 380 ntfe (e) = 78 kn/fe regin de baja iluminacin 29.V=21V 31. Conforme fe aumenta, Ir Y Id disminuyendo exponeneialmente 33. (a) t= 5 mW (b) 2.27 lm 35. t=3.44mW

41. Niveles ms bajos 45. R = zo sn 47. R(termistor) = 90 n

CAPITULO 21 5. (a) S (b) No (e) No (d) S, no 11. (a) = 0.7 mW/cm2 (b) 82.35% 17. (a) RB 2 = 1.08 ill (b)RBB = 3.08 ill(c)VR =13V(d)Vp=13.7V 81 19. lB = 25 !lA, le = 1 mA 21. (a) Para temperaturas decrecientes, -O.53%/Co (b) S 23. le/IF = 0.44 Relativamente eficiente 25. (a)le~3mA(b)M :&=2.3:1 27. Zp = 87 ill, Zv = 181.8 ill, hasta cierto punto 29. (a) S, 8.18 V (b) R < 2 ill (c) R = 1.82 ill

..
Apndice E Soluciones a los problemas escogidos de nmero impar

907
j

Indice
A
Accin del transformador, Aislador, 3-4 Aleacin: diodos de, 573 transistores Al fa, 114 Amortiguamiento, Arnp-op, 600, 606 comparador, compensacin, 710 voltajes y corrientes de, 616 de entrada, 616-618 de entrada, 619 811 BJT de, 575 676 Anlisis de pequea seal. (Vase cada dispositivo por separado.) de sistemas, 434-467 por computadora, 44-47, 97-99, 134,194-197,243,289-293,329-331, 520, 557, 378-385,422,463-467,494-498,501-502,511-512,515, 629,657,704,733 por recta de carga, 52-59, 145-147, 152-159 Ancho de banda, 484 Angstrom, 812 Antilogaritrno, 477 571-572 Aparatos de la zona de refinacin, Archivo de entrada, 97 Arreglo, 42-44 Arseniuro de Galio, 578, 808, 817, 822 Arseniuro de Indio, 822 Atomos aceptores, 9 Atomos donadores, 8 Atomos tetravalentes, de entrada, 616-618 482-48 4-5

corriente de compensacin corriente de polarizacin especificaciones inversor, 630 no inversor, 631 sumador, 632, 657 voltaje de compensacin Amplificador acoplado a transformador, acoplado Re, 482, 483 con retroalimentacin,

del, 616, 619, 623-628

B
Banda de frecuencias, Bardeen, John, 108 BASIC, 45-46, 195-197, 384-385 Beta, 119-122,185-194 689 BiFET (FET Bipolar), 526, 556 BiMOS (MOS Bipolar), 526, 556 BJT,108-135 accin de amplificador, al fa, 114 anlisis de ea, 336-385 anlisis de seal pequea de los, 336-385 anlisis por computadora 494-498,511-512 BASIC, 195-197,384-385 beta, 119-122, 185-194 circuitos integrados de los, 582,583 configuracin configuracin de emisor-seguidor, de polarizacin 165-167,349-353,365-366,450-453 de emisor, 343-349, 364-365, 447-448 de, 134, 194-197, 329-331, 378-385, 463-467, 115-116 691, 705 483-484

741,755 743, 753 acoplado a transformador, cuasi complementario,

de corriente en serie, 745, 751 de voltaje en derivacin, contrafsico contrafsico diferencial, (PUSH-PULL) (PUSH-PULL) 548, 556 de voltaje en serie, 743, 751

de ac1opamiento directo, 482-483 inversor, 610 no inversor, 61 1 operacional. Amplificadores (Vase Amp-op.) de seal grande: 676 sumador, 612, 643 Clase A, 669, 771,674, Clase AB, 670 Clase B, 670, 683, 687 Clase C, 670, 702 Clase O, 670, 703

909

configuracin configuracin configuracin configuracin configuraciones construccin

de polarizacin de polarizacin

por divisor de voltaje de los, 152-159, por retroalimentacin de voltaje, 160-163

Ciclo de fase cerrada (PLL, phase-locked Circuiterfa de interfaz, 730 Circuito CMOS, 240-241, 541, 556,564-565 de fuentes de corriente, 543 integrado hbrido, 599 integrado monoltico, 578-583 simtrico complementario, tanque, 811 Circuitos de instrumentacin, amplificador 649 de instrumentacin, 651 689

loop), 726

340-343, 364,477 de retroalimentacin de retroalimentacin misclaneas de, 109 inversa, 185-194 cd en colector, 359-361 en colector, 355-358,448-450 163-169

de polarizacin,

corriente de fuga, 110-112, 117-118 corriente de saturacin de crecimiento de la unin, 575

de polarizacin fija, 141-147,366-339,362-364,371-373,435-436, 438-439, 442-443,445-447 de unin de aleacin, 575 difusin en, 575 diseo de, 169-175 efecto de R. y RL' 434-435 en base comn, 111-116, 167,310-313,320-322,353-355,367-368, 373-375,453-455 en colector comn, 123-124,313-317 en corte, 118, 125, 139-141 en emisor comn, 116-123,313-317,320-322 en saturacin, encapsulado, estabilizacin estabilizacin 124-125, 139-141, 143, 151-152, 159 132, 134 de emisor, 148-152 de los, 185-194

652

controlador de indicadores, mili voltmetro de CA, 650 milivoltmetro equivalentes: de diodos, 24-27 de transistores BIT, 301-331

de CD, 650, 658

del diodo de barrera Schottky, 800-801 del diodo tnel, 808-809 del diodo Zener, 36 integrados, 42-44, 571-599 anchuras de lnea, 578 aparatos de la zona de refinacin, 571-572 CAD, 584-585 capacitores, 581-582 578-580 ciclo de produccin, configuracin

ganancia de corriente en, 309-310 ganancia de voltaje en los, 307-309 hoja de especificaciones identificacin impedancia impedancia localizacin de los, 126-129 de los, 132-134 de terminales

compuerta NANO, 587-598 hbrida, 599 de pelcula delgada y pelcula gruesa, 598 desarrollos recientes, 577-578 .difusin prehmica, 594 diodos, 583 encapsulado . (control) por cinta (cassette), 577, 590 578-583 de, 597-598 direccionamiento

de entrada de los, 304-306 de salida de los, 306-307 124-126 hbrido, 317, 329 de fallas en los, 180-183,377-378

lmites de operacin, modelo equivalente modelo r; 310-317 modelos de, 301-331

estructura monoltica, fotoresist, 590-591

npn,I09,115-116,123,141-183 operacin del, 109-111 pnp, 109-11, 115-116, 123, 183-185 polarizacin, 115, 122-123, 138-197 378-384, 463~467, 494-498, 511-512 prueba de los, 130,132 PSpice, 134, 194-195,329-331, punto de operacin de, 139-141 redes conmutadoras redes de combinacin, regin activa, 139-141 smbolos de los, II1 trazador de curvas de, 130-131 variacin de parmetros Bratrain, Walter H., 108 Buja-pie, 812, 816 de los 327, 329 con, 175-180 277-279

generador de patrones, 590-591 implantacin inductores, mascarillas, metalizacin, de iones, 592 591 582 578-579, 583-587, 594 571-573 594-596 impresin por poroyeccin,

materiales semiconductores,

operacin de corte de obleas, 578-579 oxidacin de silicio, 589-590 pasivacin, 597 proceso de difusin, 592-594 proceso de evaporacin, prueba de, 579 rectificacin y pulido de, 588-589 595-596 resistores, 580-581 595-596 587-588 proceso qumico de grabado (al aguafuerte),

e
Capacitancia Capacitor: en circuito integrado, 581-582 Caractersticas de transferencia, 815-817 215-219 Celda fotoconductiva, _Celdas solares. 821-825 de transicin, 31-32, 507-508

sistema de dispersin, susceptor, 588-589 tasa de rendimiento, transistores, multiplicadores 582-583

sistema de haz de electrones, 586-587, 595 571-577 572-573

tcnica de Czochralski,

de voltaje, 94-96

CI digitales lineales, 709

Indice

CI (Vase circuitos integrados.) Clase A: 699 acoplado a transformador, alimentado en serie, 671 eficiencia mxima de, 674 Clase AB,670 B,670,683,687 C,670,702 D, 670, 703 Coeficiente de temperatura, de temperatura de temperatura, Compuertas 805-806 negativo, 5 37-38 6 de resistencia negativo, 825 676

Criterio de Nyquist, 755 Curva de polarizacin universal de JFET, 286-289

D
Dcada, 488 Decaimiento, 519-520 FSK, 730 Decibeles, 479-482 Decodificadores definicin de gmo' 395 DeForest, Lee, 108 Demodulacin DIAC, 846-848 Diferenciador, Difusin: 19, 139, 141 capacitancia diodos, 573 proceso de, 592-594 transistores BJT, 575 Diodo de barrera superficial, 798-802 de portadores de alta energa, 798-802 ideal, 1-3,800-801 Schottky, 798-802,824 Shockley, 846, 849 varactor, 802-806 varicap, 802-806 Diodos, 1-47 anlisis de recta de carga, 52-59 anlisis por computadora, aplicaciones de los, 51-99 arreglo de, 42-44 arseniuro de galio, 808 capacitancia capacitancia de difusin, 31-32 de transicin de, 31-32 ideal, 56-58 24-27, 800-801, 808-809 44-47,.97-99 de, 31-32, 507-508 615 594 Difusin prehmica, en frecuencia, 727 847-848 Detector de proximidad,

positivo de temperatura, Compuertas OR, 67-69, 845 Condicin Quiescente Conductor, 3-4 Conexin cascode, 531 Conexin Darlington, Configuracin con retroalimentacin 373-375, 454-455

AND, 67-69, 845, 860 (del punto de operacin),

532, 562-564 de voltaje, 160-163

de base comn, 11-116, 167,310-313,320-322,353-355,367-368, de colector comn, 123-124,313-317 de compuerta comn, 414 de drenaje comn, 411 de emisor comn, 116-123,313-317,320-322 de polarizacin de polarizacin de polarizacin de polarizacin en emisor, 343-349, 364-365, 447448 establecida en emisor, 148-152 fija, 141-147,336-339,362-364,371-373,435-436: por divisor de voltaje, 152-159,340-343,364,447 cd en colector, 359-361 en colector, 355-358,448-450 526

438-439,442-443,445-447 de retroalimentacin de retroalimentacin emisor-seguidor, Configuraciones Conmutacin

165-167,349-353,365-366,450-453

multietapas,

circuito equivalente

forzada, 833 838-839 717 717 716

circuitos equivalentes,

Constante de Planck, 812 Control de calentador, Conversin analgica-digital, Convertidor Convertidores Corriente de fuga, 110-112, 117-118 de obscuridad, 813 de retencin, 834 de saturacin inversa, 12, 14, 16-17,185-194,800 especular, 545 Corte, 139-141 Coulomb,7 Crecimiento de la unin: BJT, 575 en diodos, 573 en transistores Cristal,4 de cuarzo, 767, 769 lquido nemtico, 819 simple, 4, 571 RS232- TIL, 732 digitaleslanalgicos,

circuitos integrados, 583 compuertas AND/OR, 67-69 configuraciones configuracin configuraciones construccin en paralelo, 64-67 en serie, 59-64 en serie-paralelo, 64-67 de, 10-17,573-574

Conversin por doble pendiente,

corriente de saturacin inversa, 12, 14, 16-17, 800 crecimiento de la unin, 573 crecimiento epitaxial, 574 de a1eacin,573 de barrera de superficie, 798-802 de barrera Schottky, 798-802 de potencia, 806-807 de silicio, 4-10, 15-17 difusin, 573 disipacin de potencia, 27-28 disipacin mxima, 800 disipadores de calor, 806-807 dopado (impurificacin), 4-10, 808 efectos de la temperatura en los, 16-17 emisores de luz (LED), 38-42, 819, 821, 860-861

Indice

911

enlace covalente, 4-5 fotodiodos, 812-815 de, 27-31, 800-802, 804-805, 808 7-9 5 germanio, 4, 15-17, 808 hoja de especificaciones ideal, 1-3,800-801 materiales extrnsecos, materiales intrnsecos, materiales tipo p, 9-13 modelo equivalente multiplicadores, polarizacin polarizacin portadores portadores aproximado de los, 55-56, 58 94-96 12

rectificador

controlado de silico (SCR), 830-840 (PUT), 863-867

SRC activado por luz (LASCR), 843-845 transistor de unin programable TRIAC, 848-849 Distorsin armnica total, 695 Distorsin armnica, 518-519, 694 Distorsin de amplificador, Distorsin, 694 DMM (Multfmetro Digital), 33-34,131-132 Doblador de voltaje, 94-96 Dopado (impurificacin), 4-10, '108 694

materiales tipo n, 7-8, 10-13

directa, 12-14 inversa,

portadores de alta energa, 798-802 mayoritarios, minoritarios, 10 10 de los, 33-55

E
Ecuacin de Shockley, 215-219 Efecto de capacitancia entrada, 502-504 salida, 504-505 de velocidad de conmutacin, Efectos de la temperatura, Eficacia luminosa, 39-41 Eficiencia de amplificador, Electroluminiscencia, Electrn, 4 Electrn-volt,7 Electrones de valencia, 4-7 Emisores IR (infrarrojos), Enlance convalente, 4-5 817-818 39 670 Eficiencia de conversin, 301-302 842 multietapa, 516-517 Efectos de frecuencia de amplificadores 16-17 Miller:

prueba con el multmetro PSpice, 44-47, 97-99 recortadores, rectificacin rectificacin 76-82

de media onda, 69-72 de onda completa 72-75 10-13

regin de agotamiento,

regin Zener para, 14-15 resistencia de ca de los, 19-24 resistencia de cd, 18-19,23-24 resistencia de, 17-24 resistencia promedio de, 22-25 Shockley, 846.849 smbolos de los 32-33 sin polarizacin, sujetadores, transformador tnel,807-812 unin p-n, 807-809 varactor, 802-806 varicap, 802-806 voltaje de umbral, 16 VPI (Voltaje Pico Inverso), 27, 72, 74-75 VPI, 27, 72, 74-75 Zener, 35-38, 87-94, 830, 843 aplicaciones, caractersticas. coeficiente sfmbolo,38 Direccionamiento (control) por cinta (cassette), 577, 590 Disei'io, 169-175,280-282 Disipacin de potencia, 27-28 Disipador de calor, 698, 806-807 Dispersin dinmica, Dispositivos controlados controlados por corriente, 207 por voltaje, 207 epitaxial, 574 819, 820 87-94 35-36 36 37-38 36-37 10-12 en sentido inverso, 32, 800 central, 74-75 83-87 con derivacin

tiempo de recuperacin

Entrada diferencial, 603 Entrada doble (diferencial), Entradas comunes, 603 Entradas con igual polaridad, 603 Entrada de polaridad opuesta, 603 Esaki, Leo, 807 Escala log-log, 478 Escala serni-log, 478-479 Estabilizacin, 185-194 60 l Entrada para una sola terminal, 600

circuito equivalente,

F
Factor de rizo, 755 FET. (Vase transistores JFET o MOSFET.) FET de metal xido-semi conductor, 224-240 Filtro capacitivo, 94-96 Filtro, 93 capacitor como, 94-96, 776 RC,779 Filtros activos, 653 Pasa-altas, 655,660 Pasa-bajas, 654, 659 Pasabanda, 656, 662 Fleming, J.A., 108 Flujo convencional, 9 9

de temperatura,

hoja de especificaciones,

i
I

de crecimiento pnpn:

DlAC, 846-848 diodo Shockley, 846 interruptor controlado interruptor, controlado de silicio (SCS), 840-842 por compuerta (GTO), 842-843

de electrones, de huecos, 9

912

Indice

luminoso, 812-814 radiante, 817 -818 Fotodiodos, 812-815 Fotones, 812, 816, 817, 821, 823 Fotoresist, 590-591 Fototransistores, Frecuencias de corte, 483-484 de esquina, 483-484 de media potencia, 483-484 de rompimiento, Fuente de corriente constante, de corriente constante, de energa, 773 Fuente-seguidor, Fuentes controladas, 647 fuente de corriente controlada por corriente, 648 fuente de corriente controlada por voltaje, 648 fuente de voltaje controlada fuente de voltaje controlada de poder conmutadas, 800 por corriente, 648 por voltaje, 647 41 1 con transistor bipolar, 544 555 483-484 859-860

de MOSFET tipo incremental, de optoaisladores, de transistores, 861-863 de transistores BJT, 126-129 130-132

236-238

1
Impedancia de entrada en drenaje comn, 412 Impedancia de salida en drenaje comn, 412 Implantacin de iones, 592 591 Impresin por proyeccin, Inductor: en circuito integrado, 582 Infrarrojo, 814 Instrumentos Integrador,613 Intensidad luminosa axial, 39-41 Interrupcin de corriente de nodo, 833 Interruptor controlado de silicio (SCS), 840-842 controlado por compuerta, Inversor, 175-180 842-843 esttico en serie de media onda, 836-837 de medicin, 872

Indicadores visuales de cristal lquido, 819-821

de corriente constante Zener, 545

G L
Ganancia de ancho de banda, 508-509, 517, 527, 620 de magnitud constante, 609 de voltaje en drenaje comn, 412 de voltaje en entrada doble (diferencial), de voltaje para una sola terminal, 551 unitaria, 609 Generador de formas de onda, 887 de onda de diente de sierra, 843 de ondas cuadradas, 93-94 de patrones, 586 de seales, 887 Germanio,4, Giacoletto, 15-17,571-572,808,812-813,825 modelo de, 507-508 553 LASCR (SCR activado por luz), 843-845 LCO (Indicador visual de cristallfquido) LCO nemtico de rotacin, 820 LCOs (indicadores Lenguaje, 44 Lnea de dispositivos Localizacin MOSFET, 427-428 377-378,422 de fallas, 180-83,282-283, visuales de cristal lquido), 819-821 de efecto de campo, 820-821

Logaritmo comn, 476-482 Logaritrnos, 475-482 Logaritmos naturales, 476-477 Longitud de onda, 812, 823 Lumens, 812

gm grfica, 395 gm vs. ID, 398

Grfica de Bode, 485-489, 497-498, 501, 505-511, 516-517 Grfica de fase, 484-485, 489-490 GTO (Gate Turn-Off) interruptor controlado por compuerta, 842-843

M
Margen de fase, 756 Margen de ganancia, 756 Mascarillas, 578-579, 583-587, 594 Material tipo n, 7-8, 10-13 Materiales

H
Hojas de especificaciones: de diodo tnel, 808 de diodo varactor, 804-805 de diodo Zener, 36-37 de diodos de barrera Schottky, 800-802 de diodo. emisores de luz, 40 de diodos, 27-31 deJFET,219-222 de MOSFET tipo decremental, 228-230

extrnsecos,

7-9

intrnsecos, 5 semi conductores: tomos aceptores, 9 tomos donadores, coeficiente 8 5 7-9 7-9 5 negativo de temperatura, 4-5

dopado (impuiificacin), enlace convalente, materiales extrnsecos, materiales intrnsecos, niveles de energa, 6-8 Indice

913

portadores portadores tipop, 9-13 Metalizacin, Modelo de Bohr, 4-5

mayoritarios, minoritarios,

10 10

de cristal, 766 de cuarzo, 769 de puente de Wien, 762 de relajacin, 856, 866-867 de resistencia negativa, 810-811 Hartley, 765 operacin, 757 sintonizados, Osciloscopio 763 (Vase ORC.)

tipo n, 7-8,10-13 594-596

de transistor con parrnetro h, 362-375 equivalente con parrnetro h, 317-29, 362-75 equi valente hbrido, 317 -329 grfico del diodo, 24-27 pi hbrido, 507-508
re' 310-317, 336-361

de Rayos Catdicos.

Oxidacin del sicilio, 589-590

p
Paquete de programacin 224-230 415-418 Par de retroalimentacin, Pasivacin, 597 Polarizacin de la luz, 820 10, 799 10, 799, 812-813, 822 595-596 590-591 Portadores mayoritarios, Portadores minoritarios, (software), 537 44

Monounin, MOSFET

770

tipo decrernental, tipo incrernental, Multiplicador

de ganancia constante, 639

N
Neutrn, 4 Niveles de energa, 6-8 Nombre del modelo, 46 Ncleo, 4

Proceso de evaporacin, Proceso fotolitogrfico, Programa, 45 Protn, 4

Prueba de onda cuadrada, 518-520 Prueba: de circuitos integrados, 579, 597 de diodos, 33-35

o
Oblea, 4 Octava, 488 Ohmetro, 34, 132 Operacin estable, 720 del comparador, 709, 735 602 en modo comn, 554, 602 en modo diferencial, monoestable, Optoaisladores, Optoelectrnica, ORC: barrido retardado en el, 886 construccin del, 872 disparo del, 879 medicin de la amplitud en el, 882 medicin de la anchura del pulso en, 884 medicin del tiempo en el, 883 medicin en, 881 multitrazo en, 881 operacin del, 873 sincronizacin del, 877 negativa, 810-811 voltaje de barrido en el, 874 Oscilador de resistencia Oscilador: Colpitts, 764 controlado CI,761 FET,760 transistor, 761 Red por voltaje (OCV), 723 de fase, 759 de corrimiento 722 861-863 812-814

de transistores, PRV, 15,27,72,74-75 PSpice:

130-132

B1Ts, 134, 194-195,378-384,463-465,494-498,511-512,560-564 CMOS, 564-565 diodos, 44-47, 97-99 transistores lFET, 243, 422-427, 466-467, 501-502, 515, 558-560 Punto de operacin, 139-141 programable.) PUT. (Vase transistor de monounin

R
Razn de cambio (Slew Rate), SR, 621 Rechazo en modo comn, 602, 604 Recortadores, Rectificacin de media onda, 69-72 de onda completa, 72-75, 839 Rectificador, 29, 69-75, 806 836-840 833-835 forzada, 833 del, 835-836 de terminales del, 835-836 controlado de silico (SCR), 830-840, 852-856 aplicaciones, caractersticas, conmutacin construccin identificacin interrupcin 76-82

corriente de retencin, 834 de corriente en nodo, 833

operacin del, 830-833 smbolo del, 831 valores nominales, 833-835 de onda completa con derivacin central, 839-840

914

Indice

cristalina, 4 de puente, 72-74, 839 en escalera, 716, 718, 737 sintonizada, 806 806 175-180 ternporizadora, Regin activa, 139-141 de agotamiento, Zener, 14-15 Regulacin, CI,789 del voltaje, 774, 782 ajustable, 793 CI,789 especificaciones para, 791, 792 786, 788 de voltaje en derivacin, de voltaje en serie, 782 en serie, 783 limitacin de corriente, 785 Zener, 87-94 Regulador de voltaje, 816 Regulador: cargador de bateras, 838 de carga, 838 de voltaje, 816 Relacin de rechazo en modo comn, 604-605 Relevador electrnico Resistencia, 17-24 De, 18-19,23-24 de ea promedio, 22-25 de ea, 19-24 de contacto, 22 del cristal, 22 dinmica, 19-24 esttica, 18-19,23-24 negativa, 808-812 Resistividad, Resistor: en circuito integrado, 580-581 Respuesta en frecuencia: amplificador amplificador amplificador acoplado a transformador, de acoplamiento de acoplamiento 483-484 482-483 directo, 482-483 3-4, 577 de cerrojo, 845 87-94, 782 arnp-op, 784 10-13,802,807

variacin beta, 507-509 Rubilita, 584

s
Salida doble (diferencial), Saturacin, 601 139-141, 143, 151-152, 159 controlado de silicio.)

Redes de conmutacin,

SCR activado por luz, 843-845 SCR. (Vase rectificador SCS (Interruptor Seguidor de voltaje, 646 Seguidor unitario, 611, 633 Selenio, 812-813, 822-823 Seleniuro de cadmio, 815 Semi conductores, 3-10 Serie de Fourier, 518-519 Silicio, 4-10, 15-17,572-573,578,812-813,822-823,825 Smbolos. (Vase cada dispositivo por separado.) Sntesis de frecuencias, 729 Sistema de alarma, 841, 842 de control de fase, 837-838 de dispersin, 595, 596 de dos puertos, 318-323, 434-455 de haz de electrones, 586-587, 595 839-840 de luces de emergencia, Substraccin Sujetadores, Sulfurode de voltaje, 644 83-87 cadmio, 815-817, 822 controlado de silicio), 840-842

Sistemas en cascada, 462-463, 526, 528, 558-562

Susceptor, 588-589

T
Tasa de rendimiento, Temporizador Termistores, 571, 577

Tcnica de Czochralski,572-573 CI, 720 518 inversa, 32, 800 825-827 Trmino fundamental, Tiempo de recuperacin Transformador Transistor Darlington, 533 de monounin programable, de potencia, 698, 700 monounin, Transistores bipolares de unin, (vase BJT's) BJT de tipo epitaxial, 575-576 planares, 576 de efecto de campo. (Vase transistores JFET o MOSFET.) en mesa o meseta BJT, 575-576 Transistores MOSFET, 224-240 CMOS, 240-242 JFET, 455-458 anlisis por computadora, autopolarizacin, 253-259 243, 289-293, 501-502, 515 515, 517 849-859 847-848, 863-867

Tierra o masa virtual, 609 con derivacin central, 74-75

RC, 482, 483

ancho de banda, 484 banda de frecuencias, dcada, 488 decibeles, 479-482 efecto Miller, 502-505 efectos multietapas, frecuencias de media potencia, 483-484 grfica de fase, 484-485, 489-490 grficas de Bode, 485-489, 497-498, 501, 505-511, 516-517 modelo de Giacoletto, octava, 488 producto de la ganancia por el ancho de banda, 508-509, 517 prueba de onda cuadrada, 518-520 transistores BJT, 482-499, 502-512, 516-517 transistores JFET, 499-502, 512-517 507-508 modelo pi hbrido, 507-508

Indice

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BASIC, 290-293 caracterstica caractersticas caractersticas de transferencia del, 208-213 generales, 207-208 de CA, 398 221 del JFET, 286-289 de, 215-219

sistemas en cascada, 462-463 terminologa de los, 208-209 trazador de curvas de, 222-223 valores nominales mximos de, 220-221 voltaje de estrechamiento, NPN,141-183 PNP, 183-185 polarizacin polarizacin de, tipo decremental, de, tipo incrernental, 230-239 265-269 269-276 210-212

circuito equivalente construccin construccin

compuerta comn, 458 de encapsulados, de, 208-209

curva universal de polarizacin de canal n, 208-212 de canal p, 212-214 diseo de amplificador, diseo, 280-282 ecuacin de Shockley, 215-219 fuente-seguidor, 457-458 418-421

tipodecremental,224-230 tipo incremental, VMOS, 239-240 Trazador de curvas, 34-35,130-131,222-223 TRIAC, 848-849 Tubos de vacfo, 108 de los, 219-222

ganancia de voltaje en CA, 401, 404, 406, 408 hojas de especificaciones identificacin localizacin de terminales de los, 221 de fallas en, 282-283

u
UJT (transistor monounin), Unipolar, 207 849-859 Unin p-n, 807-809, 812, 817, 821-822

lnea .MODEL (PSpice) 423-424 modelo de seal pequea, 395 operacin de los, 208-213 polarizacin polarizacin polarizacin, polarizacin, fija, 249-253 por divisor de voltaje, 259-265 canal n, 248-283, 286-293 canal p, 283-286 Velocidad de la luz, 812 VMOS, 239-240 455-456 Voltaje de umbral, 16 Voltaje fotovoltaico, 822 VPI (Voltaje Pico Inverso), 15,27,72,74-75,800 de, 277-279 456-457

PSpice, 243, 289-290, 466-467, 501-502, 515 redes con combinacin resistencia resistencia de fuente en derivacin, fuente sin derivacin, smbolos de los, 214

916

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