1

1
Tecnologa de Computadores
EL DISPOSITIVO MOS.
LOGICA INTEGRADA MOS (Parte 1)
2
Dispositivos MOSFET
(MOS :Metal-Oxido Semiconductor)
(FET: Field Effect Transistor)
Transistor de efecto de campo
2
3
Transistor de efecto de campo
Principio bsico de operacin:
Un campo elctrico externo controla el flujo de
corriente a travs de un canal de conduccin
establecido entre otros dos terminales.
Mecanismo de conduccin es atribuible a un
solo tipo de portador de carga (electrones o
huecos). (Conduccin unipolar)
Transistores Unipolares
5
Transistor de efecto de campo
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor
Enhanced Mode MOSFET Acumulacin
Modo de, enriquecimiento
Campo elctrico crea un canal de conduccin
Depletion Mode MOSFET Deplexion
Modo de agotamiento,
El canal de conduccin se fabrica con material semiconductor
3
6
Transistor de efecto de campo
Se utiliza mayormente en circuitos
integrados.
Puede emplearse tanto en circuitos
analgicos como digitales.
Mayor uso en circuitos digitales.
Un transistor MOSFET ocupa mucho menos
rea que un BJT.
Permite mayor cantidad de transistores en el mismo
espacio.
7
Transistor de efecto de campo
Atractivo:
Menos pasos en el proceso de fabricacin que
para sus contrapartes bipolares.
Es posible construir circuitos lgicos con
dispositivos MOSFET que no utilicen
resistencias.
Menor consumo de energa elctrica.
Menor disipacin de calor.
4
8
MOSFET
de Acumulacin o Enriquecimiento
(Enhanced)
9
Enhanced nMOS
Construccin tpica de un MOSFET de acumulacin
(Enhanced MOSFET)
p
n
+
n
+
p
n
+
n
+
p
n
+
n
+
sustrato
Fuente
(source)
Sumidero
(drain)
Compuerta
(gate)
SiO
2
Aluminio
Terminal
Sustrato
(body)
Canal
(Channel)
5
10
Elementos importantes
Desde el punto de vista del
componente electrnico
existen cuatro zonas o partes
del dispositivo:
Fuente (Source)
Compuerta (Gate)
Sumidero (Drain)
Canal (Channel)
11
Vista lateral
El terminal SS (Sustrato)
tiene el propsito de
aplicar un voltaje lo
suficientemente negativo
para evitar que la unin
pn entre en conduccin.
Normalmente se conecta
internamente al S
(Source).
p
n
+
n
+
Zona de
canal
inducido
Largo del
canal
L
S
G
SS
D
6
12
Largo del canal
El largo del canal es un parmetro
importante en la tecnologa de circuitos
integrados.
Mientras ms corto se pueda
fabricar, mayor es la densidad
de componentes.
Tecnologa de 0.5 micrones
significa que el largo de canal
es 0.5 um.
La capa de SiO
2
que forma la
compuerta es bien delgada, asegura que
el campo elctrico sea lo ms intenso
posible.
p
n
+
n
+
L
S
G
D
SS
Zona de
canal
inducido
Largo del
canal
SiO
2
13
NMOS y PMOS
p
n
+
n
+
S
G
D
B
n
p
+
p
+
S
G
D
B
canal n
canal p
Portadores de
carga son
electrones libres
Portadores de
carga son huecos
NMOS
PMOS
7
14
Induccin del canal
15
Substrato (Sustrate)
G
S D
Material tipo p
Induccin de canal en MOSFET
Sin voltaje aplicado en la compuerta (G).
n
+
n
+
Zonas de
agotamiento de
carga
8
16
Material tipo p
Induccin de canal en MOSFET
Efecto de aplicar un voltaje en la compuerta (G).
Substrato (Sustrate)
G
S D
V
GS
n
+
- - - - - - - - - - - - - -
n
+
Campo elctrico repele a los
huecos y atrae a los
electrones libres (minoras)
en el material p
Canal de conduccin
formado con los electrones
libres atrados
V
th
: voltaje de umbral potencial
mnimo necesario para que pueda
existir un canal de conduccin
17
Material tipo p
Induccin de canal en nMOSFET
Efecto de aumentar el voltaje en la compuerta (G).
Substrato (Sustrate)
G
S D
V
GS
n
+
n
+
Canal de conduccin se
hace ms profundo
9
18
Material tipo p
Aplicacin de un voltaje al D
Substrato (Sustrate)
G
S D
V
GS
n
+
n
+
D
V
DS
I
D
es proporcional a |V
GS
- V
th
| y a V
DS
Caso de V
DS
relativamente pequeo.
Canal de conduccin
permite paso de corriente
de electrones.
19
Corriente i
D
En trminos sencillos, para voltajes pequeos la
relacin entre v
DS
e i
D
sigue la Ley de Ohm.
v
GS
determina cul es el rea seccional del canal.
WD
L
r
r i v
D DS
=
=
L
Canal
W
D
10
20
i
D
para v
DS
pequeo
V
t
es el voltaje de
umbral
(threshold
voltage).
|v
GS
V
t
| es el
voltaje efectivo
que afecta al
canal.
i
D
v
DS
v
GS
Curva de v
GS
= V
t
21
Aplicacin de un voltaje entre D y S
Caso de V
DS
mayor
Material tipo p
Substrato (Sustrate)
G
S D
V
GS
D
V
DS
n
+
n
+
Canal de conduccin se
hace ms angosto
La profundidad del canal depende de la diferencia en
potencial entre v
DS
y v
GS
la cual es mayor cerca de S que
cerca de D.
11
22
Material tipo p
Aplicacin de un voltaje entre D y S
Substrato (Sustrate)
G
S D
V
GS
D
V
DS
Caso de V
DS
an mayor
n
+
n
+
Canal de conduccin se
hace bien angosto
La conductividad del canal ahora solo depende de la
cantidad de electrones inyectados al canal, no de v
DS
.
23
Saturacin del canal
Al cerrarse el canal la
corriente deja de depender
de la magnitud del voltaje
v
DS.
De ah es que viene el
trmino de que la
corriente i
D
se satura.
Este modo de operacin se
conoce como regin de
saturacin.
0011 0010 1010 1101 0001 0100 1011
3-mar -03
(c) 2003 Jorge A. Cruz Emeric
31
0011 0010 1010 1101 0001 0100 1011
Material tipo p
Aplicacin de un voltaje al D
Substrato (Sustrate)
G
S D
V
GS
D
V
DS
Caso de V
DS
an mayor
Caso de V
DS
an mayor
n
+
n
+
Canal de conduccin se
hace bien angosto
Canal de conduccin se
hace bien angosto
La conductividad del canal ahorasolo depende ahora de la
cantidad de electrones inyectados al canal, no de v
DS
.
La conductividad del canal ahorasolo depende ahora de la
cantidad de electrones inyectados al canal, no de v
DS
.
No debe confundirse esta
regin de saturacin en
MOS con la regin de
saturacin de los BJT.
12
24
Material tipo p
Acortamiento del canal
Substrato (Sustrate)
G
S D
V
GS
D
V
DS
Caso de V
DS
an mayor
n
+
n
+
Canal de conduccin
aparenta ser ms corto
Aceleracin de electrones por v
DS
ms alto hace que el
largo aparente del canal dependa de v
DS
.
25
Curvas caractersticas
de nMOS - Acumulacin
13
26
Curva caracterstica de entrada
nMOS Acumulacin
v
GS
i
D
V
t
| |
2
t GS D
V v K i =
No existe canal = NO puede
conducir
V
th
=V
t
= voltaje de
umbral (threshold)
Existe canal = puede
conducir
L
W
k K
n
'
5 . 0 =
k
n
=parametro de
transconductancia
Factor de Ganancia
(Amperios/Voltios
2
)
27
Curva caracterstica de salida
nMOS modo Acumulacin
Regin de saturacin
v
DS
i
D
v
GS
Regin
hmica o
lineal
Regin de corte
v
GS
= V
T
|v
DS
| = |v
GS
-V
T
|
|v
DS
|<| v
GS
-V
T
|
|v
DS
| > |v
GS
-V
T
|
14
28
Ecuacin de la corriente i
D
(

=
2
) (
2
DS
DS t GS D
v
v V v K i
Regin Lineal
| |
2
2
t GS D
V v
K
i =
Regin de saturacin
K ajusta las propiedades del dispositivo
(acta como factor de escala).
0011 0010 1010 1101 0001 0100 1011
3-mar-03
(c) 2003 Jorge A. Cruz Emeric
35
0011 0010 1010 1101 0001 0100 1011
v
DS
>v
GS
- V
T
Regin de saturacin
Curva caracterstica de salida
v
DS
i
D
v
GS
= V
T
v
GS
= V
T
v
GS
Regin de
triodo
v
DS
= v
GS
-V
T
v
DS
= v
GS
-V
T
) (
DS D
v f i =
29
Smbolos esquemticos
Modo de Acumulacin NMOS
Modo de Acumulacin NMOS
cuando B se conecta
internamente a S.
G
D
S
B
D
S
G
D
S
B
Modo de Acumulacin PMOS
G
D
S
Modo de Acumulacin PMOS
cuando B se conecta
internamente a S.
G
D
S
G
G
D
S
15
48
Curvas pMOS
Acumulacin Deflexin
49
Curvas nMOS
16
50
Curvas pMOS
( Vt=-5v)
( Vt=-5v)
51
Para pMOS son las mismas curvas que nMOS
con los siguientes cambios:
V
GS
V
SG
(-V
GS
)
I
D
(D-->S) I
D
(S-->D)
V
DS
V
SD
(-V
SD
)
PMOS es el opuesto a NMOS (Voltajes y Corrientes)
Resumen Curvas caractersticas
17
54
T GS DS
T GS
V V V
V V
<
>
| |
2
2
0
T GS D
G
V V
K
I
I
=
=
0
0
=
=
D
G
I
I
T GS
V V s
(

=
=
2
) (
0
2
DS
DS T GS D
G
V
v V V K I
I
T GS DS
T GS
V V V
V V
>
>
Corte
Lineal
Saturacin
gin Re
Corrientes Voltajes
Modos de funcionamiento en el nMOS
55
T GS DS
T GS
V V V
V V
<
<
| |
2
2
0
T GS D
G
V V
K
I
I
=
=
0
0
=
=
D
G
I
I
T GS
V V >
(

=
=
2
) (
0
2
DS
DS T GS D
G
V
V V V K I
I
Corte
Lineal
Saturacin
gin Re
Corrientes Voltajes
Modos de funcionamiento en el pMOS
T GS DS
T GS
V V V
V V
>
<
18
56
D +
S -
V
DS
> 0 G +
V
GS
< V
T
I
D
=0
I
G
=0
D +
S -
V
DS
<V
GS
-V
T
G
I
D
I
G
=0
+
-
V
GS
> V
T
D +
S -
V
DS
>V
GS
-V
T
G
I
D
I
G
=0
+
-
V
GS
> V
T
Corte
Lineal Saturacin
| |
2
2
0
T GS D
G
V V
K
I
I
=
=
0
0
=
=
D
G
I
I
(

=
=
2
) (
0
2
DS
DS T GS D
G
V
v V V K I
I
Ejemplos Modos de funcionamiento en
el nMOS
57
Modelos Equivalentes
19
58
Comparacin de los circuitos de polarizacin
para trabajar en zona resistiva o en zona de fuente
de corriente con MOSFET de ambos tipos de canal
+
-
V
DS
I
D
+
-
V
GS
R
V
2
G
D
S
V
1
Canal N
+
-
V
DS
-I
D
+
-
V
GS
R
V
2
G
D
S
V
1
Canal P
Hay que invertir los sentidos reales de tensiones y
corrientes para operar en los mismas zonas de trabajo.
63
Ejemplo II
20
64
Especificaciones
Disee el circuito a la
izquierda para obtener
I
D
=0.4 mA
Las propiedades del
transistor son:
V
t
=1 V
K=0.8 mA/V
2
10V
R
El diseo en este caso
significa encontrar el valor
apropiado para R que
establezca el punto de
operacin especificado.
65
En qu regin est operando?
Dado que V
DS
> V
GS
- V
t
, este
transistor tiene que operar en la regin
de saturacin.
La ecuacin que describe su
comportamiento es:
10V
R
Observe que por la
manera en que ha sido
conectado V
DS
= V
GS
.
G
D
S
| |
2
2
T GS D
V V
K
I =
I
D
=0.4 mA
V
t
=1 V
K=0.8 mA/V
2
21
66
Anlisis
Por LVK
10V
R
G
D
S
I
D
R I V
D DS
+ = 10
La ecuacin del transistor
Como V
DS
= V
GS
, obtenemos:
| |
2
2
T GS D
V V
K
I =
| |
2
1 1 =
GS
V
I
D
=0.4 mA
V
t
=1 V
K=0.8 mA/V
2
67
Anlisis
10V
R
I
D
| |
2
1 1 =
GS
V
Buscando raz cuadrada a ambos lados queda
1 1 =
GS
V
Note que la segunda solucin no es viable.
Por qu lo sabe?
Para que el transistor pueda estar en conduccin hace falta
que V
GS
> V
t
Note que V
GS
= 0 no cumple con esto.
V V
GS
2 =
0 =
GS
V
V V
GS
2 =
22
68
Anlisis
10V
R
I
D
R V
DS
4 . 0 10 + =
La solucin es
R I V
D DS
+ = 10
Dato: I
D
= 0.4 mA
Retomando a:
V V
GS
2 =
K R 20 =
V
DS
=V
GS
= 2 V
69
Comentarios sobre ejemplo
Cuando resuelve por V
GS
o V
DS
,
Est resolviendo una ecuacin cuadrtica.
Produce dos posibles soluciones
Una de ellas es extraa.
La otra no es extraa pero no necesariamente es
correcta.
23
70
Comentarios sobre ejemplo
i
D
v
GS
V
t
I
D
V
GS1
V
GS2
| |
2
t GS D
V v K I =
Parbola
Transistor
Solucin #1
Solucin #2
71
Ejemplo III
24
72
Especificaciones
Obtenga el valor de R
S
para establecer V
D
= 4 V
Datos para el transistor
V
t
=2 V
K =1mA/V
2
5V
10 K 1 M
R
S
4V
Note que no se especifica regin
de operacin as que deber
determinarla.
73
Anlisis
Suponiendo que est en la regin de
saturacin
5V
10 K 1 M
R
S
Note que I
G
= 0 siempre as que:
| |
2
2
t GS D
V V
K
I =
5V
5V
El hecho que V
G
= 5 V no es sinnimo
que V
GS
tambin lo sea.
V
G V
GS
V V
G
5 =
25
74
Anlisis
5V
10 K 1 M
R
S
5V
5V
La resistencia de 1 M no tiene
impacto en la determinacin de V
GS
.
Al no haber i
G
, no existe cada de
voltaje a travs de ella.
V
G V
GS
75
Anlisis
5V
10 K 1 M
R
S
4V
Necesitamos una ecuacin adicional o
calcular I
D
de manera independiente.
Observe que
| |
2
2
t GS D
V V
K
I =
5V
I
D
mA
K
V
I
D
1 . 0
10
) 4 5 (
=

=
| |
2
2 5 . 0 1 . 0 =
GS
V mA
V
t
=2 V
K =1mA/V
2
V V
V V
GS
GS
663 . 1
447 . 2
=
=
V V
G
5 =
Al resolver queda
26
76
Anlisis
5V
100 K 1 M
R
S
4V
Note que la segunda solucin es menor que
V
t
por lo que no es compatible con el
problema fsico.
5V
I
D
V
t
=2 V
[k
n
] =1mA/V
2
V V
GS
447 . 2 =
Ahora calcule V
S
GS S
V V V + = 5
447 . 2 5 + =
S
V
V V
S
553 . 2 =
V V
V V
GS
GS
663 . 1
447 . 2
=
=
77
Anlisis
5V
10 K 1 M
R
S
4V
Coteje si esta solucin es compatible con
la regin de saturacin.
Para ello necesita determinar cunto es
V
DS
.
I
D
V V
GS
447 . 2 =
Lo cual est bien.
S D DS
V V V =
V V
S
553 . 2 =
V V
DS
447 . 1 553 . 2 4 = =
V
DS
>V
GS
V
t 2 447 . 2 447 . 1 >
27
78
Anlisis
5V
10 K 1 M
R
S
4V
Ahora puede calcular R
s
.
I
D
V V
GS
447 . 2 =
K
mA
V
R
S
5 . 25
1 . 0
553 . 2
= =
V V
S
553 . 2 =
D
S
S
S
S
I
V
I
V
R = =
79
Circuitos de polarizacin
28
80
Circuito de polarizacin
Las configuraciones utilizadas para
polarizar transistores bipolares sirven
tambin para MOSFET.
Su diseo es ms simple ya que I
G
= 0.
Sin embargo, debe velar por la relacin
entre V
DS
y V
GS
- V
t
81
Configuraciones discretas
Clsico
Dos fuentes
Retroalimentado
R
D
R
S
V
DD
R
1
R
2
R
D
R
S
V
DD
R
G
-V
SS
R
D
V
DD
R
G
29
82
Ejemplo circuito clsico
1 2
2
R R
R
V V
DD G
+
=
DS S D D DD
V R R I V + + = ) (
S D G GS
R I V V =
Por divisor de voltaje a la izquierda.
V
G
Por LVK a la derecha:
R
D
R
S
V
DD
R
1
R
2
Por LVK en circuito de la compuerta:
83
Circuito clsico modificado
Observe que:
0 =
G
V
DS S D D SS DD
V R R I V V + + = + ) (
SS D D GS
V R I V + =
Por LVK:
R
D
R
S
V
DD
R
G
-V
SS
Note que ninguna de
las ecuaciones incluye
a R
G
.
30
84
Circuito con retroalimentacin
Del circuito es evidente que:
DS GS
V V =
t GS DS
V V V >
DS D D DD
V R I V + =
Por LVK:
En este caso siempre se cumple que :
Al igual que el caso previo, ninguna de las
ecuaciones contiene a R
G
.
R
D
V
DD
R
G
85
Recta de Carga y Punto de Operacin
31
86
Punto de operacin
v
DS
(V) 5 10 15 20 25
2
4
6
8
10
i
D
(mA)
V
GS
=1.2V
V
GS
=1.4V
V
GS
=1.6V
V
GS
=1.8V
V
GS
=2.0V
Punto de
operacin
Lnea de carga:
I
D
=F(V
DS
)
V
DS
I
D
Suponiendo que
conoce V
GS
del
punto de operacin.
Vdd
R
92
Ejemplo pMOS
Determine el punto de trabajo de Q1 y Q2
K1=K2=0.2 mA/V
2
, Vth=-5 V