SEMICONDUCTORES

Semiconductor: Es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (GaAs, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp. Tipos de semiconductores: - Semiconductores intrnsecos: se encuentran en estado puro, es decir, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin. Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atraccin que ejerce el ncleo del tomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conduccin y all funcionan como electrones de conduccin, pudindose desplazar libremente de un tomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente elctrica. La banda prohibida es mucho ms estrecha en comparacin con los materiales aislantes. La energa de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conduccin es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si), la energa de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV. - Semiconductores extrnsecos: Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de otros elementos o "impurezas". Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones

tambin en su ltima rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir la corriente elctrica. En la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria electrnica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de los materiales ms abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un espejo. Dos tipos: 1. Considerando que a un cristal de silicio se le introduce boro como impureza. El boro tiene un electrn menos en su capa de valencia, por lo tanto, por cada boro introducido faltar un electrn en la banda de valencia. Se est generando huecos positivos en la parte superior de la banda lo que permitir a los electrones superiores moverse y conducir. El slido dopado es mejor conductor que el silicio puro. A estos materiales se les denomina semiconductor tipo p debido a que su conductividad est relacionada con el n de huecos positivos. 2. Si el dopaje se realiza con fsforo, que tiene un electrn ms que el silicio en la capa de valencia, se encuentra con un exceso de electrones que se acomodarn en la banda de conduccin, en los niveles ms bajos. Con una pequea diferencia de potencial se llevar a cabo la conduccin. Estos semiconductores se denominan n, porque son portadores de electrones o carga negativa.

Semiconductor III-V (13-16) Un semiconductor de este grupo es el GaAs, con una estructura tipo diamante, similar al silicio, pero que est compuesto por dos elementos. Los orbitales externos son n-s y n-p como en el silicio, pero por sus diferentes energas, en la banda de valencia tiene ms participacin de As y la de conduccin de Ga. Se puede decir que es un compuesto parcialmente inico porque hay cierta transferencia de electrones del Ga al As, ya que la banda de valencia (con mayor participacin de As) est llena, mientras que la de conduccin vaca. Como cada tomo tiene ms energa de los orbitales atmicos que lo forman, se puede encontrar diferentes band gaps.

Mecanismo de conduccin de un semiconductor Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o corriente elctrica, se producen dos flujos contrapuestos: uno producido por el movimiento de electrones libres que saltan a la banda de conduccin y otro por el movimiento de los huecos que quedan en la banda de valencia cuando los electrones saltan a la banda de conduccin. Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina del elemento semiconductor, notaremos que mientras los electrones se mueven en una direccin, los huecos o agujeros se mueven en sentido inverso. Por tanto, el mecanismo de conduccin de un elemento semiconductor consiste en mover cargas negativas (electrones) en un sentido y cargas positivas (huecos o agujeros) en sentido opuesto. Ese mecanismo de movimiento se denomina "conduccin propia del semiconductor", que para las cargas negativas (o de electrones) ser "conduccin N", mientras que para las cargas positivas (de huecos o agujeros), ser "conduccin P".