Conceptos bsicos

Materiales semiconductores: la palabra semiconductor define en si misma la caracterstica y se aplica normalmente a un rango de nivel entre dos lmites. Cuando un material permite o no el flujo de carga o de conductividad es la forma de clasificarlos. Conductores, cuando el flujo de carga es generoso. Aislante o dielctrico, cuando ese flujo es nulo o casi nulo. Semiconductor, cuando el flujo de cargas es mucho mayor al dielctrico y mucho menor al conductor. Mientras mayor sea la conductividad menor ser la resistividad. Se define la resistividad !", letra griega rho# como la magnitud caracterstica $ue mide la capacidad de un material para oponerse al flujo de una corriente elctrica. %ambin recibe el nombre de resistencia especfica. &s la inversa de la conductividad elctrica !', letra griega sigma#. (a resistividad se representa por " y se mide en ohmio)metro.

Conceptos bsicos No. 2

&l silicio y el germanio tienen una estructura at*mica bien definida $ue por naturale+a es peri*dica, es decir, $ue se repite continuamente. &l patr*n completo se denomina cristal y el arreglo peri*dico se denomina red.&n un cristal puro de germanio o de silicio, los tomos est n unidos entre s en disposici*n peri*dica, formando una rejilla c,bica tipo diamante perfectamente regular. Cada tomo del cristal tiene cuatro electrones de valencia, cada uno de los cuales interact,a con el electr*n del tomo vecino formando un enlace covalente. Al no tener los electrones libertad de movimiento, a bajas temperaturas y en estado cristalino puro, el material act,a como un aislante. -ero es posible $ue estos electrones ad$uieran suficiente energa cintica de origen natural para romper el enlace y asumir el estado de .libre/. &l trmino libre manifiesta $ue su movimiento ser muy sensible a la aplicaci*n de potenciales elctricos. (as causas naturales incluyen efectos como la energa luminosa en forma de fotones o energa trmica $ue proviene del entorno.

Conceptos bsicos No. 3

&ntre los semiconductores comunes se encuentran elementos $umicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de +inc y el telururo de plomo. &l incremento de la conductividad provocado por los cambios de temperatura, la lu+ o las impure+as se debe al aumento del n,mero de electrones conductores $ue transportan la

corriente elctrica. &n un semiconductor caracterstico o puro como el silicio, los electrones de valencia !o electrones e0teriores# de un tomo est n emparejados y son compartidos por otros tomos para formar un enlace covalente $ue mantiene al cristal unido. &stos electrones de valencia no est n libres para transportar corriente elctrica. -ara producir electrones de conducci*n, se utili+a la lu+ o la temperatura, $ue e0cita los electrones de valencia y provoca su liberaci*n de los enlaces, de manera $ue pueden transmitir la corriente. (as deficiencias o huecos $ue $uedan contribuyen al flujo de la electricidad !se dice $ue estos huecos transportan carga positiva#. 1ste es el origen fsico del incremento de la conductividad elctrica de los semiconductores a causa de la temperatura

2n cristal de germanio o de silicio $ue contenga tomos de impure+as donantes se llama semiconductor negativo, o tipo 3, para indicar la presencia de un e0ceso de electrones cargados negativamente. &l uso de una impure+a receptora producir un semiconductor positivo, o tipo -, llamado as por la presencia de huecos cargados positivamente. 2n cristal sencillo $ue contenga dos regiones, una tipo 3 y otra tipo -, se puede preparar introduciendo las impure+as donantes y receptoras en germanio o silicio fundido en un crisol en diferentes fases de formaci*n del cristal.

Conceptos bsicos No. 4

Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo n y la otra mitad de tipo p, esa unin PN tiene unas propiedades muy tiles y entre otras cosas forman los "Diodos". Al haber una repulsin mutua, los electrones libres en el lado n se dispersan en cualquier direccin. Algunos electrones libres se difunden y atra iesan la unin, cuando un electrn libre entra en la regin p se con ierte en un portador minoritario y el electrn cae en un hueco, el hueco desaparece y el electrn libre se con ierte en electrn de alencia. !uando un electrn se difunde a tra "s de la unin crea un par de iones, en el lado n con carga positi a y en el p con carga negati a. (as parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos, al aumentar los dipolos la regi*n cerca de la uni*n se vaca de portadores y se crea la llamada 45ona de deple0i*n4. Los dipolos tienen un campo el"ctrico entre los iones positi o y negati o, y al entrar los electrones libres en la #ona de deple$in, el campo el"ctrico trata de de ol erlos a la #ona n. La intensidad del campo el"ctrico aumenta con cada electrn que cru#a hasta llegar al equilibrio.

%l campo el"ctrico entre los iones es equi alente a una diferencia de potencial llamada "&arrera de Potencial" que a '( )! ale*

0.3 V para diodos de Ge. 0.68 V para diodos de Si.

Polarizar * Poner una pila o fuente de olta+e D!. No polarizado * No tiene pila, circuito abierto o en ac,o. z.c.e .* -ona de !arga %spacial o #ona de deple$in ./0. Si el terminal positivo de la fuente est conectado al material tipo p y el terminal negativo de la fuente est conectado al material tipo n, diremos $ue estamos en 4-olari+aci*n 6irecta4. &n este caso tenemos una corriente $ue circula con facilidad, debido a $ue la fuente obliga a $ue los electrones libres y huecos fluyan hacia la uni*n. Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polari+a en inversa, el terminal negativo de la batera conectado al lado p y el positivo al n, esta cone0i*n se denomina 4-olari+aci*n 7nversa4. &l terminal negativo de la batera atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los electrones libres, as los huecos y los electrones libres se alejan de la uni*n y la z.c.e. se ensancha. A mayor anchura de la +.c.e. mayor diferencia de potencial, la +ona de deple0i*n deja de aumentar cuando su diferencia de potencial es igual a la tensi*n inversa aplicada !8#, entonces los electrones y huecos dejan de alejarse de la uni*n. A mayor la tensi*n inversa aplicada mayor ser la +.c.e.

Dispositivos lineales
3ormalmente al inicio del programa, el estudiante inicia con modelos de elementos lineales, siendo el resistor o la resistencia el m s sencillo de ellos. (a caracterstica tensi*n 9 corriente del resistor ideal sigue la relaci*n tan simple como lo es la (ey de :hm. Se debe reconocer la interpretaci*n gr fica

-ara elegir $ue apro0imaci*n se va a usar se tiene $ue tener en cuenta, por ejemplo, si son aceptables los errores grandes, ya $ue si la respuesta es afirmativa se podra usar la primera apro0imaci*n. -or el contrario, si el circuito contiene resistencias de precisi*n de una tolerancia de ;<, puede ser necesario utili+ar la tercera apro0imaci*n. -ero en la mayora de los casos la segunda apro0imaci*n ser la mejor opci*n. (a ecuaci*n $ue utili+aremos

para saber $ue apro0imaci*n se debe utili+ar es esta:

-ener

6iferencias entre un diodo normal y un (&6: 6iodo normal, & en forma de calor. 6iodo (&6, & en forma de fot*n. !& = h>f, h = cte de -lanc?, f = frecuencia $ue da color a esa lu+#. 6iodo normal hecho de silicio. 6iodo (&6 hecho de As, -, @a y aleaciones entre ellas. -ara cada material de estos la distancia de AC y A8 es distinta y as hay distintos colores, y me+cl ndolos se consiguen todos, hasta de lu+ invisible al ojo humano.

Basta ahora hemos visto las C primeras, la tercera forma de anali+arlos es de forma gr fica, esto es calculando su recta de carga.

Si de la ecuaci*n de la malla, despejamos la intensidad tenemos la ecuaci*n de una recta, $ue en forma de gr fica sera:

-ara cada configuraci*n, la tcnica consiste en reempla+ar los diodos por elementos resistivos con una cada de voltaje siempre y cuando la direcci*n de la corriente sea en el sentido $ue polarice de forma directa al diodo y este est en estado de conducci*n. -ara este caso, reempla+amos el diodo por una fuente de voltaje con el valor correspondiente al material, ver tabla C.;, y as, se reali+ar un an lisis $ue cumpla con la (ey de Dirchhoff, es decir, $ue la suma de los voltajes de una malla debe ser cero. &n caso contrario, un diodo polari+ado inversamente, se representar como un circuito abierto.

&l silicio y el germanio tienen una estructura at*mica bien definida $ue por naturale+a es peri*dica, es decir, $ue se repite continuamente. &l patr*n completo se denomina cristal y el arreglo peri*dico se denomina red (os cristales de germanio o de silicio contienen pe$ueEas cantidades de impure+as $ue conducen la electricidad, incluso a bajas temperaturas. (as impure+as tienen dos efectos dentro del cristal 2n cristal de germanio o de silicio $ue contenga tomos de impure+as donantes se llama semiconductor negativo, o tipo 3, para indicar la presencia de un e0ceso de electrones cargados negativamente. &sta uni*n de un electr*n libre y un hueco se llama 4recombinaci*n4, y el tiempo entre la creaci*n y desaparici*n de un electr*n libre se denomina 4tiempo de vida4. 0.3 V para diodos de Ge. 0.68 V para diodos de Si.

CF Apro0imaci*n. (a e0ponencial se apro0ima a una vertical y a una hori+ontal $ue pasan por G,H 8 !este valor es el valor de la tensi*n umbral para el silicio, por$ue suponemos $ue el diodo es de silicio, si fuera de germanio se tomara el valor de G,I 8#.

&J&M-(:: Kesolveremos el mismo circuito de antes pero utili+ando la segunda apro0imaci*n $ue se ha visto ahora. Como en el caso anterior lo anali+amos en polari+aci*n directa:

8iendo el denominador, si la resistencia de carga es ;G veces la resistencia interna, al ignorar la resistencia interna se produce un error del ;G < en los c lculos. Cuando la resistencia de carga es CG veces mayor el error baja al L< y as sucesivamente.

%odos los dispositivos electr*nicos cambian su comportamiento cuando se someten a las altas frecuencias. &n los rangos de baja frecuencias los efectos capacitivos pueden ignorarse por$ue su reactancia !M C= ;NCOfC# es muy alta en esta +ona de frecuencias y e$uivaldra a un circuito abierto. &n un diodo semiconductor pn se presentan dos efectos capacitivos $ue se deben tener en cuenta. Ambos tipos se presentan tanto en la +ona de polari+aci*n directa como en la +ona de polari+aci*n inversa. 2no de los efectos es superior al otro en cada +ona. &n la regi*n de polari+aci*n directa, el efecto significativo se conoce como capacitancia de difusin !C6#. P en la regi*n de polari+aci*n inversa, se presenta la capacitancia de transicin !C%# o de regi*n de agotamiento.

-ara e0plicar el comportamiento del limitador negativo vamos a anali+ar un limitador doble, $ue esta compuesto por un limitador polari+ado positivo y otro limitador polari+ado negativo. Qigura

Si tenemos: 7&= 87NK7 = CGG m8 N CGR = ;G mA. P, tenemos $ue = ;S !7C = 7&#, entonces: 7C = ;G mAS 8( = 7( > K = !;G mA# !L D R# = 50 V

ct 4! "ecci#n eval$ativa No. % "ecci#n No. %

Diodos : An lisis por medio de la recta de carga. La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el alor de la corriente y la tensin del diodo. Las rectas de carga son especialmente tiles para los transistores, por lo que en la p1gina siguiente se dar1 una e$plicacin m1s detallada acerca de ellas. Pero, es necesario que profundice este tema en le libro 2 %lectrnica, teor,a de circuitos, 3 edicin de &oylestand, cap,tulo '. %stas son las distintas formas de anali#ar los circuitos con diodos*

&0acta por tanteo: &cuaci*n del diodo e0ponencial y ecuaci*n de la malla. Modelos e$uivalentes apro0imados: ;F apro0imaci*n, CF apro0imaci*n y IF apro0imaci*n. 6e forma gr fica: Kecta de carga.

ct 4! "ecci#n eval$ativa No. % "ecci#n No. 2

Si de la ecuaci*n de la malla, despejamos la intensidad tenemos la ecuaci*n de una recta, $ue en forma de gr fica sera:

A esa recta se le llama "recta de carga" y tiene una pendiente negati a. %l punto de corte de la recta de carga con la e$ponencial es la solucin, el punto 4, tambi"n llamado "punto de traba+o" o "punto de funcionamiento". %ste punto 4 se controla ariando 56 y 76. Al punto de corte con el e+e 8 se le llama "!orte" y al punto de corte con el e+e 9 se le llama "6aturacin".

ct 4! "ecci#n eval$ativa No. % "ecci#n No. 3

%n la figura siguiente podemos er un rectificador de onda completa en puente*

Mediante el uso de T diodos en ve+ de C, este diseEo elimina la necesidad de la cone0i*n intermedia del secundario del transformador. (a ventaja de no usar dicha cone0i*n es $ue la tensi*n en la carga rectificada es el doble $ue la $ue se obtendra con el rectificador de onda completa con C diodos. Durante el semiciclo positi o de la tensin de la red, los diodos D : y D ; conducen, esto da lugar a un semiciclo positi o en la resistencia de carga. Los diodos D ' y D< conducen durante el semiciclo negati o, lo que produce otro semiciclo positi o en la resistencia de carga. %l resultado es una se=al de onda completa en la resistencia de carga. >emos obtenido la misma onda de salida 5 L que en el caso de rectificacin de onda completa con dos diodos. (a diferencia m s importante es $ue la tensi*n inversa $ue tienen $ue soportar los diodos es la mitad de la $ue tienen $ue soportar los diodos en un rectificador de onda completa con C diodos, con lo $ue se reduce el costo del circuito.

ct 4! "ecci#n eval$ativa No. % "ecci#n No. 4

(os diodos semiconductores tienen otras aplicaciones diferente a a las de rectificar. &ntre ellas, se encuentran los multiplicadores de voltaje, los recortadores y limitadores, los usados para la sintona y los emisores de lu+.

2n ejemplo de multiplicador es el circuito de la figura:

&n el an lisis del circuito es necesario tomar en el semiciclo donde se cargue un solo condensador. otro circuito multiplicador es el de la siguiente figura:

Se conoce como un cuadriplicador de voltaje.

ct 4! "ecci#n eval$ativa No. % "ecci#n No. 5

:tras aplicaciones: (imitador: Se muestra en la figura

Sujetador: Se pueden tener dos tipos de aplicaciones, una de nivel positivo y otra, negativo. &l el gr fico veremos un circuito sujetador de nivel negativo.

6iodo 5ener: Muy utili+ado para la regulaci*n de voltajes. &n la figura siguiente se muestran las curvas reales de un circuito regulado con diodo +ener.

Q cilmente podemos identificar un ri+ado alrededor del voltaje del diodo +ener !8 5#.

ct 4! "ecci#n eval$ativa No. %

"ecci#n No. 6
%KA3S7S%:K&S A7-:(AK&S 9 AJ% &l transistor est compuesto por tres +onas de dopado. (a +ona superior es el 4Colector4, la +ona central es la 4Aase4 y la +ona inferior es el 4&misor4. &l &misor est muy impurificado, la Aase tiene una impurificaci*n muy baja, mientras $ue el Colector posee una impurificaci*n intermedia. &n este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo 3-3, aun$ue tambin podra ser un -3-. &n principio es similar a dos diodos. 2n transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector.&l emisor y la base forman uno de los diodos, mientras $ue el colector y la base forman el otro. &stos diodos son denominados: 46iodo de emisor4 !el de la i+$uierda en este caso# y 46iodo de colector4 !el de la derecha en este caso#.

6i se conectan fuentes de tensin e$ternas para polari#ar al transistor, se obtienen resultados nue os e interesantes. >ay ; configuraciones* &ase comn .&!0. %misor comn .%!0. !olector comn .!!0. !ada una de estas configuraciones a su e# puede traba+ar en < #onas diferentes* &l la gr fica se observa las reas de operaci*n de un transistor bipolar:

&ona de traba'o Activa Saturaci*n Corte Activa invertida Amplificador

(tilizaci#n Conmutaci*n Conmutaci*n Sin utilidad

ct 4! "ecci#n eval$ativa No. % "ecci#n No. )

Configuraci*n &misor com,n: &s la m s utili+ada.

Configuraci*n de Colector Com,n: Su uso fundamentalmente para acople

de impedancias. en su entrada posee una impedancia muy alta y en su salida una impedancia muy baja.

Configuraci*n Aase Com,n:

Se conoce, cuando opera en la regi*n activa, como amplificador. esta directamente relacionada con una caracterstica del transistor: h Q&, y define la relaci*n entre la corriente de la base y la del colector.

ct 4! "ecci#n eval$ativa No. % "ecci#n No. 8

%n la figura se muestra la representacin gr1fica del punto de traba+o 4 del transistor, especificado a tra "s de tres par1metros* ? !4, ?&4 y la 5 !%4. %ste punto se encuentra locali#ado dentro de una recta denominada recta de carga est1tica* si 4 se encuentra en el l,mite superior de la recta el transistor estar1 saturado, en el l,mite inferior en corte y en los puntos intermedios en la regin lineal. %sta recta se obtiene a tra "s de la ecuacin del circuito que relaciona la ?! con la 5!%. Para dibu+ar esta recta de una manera sencilla en el plano .5 !%, ?!0 del transistor se seleccionan dos puntos* a0 5 !%@A, entonces ?!@5!!B7!C b0 ?!@A, entonces 5 !%@5!!. %stos puntos se pueden identificar en la figura y representan los cortes de la recta

de carga est1tica con los e+es de coordenadas.

Dna de las primeras decisiones relacionadas con la polari#acion de un transistor es seleccionar la ubicacin del punto 4. La seleccin mas practica es situarle en la mitad de la recta de carga est1tica para que la corriente de colector sea la mitad de su alor m1$imo, condicin conocida como e$cursin m1$ima sim"trica. % identemente esta es una condicin de dise=o que asegurara el m1$imo margen del punto 4 a incrementos de cualquier signo de la intensidad de colector. 6in embargo, hay muchas otras condiciones de operacin del transistor que e$ige un despla#amiento de 4 en uno u otro sentido. %n estos casos la situacin del punto 4 estar1 definida por las diferentes restricciones.

ct 4! "ecci#n eval$ativa No. % "ecci#n No. *

:peraci*n de diseEo: Si tomamos la polari+aci*n con divisor de voltaje pero teniendo en cuenta la retroalimentaci*n. &n todo circuito $ue $uiera $ue se auto compense tiene $ue haber una resistencia de realimentaci*n, en este caso es K &, $ue hace $ue sea estable el punto U.

&l transistor como conmutador:

tenemos el interruptor abierto, entonces la corriente de base es cero y el transistor est en estado de corte. Al actuar sobre el interruptor, el AJ% se

ct 4! "ecci#n eval$ativa No. % "ecci#n No. %0

Tomado del libro: Electrnica: Teoria de circuitos, Boylestand, 6 edicin, Pearson Educativa. &jemplo: 6e acuerdo a las lectura de la figura, determinar si el transistor est encendido y la red opera normalmente:

Se aprecia, al reali+ar los c lculos del voltaje en la base !T voltios# es correcto y se puede deducir $ue el transitor est encendido al verificar los I.I voltios en el emisor. -ero, el valor de CG voltios en el colector nos llevan a la conclusi*n $ue 7 C es cero. (o $ue significa $ue la uni*n Colector Aase esta abierta o la cone0i*n de K C a 8CC es deficiente.

ct 5! +$iz % ,evisi#n del intento %

Comen+ado el: domingo, CC de mar+o de CGGV, ;W:GI Completado el: domingo, CC de mar+o de CGGV, ;W:I; %iempo empleado: CW minutos IC segundos Comentario 9 &0celente

Continuar

; %l m1$imo potencial de polari#acin in erso que puede soportar un diodo antes de entrar en la #ona -ener se denomina Seleccione una respuesta.

a. 8oltaje de polari+aci*n b. 8oltaje pico inverso !8-7# c. Corriente inversa d. -otencial de alimentaci*n 7ncorrecto C 6on caracter,sticas del diodo* Seleccione al menos una respuesta. a. -uede conducir corriente en una sola direcci*n b. Cuenta con tres terminales c. Act,a como un circuito abierto si fluye corriente en sentido inverso d. Amplifica la seEal de entrada I La ecuacin EF22Gif F mlH22IEF22GendifH22I mostrada corresponde a*

-uede conducir corriente en una sola direcci*n -uede conducir corriente en una sola direcci*n

Seleccione al menos una respuesta. a. (a corriente de un diodo rectificador b. (a corriente de saturaci*n del diodo 5ener c. (a corriente de mayoritarios del transistor 3-3 d. (a potencia del diodo t,nel T

Correcto 7ncorrecto

-n los cond$ctores. se/icond$ctores 0 aislantes la banda de Valencia 0 la de cond$cci#n de enc$entran! Seleccione una respuesta. a. 2nidas, levemente separadas y muy separadas Correcto respectivamente b. (evemente separadas, 2nidas y muy separadas respectivamente c. Muy separadas, levemente separadas y 2nidas, respectivamente d. Muy separadas, 2nidas y levemente separadas respectivamente L
Son materiales semiconductores

Seleccione al menos una respuesta. a. Bierro b. Xolfranio c. Silicio Si, pero e0iste otros semiconductores d. @ermanio Si, pero e0iste otros semiconductores Y
-ara locali+ar una falla en un transistor $ue se encuentra en la regi*n activa lo primero y lo mas importante $ue se puede verificar es:

Seleccione una respuesta. a. el voltaje de colector b. el voltaje de Aase. c. el voltaje colector Z emisor 7ncorrecto d. el voltaje base.9 emisor H -l /odelo de $n diodo ideal indica 1$e! Seleccione una respuesta. a. Cuando est polari+ado directamente se comporta como un circuito abierto y cuando est polari+ado inversamente se comporta como un corto circuito b. Cuando est conectado directamente se comporta como un corto circuito y cuando est conectado inversamente se comporta como un circuito abierto c. a. Cuando est polari+ado directamente se comporta como un corto circuito y cuando est polari+ado inversamente se Correcto comporta como un circuito abierto d. Cuando est conectado directamente se comporta como un circuito abierto y cuando est conectado inversamente se comporta como un corto circuito W

&l circuito de la figura es:

Seleccione una respuesta. a. 2n triplicador de voltaje b. 2n duplicador de voltaje c. 2n cargador de corriente d. 2n multiplicador de frecuencia modulada V %n un diodo semiconductor pn se presentan dos efectos capaciti os que se deben tener en cuenta. Ambos tipos se presentan tanto en la #ona de polari#acin directa como en la #ona de polari#acin in ersa. Dno de los efectos es superior que en el otro en cada #ona. %n la regin de polari#acin directa, el efecto significati o se conoce como* Seleccione una respuesta. a. Capacitancia de difusi*n !C6#. Correcto b. Capacitancia de transici*n !C%# c. Capacitanca e0pansiva d. Capacitanca reactiva ;G La cur a de la figura corresponde a* Correcto

Seleccione una respuesta.

a. 2n diodo rectificador b. 2n transistor c. 2n varactor d. 2n diodo 5ener Correcto

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