I

II

Tema:

Caractersticas Bsicas del Diodo Semiconductor (Silicio y Germanio)

Objetivos :
semiconductores

Utilizar las caractersticas de operacin de los diodos

III

Marco Terico:

Diodos
1) Clasificacin por su composicin Diodos de silicio La construccin de

un diodo de silicio comienza con silicio purificado. Cada lado del diodo se implanta con impurezas (boro en el lado del nodo y arsnico o fsforo en el lado del ctodo), y la articulacin donde las impurezas se unen se llama la "unin PN". Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarizacin directa de 0,7 voltios. Una vez que el diferencial de voltaje entre el nodo y el ctodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezar a conducir la corriente elctrica a travs de su unin PN. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos de 0,7 voltios, la unin PN detendr la conduccin de la corriente elctrica, y el diodo dejar de funcionar como una va elctrica. Debido a que el silicio es relativamente fcil y barato de obtener y procesar, los diodos de silicio son ms frecuentes que los diodos de germanio. Diodos de germanio Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio. Los diodos de germanio tambin utilizan una unin PN y se implantan con las mismas impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen una tensin de polarizacin directa de 0,3 voltios. El germanio es un material poco comn que se encuentra generalmente junto con depsitos de cobre, de plomo o de plata. Debido a su rareza, el germanio es ms caro, por lo que los diodos de germanio son ms difciles de encontrar (y a veces ms caros) que los diodos de silicio. Qu diodo debo usar? Los diodos de germanio se utilizan mejor en circuitos elctricos de baja potencia. Las polarizaciones de voltaje ms bajas resultan en prdidas de potencia ms pequeas, lo que permite que el circuito sea ms eficiente elctricamente. Los diodos de germanio tambin son apropiados para circuitos de precisin, en donde las fluctuaciones de tensin deben mantenerse a un mnimo. Sin embargo, los diodos de germanio se daan ms fcilmente que los diodos de silicio. Los diodos de silicio son excelentes diodos de propsito general y se pueden utilizar en casi todos los circuitos elctricos que requieran de un diodo. Los diodos de silicio son ms duraderos que los diodos de germanio y son mucho ms fciles de obtener. Mientras que los diodos de germanio son apropiados para circuitos de precisin, a menos que exista un requisito especfico para un diodo

degermanio, por lo general es preferible utilizar diodos de silicio cuando se fabrique un circuito. 2) Tipos de diodos Diodo Zener: Al diodo Zener, tambin llamado diodo regulador de tensin, podemos definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la caracterstica de un diodo normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en sentido de paso; pero en sentido inverso, y para una corriente inversa superior a un determinado valor, presenta una tensin de valor constante. Este fenmeno de tensin constante en el sentido inverso convierte a los diodos de Zener en dispositivos excepcionalmente tiles para obtener una tensin relativamente invisible a las variaciones de la tensin de alimentacin, es decir, como dispositivos reguladores de tensin

Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable, es, en esencia, un diodo semiconductor cuya caracterstica principal es la de obtener una capacidad que depende de la tensin inversa a l aplicada. Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisin y los de receptores de radio en FM. Diodo Tnel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto rpidamente al observar su curva caracterstica, la cual se ve en el grfico. En lo que respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en el sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que se le somete. La intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensin hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una prdida de intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuando se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin

Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad. La funcin de los fotodiodos dentro de un pick-up es la de recuperar la informacin grabada en el surco hipottico del CD transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado el audio o los datos grabados en el CD

Diodo Gunn: Este diodo tiene caractersticas muy diferentes a los anteriores, ya que no es rectificador. Se trata de un generador de microondas, formado por un semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn. Cuando se aplica entre nodo y ctodo una tensin continua de 7 V, de modo que el nodo sea positivo con respecto al ctodo, la corriente que circula por el diodo es continua pero con unos impulsos superpuestos de hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una cavidad resonante. De hecho, la emisin de microondas se produce cuando las zonas de campo elctrico elevado se desplazan del nodo al ctodo y del ctodo al nodo en un constante viaje rapidsimo entre ambas zonas, lo que determina la frecuencia en los impulsos

Estructura

3) tipos de polarizacin Polarizacin directa Polarizar directamente es aplicar una tensin como se muestra en la figura siguiente.

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

Polarizacin inversa Polarizar en inversamente es aplicar una tensin como se muestra en la figura siguiente]

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos

trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco () a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable. 4) Funciones del diodo A. Como rectificadores: Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos ms sencillos. El nombre diodo rectificador procede de su aplicacin, la cual consiste en separar los ciclos positivos de una seal de corriente alterna. Si se aplica al diodo una tensin de corriente alterna durante los medios ciclos positivos, se polariza en forma directa; de esta manera, permite el paso de la corriente elctrica. Pero durante los medios ciclos negativos, el diodo se polariza de manera inversa; con ello, evita el paso de la corriente en tal sentido .Durante la fabricacin de los diodos rectificadores , se consideran tres factores: la frecuencia mxima en que realizan correctamente su funcin, la corriente mxima en que pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa mximas que soportarn. Una de las aplicaciones clsicas de los diodos rectificadores, es en las fuentes de alimentacin; aqu, convierten una seal de corriente alterna en otra de corriente directa. B. Como protector: Un circuito en donde convenga que la corriente circule solamente en un sentido determinado, y nunca en sentido contrario, puede ser protegido por la presencia de un diodo. En la imagen vemos un ejemplo en donde se ha colocado un diodo entre un generador de corriente continua y la batera. El diodo no deja pasar la corriente de la batera al generador an cuando si lo hace desde el generador a la batera de modo que hace las veces de un disyuntor sin contactos mviles ni degaste.

Como protector

5. Caractersticas de los diodos: a. Tensin de umbral (Vv): Tensin a partir de la cual, el diodo en polarizacin directa empieza a conducir. Para Ge: Vv=0,2V Para Si: Vv=0,6V b. Resistencia Directa (Rd): Resistencia que presenta el diodo en polarizacin directa. De bajo valor (Rd <100 aproximadamente). c. Resistencia Inversa (Ri): Resistencia que presenta el diodo en polarizacin inversa. De alto valor (Ri > 1M aproximadamente). d. Voltaje de pico inverso (Vpi): Mximo voltaje de polarizacin inversa aplicable. e. Corriente de polarizacin directa mxima (Idmx): Mxima corriente de polarizacin directa que puede circular por el diodo.

IV

Materiales y Equipos
Una fuente de corriente continua variable

Un multmetro

Un miliampermetro y un microampermetro

Un diodo semiconductor de Silicio y uno de Germanio Un Voltmetro de c.c

Resistencias de 100 Cables y conectores (cocodrilo/banano)

Procedimiento
1. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo. Registrar los datos en la Tabla 1 2. Armar el circuito de la Figura 1 a) Ajustando el voltaje con el potencimetro, observar y medir la corriente y el voltaje directo del diodo, registrar sus datos en la Tabla 2 . b) Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos, proceder com en a), registrando los datos en la Tabla 3.

Tabla 1 (Si)
R directa() R inversa ()

664

>>60M Tabla 2

Vcc(V)

0.5

0.55 0.2

0.6 0.4

0.68 0.8

0.72 1.6

0.9 2.5

1.22 5.0

1.56 8.0

1.76 10.0

1.98 12.0

2.3 15.0

2.8 20.0

Id(mA) 0.1 Vd(v.)

0.497 0.522 0.545 0.574 0.606 0.626 0.656 0.677 0.686 0.696 0.705 0.716

Tabla 3
Vcc(V) Id(mA) Vd(v.) 0.0 0.006 0 2.0 1.9767 0 4.0 3.922 0 6.0 5.868 0 8.0 7.86 0 10.0 9.84 0 12.0 11.8 0 15.0 14.7 0 20.0 19.68 0

c) Usando el ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo de Germanio. Registrar los datos en la Tabla 4.

Tabla 4 (Ge)
R directa() R inversa ()

275

62,8 K

d) Repetir el circuito de la Figura 1 para el diodo de Germanio, de manera similar al paso 2; proceder a llenar las Tablas 5 y 6.

Tabla 5

Vcc(V)

0.16

0.2 0.2

0.27 0.4

0.35 0.8

0.38 1.6

0.6 2.5

0.94 5.0

1.3 8.0

1.52 10.0

1.75 12.0

2.1 15.0

2.64 20.0

Id(mA) 0.1 Vd(v.)

0.153 0.190 0.227 0.263 0.307 0.338 0.393 0.434 0.454 0.474 0.498 0.530

Tabla 6
Vd(V)
0 0.15 0.960 2 1.926 2.5 3.92 3.25 5.9 4 7.89 4.5 9.83 5.025 11.8 68.5 14.8 8.5 17.75 9.5 19.74

Id(mA) 0

VI

Cuestionario Final

1 Construir el grafico Id = F(Vd) con los datos de las tablas 2 y 3. Los diodos de silicio. Calcular la resistencia dinmica del diodo (usar papel milimetrado).

TABLA 2

Id(mA) vs Vd
25 20 y = 9E-07e23.575x

Id(mA)

15 Series1 10 5 0 0 0.2 0.4 Vd(v.) 0.6 0.8 Exponencial (Series1)

Tabla 2

Para el Diodo de silicio

Calcular la resistencia dinmica:
Id(mA) 0.1 Vd(v.) 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

0.497 0.522 0.545 0.574 0.606 0.626 0.656 0.677 0.686 0.696 0.705 0.716

0.522 0.497 r = 0.2 0.1 = 0.25

d1

0.545 0.522 r = 0.4 0.2 = 0.115

d2

0.574 0.545 r = 0.8 0.4 = 0.0725

d3

0.606 0.574 r = 1.6 0.8 = 0.04

d4

0.626 0.606 r = 2.5 1.6 = 0.0222

d5

0.656 0.626 r = 5.0 2.5 = 0.012

d6

0.677 0.656 r = 8.0 5.0 = 7x

d7

0.686 0.677 r = 10.0 8.0 = 4.5x

d8

0.696 0.686 r = 12.0 10.0 = 5x

d9

d 10

0.705 0.696 = 3x 15.0 12.0

0.716 0.705 r = 20.0 15.0 = 2.2x

d 11

TABLA 3

Id(uA.) vs Vd
1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 0 5 10 Vd(v) 15 20

y=0

Id(uA)

Series1 Lineal (Series1)

11.967 0.006 = r = 00
d1

3.922 1.967 = r = 00
d2

5.868 3.922 = r = 00
d3

7.86 5.868 = r = 00
d4

9.84 7.86 r = 00 =
d5

11.8 9.84 r = 00 =
d6

14.7 11.8 r = 00 =
d7

19.68 14.7 = r = 00
d8

2. Construir el grafico Id = F(Vd) con los datos de las tablas 5 y 6. Los diodos de germanio. Calcular la resistencia dinmica del diodo (usar papel milimetrado). La funcin se adapta a la escala logartmica ya que la funcin es exponencial.

TABLA 5

Id(mA) vs Vd(v)
30 25

y = 0.0163e14.042x

Id(mA)

20 15 10 Series1 Exponencial (Series1)

5 0 0 0.2 0.4 0.6

Vd(v)

Tabla 5

Calcular la resistencia dinmica:

Id(mA) 0.1 Vd(v.) 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

0.153 0.190 0.227 0.263 0.307 0.338 0.393 0.434 0.454 0.474 0.498 0.530

0.190 0.153 r = 0.2 0.1 = 0.37

d1

0.227 0.190 r = 0.4 0.2 = 0.185

d2

0.263 0.227 r = 0.8 0.4 = 0.09

d3

0.307 0.263 r = 1.6 0.8 = 0.055

d4

0.338 0.307 r = 2.5 1.6 = 0.0344

d5

0.393 0.338 r = 5.0 2.5 = 0.022

d6

0.434 0.393 r = 8.0 5.0 = 0.0136

d7

0.454 0.434 r = 10.0 8.0 = 0.01

d8

0.474 0.454 r = 12.0 10.0 = 0.01

d9

d 10

0.498 0.474 = 8x 15.0 12.0

0.530 0.498 r = 20.0 15.0 = 6.4x

d 11

Tabla 6
Calcular la resistencia dinmica:
Id(mA) 0 Vd(v.) 0 0.960 1.926 3.92 0.15 2 2.5 5.9 3.25 7.89 4 9.83 4.5 11.8 14.8 17.75 19.74 8.5 9.5

5.025 68.5

0.960 0 r = 1.5 = 0.64

d1

1.926 0.960 = 1.932 r = 2 1.5

d2

3.92 1.926 r = 2.5 2 = 3.988

d3

5.9 3.92 r = 3.25 2.5 = 2.64

d4

7.89 5.9 r = 4 3.25 = 2.6533

d5

9.93 7.89 r = 4.5 4 = 4.08

d6

11.8 9.83 r = 5.025 4.5 = 3.7523

d7

14.8 11.8 r = 6.5 5.025 = 2.0338

d8

d9

17.75 14.8 = 1.475 8.5 6.5

d10

19.74 17.75 = 1.99 9.5 8.5

3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas

En la tabla 1 se mide las resistencias que da el diodo de silicio en modo normal y en modo inverso. En la tabla 2 se hace que en el miliampermetro de una intensidad determinada y se miden los datos del voltaje de la fuente y la del diodo, todo se anota en esta tabla . Lo que nos muestra la tabla es que el diodo polarizado directamente se comporta como un corto circuito. En la tabla 3 se hace algo parecido a lo de la tabla 2 pero en lugar de poner una corriente determinada ponemos un voltaje de fuente determinado y anotamos todos los datos incluyendo el voltaje del diodo y la corriente del sistema. Vemos que los valores de la corriente que pasa por el diodo polarizado inversamente (Id) es pequea y casi nula, no obstante la corriente no se anula por completo pero si se hace muy pequeo casi a nivel de A lo cual la hace casi despreciable, por lo cual el diodo se comporta como un circuito abierto

En la tabla 4 se mide la resistencia del diodo de germanio en forma normal y en forma inversa.

En la tabla 5 se hace lo mismo que se hizo en la tabla 2 pero con el diodo de germanio. Lo que nos muestra el diodo de germanio polarizado directamente es que se comporta como un corto circuito pues se comporta como un resistor de baja resistencia En la Tabla 6 para el diodo de Germanio polarizado inversamente variamos con el ajuste fino el valor del voltaje de la fuente para obtener el valor de Id y Vd del diodo. Los valores que nos muestra la tabla 6 nos indica que el diodo de germanio polarizado inversamente se comporta como un circuito abierto pues lo valores de la corriente son muy pequeos.

4 Explicar los controles de operacin de la fuente dc utilizada.

La fuente Dc es una Fuente Bk precision que puede ser una fuente de corriente o una fuente de voltaje. Cuando trabaja como fuente de voltaje tiene 2 reguladores uno para determinar el voltaje y el otro es para tener mas precisin al regularlo. Cuando trabaja como fuente de corriente tiene un regulador de corriente y un switch que cambia el rango del voltaje seleccionado.
Rango High Low Modelo 1730 0a3A 0 a 0.5 A Modelo 1710 0a1A 0 a 0.25 A

Tiene tres entradas: Roja: Polaridad positiva Negra: Polaridad negativa Verde: Conexin a Tierra

Tiene 2 Medidores, uno de voltaje y otro de corriente. En la parte posterior tiene la entrada para el cable de poder y un switch que cambia la cantidad de voltaje de entrada de 110 o 220.

5. Exponer las conclusiones del experimento.

 Se determina con la experimentacin que en forma normal los dos diodos tienen una buena conductividad. En forma inversa el diodo de silicio no conduce la corriente pero el de germanio si la conduce.

En los 2 diodos la resistencia inversa es gigante, se llega a medir en mega ohmios. El dispositivo electrnico como el diodo es un elemento ms importante de los elementos en un circuito elctrico y electrnico que el hombre ha podido fabricar, pues no existe aparato elctrico que no tenga dentro de sus componentes a este. Y aun ms realiza diversas aplicaciones que lo hace vital en cualquier equipo elctrico y/o electrnico

En el experimento observamos que el valor de tensin umbral (barrera de potencial) que se puede apreciar en los grficos, para el diodo de Silicio es mucho ms constante que en el caso del diodo de Germanio, esta puede explicar mayor frecuencia el diodo de silicio por qu se usa con

En cambio cuando se polariza inversamente (ctodo positivo, nodo negativo) el diodo se comporta como un circuito abierto, limitando el paso de la corriente a travs de l, debido a su alta resistencia

VII

Recomendaciones :
Debes tener cuidado al medir la corriente del sistema cuando el diodo esta invertido ya que si la mides cuando estas midiendo el voltaje del diodo va a marcar una intensidad de corriente en el miliampermetro. Tener cuidado con las conexiones porque sino puedes generar una mala medicin por tanto las leyes con las cuales trabajas pueden no cumplir y fallar en la experimentacin para demostrarlo.

VIII

Bibliografa
http://electronica-es-facil.blogspot.com/p/polarizacion-directa-deldiodo.html http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEI/Guias/tema4.pdf
http://www.dav.sceu.frba.utn.edu.ar/homovidens/pablo_folino/ProyectoFina l/RCD.htm

CIRCUITOS ELECTRICOS Dorf-Svoboda, 5 ta edicin, Alfaomega grupo editor, Mxico, 2003. - TEORIA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS Boylestad-Nashelsky, 8 va edicin, Pearson educacin, Mxico, 2003.

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA , ELECTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES
Olivera Garayar Alejandro Manuel Reao Prez Daniel Alexander Marcos Uribe Jair Alexander Gaviln Are Edwin Moiss

N MATRICULA
13190087 13190164 13190085 13190008 TEMA Caractersticas bsicas del diodo semiconductor(Silicio y Germanio)

CURSO
Dispositivos Electrnicos

INFORME Final

FECHA REALIZACIN ENTREGA

NOTA

NUMERO
3 GRUPO

27/01/2014

4/02/2014

PROFESOR

G2

Luis Paretto Q.