CURVA CARACTERSTICA DE UN DIODO

CARACTERISTICAS DEL DIODO ZENER Comportamiento del Zener diodo Zener, cuyas caractersticas en polarizacin directa son a las del diodo de unin, pero que en polarizacin inversa se comporta de manera distinta, lo que le permite tener una serie de aplicaciones que no posea el anterior.

Diodo Zener.

Cuando el diodo esta polarizado inversamente, una pequea corriente circula por l, llamada corriente de saturacin Is, esta corriente permanece relativamente constante mientras aumentamos la tensin inversa hasta que el valor de sta alcanza Vz, llamada tensin Zener (que no es la tensin de ruptura zener), para la cual el diodo entra en la regin de colapso. La corriente empieza a incrementarse rpidamente por el efecto avalancha. En esta regin pequeos cambios de tensin producen grandes cambios de corriente. El diodo zener mantiene la tensin prcticamente constante entre sus extremos para un amplio rango de corriente inversa. Obviamente, hay un drstico cambio de la resistencia efectiva de la unin PN.

Caracterstica I-V de un diodo Zener en polarizacin directa e inversa.

Fig. 3.- Caracterstica I-V de un diodo Zener. Si ahora vamos disminuyendo la tensin inversa se volver a restaurar la corriente de saturacin Is, cuando la tensin inversa sea menor que la tensin zener. El diodo podr cambiar de una zona a la otra en ambos sentidos sin que para ello el diodo resulte daado, esto es lo que lo diferencia de un diodo de unin como el que estudiamos en la prctica anterior y es lo que le da al diodo zener su caracterstica especial. El progresivo aumento de la polarizacin inversa hace crecer el nivel de corriente y no debe sobrepasarse un determinado nivel de tensin especificado por el fabricante pues en caso contrario se daara el diodo, adems siempre debemos tener en cuenta la mxima potencia que puede disipar el diodo y trabajar siempre en la regin de seguridad. Caracterizacin del Zener

El diodo zener viene caracterizado por: 1. Tensin Zener Vz. 2. Rango de tolerancia de Vz. (Tolerancia: C: 5%) 3. Mxima corriente Zener en polarizacin inversa Iz. 4. Mxima potencia disipada. 5. Mxima temperatura de operacin del zener. Aplicacin: Regulador Zener. Una de las aplicaciones ms usuales de los diodos zener es su utilizacin como reguladores de tensin. La figura 4 muestra el circuito de un diodo usado como regulador.

Fig. 4.- Circuito regulador.

Este circuito se disea de tal forma que el diodo zener opere en la regin de ruptura, aproximndose as a una fuente ideal de tensin. El diodo zener est en paralelo con una resistencia de carga RL y se encarga de mantener constante la tensin entre los extremos de la resistencia de carga (Vout=VZ), dentro de unos lmites requeridos en el diseo, a pesar de los cambios que se puedan producir en la fuente de tensin VAA, y en la corriente de carga IL. Analicemos a continuacin el funcionamiento del circuito. Consideremos primero la operacin del circuito cuando la fuente de tensin proporciona un valor VAA constante pero la corriente de carga varia. Las corrientes IL = VZ/RL e IZ estn ligadas a travs de la ecuacin: IT = IL + IZ (1) VAA=IT R + VZ =VR + VZ (2) y para las tensiones:

Por lo tanto, si VAA y VZ permanecen constantes, VR debe de serlo tambin (VR = IT R). De esta forma la corriente total IT queda fijada a pesar de las variaciones de la corriente de carga. Esto lleva a la conclusin de que si IL aumenta, IZ disminuye y viceversa (debido a la ecuacin (1). En consecuencia VZ no permanecer absolutamente constante, variar muy poco debido a los cambios de IZ que se producen para compensar los cambios de IL. Si ahora lo que permanece constante es la corriente de carga y la fuente de tensin VAA vara, un aumento de sta produce un aumento de IT y por tanto de IZ pues IL permanece constante, y lo contrario si se produjera una disminucin de VAA. Tendramos lo mismo que antes, una tensin de salida prcticamente constante, las pequeas variaciones se produciran por las variaciones de IZ para compensar las variaciones de VAA. Diseo del Regulador Zener. Es importante conocer el intervalo de variacin de la tensin de entrada (VAA) y de la corriente de carga (IL) para disear el circuito regulador de manera apropiada. La

resistencia R debe ser escogida de tal forma que el diodo permanezca en el modo de tensin constante sobre el intervalo completo de variables. La ecuacin del nodo para el circuito regulador nos dice que:

Para asegurar que el diodo permanezca en la regin de tensin constante (ruptura), se examinan los dos extremos de las condiciones de entrada salida: 1. La corriente a travs del diodo IZ es mnima cuando la corriente de carga IL es mxima y la fuente de tensin VAA es mnima. 2. La corriente a travs del diodo IZ es mxima cuando la corriente de carga IL es mnima y la fuente de tensin VAA es mxima. Cuando estas caractersticas de los dos extremos se insertan en la ecuacin (3), se encuentra:

Igualando las ecuaciones (4) y (5) llegamos a que:

En un problema prctico, es razonable suponer que se conoce el intervalo de tensiones de entrada, el intervalo de corriente de salida y el valor de la tensin zener deseada. La ecuacin (6) representa por tanto una ecuacin con dos incgnitas, las corrientes zener mxima y mnima. Se encuentra una segunda ecuacin examinando la figura 5. Para evitar la porcin no constante de la curva caracterstica una regla prctica que constituye un criterio de diseo aceptable es escoger la mxima corriente zener 10 veces mayor que la mnima, es decir:

Criterio de seleccin de IZ mx. e IZ min La ecuacin (6) se podr entonces reescribir de la siguiente manera:

Resolviendo entonces para la mxima corriente zener, se obtiene:

Ahora que se tiene la mxima corriente zener, el valor de R se puede calcular de cualquiera de las ecuaciones (4) (5). No es suficiente con especificar el valor de R, tambin se debe seleccionar la resistencia apropiada capaz de manejar la potencia estimada. La mxima potencia vendr dada por el producto de la tensin por la corriente, utilizando el mximo de cada valor.

DIODO TUNEL
Es un diodo semiconductor que tiene una UNION presencia del tramo de resistencia negativa

PN, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a

permite su utilizacin como componente activo

una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica CORRIENTE-TENSION. La (amplificador/oscilador).

Este diodo fue inventado en 1958 por el fsico japons Leo Esaki, por lo cual recibi NOBEL en 1973. Descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de contaminacin del material bsico mucho ms elevado que lo habitual exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez ms rpido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera

EFECTO TUNEL
Los diodos de efecto tnel son dispositivos muy verstiles que pueden operar como detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una regin de juntura extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarizacin directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado. Estos dispositivos presentan una caracterstica de resistencia negativa; esto es, si aumenta la tensin aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una disminucin de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva caracterstica del diodo). Este fenmeno de resistencia negativa es til para aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales pueden generar una seal senoidal a partir de la energa que entrega la fuente de alimentacin. El efecto tnel es un fenmeno manoscopio por el que una partcula viola los principios de la mecnica clsica penetrando una barrera potencial o impedancia mayor que la energa cintica de la propia partcula. Una barrera, en trminos cunticos aplicados al efecto tnel, se trata de una cualidad del estado energtico de la materia anlogo a una "colina" o pendiente clsica, compuesta por crestas y flancos alternos, que sugiere que el camino ms corto de un mvil entre dos o ms flancos debe atravesar su correspondiente cresta intermedia si dicho objeto no dispone de energa mecnica suficiente como para imponerse con la salvedad de atravesarlo. A escala cuntica, los objetos exhiben un comportamiento ondular; en la teora cuntica, un cuanto movindose en direccin a una "colina" potencialmente energtica puede ser descrito por su funcin de onda, que representa la amplitud probable que tiene la partcula de ser encontrada en la posicin allende la estructura de la curva. Si esta funcin describe la posicin de la partcula perteneciente al flanco adyacente al que supuso su punto de partida, existe cierta probabilidades que se haya desplazado "a travs" de la estructura, en vez de superarla por la ruta convencional que atraviesa la cima energtica relativa.

DESCRIPCION DEL DIODO TUNEL

El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. Los diodos Tnel son generalmente fabricados en Germanio, pero tambin en silicio y arseniuro de galio.

La

presencia

del

tramo

de

resistencia

negativa

permite

su

utilizacin

como

componente

activo(amplificador/oscilador). Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin. Si durante su construccin a un diodo invertido se le aumenta el nivel de dopado, se puede lograr que su punto de ruptura ocurra muy cerca de los 0V. Los diodos construidos de esta manera, se conocen como diodos tnel. Estos dispositivos presentan una caracterstica de resistencia negativa; esto es, si aumenta la tensin aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una disminucin de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva caracterstica del diodo). Este fenmeno de resistencia negativa es til para aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales pueden generar una seal senoidal a partir de la energa que entrega la fuente de alimentacin. Estos diodos tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Schottky.

CURVA CARACTERISTICA DEL TUNEL

Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tnel empieza a conducir (la corriente empieza a fluir). Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto despus del cual la corriente disminuye. La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle" y despus volver a incrementarse. Esta ocasin la corriente continuar aumentando conforme aumenta la tensin. Los diodos tnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Schottky.

APLICACIONES
Este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de fuga muy grande cuando estn polarizados en reversa. As estos diodos slo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia.