ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DEL LITORAL

PROGRAMA DE ESTUDIOS

ELECTRNICA II

UNIDAD ACADMICA: CARRERA: ESPECIALIZACION:

Facultad de Ingeniera en Electricidad y Computacin

Ingeniera en Electricidad, Ingeniera en Telemtica, e Ingeniera en Electrnica y Telecomunicaciones. Electrnica y Automatizacin Industrial, y Telecomunicaciones

REA: TIP O DE MATERIA:

EJE DE FORMACIN:

Electrnica TERI CA
Profesional

X PRCTICA

1. NOMBRE DE LA ASIGNATURA
CDIGO: MATERIA: FIEC00190 ELECTRNICA II. PRE-REQUISITOS FIEC00075 Electrnica I. FIEC01784 Anlisis de Redes Elctricas II.

CO-REQUISITOS

EQUIVALENTE A:

CONVALIDA CON:

CRDITOS/HORAS/SEMANALES TERICOS: 4 PRCTICOS:

PROFESOR RESPONSABLE Ing. Csar Martn.

2. OBJETIVOS
Disear completamente un circuito amplificador usando FETS. Disear circuitos amplificadores multi-etapa considerando anchos de banda especficos y usando transistores BJT y FET. Ser capaz de entender y analizar circuitos amplificadores de potencia.
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PROGRAMA DE ESTUDIOS
Disear un circuito amplificador de potencia incluyendo consideraciones trmicas Entender el diseo y la aplicacin de circuitos amplificadores diferenciales. Entender y disear circuitos bsicos usando amplificadores operacionales.

3.

PROGRAMA RESUMIDO

Transistores de Efecto de Campo (FETs). Amplificadores de pequeas seales con FETs. Respuesta de frecuencia. Amplificadores de potencia. Amplificadores diferenciales. Amplificadores operacionales (OPAMPS).

4. PROGRAMA DETALLADO
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FETs). 1.1 Transistores de Efecto de Campo (JFET): estructura interna, tipos y polarizacin. 1.2 Transistores de Efecto de Campo (MOSFET de agotamiento): estructura interna, tipos y polarizacin. 1.3 Transistores de Efecto de Campo (MOSFET de crecimiento): estructura interna, tipos y polarizacin 1.4 MOSFETs discretos e integrados. AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL CON FETs 2.1 Circuitos equivalentes ir y T incluyendo resistencia de salida (ro) 2.2 Circuitos de fuente, compuerta y drenador comn. 2.3 Ganancias de voltaje (Av) y de corriente (Ai) 2.4 Impedancias de entrada (Zi) y de salida (Zo). 2.5 Diferencias en los modelos de los MOSFETs discreto e integrado. 3. AMPLIFICADORES MULTIETAPAS 3.1 Teorema de Miller 3.2 Conexiones: cascodo, Darlington, espejos de corriente. 3.3 Amplificadores Multietapas (BJT y FET)
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RESPUESTA DE FRECUENCIA DEL BJT Y DEL FET 4.1 Introduccin y conceptos bsicos 4.2 Respuesta en baja frecuencia. 4.3 Respuesta en alta frecuencia. AMPLIFICADORES DE POTENCIA. 5.1 Concepto de lnea de carga AC. 5.2 Amplificador Clase A. 5.3 Clase A con acoplamiento de transformador. 5.4 Amplificador Clase B. 5.5 Amplificador Clase AB. 5.6 Amplificadores de potencia integrados. 5.7 Disipacin de potencia y necesidad de disipadores. AMPLIFICADORES DIFERENCIALES. 6.1 Introduccin y conceptos bsicos. 6.2 El par diferencial del BJT y del MOSFET 6.3 Anlisis y caractersticas de entrada y de salida. 6.4 Anlisis DC de un amplificador diferencial. 6.5 Anlisis AC de un amplificador diferencial. 6.6 Relacin de rechazo en modo comn (CMRR). 6.7 Velocidad de respuesta. 6.8 Par diferencial con carga activa. AMPLIFICADORES OPERACIONALES (OPAMPS). 7.1 Caractersticas reales del Opamp 7.2 Efectos de la realimentacin negativa. 7.3 Amplificador integrador. 7.4 Amplificador sumador-integrador. 7.5 Amplificador diferenciador. 7.6 Amplificador sumador- diferenciador. fase, 7.7 Aplicacin: Amplificador de instrumentacin, desplazador de convertidores de voltaje a corriente (V-I) y de corriente a voltaje (I-V) 7.8 Convertidores analgico-digital y digital-analgico. 7.9 Amplificadores unipolares 7.10 Aplicaciones con el controlador proporcional integral derivativo (PID) 5. TEXTO GUA

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IG1002-1

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R. Boylestad, L. Nashelsky. Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electronicos. Pearson. 10ma edicin. 2009.

6. BIBLIOGRAFA
A. S. Sedra y K. C. Smith. Circuitos Microelectrnicos. MeGrawHill, Sta edicin. 2006. R. F. Coughlin, F. F. Driscoll, Amplificadores operacionales y circuitos integrados lineales. Prentice Hall, Sta edicin. 1999.

7.

VISADO
STA

DECANO

SECRETARIO ACADMICO FACULTAD

ESCUE

Ing. Adolfo al edo F ma FECHA: . -o

sedo G. firma

PERI

I POLITEC , f A DEL LM

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2

_ FECHA: 2 2 SUS 2u12 FECHA: 2 2 JUN 2012

2 JUN 2012 '

8. VIGENCIA DEL PROGRAMA

RESOLUCIN COMISIN ACADMICA:

CAc-2012-009

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