El DIODO

Materiales semiconductores

Semiconductores elementales:

Germanio (Ge) y Silicio (Si)

Son
Son materiales
materiales de
de conductividad
conductividad intermedia
intermedia entre
entre la
la
de
de los
los metales
metales yy la
la de
de los
los aislantes,
aislantes, que
que se
se modifica
modifica
en
en gran
gran medida
medida por por lala temperatura,
temperatura, lala excitación
excitación
óptica
ópticayylas
lasimpurezas.
impurezas.
 Materiales semiconductores

•Estructura atómica del Carbono (6 electrones)

1s2 2s2 2p2
•Estructura atómica del Silicio (14 electrones)
1s2 2s2 2p6 3s2 3p2

•Estructura atómica del Germanio (32 electrones)

1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2

44 electrones
electrones en
en la
la última
última capa
capa
 Materiales semiconductores
Reducción de la distancia interatómica del Carbono
Energía

- - 2p
- -
- - - - - - 2s
- -
- - 1s

Distancia interatómica

Diamante: Grafito:
Grafito:
Diamante:
Cúbico, Hexagonal,
Hexagonal,negro,
Cúbico,transparente,
transparente, negro,
duro blando
blandoyyconductor
duroyyaislante
aislante conductor
 Diagramas de bandas

Diagrama de bandas del Carbono: diamante

4 estados/átomo Banda de conducción

Energía

Banda prohibida
Eg=6eV

- - 4 electrones/átomo Banda de valencia

- -

AA temperatura
temperatura ambiente
ambiente casi
casi ningún
ningún electrón
electrón tiene
tiene esta
esta energía
energía
para
parasaltar
saltaraala
labanda
bandade
deconducción
conducciónyymoverse
moverseporporella.
ella.
Es
Esununaislante.
aislante.
 Diagramas de bandas

Diagrama de bandas del Carbono: grafito

4 estados/átomo Banda de
Energía

conducción

- -
- - Banda de
4 electrones/átomo valencia

No
No hay
hay banda
banda prohibida.
prohibida. Los
Los electrones
electrones de
de la
la banda
banda de
de
valencia
valenciatienen
tienenla
lamisma
mismaenergía
energíaquequelos
losestados
estadosvacíos
vacíos
de
dela
labanda
bandadedeconducción,
conducción,por porloloque
quepueden
puedenmoverse
moverse
generando
generando corriente
corriente eléctrica.
eléctrica. AA temperatura
temperatura ambiente
ambiente
es
esun
unbuen
buenconductor.
conductor.
 Diagramas de bandas
Diagrama de bandas del Ge

4 estados/átomo
Energía

Banda de conducción

Eg=0,67eV Banda prohibida

- - 4 electrones/átomo Banda de valencia

- -

AA temperatura
temperatura ambiente
ambiente algunos
algunos electrones
electrones tienen
tienen energía
energía
suficiente
suficiente para
para saltar
saltar aa la
la banda
banda de
de conducción
conducción yy moverse
moverse por
por ella
ella
generando
generandocorriente
corrienteeléctrica.
eléctrica. Es
Esun
unsemiconductor.
semiconductor.
 Diagramas de bandas

Banda de Banda de Banda de

conducción conducción conducción
Eg Eg

Banda de Banda de Banda de

valencia valencia valencia
Aislante Semiconductor Conductor
Eg=5-10eV Eg=0,5-2eV No hay Eg
AA 0ºK,
0ºK, tanto
tanto los
los aislantes
aislantes como
como loslos semiconductores
semiconductores no no
conducen,
conducen, yaya que
que ningún
ningún electrón
electrón tiene
tiene energía
energía suficiente
suficiente para
para
pasar
pasar de
de la
la banda
banda de de valencia
valencia aa la
la de
de conducción.
conducción. AA 300ºK,
300ºK,
algunos
algunoselectrones
electronesde delos
lossemiconductores
semiconductoresalcanzan
alcanzaneste
estenivel.
nivel.Al
Al
aumentar
aumentar la la temperatura
temperatura aumenta
aumenta la la conducción
conducción en en los
los
semiconductores
semiconductores(al (alcontrario
contrarioque
queen
enlos
losmetales).
metales).
 SEMICONDUCTORE INTRÍNSECO
Representación plana del Germanio a 0º K
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -

No
No hay
hay enlaces
enlaces covalentes
covalentes rotos.
rotos. Esto
Esto equivale
equivale aa
que
que los
los electrones
electrones de
de la
la banda
banda dede valencia
valencia no
no
pueden
puedensaltar
saltaraala
labanda
bandadedeconducción.
conducción.
 Situación del Ge a 300ºK
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - - -
- - - -
-
Ge -
-
Ge
+ -
-
Ge -
-
Ge
-
- - - -
•Hay
•Hay 11 enlace
enlace roto
roto por
por cada 1,7·1099 átomos.
cada 1,7·10 átomos.
•Un
•Un electrón
electrón “libre”
“libre” yy una
una carga
carga “+”
“+” por
por cada
cada
enlace
enlace roto.
roto.
 Situación del Ge a 300º K -
- - - -
- - - - +
-
Ge - Ge - Ge - Ge
Recombinación
- - - - - -
- -
Generación - -
-
Ge -
-
Ge
+ -
-
Ge -
-
Ge
+ - Onda
EM
- - - -

Siempre
Siempre se se están
están rompiendo
rompiendo (generación)
(generación) yy
reconstruyendo
reconstruyendo (recombinación)
(recombinación) enlaces.
enlaces. La
La vida
vida media
media
de
deun
unelectrón
electrónpuede
puedeser
serdel
delorden
orden100us
100us
 Aplicación de un campo externo
- - - - -

- -
Ge -
-
Ge -
-
Ge -
-
Ge
-

- - - - - -- - --
-
- - - -
- - + - - -
- Ge - Ge - Ge - Ge
- - -
-
-

- •El
- +
•Elelectrón
electrónlibre
librese
semueve
muevepor
poracción
accióndel
delcampo.
campo.
•¿Y
•¿Ylalacarga
carga”+”
”+”?.
?.
 SEMICONDUCTORE INTRÍNSECO

Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados

“Semiconductores Intrínsecos”, en los que:
•No hay ninguna impureza en la red cristalina.
•Hay igual número de electrones que de huecos n = p = ni

Ge: ni = 2·1013 portadores/cm3

Si: ni = 1010 portadores/cm3
AsGa: ni = 2·106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)

¿Pueden
¿Puedenmodificarse
modificarseestos
estosvalores?
valores?
¿Puede
¿Puededesequilibrarse
desequilibrarseel
elnúmero
númerodedeelectrones
electronesyyde
de
huecos?
huecos?
La
Larespuesta
respuestason losSemiconductores
sonlos Semiconductores Extrínsecos
Extrínsecos
 Semiconductores Extrínsecos
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo V
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
- 1
- - 5 - 0ºK -
2
-
- - - - -
Ge Sb
- Ge - Ge
- 4
3
- - -
Tiene 5 electrones en la AA0ºK,
0ºK,habría
habríaun
unelectrón
electrón
última capa adicional
adicionalligado
ligadoal
alátomo
átomode deSb
Sb
 Semiconductores Extrínsecos

- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - 5 - -
1
- 300ºK
0ºK
-
- - 5 - -
2
-
- - - - -
Ge Sb
- Ge - Ge
- Sb+ - 4
-
3 -
AA 300ºK,
300ºK, todos
todos electrones
electrones adicionales
adicionales dede los
los átomos
átomos de
de Sb
Sb están
están
desligados
desligados de de su
su átomo
átomo (pueden
(pueden desplazarse
desplazarse yy originar
originar corriente
corriente
eléctrica).
eléctrica). El
El Sb
Sb es un donador
es un donador yy en
en el
el Ge
Ge hay
hay más
más electrones
electrones que
que
huecos.
huecos.EsEsun semiconductortipo
unsemiconductor tipoN.
N.
 Semiconductores Extrínsecos

Interpretación en diagrama de bandas de un

semiconductor extrínseco Tipo N

3
4 est./atm. 300ºK
0ºK
Energía

- 1
0 electr./atm.
-
+ -
ESb=0,039eV Eg=0,67eV
- -
- - 4 electr./atm.

El
El Sb
Sb genera
genera un un estado
estado permitido
permitido en
en la
la banda
banda prohibida,
prohibida, muy
muy
cerca
cerca de
de lala banda
banda de
de conducción.
conducción. LaLa energía
energía necesaria
necesaria para
para
alcanzar
alcanzar la
la banda
banda dede conducción
conducción se
se consigue
consigue aa la
la temperatura
temperatura
ambiente.
ambiente.
 Semiconductores Extrínsecos
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo III
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
- - 1 - 0ºK -
2
-
- - - - -
Ge Al Ge - Ge
- - - -
3

Tiene 3 electrones en la A
A 0ºK,
0ºK, habría
habría una
una “falta
“falta de
de
última capa electrón”->
electrón”-> HUECO
HUECO
 Semiconductores Extrínsecos
- - - -
- - - - -
Ge - Ge -+ Ge - Ge
- - - 300ºK
0ºK -
- - 1 - -
2
-
- - - - -
Ge Al Ge - Ge
Al-
-
- - 4 (extra) -
3 -

El
El Al
Al es
es un
un aceptador
aceptador yy en
en el
el Ge
Ge hay
hay más
más huecos
huecos que
que
electrones.
electrones.EsEsun
un semiconductor
semiconductor tipo
tipoP.
P.
 Semiconductores Extrínsecos
Interpretación en diagrama de bandas de un
semiconductor extrínseco Tipo P

300ºK
0ºK
Energía
4 est./atom.

EAl=0,067eV Eg=0,67eV
-
+- - 43 electr./atom.
- - 01 huecos/atom.
hueco/atom.

El
ElAl
Algenera
generaun
unestado
estadopermitido
permitidoen
enlalabanda
bandaprohibida,
prohibida,muy
muycerca
cercadede
la
la banda
banda de
de valencia.
valencia. La
La energía
energía necesaria
necesaria para
para que
que un
un electrón
electrón
alcance
alcanceeste
esteestado
estadopermitido
permitidoseseconsigue
consigueaala latemperatura
temperaturaambiente,
ambiente,
generando
generandoununhueco
huecoenenlalabanda
bandadedevalencia.
valencia.
 Resumen

Semiconductores intrínsecos:
•Igual número de huecos y de electrones
Semiconductores extrínsecos:
Tipo P:
•Más huecos (mayoritarios) que electrones (minoritarios)
•Impurezas del grupo III (aceptador)
•Todos los átomos de aceptador ionizados “-”.
Tipo N:
•Más electrones (mayoritarios) que huecos (minoritarios)
•Impurezas del grupo V (donador)
•Todos los átomos de donador ionizados “+”.
 Unión PN

Germanio tipo P Germanio tipo N

+ + + - - -
Al- Al- + Al- Al- Sb+ Sb+ - Sb+ - Sb+
- + + +
- - - +
Al- Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+
+ +

••Ambos
Ambossonsonneutros
neutros
••Compensación
Compensaciónde de
Barrera que impide la difusión cargas
cargaseeiones
iones

¿Qué
¿Qué pasaría
pasaría si
si no
no existiera
existiera la
la
barrera
barrera que
que impide
impide la
la difusión?
difusión? ATE-UO PN 02
 Unión PN

Germanio tipo P Germanio tipo N

++ -- - -
+ + +
-
Al- Al- + Al- Al- Sb+ Sb+ - Sb+ - Sb+
++
-- -
- + + + - - +
Al- Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+
+ +

Se produce difusión de huecos de la zona P hacia la zona

N y de electrones de la zona N hacia la zona P.

¿Se
¿Se va
va aa producir
producir una
una difusión
difusión
completa
completa dede huecos
huecos yy electrones?
electrones?
 Unión PN
¿Se va a producir una difusión completa de huecos y
electrones?

Germanio “antes” tipo P Germanio “antes”tipo N

+ - - -
- +
Al- Al- Al- Al- + Sb+ Sb+ + Sb+ Sb+
-
- - +
Al-
-
Al- Al- Al- - Sb+ + Sb+ - Sb+ + Sb+
+ + +

Zona P no neutra, sino Zona N no neutra, sino

cargada negativamente cargada positivamente

¿Es
¿Es esta
esta situación
situación la
la situación
situación final?
final?
NO
NO
 Unión PN

Germanio tipo P Germanio tipo N

+ + ++ - - - -
Al- Al- + Al- Al- Sb+ Sb+ - Sb+ - Sb+
- + + ++
- - - - +
Al- Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+
+ +

- → +
Ε
Aparece
Aparece un
un campo
campo eléctrico
eléctrico en
en la
la zona
zona de
de
contacto
contacto (unión
(unión metalúrgica)
metalúrgica) de
de las
las zonas
zonas
 Unión PN

Germanio tipo P Germanio tipo N

+ -+ - - -
+
Al Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+ Sb+

Al- Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+

+

- → +
Ε
Por campo eléctrico
Por difusión
El
Elcampo
campoeléctrico
eléctricolimita
limitael
elproceso
procesode
dedifusión
difusión
 Zonas de la unión PN

+ -
+
Al- Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+ -
+ -
+
-
Al- Al- Al- Al- Sb+ Sb+ - Sb+ Sb+
+ +
Zona P NEUTRA - → + Zona N NEUTRA

Ε
(huecos compensados (electrones compensados
con “iones -”) con “iones +”)

Zona
Zona de
de Transición
Transición
Existe
Existe carga
cargaespacial
espacial yyno
noexisten
existencasi
casi
portadores
portadoresde
decarga
carga
 Zonas de la unión PN
Unión
Uniónmetalúrgica
metalúrgica

Zona P + - Zona N
(neutra) (neutra)
Muchos
Muchoshuecos,
pero
huecos,
peroneutra
- → + Muchos
Muchoselectrones,
pero
electrones,
neutra
Ε
neutra pero neutra

VO

Zona
Zona de
de Transición
Transición (no
(no neutra)
neutra) →
Existe
Existe carga
cargaespacial
espacial (que
(quegenera
generacampo eléctrico,Ε,
campoeléctrico, Ε,yy
diferencia
diferenciade
depotencial
potencialeléctrico,
eléctrico,VVOO))yy no
noexisten
existencasi
casi
portadores
portadoresde
decarga.
carga.
 Polarización inversa

Baja resistividad: Baja resistividad:

VP=0 VN=0

+-
P - + N
- +
V
iO ≈ 0
U

- +
V
El campo eléctrico impide la difusión de mayoritarios
La zona de transición crece haciendose menos conductora
La corriente circulante IO se debe a portadores minoritarios
IO depende mucho de la temperatura (se duplica con cada incremento de 10ºC)
 Polarización directa

Baja resistividad: Baja resistividad:

VP=0 VN=0

+-
P
+ - N
- +
V U
i≠0
+ -
V

•El campo exterior favorece la difusión de mayoritarios

•La zona de transición se hace más estrecha
•La corriente de minoritarios es prácticamente despreciable
 El Diodo A K

A
i
+ P i [mA]
1
V N

K Ge Si
-
V [Volt.]
0
-0.25 0.25 0.5

IS = Corriente Saturación Inversa

K = Cte. Boltzman
⎛ VKD⋅T⋅q ⎞ VD = Tensión diodo
I D = I S ⋅ ⎜⎜ e − 1⎟⎟ q = carga del electrón
⎝ ⎠ T = temperatura (ºK)
ID = Corriente diodo
 DIODO REAL (Distintas escalas)
Ge: mejor en conducción
Si: mejor en bloqueo i [mA]
i [mA] 30
Ge
1 Si
Ge Si

V [Volt.] V [Volt.]

-0.25 0 -4 0 1
0.25 0.5

i [μA] i [pA]
V [Volt.] V [Volt.]
-0.5 0 0
-0.5

Si
Ge -0.8 -10
 DIODO: distintas aproximaciones

I I I
Solo tensión
Ideal de codo Tensión de codo y
Ge = 0.3 Resistencia directa
Si = 0.6
V V V

I I
Curva real
Corriente de fugas con (simuladores,
Tensión de codo y análisis
Resistencia directa gráfico)

V V
 DIODO: distintas aproximaciones

¿Existe un modelo eléctrico sencillo del diodo?

Linealización de las características
id id

ΔVd
Δid rd =
Δid
ΔVd
VR VR
V Vd V Vd
α α

V
VR

rd

directa inversa
 DIODO: limitaciones

Diodo ideal Corriente máxima

I
Tensión inversa
Límite térmico
máxima

Ruptura de la Unión
por avalancha Corto-
circuito

Circuito
abierto

600 V/6000 A 1000 V /1 A

200 V /60 A
 DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes

id

IOmax

VR = 1000V Tensión inversa máxima

IOMAX (AV)= 1A Corriente directa máxima VR
VF = 1V Caída de Tensión directa
IR = 50 nA Corriente inversa iS Vd

NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener
VR = 100V Tensión inversa máxima las hojas de características de un
IOMAX (AV)= 150mA Corriente directa máxima
diodo (p.e. 1N4007). Normalmente
VF = 1V Caída de Tensión directa
IR = 25 nA Corriente inversa
aparecerán varios fabricantes para el
mismo componente.
 Capacidades parásitas: capacidad de transición

Unión PN Condensador

Con V Con V Con V + ΔV

P - + N
+ + + +++++
Con V + ΔV - - - -----
P - + N

Condensador:
Condensador:nuevas
nuevascargas
cargasaala
lamisma
mismadistancia
distancia(C=cte.)
(C=cte.)
Unión
UniónPN:
PN:nuevas
nuevascargas
cargasaadistinta
distintadistancia (C≠≠cte.)
distancia(C cte.)
 Capacidades parásitas: capacidad de transición

Ctrans
100pF

30pF

0 V
Es
Esuna
unafunción
funcióndeldel
tipo -1/2
tipoK·(V
K·(VOO-V)
-V)-1/2

Disminuye al aumentar la tensión inversa aplicada.

Las cargas se alejan más unas de otras
 Capacidades parásitas: capacidad de transición

Los diodos varicap o varactores son diodos que se utilizan como

condensadores variables controlados por por tensión.
•Se basan en la capacidad de transición de una unión PN polarizada
inversamente.
•Se utilizan frecuentemente en electrónica de comunicaciones para realizar
moduladores de frecuencia, osciladores controlados por tensión, control
automático de sintonía, etc.

Símbolo Se usa polarizado

Muy inversamente
importante
 Diodo Varicap (Varicap , Varactor
or Tuning diode)

P La unión PN polarizada inversamente puede

-
N
-

-
-

-
+

+
+

+
+ asimilarse a un condensador de placas
planas (zona de transición).
- - + +

- - + +
Esta capacidad se llama Capacidad de
Transición (CT).

Dieléctrico Notar, que al aumentar la tensión inversa

aumenta la zona de transición. Un efecto
parecido al de separar las placas de un
condensador (CT disminuye).

Tenemos pues una capacidad dependiente de

CT la tensión inversa.

30 pF Un diodo Varicap tiene calibrada y

d caracterizada esta capacidad.

VI Uso en equipos de comunicaciones (p.e.

Control automático de frecuencia en
10 V sintonizadores)
 Capacidades parásitas: capacidad de difusión

dominante con polarización directa

La capacidad de difusión.
Esta capacidad está ligada a la concentración de minoritarios en
los bordes externos de la zona de transición.

Al incrementar la tensión tiene que producirse un aumento de

concentración de minoritarios, que tarda tiempo en producirse,
lo que se asocia a la llamada capacidad de difusión
 Tiempos de conmutación

Transición de “a” a “b” (apagado), en una escala

detallada (μs o ns).

R
i
a b i V1/R
+
V2 trr t
V1 V
- ts
ts = tiempo de almacenamiento -V2/R tf (i= -0,1·V2/R)
(storage time )
tf = tiempo de caída (fall time ) V
trr = tiempo de recuperación
t
inversa (reverse recovery time )

-V2
 DIODOS ESPECIALES

Diodo Zener (Zener diode)

La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).

En la zona Zener se comporta

Tensión I como una fuente de tensión
Zener (Tensión Zener).
(VZ)
Necesitamos, un límite de
corriente inversa.

V Podemos añadir al modelo

lineal la resistencia Zener.

Aplicaciones en pequeñas
Límite máximo
fuentes de tensión y
referencias.
Normalmente, límite
de potencia máxima
 Diodos zener

Fenómeno de avalancha o zener.

Avalancha: la ruptura de los enlaces se produce por el choque de los
portadores minoritarios contra los átomos del cristal. Los portadores son
acelerados por el campo externo aplicado.
Zener: Se consigue dopando más uno de los semiconductores para provocar
un elevado gradiente de campo eléctrico en la zona de transición, y éste es
el causante de la ruptura de los enlaces.

Diferencias:
•Coeficiente de temperatura positivo en el caso de la ruptura por
avalancha y negativo en el caso ruptura zener.
¿Cuándo se produce cada una?
•Para el Si: si la tensión a la que se produce la ruptura es menor de 4,5
voltios, la ruptura es tipo zener; si es mayor que 9 voltios, es tipo
avalancha; a tensiones entre 4,5 y 9 voltios es mixta.
•Para el Ge: lo mismo pero con 2,7 y 5,4 voltios.
 Diodos zener
i
i
+ pend.=1/rd
V
- VZ
V
0
pend.=1/rZ
Vγ
A
VZ
ideal
A
Circuito equivalente rZ
asintótico rd
ideal
K Vγ
K
 Diodos zener

Circuito estabilizador con zener

i
RS R1 + i
V
- VZ
+ V
VB VRL 0
RL
-
Queremos que
Fuente de VRL sea constante
tensión real

Si se diseña para que el punto de trabajo del zener

esté en la zona de ruptura (zona zener),
 Diodo LED (LED diode)
Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con

la unión PN polarizada directamente emiten fotones (luz) de
una cierta longitud de onda. (p.e. Luz roja)

A K
Diodo LED (LED diode)

Materiales:
GaAs Infrarrojo
ALInGap Rojo
GaP Verde
SiC Azul
GaN Ultravioleta
 Fotodiodos (Photodiode)

Los diodos basados en compuestos III-V, presentan

una corriente de fugas proporcional a la luz incidente
(siendo sensibles a una determinada longitud de
onda).

Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante. Siendo

i su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotómetros)
V Comunicaciones

0
COMENTARIO
iopt Los diodos normales presentan variaciones en la corriente
de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser
usados como sensores térmicos

i
El modelo puede ser una fuente de
corriente dependiente de la luz o de I = f(T) V
la temperatura según el caso
T1 0
T2>T1
 Células solares (Solar Cell)
Efecto fotovoltaico
Luz (Eluz = h·ν)
i
+ P i sin luz ¡¡Ojo!! la variación
V N de temperatura no
genera operación en
- el tercer cuadrante
v
GL=0
GL1 i T2
GL2

GL3 T1

Comportamiento Comportamiento V
como fotodiodo como célula
fotovoltaica o
célula solar
 Células solares (Solar Cell)
Cuando incide luz en una unión PN, la
característica del diodo se desplaza hacia el 4º
cuadrante.

i En este caso, el dispositivo puede usarse como

generador.

VCA V

Zona
uso
iCC

Paneles de células
solares
 Diodo Schottky (Schottky diode)

Unión Metal-semiconductor N. Produciéndose el llamado efecto

schottky.

La zona N debe estar poco dopada.

Dispositivos muy rápidos (capacidades asociadas muy bajas).

Corriente de fugas significativamente mayor.

Menores tensiones de ruptura.

Caídas directas mas bajas (tensión de codo ≅ 0.2 V).

Aplicaciones en Electrónica Digital y en Electrónica de Potencia

El efecto Schottky fue predicho teóricamente

en 1938 por Walter H. Schottky
 Diodo tunel y diodo GUNN
(Gunn diode and Tunnel diode)

Tienen dopadas mucho las dos zonas del diodo (105

veces mayor).

Zona de resistencia Aparece un efecto nuevo conocido como efecto túnel.

ID negativa. (Descubierto por Leo Esaki en 1958).
Efecto Túnel
Un efecto parecido (GUNN) se produce en una cavidad
tipo N de Ga As.

El diodo GUNN fue descubierto por Ian Gunn en 1962.

Los efectos se traducen en una zona de resistencia

VD negativa en la característica directa del diodo.

Esta zona se aprovecha para hacer osciladores de

Diodo GUNN microondas.

(El diodo GUNN aparece en el oscilador local del receptor

del radar. Está presente en todos los radares marinos
actuales).
 ASOCIACIÓN DE DIODOS

Puente rectificador
Diodo de alta tensión Monofásico +
(Diodos en serie)

-
Trifásico
+

DISPLAY
-
 APLICACIONES DE DIODOS

Detectores reflexión de objeto

Detectores de barrera
Detectores reflexión de espejo
 APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotómetros

Sensor de lluvia en vehículos
Detectores de humo
Sensor de Color

Objetivo

LED azul

LED verde LED

LED rojo Fotodiodo
 COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS

Los diodos (y el resto de dispositivos electrónicos) son dispositivos

no lineales.

¡Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposición!

¡Cuidado, no se puede aplicar el análisis con complejos

VE VS
EJEMPLO TÍPICO: +
RECTIFICADOR VS
t VE
- t

VMAX ID
VE R

t
− VMAX VD
 COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS
Si POLARIZAMOS en una zona de funcionamiento, podremos aplicar el principio de
superposición y sustituir el dispositivo por un equivalente lineal.

¡¡¡ AQUÍ SI, PODEMOS CONSIDERARLO UN ELEMENTO LINEAL!!

VE VS
+
VAC
VCC
VS
VCC -
t t
Hablaremos de:
VE ID Equivalente
Circuito de polarización del diodo
(Circuito de continua)
y de:
Circuito alterna

t VD
 RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO

CIRCUITO
LINEAL ID
RTH +

VTH VD

-
I
VTH Característica
del diodo
RTH
ID
Característica del
PUNTO DE circuito lineal
FUNCIONAMIENTO (RECTA DE CARGA)

VD VTH V
 DIODOS: Propuesta para el alumno

Búsqueda en la web: Con ayuda de un buscador(Google o similar), se sugiere obtener y consultar hojas
de características (Datasheet) de diodos comerciales. Familiarizarse con los parámetros
característicos de los dispositivos, tensión y corriente máximas, ...

Es normal encontrar para cada referencia de componente, fabricantes distintos. Toda la información
está siempre en Ingles.

A continuación se sugieren algunas referencias para la búsqueda. No obstante, con el término ingles
(diode, Zener diode, tunnel diode, etc) aparecen muchísimas referencias, catálogos completos, guías de
selección, etc.

1N4007 Diodo de Silicio

1N4148 Diodo de Silicio rápido (FAST)
OA91 Diodo de Germanio
HLMPD150 Diodo LED
BZX79C15 Diodo Zener
10MQ040N Diodo Schottky
OK60 Panel Solar
BB152 Diodo Varicap
MG1007-15 Diodo GUNN
AI201K Diodo Tunel
BPW21R Fotodiodo
 TRANSISTORES (Panorámica)

NPN
BIPOLARES
PNP

TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)

UNIÓN
CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDO- CANAL N (MOSFET-N)
SEMICONDUCTOR
CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

 TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor)

Base En principio un transistor bipolar está formado por

dos uniones PN.
(B)
Emisor
Colector Para que sea un transistor y no dos diodos deben
(E)
(C) N P N de cumplirse dos condiciones.

1.- La zona de Base debe ser muy estrecha y poco

C E dopada (Fundamental para que sea transistor).

SÍMBOLO 2.- El emisor debe de estar muy dopado.

B
Normalmente, el colector está muy poco dopado y
C es mucho mayor.

¡¡¡ IMPORTANTE !!!

N- No es un dispositivo simétrico

P N+
Descubiertos por
B E Shockley, Brattain
ASPECTO MAS REAL DE UN y Barden en 1947
TRANSISTOR BIPOLAR (Laboratorios Bell)
 Transistor “mal hecho” (con base ancha)

VEB=0.3 VBC
IE E IB B C
IC
P+ N- P

WB>>LP
Circuito equivalente
VEB VBC con Base ancha.

Los portadores de la zona de E (huecos) no alcanzan

el colector ya que se recombinan en la zona de base
IE=-IB -IC=ICO
Lp: Longitud de difusión es la distancia media recorrida
E B C
por un portador antes de recombinarse
 Transistor “bien hecho” (con base ancha)

VEB B VBC
E P+ N- P C

Emisor (P) Colector (P) Reducimos el ancho de la base:

WB<<LP

B (N) Los portadores procedentes del emisor

se ven atraídos por el campo eléctrico y
VEB VBC llegan al colector. Solo una pequeña parte
se recombina en la zona de base.
 Tipos de Transistores
IC
Emisor Colector C Colector
e c Base B
VCE
p n p IB

E Emisor
PNP
b Base
Transistor PNP
Emisor Colector
e c
n p n

b Base

Transistor NPN Polarizamos las uniones:

•Emisor-Base, directamente

•Base-Colector, inversamente
 CARACTERÍSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN

En principio necesitamos conocer 3

IB = f(VBE, VCE) Característica de entrada tensiones y 3 corrientes:
IC
IC, IB, IE
+ +
VCB
VCE, VBE, VCB
IB - VCE En la práctica basta con conocer solo
+
2 corrientes y dos tensiones.
VBE
IE
- Normalmente se trabaja con IC, IB,
- VCE y VBE.

Por supuesto las otras dos pueden

obtenerse fácilmente:

IC = f(VCE, IB) Característica de salida IE = I C + I B

VCB = VCE - VBE

 Configuración en Emisor Común

RC IC
C
VBE, VCE,IC y IB RB
B VCC
VCE VCE
VBE VBB
E IB

Emisor Común

RC IC

- VBE, - VCE,- IC y - IB RB
VCC
VCE
VBB
IB
 Configuración en Emisor Común

IB = f(VBE, VCE) IC = f(VCE, IB)

Característica de entrada Característica de salida

Activa Avalancha
Secundaria
IC
IB
IB6
I
VCE = 0 VCE1 VCE2 CMax

IB5

Saturación IB4 PMax = VCEIC

IB3
Avalancha
IB2 Primaria

IB1

VBE
IB= 0

1V VCEMax VCE

Corte
 Factor de amplificación de corriente “α”

IE -IC
Partimos de : E C
-IC ≈ α·IE y IE = -IB -IC
Eliminando IE queda: VEB -I VBC
B B

IC ≈ IB·α/(1-α)
Definimos β:
Los fabricantes usan el
β = α/(1-α) término hFE en vez de β.
Luego:
βmax
IC ≈ β·IB
β
Típicamente: βmin βtípica
β = 50-200 IC
 Resumen

Zona Activa Zona de Corte Zona de Saturación

-IC -IC -IC

R R R
VCB + VCB + VCB +
P P P
-IB - -IB - -IB -
N N N
P P P
VEB VBE VEB
IE V1 IE V1 IE V1

VCB < 0
IC ≈ 0, IE ≈ 0 VCB > 0 (VCE ≈ 0)
-IC ≈ α·IE y -IB ≈ (1-α)·IE
y IB ≈ 0 -IC ≈ V1/R
-IC ≈ -β·IB y IE ≈ -(1+β)·IB
 Resumen

Zonas de trabajo
Referencias normalizadas Curvas de salida
IC IC [mA]
IB C
+ IB=-400μA
+ VCE -40
B
IB=-300μA
VBE -
- E IB=-200μA
-20
IB=-100μA
Saturación
IB=0μA VCE [V]
0 -2 -4 -6
Zona Activa
Corte
 Análisis gráfico en emisor común

-IC -IC [mA]

-IB=400μA
R=200Ω 40
-IB=300μA
-
-IB -IB=200μA
-VCE 20
-IB=100μA
V1 +
IB=0μA -VCE [V]
V2=6V
0 2 4 6
-IB = 0 ⇒ -IC ≈ 0 ⇒ -VCE ≈ 6V ⇒ Corte Recta de carga
-IB = 100μA ⇒ -IC ≈ 10mA ⇒ -VCE ≈ 4V ⇒ Zona activa
-IB = 200μA ⇒ -IC ≈ 20mA ⇒ -VCE ≈ 2V ⇒ Zona activa
-IB = 300μA ⇒ -IC ≈ 30mA ⇒ -VCE ≈ 0,4V ⇒ Saturación
-IB = 400μA ⇒ -IC ≈ 30mA ⇒ -VCE ≈ 0,4V ⇒ Saturación
 Análisis gráfico en emisor común

IC Saturación

a
tiv Esta representación justifica
Ac
en término “saturación”.
Z.

Corte IB

Determinación
Determinacióndeldelestado
estadoen
enzona
zona
activa
activa ooen
ensaturación
saturaciónen
encircuitos
circuitos

Zona Activa: IICC ≈≈ IIBB·β

Zona Activa: ·βFF
Saturación:
Saturación: IICC<< IIBB·β
·βFF
 Resumen con transistores NPN

IC IC NPN, IC
NPN, z. NPN,
saturación
activa corte
R R R
VCB + VCB + VCB +
N N N
IB - IB - IB -
P P P
N N N
VBE -IE VEB -IE VBE -IE
V1 V1 V1

VCB > 0 IC ≈ 0, IE ≈ 0 VCB < 0 (VCE ≈ 0)

IC ≈ α·(-IE)
y IB ≈ 0 IC ≈ V1/R
IC ≈ β·IB
 Curvas características en emisor común en un
transistor NPN

Referencias IC
normalizadas + IB[μA] VCE=5V
C
IB 100 VCE=0
+ VCE
B Curvas de
VBE VCE=10V
- E - entrada
VBE[V]

IC [mA] 0 0,6
IB= 400μA
40
IB= 300μA
IB= 200μA Curvas de
20 salida
IB= 100μA
Todas las magnitudes
IB=0μA VCE [V] importantes son positivas
0 2 4 6
 Algunos transistores y fabricantes más comunes.

VCE = 1500
IC = 8
HFE = 20 TOSHIBA
 USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor

12 V
12 V 36 W
36 W 3A
3A I
12 V
12 V
I β = 100
40 mA

IC
Sustituimos el interruptor principal por
un transistor.
4A IB = 40 mA
La corriente de base debe ser suficiente
para asegurar la zona de saturación. PF (ON) 3 A ON

Ventajas: OFF
No desgaste, sin chispas, rapidez,
permite control desde sistema lógico.
12 V VCE
Electrónica de Potencia y Electrónica PF (OFF)
digital
 USOS DEL TRANSISTOR NPN:
Como fuente de corriente (amplificador)

+
RB UC RC
-
12 V
IC PF ELECTRÓNICA
UE ANALÓGICA
β = 100
IB

UC UBIAS
UE 12
En RC (p.e. altavoz) obtenemos una copia de UE (p.e.
UBIAS música).

Notar la presencia de un indeseable nivel de continua.

Necesitamos polarizar el transistor para que siempre

Podremos aplicar el principio de se comporte como una fuente de corriente
superposición y linealizar el transistor dependiente: IC = f(IB)
entorno a su punto de funcionamiento.

Hablaremos de circuito de continua

(polarización) y de circuito de alterna.
 USOS DEL TRANSISTOR NPN:
Saturación como amplificador

+
RB UC RC
-
12 V
IC PF
UE
β = 100
IB
UBIAS

UC El transistor se sale de la zona de fuente de

UE 12 corriente. Las tensiones del circuito no
pueden sobrepasar las de alimentación.
UBIAS
Decimos que el amplificador se satura (y
distorsiona).
 TRANSISTORES: Propuesta para el alumno

Búsqueda en la web: Con ayuda de un buscador(Google o similar), se sugiere obtener y

consultar hojas de características (Datasheet) de transistores comerciales.
Familiarizarse con los parámetros característicos de los dispositivos, tensión y
corriente máximas, ...

Reproducir los circuitos previos (transistor como interruptor y fuente de corriente)

para un transistor PNP
IC
Identificar los sentidos reales de la corriente C

¿Que transistor es más rápido NPN o PNP?, ¿por qué? ICMAX B

E
IC-MAX Corriente máxima de colector PMAX
VCE-MAX Tensión máxima CE
SOAR
PMAX Potencia máxima VCE-MAX

VCE-SAT Tensión C.E. de saturación

VCE
HFE ≅ β Ganancia Área de operación segura
(Safety Operation Area)
 FOTOTRANSISTOR (Phototransistor)

La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de

base desempeñan el papel de corriente de base

C El terminal de Base, puede estar presente o no.

No confundir con un fotodiodo.

E
FOTOTRANSISTOR (Phototransistor)
 ASOCIACIÓN DE TRANSISTORES

OPTOACOPLADOR

Conjunto fotodiodo + fototransistor

OBJETIVO:

Proporcionar aislamiento
galvánico y protección eléctrica.

Detección de obstáculos.
APLICACIÓN TÍPICA DE LOS OPTOACOPLADORES:
"Encoder" óptico para medida de velocidad y posicionado
 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
(FET - Field Effect Transistor)

CANAL N (JFET-N)
UNIÓN
CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDO- CANAL N (MOSFET-N)
SEMICONDUCTOR
CANAL P (MOSFET-P)

Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patentó el concepto de "Field Effect Transistor".

20 años antes que en los laboratorio Bell fabricaran el primer transistor bipolar.
 JFET de canal N (JFET - Junction Field Effect Transistor)

Notar que es un dispositivo simétrico (D y S son intercambiables)

D

CANAL Drenador
D (Drain)

D
N-
Puerta
G (Gate) G P+ P+ G

S
Otros símbolos S Fuente SÍMBOLO
S
D (Source)
G D G

canal N S canal P S
 Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unión, JFET

P+
(D)
(S) N-
P+ V1
(G)

Según aumenta la tensión drenador-fuente, aumenta la resistencia

del canal, ya que aumenta la zona de transición, que es una zona
de pocos portadores
 Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unión, JFET

ID Evolución si la resistencia
D no cambiara con la tensión.
G +
VDS
- ID
S

VDS
Evolución real en un JFET V1 V2
(la resistencia cambia con
la tensión aplicada).
 Resumen del principio de funcionamiento
de los JFET cuando VGS = 0

VDS=0 Comportamiento
resistivo Comportamiento como
ID
fuente de corriente
VDS=V1

VDS=V2

VDS=VPO VDS

V1 V2 VPO V3 V4
VDS=V3
EL CANAL SE VA ESTRANGULANDO
(DISMINUYENDO SECCIÓN) HASTA
VDS=V4 DESAPARECER
 Curvas características de un JFET (canal N)

Referencias ID •Curvas de salida

normalizadas
D ID [mA]
+ VGS = 0V
G 4
+ VDS
- VGS = -0,5V
VGS S
- 2 VGS = -1V
VGS = -1,5V
VGS = -2V VDS [V]
0 2 4 6

Contracción del canal

SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIÓN DE PUERTA

(UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE.
PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIÓN.
 Análisis gráfico de un JFET en fuente común

ID [mA]
ID VGS = 0V
2,5KΩ 4
VGS = -0,5V
D
+ 2 VGS = -1V
G
+ VDS 10V VGS = -1,5V
-
VGS S
VGS = -2V
- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS = -2,5V
VGS = 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V > -2,5V

Comportamiento resistivo

Comportamiento como fuente de corriente

Comportamiento como circuito abierto

 Comparación entre transistores bipolares y JFET

IC ID
R R
IB C (N) D
B (P) IG ≈ 0 G (P)
N V2
+ V2 +
V1
VBE E (N) VGS S
V1 - -

•En ambos casos, las tensiones de entrada (VBE y VGS) determinan las corrientes de
salida (IC e ID).

•En zona de comportamiento como fuente de corriente, es útil relacionar corrientes

de salida y entrada (transistor bipolar) o corriente de salida con tensión de entrada
(JFET).

• La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar es mucho más pequeña en el

caso del JFET (la corriente es casi cero, al estar polarizada inversamente la unión
puerta-canal).
 Características dadas por los fabricantes. Aplicaciones

Comunicaciones
Alta impedancia de entrada
Amplificadores de ganancia elevada
Baja potencia
 COMENTARIOS SOBRE LOS JFET

9 Los jfet tanto de canal n como de canal p son actualmente poco utilizados.

9 El jfet es más rápido al ser un dispositivo unipolar (conducción no determinada

por la concentración de minoritarios).

9 El jfet puede usarse como resistencia controlada por tensión, ya que tiene una
zona de trabajo con característica resistiva

9 ¡¡¡ Cuidado con el termino saturación del canal, no confundir con región de
saturación en el transistor bipolar!!!

Puede resultar un poco confusa la nomenclatura.

9 Al igual que pasa con los transistores bipolares, en igualdad de condiciones, el

jfet de canal n es mas rápido que el de canal p.

(Razón: movilidad de electrones mayor que la de huecos)

 TRANSISTORES MOSFET
(MOS - Metal Oxide Semiconductor +
FET - Field Effect Transistor )

CANAL N (JFET-N)
UNIÓN
CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDO-
CANAL N (MOSFET-N)
SEMICONDUCTOR
CANAL P (MOSFET-P)

Dr Martín Atalla y Dr Dawon Kahng desarrollaron en primer

MOSFET en los laboratorios Bell en 1960
 Los transistores MOSFET

Estructura
Contactos
Metal metálicos
SiO2
S G D

N+ N+
P-
+
Substrato D
Símbolo
D
G
Substrato MOSFET de S
G enriquecimiento de
MOSFET de enriquecimiento
S (acumulación) de canal N
canal P
 Principios de operación de los MOSFET

Se empieza a formar una

G capa de electrones
S +++
++ +++
++ D (minoritarios del substrato)

N+ -- -- -- -- N+
- -
V
P- - -
+
Substrato

Por atracción electrostática la zona bajo la puerta (CANAL) se

enriquece de cargas negativas (minoritarios de la zona P).

El CANAL, así enriquecido, se comporta como una zona N (CANAL N)

 Principios de operación de los MOSFET

G Esta capa de minoritarios es

S ++++ ++++
D llamada “capa de inversión”

N+ - - - - N+
P- V3 = V TH > V2
+
Esta capa es una zona de
Substrato transición (no tiene casi
portadores de carga)

Al aumentar la tensión de puerta (VGS), aumenta el canal.

La situación es parecida al JFET, solo que ahora vamos aumentando

el canal a medida que polarizamos positivamente la puerta (G)
 Principios de operación de los MOSFET

VDS =VDS1 >0

ID

G •El canal se empieza a contraer

S +++++ +++++ D según aumenta la tensión VDS.
VGS •La situación es semejante a la
N+ - - - - - N+ que se da en un JFET.
P-

Substrato
 Principios de operación de los MOSFET
VDS3 >VDSPO
ID

G
S +++++ +++++ D
- - - VGS
N+ N+
P-

Substrato

Aparecen dos tendencias contrapuestas que se compensan:

• Aumento de la corriente por aumentar la tensión VDS
• Disminución de la corriente por el estrechamiento del canal

Resultado: comportamiento como fuente de corriente

 Curvas características de un MOSFET
de acumulación o enriquecimiento de canal N

Curvas de salida
Referencias
normalizadas
ID
D ID [mA]
+
G VDS VGS = 4,5V
4
+ S -
VGS VGS = 4V
- 2 VGS = 3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V VDS [V]
0 2 4 6
VGS < VTH = 2V
 Los MOSFET de empobrecimiento
o deplexión
G
S D •Existe canal sin necesidad de aplicar
tensión a la puerta. Se podrá establecer
- circulación de corriente entre drenador y
N+ N N+
fuente sin necesidad de colocar tensión
P- positiva en la puerta.

Substrato +

ID [mA] Deplexión
VGS = 1V
4
VGS = 0,5V Modo acumulación
2 VGS = 0V
VGS = -0,5V
VGS = -1V
Modo deplexión
0 2 4 6 VDS [V]
VGS < -1,5V
 Símbolos de los MOSFET

D D Canal N
G G
Tipo S Tipo S
enriquecimiento deplexión

D D Canal P
G G
S Tipo S
Tipo
enriquecimiento deplexión
 Circuitos de polarización

ID -ID
R R
D D
+ +
G VDS G VDS
V2 + S - V2
+ S -
VGS V1 VGS
V1 -
-
Canal N Canal P
Hay que invertir los sentidos reales de tensiones y
corrientes para operar en los mismas zonas de trabajo.
 MOSFET DE CANAL N
(¿ Que pasa con el substrato?)

COMENTARIO:
D D
Aunque a veces se dibuje el símbolo
con un diodo, tener en cuenta que NO
ES UN COMPONENTE APARTE.

ID UGS[V]
G G
=+15 V
S =+10 V
S
=+5 V
=0V
Diodo parásito
VDS
(Substrato - Drenador)
 MOSFET DE CANAL N
(precauciones con la puerta)

La puerta (G) es muy sensible.

D

Puede perforarse con tensiones

bastante pequeñas (valores ID
típicos de 30 V).

No debe dejarse nunca al aire y

debe protegerse adecuadamente. - 30 V + 30 V VGS
G

CAUTION, ELECTROSTATIC SENSITIVE !!!

 USOS DEL MOSFET - Canal N:
Como interruptor

12 V
12 V
36 W
36 W 3A
3A I
12 V
12 V
I
La puerta no puede
quedar al aire
(debe protegerse)
ID

4A UGS= 12 V
Sustituimos el interruptor principal por un
transistor. PF (ON) 3 A ON

¡¡¡ LA CORRIENTE DE PUERTA ES NULA OFF

(MUY PEQUEÑA) !!!

12 V VDS
PF (OFF)
 CURVA DE SALIDA TÍPICA DE UN MOSFET
DE CANAL N DE POCA CORRIENTE

Fuente de corriente
(aumenta significativamente
Comportamiento
con la tensión VDS)
resistivo
 USOS DEL MOSFET - Canal P: Como interruptor

La puerta no puede
quedar al aire (debe
protegerse)

I 3A
12 V 12 V
I 3A

12 V 12 V
36 W 36 W
ID

4A USG= 12 V
Sustituimos el interruptor principal por un
transistor. PF (ON) 3 A ON

¡¡¡ LA CORRIENTE DE PUERTA ES NULA OFF

(MUY PEQUEÑA) !!!

12 V VSD
PF (OFF)
 CURVA DE SALIDA TÍPICA DE UN MOSFET DE CANAL P

Fuente de corriente
(aumenta significativamente
Comportamiento
con la tensión VSD)
resistivo
 Mosfet comerciales.
Potencias y tensiones de funcionamiento

IRF540:
UDS= 100V
ID= 28A
TO220 RDS= 7.7mΩ
P=150W
IRF460:
UDS= 600V SKM 253 B 020:
ID= 28A UDS= 200V
TO247 RDS= 0.58 Ω ID= 250A
P=180W RDS= 8.6 mΩ
P=1000W
 Comparación entre Bipolar y Mosfet
MOSFET:
‰ Alta velocidad de conmutación
‰ Controlado por tensión
‰ Circuitos de control simples
‰ Coeficiente de temperatura
negativo
‰ Fácil paralelizado
‰ Impedancias de Entrada Elevadas
(109 - 1011 W)
‰ Ganancias Elevadas 105 – 106
‰ Temperatura máxima de
funcionamiento 200ºC
BIPOLAR:
‰ Baja velocidad de conmutación
‰ Controlado por corriente
‰ Circuitos de control complicados
(potencia)
‰ Coeficiente de temperatura
positivo
‰ Dificil paralelizado
‰ Impedancias de Entrada Elevadas
(103 - 104 W)
‰ Ganancias Elevadas 101 – 102
‰ Temperatura máxima de
funcionamiento 150ºC
 C
Cada punto
representa
un MOSFET
N-

P N+
MOSFET DE POTENCIA
B E (Muchos pequeños MOSFET
BIPOLAR DE POTENCIA en paralelo, realmente es un
"Circuito Integrado")
 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS:
PEQUEÑOS Y GRANDES SEGÚN LA
APLICACIÓN

EL MAS PEQUEÑO

UNO GRANDE
Unos de los 12 SCR para un “pequeño”
rectificador trifásico de 500 MW y 500 KV
(Inga-Shaba, ZAIRE)