Fuentes de Corriente con Transistores

y Cargas Activas

 Las fuentes de corriente obtenidas al utilizar dispositivos activos son muy usadas en circuitos integrados analgicos, tanto como elementos de polarizacin como dispositivos de carga para etapas de amplificacin.
El uso de fuentes de corriente para la polarizacin da como resultado una gran insensibilidad del funcionamiento del circuito a variaciones en la fuente de alimentacin y a la temperatura. Las fuentes de corriente, en particular cuando el valor requerido de corriente de polarizacin es pequeo, con frecuencia son ms econmicas que los resistores para los circuitos integrados, en trmino de rea requerida.

 Cuando se utilizan en amplificadores de transistores como elemento de carga, a tensiones de alimentacin bajas la alta resistencia incremental de la fuente de corriente resulta en una alta ganancia de tensin.

Analizaremos los tipos bsicos de fuente de corriente utilizados tanto en la tecnologa bipolar como MOS, y tambin estudiaremos la resistencia de salida y la corriente de salida de cada tipo de circuito.

FUENTES DE CORRIENTE: La forma ms simple de una fuente de corriente est formada por un resistor y dos transistores tal y como se muestra en la siguiente figura: Q1 est conectado en forma de diodo, haciendo que la tensin colectorbase sea cero. De este modo, no hay ninguna inyeccin en la unin colector base y el transistor se comporta como si estuviera en la zona activa. Como Q1 y Q2 tienen la misma tensin baseemisor, sus corrientes de colector son iguales.

Por lo tanto, para dispositivos Q1 y Q2 idnticos, las corrientes de salida y de referencia son iguales. No es necesario que los dispositivos sean idnticos, las reas en emisor de Q1 y Q2 pueden fabricarse distintas , lo que har que los valores IS de ambos transistores sean diferentes. Esta relacin puede ser menor o mayor que la unidad y, por lo tanto, se puede obtener cualquier corriente de salida IC2. Sin embargo relaciones mayores que 5:1 consumen mucha rea y se prefieren otros mtodos.

Debido a que la corriente de entrada es reflejada en la salida, este circuito a menudo se conoce como espejo de corriente. Uno de los aspectos ms importantes del funcionamiento de la fuente de corriente es la variacin de corriente con los cambios en la tensin en el terminal de salida. Esto se caracteriza por la resistencia de salida para pequea seal de la fuente de corriente. De hecho, al aumentar la tensin colector-emisor la corriente de colector se incrementa como se muestra en la figura:

Donde VA es la tensin de Early. Un valor tpico de la tensin de Early para transistores npn es 130 V.
Por ejemplo, si la tensin colector-emisor de Q1 se mantiene en V BE(ON) y la tensin de colector de Q2 est a 30 V, entonces la relacin de IC2 a IC1 sera : IC2/IC1 = (1 + VCE2/VA) / (1+VCE1/VA) IC2/IC1 = (1 + 30/130)/(1 + 0.6/130) IC2/IC1 = 1.225 Spice

Por lo tanto, para un circuito que opere a una tensin de alimentacin de 30 V, las corrientes de fuente pueden diferir hasta un 25% de aqullos calculados al usar la suposicin de que la resistencia de salida del transistor es despreciable. Una figura de mrito til para las fuentes de corriente a transistor es la tensin equivalente a circuito abierto VThev. En tanto los transistores en la fuente de corriente estn en la regin activa, cada configuracin de fuente de corriente se puede caracterizar mediante una resistencia de salida Ro y una corriente de salida Io.

Circuitos ms complejos de fuente de corriente despliegan valores de VThev que sern ms altos que VA. Si, por ejemplo, la corriente de salida de una fuente de corriente simple se establece en 1 mA, luego:

Ntese que la tensin equivalente a circuito abierto VThev en realidad nunca se observa en la salida. Uno debera observar un valor igual a (VThev), pero esto no sucede ya que el transistor se satura antes.
Por lo tanto las representaciones de Thevenin y Norton son validas mientras estn en la zona activa.

Adems de la variacin de la corriente de salida debida a la resistencia finita de salida, la corriente de colector IC2 difiere de la Iref en un factor [1+(2/bF)]. Cuando se construye la fuente con transistores pnp de baja ganancia, el valor de bF bajo puede hacer que este trmino pese. A fin de reducir este efecto se puede aadir un transistor como se muestra en la figura:

y como IC1 e IC2 son iguales:

Por lo tanto la Iref y la corriente de salida slo difieren en un factor del orden de 1/b2F , despreciando los efectos de la resistencia de salida. Esta configuracin se utiliza a menudo para generar salidas mltiples, a partir de una sola referencia, mediante la conexin de varios transistores idnticos con colectores independientes en paralelo con Q2.

El funcionamiento de la fuente de corriente a transistor bipolar simple se puede mejorar mediante la adicin de la degeneracin en emisor, tal y como se muestra en la figura: Si tomamos a como ejemplo: Q3

Si, por ejemplo, IC3 x R3 = 260 mV entonces R0=10 r0

El lmite a esta mejora en R0 est dado por los mrgenes de salida, debido a que ahora la tensin de operacin mnima es VCE3(SAT) + IC3xR3

El resistor de emisor introduce una mejora doble, primero mejora el apareamiento entre Iref y la salidas IC3 e IC4 y segundo, como se vio, eleva la resistencia de salida de la fuente de corriente. Las reas en emisor de Q1, Q3 y Q4 pueden estar apareadas o relacionadas. Si, por ejemplo, deseamos que IC3=Iref y que IC4=2Iref, entonces haramos que Q1 y que Q3 fueran idnticos y que IS4=2IS1. Adems haramos que R1=R3 y que R4=R1/2. Ntese que las cadas de DC a travs de R1, R3 y R4 resultaran idnticas. Sumando los voltajes a travs de la malla, incluyendo a Q1 y Q4 y al despreciar las corrientes de base encontramos:

Dado que IS4=2IS1 entonces la solucin para la ecuacin anterior es:

Debido a que el trmino logaritmo natural varia lentamente con su argumento, si hacemos las cadas de tensin IREFxR1 e IC4xR4 mucho mayores que VT, podemos obligar a que IC4 (R1/R4) Iref, an cuando las reas en emisor de Q1 y de Q4 no estn escaladas en forma apropiada.

Por ltimo haremos notar que en las fuentes de corriente FET no se utiliza la degeneracin en fuente. Esto es debido a que en forma inherente, el FET es, de hecho, un resistor controlado. Por lo tanto, se obtiene una mejora de apareamiento de las fuentes FET slo al fabricar FET de un rea mayor. La resistencia de salida se puede incrementar al aumentar la longitud del canal L. Tanto en circuitos FET como bipolares el precio a pagar por esta mejora es que se consume un rea mayor de circuito integrado.

FUENTE DE CORRIENTE WIDLAR: En los A.O. de transistores bipolares, la baja corriente de entrada requerida implica que el par acoplado en emisor de entrada est polarizado a una corriente muy baja, tpicamente una corriente de colector de 5 A. Al utilizar una sola fuente y suponiendo una relacin de reas mxima en emisor de 10:1 en Q2 y Q1, necesitaramos una corriente de referencia de 50 A para la corriente de salida de 5 A. Eso implica para 30V de alimentacin una R de 600 kW (muy costosa).

Calculemos la corriente de salida y la tensin de salida equivalente para esta fuente de corriente. No existe una versin equivalente de este circuito al utilizar FET.

Para transistores idnticos, IS1 y IS2 son iguales y entonces:

PROBLEMA 4.1:

Determinar el valor de R2 para hacer que IC2=10 A. Suponer VCC=30V, R1=29.3K, VBE(ON)=0.7V

La resistencia total circuito es de 41.2 kW

del

Spice

PROBLEMA 4.2: Para el circuito de la figura, suponga que Iref= 1mA y R2= 5 kW, despreciando la corriente de base encontrar IC2.

La corriente est prxima a 20 A.

Spice

FUENTE DE CORRIENTE CASCODE:

Vimos que la conexin cascode consigue una resistencia de salida muy alta. Dado que para una fuente de corriente esta es una caracterstica deseable, resulta natural explorar el uso de cascodes para fuentes de corriente de alta perfomance.
Q3 y Q4 forman la fuente de corriente bsica y a menudo para mejorar el funcionamiento se agrega una resistencia en el emisor. Q2 acta como la parte de base comn del cascode y transfiere la corriente de colector de Q3 a la salida, adems de presentar una resistencia de salida alta.

Q1 acta como un diodo de cambio de nivel para asegurar que con VCB30 , Q3 se conserve activo. Si suponemos pequeas las resistencias de Q1 y Q4, la resistencia de salida en el colector de Q2 esta dada por:
Donde RE=r03 y dado que gm2r03=gm3r03>>b0 entonces: R0=b0r0 De forma ms precisa, si ejecutamos un anlisis completo del modelos de pequea seal, encontramos que la trayectoria de seal de Q2 a Q3 va Q1 y Q4, modifica este resultado a:

Por lo tanto, las fuentes de corriente cascode pueden elevar la resistencia de salida y la tensin equivalente de circuito abierto en aproximadamente b0/2. para b0=100 y VA=130V tenemos:

A una corriente I0=1mA tenemos que:

En el anlisis de las fuentes de corriente de Widlar y cascode, hemos despreciado los efectos de r. Esto es fcil de justificar en las fuentes de corrientes simples.

Pero tratndose de fuentes de corriente de ms alta impedancia, esta suposicin debe ser reexaminada. En los casos considerados, los valores de r son mayores que b0r0 , pero en el caso de fuentes de corriente realizadas con transistores pnp laterales, los valores observados de r son de 2 a 5 veces el valor de b0r0. Por lo tanto, para transistores pnp, cuando la base este conectada a una resistencia incremental alta, el efecto de la resistencia de realimentacin puede ser significativo.