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Electromagnetismo 2002 17

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2 Campos (1) - Las ecuaciones del campo electrosttico
Comenzamos el estudio de las interacciones electromagnticas con el caso ms senci-
llo: las interacciones estticas (cuerpos cargados en reposo relativo entre s) de dos
cuerpos puntuales (partculas) en los que despreciamos la estructura interna de la
distribucin de carga elctrica en el cuerpo y su posible reacomodamiento frente a la
interaccin con otro cuerpo.
Este caso ideal se puede describir mediante la ley de Coulomb, que surge de las
investigaciones experimentales llevadas a cabo entre 1785 y 1791 por Charles-
Augustin Coulomb, ingeniero militar francs que emprendi estos estudios con la
esperanza de hallar una ley de fuerzas similar a la hallada por Newton para la
gravitacin, dependiente de la inversa del cuadrado de la distancia entre los cuer-
pos interactuantes. Para ello dise y utiliz la balanza de torsin. Aos despus
Henry Cavendish us el mismo dispositivo para "medir" la constante gravitatoria
de la ley de Newton e inferir la masa de la Tierra a partir de la aceleracin de la
gravedad sobre su superficie.
En rigor, la ley de Coulomb, as como la ley de gravitacin de Newton, son vlidas
solamente para un par de cuerpos interactuantes. Para extender su validez a ms
cuerpos simultneamente interactuantes se debe postular el principio de superpo-
sicin, que vale para interacciones lineales, donde la suma (o superposicin) de
las causas lleva a la suma de los efectos.
Estos modelos son modelos de interaccin a distancia. Sin que conozcamos el me-
canismo subyacente de la interaccin, se observa que cuerpos elctricamente car-
gados se influencian de manera que tal influencia altera sus estados de movimiento
y se puede describir mediante una accin o fuerza a distancia. La interaccin a
distancia descripta por la ley de Coulomb depende nicamente de la distancia en-
tre los cuerpos interactuantes. Por lo tanto, si se deja mover a los cuerpos, la dis-
tancia cambia instante a instante y la fuerza de interaccin debera cambiar en
forma concomitante. Sin embargo se observa que hay un retardo entre el instante
en que se produce la causa (modificacin de la distancia entre los cuerpos) y el
instante en que se produce el efecto (modificacin de la fuerza de interaccin).
Este retardo es compatible con la teora de la relatividad, que impone un lmite
mximo (la velocidad de la luz en el vaco) para la propagacin de las interaccio-
nes. Para adecuar la formulacin de las interacciones elctricas a esta imposicin
se ha inventado el modelo de campo, donde la interaccin se desdobla en dos mo-
mentos: un cuerpo cargado crea una perturbacin en el espacio que la rodea,
perturbacin que denominamos campo. Cuando se coloca el cuerpo en el espacio,
se crea la perturbacin que se propaga desde el cuerpo a la velocidad de la luz. Si
luego se coloca otro cuerpo cargado en cercanas del primero, el campo en su
entorno producir una fuerza sobre este segundo cuerpo. Se ve que en este modelo
la interaccin pasa a ser una accin local: el campo en el sitio donde est el cuer-
po cargado ejerce sobre l una fuerza. Un modelo local lleva naturalmente a des-
cribir las acciones mediante ecuaciones diferenciales, ya que el efecto fsico de-
pende nicamente de las propiedades (el campo) en el entorno que rodea al cuerpo
que sufre la accin.
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Definido el campo elctrico asociado a interacciones estticas o campo electros-
ttico, el resto del captulo se dedica a analizar sus propiedades. Por superposi-
cin, se generaliza la expresin del campo creado por una carga puntual a un
conjunto discreto de cargas puntuales y luego a una distribucin continua de car-
ga, lo que lleva a la nocin de densidad de carga.
De acuerdo al teorema de Helmholtz, todo campo vectorial est definido a partir
de su divergencia y su rotor, que estn ligados a la distribucin de fuentes escala-
res y vectoriales, respectivamente, del campo.
La divergencia del campo elctrico es proporcional a la densidad de carga elctri-
ca. La forma integral de esta propiedad se conoce como ley de Gauss, y constituye
el mtodo ms sencillo para obtener el campo creado por distribuciones de carga
de alta simetra. Se dan varios ejemplos de distribuciones plana, cilndrica y esf-
rica, que son los modelos ms sencillos en situaciones tecnolgicas.
El rotor del campo electrosttico es cero. Entonces el campo electrosttico es con-
servativo. Por lo tanto, es posible expresarlo como el gradiente de un campo es-
calar, que se conoce como potencial electrosttico, ya que est asociado a la
energa potencial que adquiere un cuerpo cargado cuando se lo coloca en un cam-
po.
En muchas situaciones es ms fcil calcular el potencial que el campo y se proveen
varios ejemplos de estos clculos.
Desde el punto de vista de su comportamiento elctrico, los materiales se clasifi-
can como conductores, semiconductores o aisladores (o dielctricos). Se presen-
tan las propiedades bsicas del campo electrosttico cuando estos materiales estn
presentes. En el prximo captulo se profundiza esta descripcin.
Finalmente se presenta brevemente una aplicacin tecnolgica de las nociones
electrostticas: el fenmeno de la descarga electrosttica (ESD) que es de funda-
mental importancia en la manipulacin y enmpaquetado (packaging) de dispositi-
vos electrnicos. La carga elctrica que los cuerpos conductores y dielctricos
pueden acumular por contacto y/o roce (triboelectricidad) puede ser destructiva
al tocar estos dispositivos. Se presenta una escala triboelctrica de sustancias, la
descripcin del fenmeno de ESD a partir de un modelo (el HBM - Human Body
Model) y un resumen de precauciones a tomar en un entorno de trabajo.
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Carga elctrica. Cuerpos cargados. Induccin electrosttica.
La carga elctrica es una propiedad fundamental de la materia. Todos los cuerpos
materiales estn formados por partculas cargadas, que interaccionan entre s pro-
duciendo fuerzas de cohesin. Esta interaccin elctrica entre partculas cargadas
puede ser de atraccin (como en el caso de la interaccin gravitatoria) o de repul-
sin. Este hecho lleva a la clasificacin de la carga elctrica en dos variantes, que se
identifican mediante su signo: partculas cargadas con carga de igual signo se re-
pelen, partculas cargadas con cargas de distinto signo se atraen. Por este motivo la
interaccin elctrica es de mayor complejidad que la interaccin gravitatoria, que
siempre es de atraccin. Convencionalmente se asigna el signo positivo a la carga
de los protones, partculas elementales del ncleo atmico, y el signo negativo a los
electrones, partculas que se hallan en la periferia del tomo. Surge tambin que, en
valor absoluto, la cantidad de carga de estas partculas es la misma:
C e
19
10 602 . 1


Las interacciones elctricas entre tomos son la base de las reacciones qumicas y
las que llevan a la constitucin de los cuerpos materiales extensos.
Desde antiguo se conoce que existen manipulaciones que permiten cargar un
cuerpo. Estas manipulaciones producen la transferencia de carga por contacto (fun-
damentalmente electrones) desde o hacia el cuerpo, originalmente neutro por la pre-
sencia de igual cantidad de partculas cargadas negativas y positivas. Un cuerpo
cargado interacciona con otro cuerpo, cargado o no. Si el otro cuerpo est cargado,
se producen fuerzas de atraccin o repulsin segn el signo de la carga neta de ca-
da cuerpo. Si el otro cuerpo no est cargado, igual se produce una redistribucin
espacial de las partculas cargadas que contiene, lo que eventualmente da lugar
tambin a fuerzas elctricas. El efecto de redistribuir y/o transferir carga a un cuerpo
se conoce como induccin electrosttica.
Un cuerpo neutro Un cuerpo cargado
En la figura de la derecha, un cuerpo cargado (izquierda) se acerca a un cuerpo
neutro (derecha). Se observa la redistribucin de carga (induccin) en el cuerpo
neutro. Esta redistribucin se produce por las fuerzas de atraccin entre las cargas
del cuerpo cargado y las cargas del cuerpo neutro.
Si se permite el contacto entre los dos cuerpos, la carga ne-
gativa del originalmente neutro se combina o elimina con
parte de la carga positiva del cuerpo originalmente cargado.
Como ahora ambos cuerpos estn cargados con cargas de
igual signo, se repelen.
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
+
+
+
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
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Ley de Coulomb
A medida que los cuerpos cargados se van alejando, disminuye la influencia mutua
que causa la redistribucin interna de carga, y a grandes distancias la fuerza de re-
pulsin depende en realidad de la carga neta en cada cuerpo. En experimentos rea-
lizados entre 1785 y 1791 usando una balanza de torsin, Charles-Augustin de
Coulomb cuantific la interaccin entre cargas elctricas
1
.
De los experimentos de Coulomb se puede generalizar una ley que da la fuerza de
interaccin entre dos cargas puntuales estticas, es decir, que no se mueven
respecto de un sistema de referencia inercial, situadas en el vaco:

4
1
) (

4
1
2
2 1
0
21 12 21
2
21
2 1
0
21
R r F
F F R F
R
q q
R
q q


con:
r r R R r r R R

1 2 21 21 21
R R
donde hemos usado la notacin de punto
fuente (la posicin de la carga que ejerce
la fuerza) y de punto campo (la posicin
de la carga donde se mide la fuerza).
Se observa adems que el par de fuerzas de interaccin entre las cargas cumple
con la ley de accin y reaccin. De la frmula de la ley de Coulomb se ve que si los
signos de las cargas son iguales, las fuerzas son de repulsin, mientras que son de
atraccin si los signos son diferentes.
El factor
0
4 / 1 que aparece en la ley de Coulomb surge del sistema de unidades
usado (SI). En este sistema, las distancias se miden en metros (m) y la carga elctri-
ca en Coulombs (C). El factor aparece para que la fuerza se mida en en Newtons
(N).
0
se denomina modernamente constante elctrica o (impropiamente), "permi-
tividad del vaco" o "constante dielctrica del vaco" y vale:
F
m
m
F
9
0
12
0
10 9
4
1
10 8542 . 8




donde F es la unidad Faradio de capacidad elctrica, que veremos ms adelante.
Ejemplo 1: Las fuerzas elctricas son de mucha mayor intensidad que las fuerzas gravitato-
rias. Halle la relacin entre la fuerza de repulsin coulombiana y la fuerza de atraccin
gravitatoria entre dos electrones separados en 10
-10
m (el tamao medio de un tomo).
La fuerza elctrica es, en valor absoluto:
2
0
2
4 d
e
F
e e

F
y la fuerza gravitatoria:
2
2
d
m G
F
g g
F

1
En 1777 Coulomb public una memoria sobre la teora de torsin de cilindros y su aplicacin a la balanza de
torsin, que consider un instarumento apropiado para medir fuerzas muy pequeas. Entre 1796 y 1798 el fisico
ingls Henry Cavendish utiliz el mismo mtodo para medir la constante gravitatoria G, a sugerencia de John
Mitchell, otro fsico ingls que haba estudiado el mtodo de Coulomb. Con este valor y el valor de la acelera-
cin de la gravedad al nivel del mar estim la densidad de la Tierra como 5.448. El valor estimado actual es 5.5.
r
1
z
x
y
F
21
r
2
R
21
q
1
q
2
F
12
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F = F
1
+ F
2
F
2
F
1
de donde:
42
2
2
0
10 17 . 4
4
1

m
e
G F
F
g
e

con:
2 2 11 31 19
/ 10 673 . 6 10 11 . 9 10 60218 . 1 Kg Nm G Kg m C e


Se ve que la relacin es muy grande. Por lo tanto, en la materia agregada las interac-
ciones elctricas son de mucha mayor importancia que las gravitatorias. Las fuerzas
gravitatorias slo son de importancia cuando se trata de cuerpos muy masivos (como
los planetas) que son prcticamente neutros.
Superposicin
La ley de Coulomb describe una interaccin muy restringida:
electrosttica (elctrica+esttica)
entre dos cargas
cargas puntuales
en el vaco
En lo que sigue iremos eliminando estas restricciones.
Dentro del anlisis electrosttico el prximo paso es analizar cmo es la interaccin
cuando hay ms de dos cargas presentes simultneamente. La experiencia indi-
ca que vale el llamado principio de superposicin:
La fuerza medida sobre la carga q cuando estn
simultneamente presentes q
1
y q
2
es igual a
la suma vectorial de las fuerzas F
1
y F
2
que se
observaran si solamente estuvieran presentes
(q y q
1
F
1
) y (q y q
2
F
2
) respectivamente.
Este principio puede extenderse a ms cargas.
Supongamos que tenemos N cargas puntuales de
valores q
i
en las posiciones
i
r , y una carga puntual
de prueba de valor q en la posicin r . Nos queda entonces que la fuerza electrost-
tica que el conjunto de cargas "fuentes" ejerce sobre la carga de prueba es:


N
i
i
i
i
N
i
i
i
i
N
i
q
q
R
q q
1
3
'
'
0
1
3
0
1
) (
4 4
) ( ) (
r r
r r
R r F r F
i

La ley de Coulomb y el principio de superposicin son las
herramientas bsicas de la electrosttica en el vaco.
q
1
q
q
r
1
r
2
r
R
1
R
2
+ =
F
1
F
F
q
1
r
1
r
R
1
q
r R
2
r
2
q
q
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Campo electrosttico
Definimos el campo electrosttico creado por un conjunto de car-
gas como la fuerza por unidad de carga que ejerce el conjunto so-
bre una carga de prueba de valor infinitesimal.
[ ]
m
V
E q
q
lim
N
i
i
i
i
q


) (
4
1 ) (
) (
1
3
'
'
0
0
r r
r r r F
r E

La descripcin de la interaccin electrosttica de la


ley de Coulomb es un caso de accin a distancia.
Esta expresin significa que la interaccin se produ-
ce directamente entre los objetos interactuantes
(los cuerpos cargados) sin presencia de un agente
intermedio. Como se ilustra en la figura, la interaccin tiene las propiedades :
Accin a distancia
interaccin directa (sin agente intermedio)
interaccin instantnea (depende slo de las posiciones de los objetos)
Esta descripcin tiene varios problemas de consistencia interna, siendo el ms im-
portante la imposibilidad de tener cambios instantneos en el valor de las interac-
ciones cuando, p.ej., se modifica la carga de uno de los cuerpos interactuantes. Esto
est en contra del principio de una mxima velocidad de propagacin de las interac-
ciones que surge como postulado de la teora de la relatividad. Si tomamos como
vlida la teora de la relatividad entonces la descripcin por accin a distancia no es
fsicamente aceptable.
En la descripcin o modelo de
campo uno de los cuerpos crea
una perturbacin del espacio, que
llamamos campo. Esta perturba-
cin acta sobre el otro cuerpo
produciendo la accin (fuerza)
sobre l. Es importante ver que la
intensidad de la accin sobre el
segundo cuerpo depende del va-
lor del campo local, es decir, en un entorno alrededor del segundo cuerpo. La des-
cripcin de campo es entonces una teora local: los efectos dependen de los valo-
res locales de las magnitudes fsicas.
A diferencia de los modelos globales (no locales como la ley de accin a distancia),
los modelos locales se pueden representar mediante ecuaciones diferenciales, ya
que los efectos observables dependen de valores locales, es decir, en puntos cerca-
nos dentro de un entorno tan pequeo como se pueda definir compatible con el fe-
nmeno descripto. En el caso del campo electrosttico creado y actuante sobre ob-
jetos macroscpicos, que es el caso generalmente de inters en la tecnologa, la
pequeez de las partculas y la carga que tienen hace posible una descripcin de
magnitudes fsicas (distribucin de carga, campos) que adoptan la forma de funcio-
nes continuas de las coordenadas espaciales y el modelo local es vlido.
En la descripcin de campo aparece entonces un agente intermedio de la interac-
cin, que es el campo mismo. En la teora moderna el campo es una propiedad del
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espacio, y surge por la presencia de sus
fuentes, que en el caso del campo elc-
trico son los cuerpos con carga elctrica
neta.
Por otra parte, como las ecuaciones que describen el modelo de campo son locales,
la introduccin de las variaciones con el tiempo lleva, como veremos ms adelante, a
ecuaciones de propagacin ondulatoria que describen interacciones que se propa-
gan a velocidad finita, cumpliendo con los lmites fijados por la teora de la relativi-
dad. En resumen:
Modelo de campo
interaccin indirecta (el campo es el agente intermedio)
interaccin retardada (propagacin a velocidad finita de las acciones)
Lneas de campo
Si dibujamos punto a punto los vectores campo ge-
nerados por una distribucin de carga cualquiera,
resulta que los sucesivos vectores campo son tan-
gentes a lneas en el espacio que llamamos lneas
de campo (o lneas de fuerza, segn Faraday).
Las lneas de campo son las trayectorias que
seguira una partcula cargada en el campo.
En la figura superior se ve un tramo de lnea de campo.
Como el campo es tangente a la lnea, se debe
cumplir que:
0
0
0

0
dy dx
E E
y x
z y x
dl E
de donde:
x
y
E
E
dx
dy
es la ecuacin diferencial de
las lneas de campo.
En el caso de dos cargas puntuales de igual mag-
nitud y signos opuestos, se obtiene un diagrama de
lneas de campo como el de la figura inferior.
Campo de distribuciones de carga
Las cargas puntuales son objetos ideales que no existen en la realidad. Todo cuerpo
cargado tiene una extensin espacial y, en la prctica, la mayora de los objetos de
inters tecnolgico tiene dimensiones macroscpicas por lo que estn formados por
gran cantidad de tomos, lo que implica una distribucin de las partculas elementa-
les cargadas en todo el volumen del objeto.
Desde el punto de vista macroscpico podemos modelizar el cuerpo extenso carga-
do como una distribucin continua de carga, dada la pequeez de las partculas
cargadas frente a las dimensiones de los objetos. En tal caso definimos una densi-
dad de carga dentro del cuerpo:
V
dv
dq

r r
r
) (
CAMPO
x
y
dx
dy
E
x
E
y
E
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Usamos coordenadas primadas (de punto fuente).
Para calcular el campo creado por un cuerpo ex-
tenso lo dividimos en diferenciales de volumen
dv. Cada uno de ellos se comporta como una
carga puntual y, por ejemplo, el elemento de vo-
lumen situado en r produce en r el campo:
v d
R R
dq
d

R
r
R
r
r E

) (
4
1

) (
4
1
) (
2
0
2
0
con r r R
Ahora aplicamos superposicin, y sumamos las
contribuciones de todos los elementos de volu-
men que forman en cuerpo extenso. Esta suma
es una integral y tenemos:





V
v d
3
0
) (
) (
4
1
) (
r r
r r
r r E

Esta expresin nos permite calcular el campo creado por una distribucin de carga
dentro del volumen (distribucin volumtrica) de un cuerpo extenso
2
.
En la prctica es til considerar otras distribuciones de carga: distribuciones superfi-
ciales (sobre una superficie - esto ocurre en cuerpos conductores, como veremos
luego) y distribuciones lineales (a lo largo de una lnea - esto es til para cables don-
de la longitud es mucho mayor que las dimensiones transversales). Tenemos enton-
ces en estos casos:
densidad superficial de carga:





S
s s
s d
3
0
) (
) (
4
1
) ( ) ( ) (
r r
r r
r r E r r


densidad lineal de carga:





C
l l
l d
3
0
) (
) (
4
1
) ( ) ( ) (
r r
r r
r r E r r


Ejemplo 2: Carga puntual en el origen de coordenadas:
2
0
4

) (
r
Q

r
r E
Aunque la carga puntual no es una distribucin de carga, se puede demostrar que a
muy grandes distancias de cualquier distribucin de carga de extensin acotada, el
campo tiene aproximadamente simetra esfrica, como si estuviera generado por la car-
ga neta de la distribucin concentrada en el origen de coordenadas. Para demostrar
esto, vemos que para puntos lejanos de la distribucin ( 0 >> r r r ) tenemos:





V V r
Q
v d v d
2
0
3
0
3
0 4
) (
4
1 ) (
) (
4
1
) (

r
r
r r
r r
r r
r r E
donde Q es la carga total de la distribucin.
En este clculo hemos despreciado r frente a r. Una aproximacin mejor es desarro-
llar en serie de Taylor el integrando, con lo que aparecen trminos de orden superior
(multipolares - ver el Ejemplo 4). En tal caso, an cuando la carga neta sea nula, existi-
r campo elctrico debido a la inhomogeneidad en la distribucin.

2
El volumen V debe contener toda la carga cuyo campo quiere calcularse. Esto significa que:
a) el volumen puede ser mayor que el recinto donde existe la carga, sin alterar el resultado.
b) el volumen puede encerrar slo parte de toda la carga, pero en este caso el campo calculado se debe sola-
mente a esa parte de la carga.
y
z
V
dv
x
r
r
R
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Ejemplo 3: Calcular el campo electrosttico creado por una lnea cargada infinita con den-
sidad de carga lineal
0
constante
Se trata de una lnea recta de espesor idealmente nulo.
Para simplificar el clculo usamos consideraciones derivadas de la simetra que pre-
senta la distribucin de carga:
Como existe simetra de revolucin alrededor de la lnea elegimos un sistema de coor-
denadas cilndrico, con el eje z sobre la lnea.
El campo no puede depender de por la simetra de revolucin, y tampoco puede de-
pender de z porque la lnea es infinita y todos los planos de z constante son fsica-
mente equivalentes. El campo entonces slo depende de la distancia desde la lnea
al punto de observacin: ) ( ) ( E r E .
Por comodidad elegimos el plano de z = 0 de nuestro sistema de coordenadas de mo-
do que contenga al punto de observacin donde deseamos calcular el campo.
Por otra parte, como se observa en la figura, el campo
dE
1
creado por un elemento de longitud
1
l d est en el
plano formado por z y , de modo que no tiene compo-
nente sobre

. Adems se ve que, si consideramos el


par de elementos
1
l d y
2
l d , simtricos respecto del ori-
gen de coordenadas, las componentes verticales de los
campos generados se anulan entre s y queda solamente
la suma de las componentes segn . Entonces el cam-
po presenta solamente componente radial: ) ( ) ( E r E
Luego podemos escribir para la componente radial del
campo creado por la lnea infinita:
( ) ( )



+

0
2 / 3
2 2
0
0
2 / 3
2 2
0
0
3
0
4

4
) (
) (
4
1
) (
z
z d
z
z d
l d
C
r r
r r
r r E
ya que: z r r y z y el integrando es par. La integral se puede evaluar de ta-
blas o mediante programas matemticos para obtener:
( )

0
0
2
0
2 / 3
2 2
2

) (
1

+

r E
z
z d
El campo creado por la lnea infinita cargada slo tiene componente radial saliendo de
ella (para
0
positiva) y su amplitud es inversamente proporcional a la distancia a la l-
nea. Como la lnea no tiene espesor, se produce una singularidad cuando
0. Esta singularidad se resuelve porque no existen en la prctica lneas sin espesor.
Ejemplo 4: Campo sobre el eje de un anillo uniformemente cargado de radio a.
Este caso es similar al anterior. Por la simetra se elige el eje z del
sistema de coordenadas coincidente con el eje del anillo para tener
simetra cilndrica. Se toma por comodidad el origen en su centro. El
campo creado sobre un punto del eje slo depende de z y adems
slo tiene componente z porque las componentes transversales (ra-
diales) se anulan al considerar pares de elementos del anillo simtri-
cos respecto del eje como se muestra en la figura.
Con: d a l d a z y , r z r y tomando nuevamente una
densidad lineal de carga uniforme
0
tenemos:
( ) ( )

2
0
2 / 3
2 2
0
0
2
0
2 / 3
2 2
0
0
3
0 4

4
) (
) (
4
1
) ( d
a z
a z
a z
d a z
l d
C
z z
r r
r r
r r E
z

dE
1
dE
2
dE
R
1
R
2
1
l d
2
l d
r
r
z
a
dE
1
dE
2
dE
R
1
R
2
r
1
r
2
r
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z
a
1
dE
1
R
1
r
1
r
R
2

y entonces:
( ) ( )
2 / 3
2 2
0
2 / 3
2 2
0
0
4

) (
a z
z Q
a z
z a
+


z z
r E
donde hemos usado la carga total del
anillo: a Q 2
0
.
En la figura se observa una grfica del
campo del anillo sobre su eje.
Se ve que el campo apunta siempre
hacia fuera del anillo (es positivo para
+z y negativo para z).
Se puede verificar fcilmente que los
mximos se dan para:
2
0
0 0
3 6
2 /
a
Q
E a z


Esta es una distribucin de carga de extensin acotada, de modo que podemos analizar
el comportamiento del campo para z . Para ello tenemos que ver cmo se com-
porta la funcin ( )
2 / 3
2 2
/ a z z + para z . Desarrollando en serie de Taylor tenemos:
( )
(
(
,
\
,
,
(
j
+ +
+
...
8
15
2
3
1
1
4
4
2
2
2 2 / 3
2 2 z
a
z
a
z
a z
z
Se ve que los sucesivos trminos son proporcionales a a
2n
/z
2n
con n creciente, y por lo
tanto cada vez son ms pequeos para z . Tomando slo el primer trmino de la
serie queda:
2
0
4

) (
z
Q

z
r E
para z
que tiene la forma funcional del campo de una carga puntual (inversamente proporcional
al cuadrado de la distancia y proporcional a la carga total). Los siguientes trminos del
desarrollo en serie, que se han despreciado, constituyen correcciones a este comporta-
miento que cobran ms relevancia a medida que nos acercamos al anillo.
Ejemplo 5: Calcular el campo a una distancia d de un plano infinito cargado con densidad
superficial
Este problema se puede resolver de varias
formas. Nosotros utilizaremos el resultado
del ejemplo previo. Podemos dividir el plano
en anillos concntricos de radio variable a
y espesor da.
Cada anillo crea un campo sobre su eje que
es normal al plano del anillo y depende slo
de la distancia al plano. Por lo tanto el cam-
po creado por el plano completo ser nor-
mal al mismo y depender solamente de la
distancia del punto de observacin al plano.
Cada anillo tiene un rea da a s d 2 y su
carga es: da a s d Q 2 .
El campo creado por ese anillo sobre el semieje +z es, como hemos visto en el ejemplo
previo:
( ) ( )
2 / 3
2 2
0
2 / 3
2 2
0
4
2
4

) (
a z
z da a
a z
z Q
d
+

z z
r E
z
E
z
E
0
z
0
-E
0
-z
0
Electromagnetismo 2002 27
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Integrando sobre el radio a tenemos:
( )

0
2 / 3
2 2 0
2

) (
a z
da a z

z
r E
(para z 0).
La integral vale 1/z y finalmente:
0
0
2

) (

z
z r E E (para z 0).
Para z 0 obtenemos el mismo campo,
pero cambiado de signo porque las lneas
de campo son salientes del plano cargado.
Este problema tambin se puede resol-
ver construyendo el plano mediante superposicin de fajas rectas infinitas. In-
tntelo.
Hemos visto en esta seccin ejemplos de campos elctricos creados por distri-
buciones de carga de alta simetra:
esfrica: Campo radial. Depende como 1/r
2
.
cilndrica: Campo radial (coordenadas cilndricas). Depende como 1/r.
plana: Campo constante.
Estas dependencias son usadas en la prctica para modelizar aproximada-
mente los campos de distribuciones de carga ms complejas
Divergencia del campo electrosttico. Ley de Gauss
El teorema de Helmholtz muestra que si se conocen la divergencia y el rotor de un
campo vectorial asociados a sus fuentes el campo puede determinarse en forma
unvoca. Veremos en esta seccin la expresin de la divergencia del campo elec-
trosttico.
Como:
]
]
]
]
,
,




]
]
]
]
,
,





V V
v d v d
3
0
3
0
) (
) (
4
1 ) (
) (
4
1
) (
r r
r r
r
r r
r r
r r E

El operador divergencia opera sobre las coordenadas de punto campo (coordenadas


no primadas), mientras que el operador integral opera sobre las coordenadas de
punto fuente (coordenadas primadas). Como estos dos juegos de coordenadas son
independientes, podemos introducir la divergencia en la integral
3
para obtener:


]
]
]
]
,
,

,



]
]
]
]
,
,

,



]
]
]
]
,
,




V V V
v d v d v d
3
0
3
0
3
0
) (
) (
4
1 ) (
) (
4
1 ) (
) (
4
1
) (
r r
r r
r
r r
r r
r
r r
r r
r r E

donde hemos sacado la funcin densidad de carga del operador divergencia ya que
depende nicamente de las coordenadas de punto fuente.
Pero: ( ) r r
r r r r
r r
r r

(
(
,
\
,
,
(
j


]
]
]
]
,
,

,
(
(
,
\
,
,
(
j


]
]
]
]
,
,

,


4
1 1 ) (
2
3
por la definicin de la delta de Dirac (ver pg.12). Entonces:
( )


V
v d r r r r E

4 ) (
4
1
) (
0

0
) (
) (

r
r E

3
Esto surge del teorema de Leibniz (derivacin bajo el signo integral) ya que adems el recinto de integracin no
depende de las variables del operador divergencia.
z
E
z
E
0
-E
0
Electromagnetismo 2002 28
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Esta es la forma diferencial de la ley de Gauss. Podemos pasar a su forma inte-
gral integrando esta ecuacin sobre un recinto cualquiera del espacio:
0 0 0
) (
1
) (
) (
) (


Q
dv dv
V V



r r E
r
r E
donde Q es la carga encerrada en el recinto de integracin. La integral del primer
miembro se puede reescribir usando el teorema de la divergencia:
0
S
0
) (

Q
ds
Q
dv
V


n E r E
donde S es la superficie frontera del recinto V. Debe tenerse en cuenta que en esta
expresin la carga es nicamente la encerrada dentro de la superficie .
En resumen, la ley de Gauss dice que el flujo del campo elctrico a travs de una
superficie cerrada S es proporcional a la carga encerrada por esta superficie. La
constante de proporcionalidad es la inversa de la constante elctrica del vaco
0
.
0 0
) (
) (

r
r E n E

Q
dS
S
La ley de Gauss es la herramienta ms simple para calcular campos de distribucio-
nes de carga de alta simetra.
Alternativamente, podemos demostrar la
ley de Gauss en su forma integral con-
siderando un recinto V que contiene
carga y una superficie cerrada S que
contiene parcialmente a V. La carga en-
cerrada en V crea un campo:
v d
R v

3
0
) (
4
1
) (
R r
r E
en un punto cualquiera del espacio.
Calculamos el flujo de E a travs de la
superficie cerrada S:


]
]
]
,


S v S
dS v d
R
dS n
R r
n E
) (
4
1

3
0
Como las integrales de superficie y volumen actan sobre juegos de variables inde-
pendientes (superficie: puntos campo, volumen: puntos fuente), podemos cambiar el
orden de integracin:


]
]
]
,


]
]
]
,


V S S v S
v d dS
R
dS v d
R
dS n
R
r n
R r
n E ) (
4
1

) (
4
1

3
0
3
0
La integral que aparece entre corchetes contiene el vector R entre cada punto fuente
del volumen V y cada punto campo de la superficie cerrada S. En la figura se es-
quematiza la situacin para dos puntos fuente: uno (
1
r ) dentro de la superficie y otro
(
2
r ) fuera de ella. Se observa tambin que el integrando: d dS
R
n
R

3
es el dife-
rencial de ngulo slido subtendido por el elemento de superficie dS desde el punto
fuente correspondiente.
Como se ve en la figura, el punto que se halla dentro de la superficie (
1
r ) produce un
flujo neto saliente (positivo), dado que en todo punto de la superficie el ngulo entre
S
V
dS
dS
1
r
2
r
n
n
n
1
R
2
R
d
Electromagnetismo 2002 29
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R y el versor normal n es agudo, y el producto escalar es positivo. Desde el punto
de vista del ngulo slido, la superficie contiene al punto fuente y el ngulo slido
total subtendido es 4. Pero el punto que se halla fuera de la superficie produce un
flujo entrante (negativo) y otro saliente (positivo), que se cancelan entre s porque el
ngulo slido subtendido es el mismo. Por lo tanto la contribucin de este punto al
resultado es nula.
Por lo tanto, slo nos queda de la integral sobre el volumen V el conjunto de puntos
interiores a S, y para cada uno la integral del flujo entre corchetes es 4. Tenemos
entonces:
0
1
0 0
1 1
) (
1
4 ) (
4
1



Q
v d v d dS
V V S
r r n E
donde V
1
es el volumen encerrado por S y Q
1
es la carga encerrada en S.
Queda as demostrado el teorema de Gauss en su forma integral.
Ejemplo 6: Una esfera de radio a contiene una distribucin de carga dada por:
) / ( ) (
0
a r r . Hallar el campo elctrico que crea en todo el espacio.
Este problema presenta simetra esfrica. La
carga depende nicamente de la distancia al
centro de la distribucin y la superficie frontera
de la distribucin es una esfera. Por lo tanto nos
conviene utilizar un sistema de referencia esfri-
co centrado en el centro de la distribucin. El
campo no puede depender de la direccin en el
espacio desde donde se observe la esfera, sino
solamente de la distancia a la misma. Dicho de
otra forma, el campo es istropo:
) ( ) , , ( ) ( r r E E r E
Adems, la simetra de la carga lleva a que las lneas de campo sean radiales (sin com-
ponentes sobre planos tangentes a esferas concntricas con la distribucin de carga):
r r E ) ( ) ( r E
Para aplicar la ley de Gauss debemos elegir una superficie cerrada cualquiera y hallar el
flujo de E a travs de ella. Debido a la simetra del problema lo ms sencillo es elegir
una superficie esfrica concntrica con la distribucin. Primero elegimos una superficie
S de radio r > a. Esta superficie encierra a toda la carga, que vale:
3
0
0
3
0
0
0
4 ) ( a r d r
a
v d Q
a
V



r
El campo elctrico generado por la distribucin es paralelo a la normal a la superficie de
integracin y es constante sobre ella, porque slo depende de r, con lo que nos queda:
2
0
2
0
3
0
0
3
0 2
0
4 4
) (
4 ) ( ) (
r
Q
r
a
r E
a
r r E dS r E
Q
dS
S
S
S



n E
Observamos que el campo fuera de la distribucin
es igual al que se obtendra con una carga puntual
Q en el origen de coordenadas.
Si ahora tomamos una superficie esfrica gaussiana de
radio r < a, la carga encerrada no es la total:
a
r
S

n
E
V
0
a
r
S

Electromagnetismo 2002 30
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a
r
r d r
a
v d Q
r
r V
4
0
0
3 0
) (
4 ) (



r
Luego:
a
r
r r E
Q
dS
S 0
4
0 2
0
4 ) (

n E
de donde:
a
r
r E
0
2
0
4
) (

para r < a.
Si tomamos:
0
0
0
4
a
E queda:
( )
( )

>
<

a r r a E
a r a r E
E
para /
para /
) (
2
0
2
0
r
r
r
Hemos graficado a la izquierda la variacin
del campo con la distancia al centro de la
distribucin. Se ve que ambas expresiones
coinciden sobre el borde de la esfera.
Ejemplo 7: Una juntura semiconductora tiene una densidad de carga espacial unidimensio-
nal: ) / sen( ) (
0
a x r para a x a y
cero fuera de ese intervalo. Determine el cam-
po elctrico en la zona de la juntura.
En este modelo sencillo la juntura es un plano
de separacin entre dos semiespacios. La
densidad de carga se extiende en toda direc-
cin pero es constante segn y y segn z.
Para hallar el campo podemos usar la forma
diferencial de la ley de Gauss:
0
) (
) (

r
r E
Como en este caso hay simetra sobre y y sobre z, el campo slo puede depender de x,
y tenemos:
C a x
a
dx a x E a x
dx
dE
x
x
+

) / cos(
2
) / sen( ) / sen( ) (
0
0
0
0
0
0

r E
La constante de integracin C se calcula usando nociones de potencial que veremos
en la siguiente seccin.
Para puntos fuera del intervalo [-a, a] la densidad de carga es cero, de manera que:
C
a
cte E
dx
dE
x
x
+
0
0
2
0 ) (

r E
En resumen:

+
+

a x a x C
a
a x a C a x
a
E
x
y para
2
para ) / cos(
2
) (
0
0
0
0

x r E
r
a
E
E
0
x
) ( x
a
-a
E
Electromagnetismo 2002 31
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Rotor del campo electrosttico. Potencial electrosttico y trabajo
El campo elctrico producido por una distribucin de cargas se puede expresar como
el gradiente de un potencial electrosttico.
Como:
(
(
,
\
,
,
(
j




r r
r r
r r 1 ) (
3
(Identidades vectoriales, p.12)


(
(
,
\
,
,
(
j





V V
v d v d
r r
r
r r
r r
r r E
1
) (
4
1 ) (
) (
4
1
) (
0
3
0

Pero el gradiente opera sobre las coordenadas de punto campo (no primadas), que
son constantes en la operacin de integracin. Entonces es posible sacar el opera-
dor gradiente fuera de la integral. Esto equivale a invertir el orden de operacin: pri-
mero se integra y despus se calcula el gradiente. Si las operaciones son indepen-
dientes el orden es irrelevante:
]
]
]
]
,
,

V
v d
r r
r
r E
) (
4
1
) (
0

o sea que
) ( ) ( r r E con
) (
4
1
) (
0


V
v d
r r
r
r

) (r es el llamado potencial electrosttico.


De estas ecuaciones se ve que el campo electrosttico es conservativo e irrota-
cional: 0 ) ( r E
Por otra parte, supongamos que trasladamos una carga puntual a velocidad cons-
tante a lo largo de un camino en una regin donde exista un campo electrosttico. El
traslado a velocidad constante requiere del aporte de una fuerza E F q por nuestra
parte para contrarrestar la accn del campo sobre la
carga puntual. Por otra parte el traslado a velocidad
constante implica que la energa cintica de la carga
permanece constante, de modo que el balance de
energa nos lleva a que el trabajo que realizamos en el
traslado es igual y de signo opuesto al trabajo W
E
que
el campo electrosttico realiza sobre la carga:
( )
A B
B
A
B
A
B A
C
E
q q q q W


dl dl E dl E
Por lo tanto el trabajo realizado por el campo sobre la carga es igual al producto del
valor de la carga por la diferencia de potencial entre los extremos del camino, cam-
biado de signo. Se ve que este trabajo no depende el camino particular C que se
haya elegido. Esta es una caracterstica, naturalmente, de los campos conservativos.
En un camino cerrado, el trabajo realizado por el campo sobre la carga es cero.
Slo se pueden definir diferencias de potencial entre dos puntos del espacio. Para
asignar un valor de potencial a un punto es necesario definir arbitrariamente un
punto de referencia de potencial. En el caso de distribuciones de carga de extensin
acotada, el punto de referencia convencional es el infinito, segn veremos al analizar
la energa del campo electrosttico. En general:



B A
C
A B
dl E donde el
q
qE
F
dl
A
B
Electromagnetismo 2002 32
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camino C es cualquiera, y entonces:




r
r
dl E dl E r
C
) (
donde hemos omitido la referencia al camino porque es irrelevante.
Esta convencin para definir el potencial como campo escalar no es vlida cuando
se estudia una distribucin de carga no acotada en el espacio (p.ej., la lnea o el
plano infinitos). En tal caso hay que tomar el punto de referencia en otro sitio, que
depender de las condiciones del problema.
En resumen:
El campo electrosttico es el gradiente del potencial electrosttico:
) ( ) ( r r E
El campo electrosttico es conservativo e irrotacional: 0 ) ( r E
La diferencia de potencial entre dos puntos del espacio es el trabajo
por unidad de carga, cambiado de signo, que realiza el campo para
trasladar a velocidad constante una carga de un punto a otro, inde-
pendientemente del camino utilizado
En distribuciones de carga de extensin acotada, se toma la referen-
cia de potencial en el infinito:


r
dl E r) (
Ejemplo 8: Calcular el potencial electrosttico creado por una carga puntual en el origen de
coordenadas.
Como se trata de una distribucin de extensin acotada:


r r
dl r
dl E r
2
0

4
) (
r
Q

donde se ha usado el resultado del Ejemplo 2. Como el camino es irrelevante y el cam-


po tiene simetra esfrica, tomaremos una recta radial desde hasta el punto r :
r
Q
r
Q
r
dr Q
r
Q
r
r
0 0
2
0
2
0
4
1
4 4

4
) (



r
dr
r
r
Ejemplo 9: Calcular el potencial electrosttico creado por una lnea infinita cargada unifor-
memente.
Como ahora la distribucin no es acotada, tenemos:



r
r
r
r
dl
dl E r
0
0
0
0

2
) (

donde r
0
es un punto de referencia arbitrario. Como el campo tiene simetra cilndrica,
nos conviene tomar un camino radial:
(
(
,
\
,
,
(
j

0 0
0
0
0
0
ln
2 2
) (

d
r
donde
0
es un radio arbitrario. El potencial electrosttico de una lnea infinita se conoce
como potencial logartmico.
Ejemplo 10: Calcular el potencial electrosttico creado por la esfera cargada del Ejemplo 6.
En este caso existe expresiones diferentes del campo dentro y fuera de la esfera. En
ambas situaciones el campo es radial, con simetra esfrica y la distribucin es acotada.
Tomamos entonces:


r
dr E ) (r
Para r > a:
r
a
r
a E
r
dr
a E dr E
r r
ext ext
0
3
0
2
0
2
2
0
4
) (




r
Electromagnetismo 2002 33
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Para r < a: ( )
3 3
2
0
0
2
2
0
0 int int
3
) ( a r
a
E
a E dr r
a
E
a E dr E dr E
r
a
r
a
a
ext

r
y finalmente:
(
(
,
\
,
,
(
j

(
(
,
\
,
,
(
j

3
3
0
2
0
3
3
0
int
4
12
4
3
) (
a
r a
a
r a E

r
Para r = a: a E
ext 0 int
) ( ) ( r r y el potencial es continuo al cruzar el bor-
de de la esfera.
Ejemplo 11: El potencial electrosttico en la juntura del Ejemplo 7 tiene solamente compo-
nente x:

+
+

a x a x C
a
a x a C a x
a
E
x
y para
2
para ) / cos(
2
) (
0
0
0
0

x r E
Fuera del intervalo [-a, a] donde se halla la distribucin de carga, el campo es constante
y el potencial vara linealmente:
a x a x D x C
a
+
]
]
]
,

,
+ y para
2
) (
0
0

r
Esto llevara a que el potencial se hiciera infinito para x , lo que no tiene sentido f-
sico. Por lo tanto el potencial debera ser constante fuera del intervalo con carga. Esto
lleva a que elijamos:
para
para


a x D
a x D a
C
2
1
0
0
) (
2
r
Las constantes de integracin deben ser diferentes porque hay una diferencia de poten-
cial entre ambos lados de la juntura. Finalmente, el campo para la juntura es:
[ ]


a x a x
a x a a x
a
E
x
y para
para
0
) / cos( 1
2
) (
0
0
x r E
Ahora calculamos el potencial. Tomamos (por ejemplo) como referencia D
2
= 0 (x a) y
tenemos, para a x a :
[ ]

+

x
a
x
a
x
x
x
dx a x
a
dx E dx E ) / cos( 1
2
) (
0
0
r

a x a a x
a
a x
]
]
]
,

para ) / sen( ) (
2
0
0
de donde: a x para 0 ) (r y a x
a

para
0
0
4
) (r
Conductores y dielctricos
Desde el punto de vista elctrico, los materiales pueden clasificarse en dos catego-
ras extremas: conductores, donde existen portadores de carga libres que se mue-
ven sin esfuerzo ante cualquier campo elctrico aplicado y aisladores o dielctri-
cos, cuyas partculas cargadas estn fuertemente unidas entre s y un campo apli-
cado slo puede desplazarlas levemente de sus posiciones de equilibrio (sin campo).
Los conductores se caracterizan por transportar corriente elctrica, que describire-
mos ms abajo. Los casos tecnolgicamente ms importantes de materiales con-
ductores son los metales y las soluciones inicas.
En la prctica, los conductores no poseen carga completamente libre, es decir,
existe siempre una interaccin entre los portadores de carga cuasi-libres y el con-
junto del material. Estas interacciones dan lugar a la resistencia elctrica al paso a
la corriente, que analizaremos en una seccin posterior. Por otra parte, tales interac-
Electromagnetismo 2002 34
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ciones se hacen muy dbiles y despreciables a fines prcticos en los materiales su-
perconductores.
Anlogamente, los dielctricos no tiene carga libre slo hasta cierto valor mximo de
campo que se conoce como campo de ruptura dielctrica. Para campos superiores
a este valor, los tomos del material se ionizan y se produce carga cuasi-libre que
se mueve como por un conductor. Este fenmeno es responsable de las fallas en
capacitores, la cada de rayos y el llamado efecto corona de las lneas de alta ten-
sin. Estos dos ltimos casos se dan cuando se ionizan las molculas del aire por
accin de un campo elctrico mayor que el de ruptura (310
6
V/m). Veremos ms
sobre estos temas ms abajo.
Entre estos extremos de comportamiento elctrico hay toda una gama de posibilida-
des, entre las que son de inters tecnolgico los semiconductores, materiales del
grupo IV de la tabla peridica (silicio, germanio, etc.) y compuestos de propiedades
similares que se utilizan en circuitos electrnicos de estado slido.
Ejemplo 12: a) Dos esferas de radios a y b < a estn separadas en D >> a y tienen respecti-
vamente cargas Q
1
y Q
1
. Halle el potencial electros-
ttico que crean.
Como las esferas estn muy separadas, pueden
despreciarse los efectos de redistribucin de carga
por induccin entre ellas, de modo que cada una
genera un potencial con simetra esfrica respecto
de su centro:
2 0
4
2
1 0
4
1
2 1
) ( ) ( ) (
R
Q
R
Q

+ + r r r
El potencial sobre y dentro de cada esfera es constante y como los radios son distintos
los potenciales son distintos. Despreciando la influencia de la otra esfera por su lejana:
b
Q
a
Q
0
4
2
2
0
4
1
1



b) Suponga ahora que las esferas estn unidas por un hilo conductor muy fino. Deter-
mine la redistribucin de carga que tiene lugar.
Al conectar las esferas por medio de un conductor se transfiere carga hasta que todo
est al mismo potencial. Tenemos entonces que:
b
Q
a
Q
0
4
2
0
4
1
0


. Por otra parte, la
carga total del conjunto debe conservarse. Entonces:
2 1 2 1
Q Q Q Q + + . De estas dos
ecuaciones podemos despejar las nuevas cargas sobre las esferas:
( ) ( )
b a
Q Q b
Q
b a
Q Q a
Q
+
+

+
+

2 1
2
2 1
1

Aunque el potencial es el mismo, el campo sobre la superficies de las esferas es dife-
rente:
b
a
E
E
b
b
Q
E
a
a
Q
E

1
2 0
2
0
2
2
0
2
0
1
1

4

4
Se ve que el campo sobre la superficie de la esfera menor es mayor que sobre la otra, y
la relacin entre campos es la relacin entre los radios.
De aqu se deduce que en un cuerpo conductor de forma variada el
campo ser ms intenso en las regiones de mayor curvatura (menor ra-
dio) y por lo tanto en puntas y esquinas, que deben evitarse en las ins-
talaciones de alta tensin.
a
b
D
R
1
R
2
Q
1
Q
2
Electromagnetismo 2002 35
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Veamos un resumen de las caractersticas esenciales del campo electrosttico
en los materiales:
Campo en conductores:
El campo electrosttico es nulo dentro del conductor. Como dentro
del conductor hay partculas cargadas libres, si hubiera campo estas par-
tculas se moveran y la situacin no sera electrosttica.
No existe densidad de carga volumtrica en el interior de un conduc-
tor. Como el campo dentro del conductor es cero:
0 ) ( 0 / ) ( ) ( 0 ) (
0
r r r E r E
Estas dos propiedades llevan a que la presencia de un campo en la regin
donde se halla un cuerpo conductor haga que rpidamente las partculas
cargadas de su interior se redistribuyan en su superficie para anular el
campo en su interior. Si el cuerpo est cargado, la carga neta se distribu-
ye sobre la superficie.
Las lneas de campo electrosttico exteriores son normales a las su-
perficies conductoras. En general, el campo exterior sobre la superficie
del conductor se puede descomponer en una componente normal y otra
tangencial a la superficie. La componente tangencial producira fuerzas y
movimiento en las partculas cargadas en la superficie del conductor. Co-
mo esto no es posible en una situacin electrosttica, la componente
tangencial debe ser nula. No hay restriccin sobre la componente nor-
mal debido a que las partculas cargadas no pueden atravesar la superfi-
cie (para campos no demasiado intensos) por la existencia de una barrera
de potencial entre el slido y su ambiente.
Como las lneas de campo son perpendiculares a la superficie del con-
ductor en todo punto, la superficie de un cuerpo conductor es una
equipotencial.
Como adems en todo el interior del conductor no hay campo, no hay di-
ferencia de potencial entre dos pares de puntos cualesquiera del conduc-
tor. Entonces, todo el cuerpo conductor es un volumen equipotencial.
Carga inducida. La redistribucin de las partculas cargadas en un con-
ductor frente a un campo aplicado es un caso de induccin electrosttica.
La carga inducida est ligada con la capacidad del conductor, que vere-
mos ms abajo.
Campo en dielctricos
El campo en el interior y sobre la superficie de un cuerpo dielctrico no
tiene restricciones. A pesar de la fuerte ligazn entre las partculas car-
gadas que forman sus tomos, se puede inducir carga por contacto y
transferencia de carga, ya que las fuerzas de cohesin en la superficie
del material son menores que en su interior.
El campo elctrico produce redistribucin de las cargas ligadas dentro de
los materiales dielctricos, que llamamos polarizacin. Esta redistribu-
cin genera un nuevo campo elctrico, llamado campo inducido, que se
superpone al campo original. Veremos en detalle el proceso de polariza-
cin y sus consecuencias ms abajo.
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APLICACION Triboelectricidad y Descarga Electrosttica
Carga triboelctrica: Carga por contacto que involucra el intercambio de elec-
trones. Prcticamente todos los materiales son triboelctricos. Por ejemplo, las per-
sonas se cargan por roce y/o contacto en la mayora de las situaciones. La carga de
un cuerpo est asociada con un potencial electrosttico respecto de tierra a travs
de la capacidad del cuerpo. La humedad del ambiente colabora a descargar los
cuerpos cargados triboelctricamente. Por ejemplo:
Niveles de potencial de carga esttica tpicos Humedad del ambiente
Medio de generacin de carga 10 - 25% 65 - 90%
Caminar sobre carpeta 35000 V 1500 V
Caminar sobre piso de vinilo 12000 V 250 V
Trabajador en banco de trabajo 6000 V 100 V
Tomar bolsa de polietileno de banco de trabajo 20000 V 1200 V
Sentarse en silla con espuma de (poli)uretano 18000 V 1500 V
Pocas personas se dan cuenta de que se han cargado cuando su potencial respecto
de tierra no supera los 2500 V.
Serie tribolgica: Es una tabla de propiedades de carga de materiales por contacto:
Serie tribolgica tpica
Mximo Positivo Cuerpo Humano
Vidrio
Mica
Nylon
Lana
Plomo
Aluminio
Papel
0 ---------------------- ALGODN
Madera
Acero
Nquel-Cobre
Goma
Poliester
PVC
Silicio
Mximo Negativo Tefln
Si dos de estos materiales se ponen en contacto, el ms alto en la serie ceder
electrones al otro, cargndose positivamente (mientras que el otro material adquirir
una carga negativa). Cuanto ms separados se hallen los materiales mayor es la
transferencia de carga, y por lo tanto, se genera una diferencia de potencial mayor.
Se observa que el cuerpo humano es el material ms tribo-positivo de la serie.
ESD (Descarga electrosttica - Electrostatic discharge)
La descarga electrosttica se produce al poner en contacto cuerpos cargados, El
desbalance de carga neta entre los cuerpos produce un flujo de carga (una corrien-
te) que puede causar mal funcionamiento o destruccin de componentes y/o circui-
tos elctricos. Por otra parte, los objetos cargados estticamente pueden acumular
contaminantes sobre su superficie, degradando su funcionamiento o utilidad.
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En dielctricos y conductores, la carga triboelctrica se concentra sobre la superficie
del cuerpo. En el caso de los dielctricos, la carga es fundamentalmente ligada, de
modo que es difcil transferirla a otros cuerpos. En los conductores, la carga puede
fluir libremente cuando el cuerpo toca a otro cuerpo o se descarga a tierra. Hay ma-
teriales de comportamiento intermedio, llamados materiales disipativo-estticos,
por los que puede fluir una corriente elctrica, pero que tienen alta resistividad, lo
que limita la corriente de descarga, produce calor y permite disipar la energa de la
carga inducida. Por este motivo, estos materiales son los elegidos para mecanismos
de proteccin contra ESD.
Cmo se produce dao a un circuito por ESD?
El dao electrosttico a dispositivos o equipos elctricos pueden ocurrir en cualquier
punto desde la fabricacin a la reparacin. El dao resulta de manejar los dispositi-
vos o equipos en medios no controlados o donde no se usan adecuadas prcticas
de control de ESD.
En general el dao se clasifica como una falla catastrfica o un defecto latente.
Falla catastrfica: Cuando un dispositivo o equipo elctrico se expone a un evento
ESD puede dejar de funcionar. El evento ESD puede haber causado una fusin
metlica, una ruptura de juntura o una falla de capa/s de xido. El circuito del dispo-
sitivo se daa permanentemente causando que el dispositivo falle.
Defecto latente: Es mucho ms difcil de identificar. El dispositivo pudo haberse de-
gradado parcialmente, pero puede continuar realizando su funcin. Sin embargo, la
vida til del dispositivo pudo haberse reducido drsticamente. Un producto o sistema
que incorpore dispositivos con defectos latentes puede experimentar fallas prematu-
ras al ponerlos en servicio. Tales fallas son difciles y costosas para reparar y en al-
gunas aplicaciones pueden crear riesgos de salud.
Los daos por ESD son causados usualmente por uno de tres eventos: descarga
electrosttica directa al dispositivo, descarga electrosttica desde el dispositivo y
descargas inducidas por campo.
Descarga al/desde el dispositivo: Un evento ESD puede ocurrir cuando un con-
ductor cargado (incluyendo el cuerpo humano) u otro dispositivo se descarga sobre
un dispositivo sensible a ESD (ESDS). La causa ms comn de dao electrosttico
es la transferencia directa de carga a travs de una corriente que aumenta quizs
catastrficamente la temperatura en su camino, ya sea en el dispositivo que recibe la
carga o el que la enva. Aunque la duracin de la descarga es muy corta (del orden
de los nanosegundos) la corriente pico puede alcanzar varias decenas de amperes.
Habitualmente la descarga desde el dispositivo es ms destructiva que hacia l, por-
que el sistema externo que produce la descarga suele limitar la corriente.
Descarga inducida por campo: Se produce sin contacto, por la induccin electros-
ttica que produce un campo sobre el dispositivo. Esta redistribucin de carga puede
producir flujo de corriente cuando el dispositivo es momentneamente puesto a tierra
o en contacto con un conductor.
Cun susceptibles son los sistemas electrnicos a la ESD?
La posibilidad de dao de un evento ESD sobre un dispositivo sensible est deter-
minada por la habilidad del dispositivo para dispar la energa de la descarga o so-
portar los niveles de voltaje involucrados. Esta caracterstica se conoce como sus-
ceptibilidad del dispositivo a la ESD. Procedimientos de chequeo basados en los di-
versos modelos de descarga ayudan a definir este parmetro. Es necesario determi-
Electromagnetismo 2002 38
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nar las circunstancias en las que el dispositivo es ms sensible para usar el modelo
adecuado y disear las formas de proteccin convenientes.
La siguiente tabla indica la susceptibilidad de varios tipos de componentes a ESD:
Susceptibilidad de componentes electrnicos a ESD
Tipo de dispositivo Susceptibilidad a ESD (V)
VMOS 30 1200
Mosfet. GaAsfet, EPROM 100 - 300
JFET 150 - 7000
OP-AMP 190 - 2500
Diodos Schottky 300 - 2500
Resistores de pelcula 300 - 3000
TTL Schottky 1000 - 2500
Modelo de Cuerpo Humano (HBM - Human Body Model):
Para chequear la susceptibilidad de dispositivos y circuitos a la ESD se han desarro-
llado varios modelos y normas de procedimiento. Los ms comunes son el Modelo
de Cuerpo Humano (HBM), el Modelo de Mquina (MM) y el Modelo de Dispositivo
Cargado (CDM). Vamos a describir brevemente el primer modelo, que es adems el
ms antiguo y usado.
Oscilacin
(no a escala)
I
Fuente de HT Dispositivo
a testear
t
En este modelo la fuente de alta tensin carga el capacitor de 100 pF, simulando la
carga que adquiere un cuerpo humano por contacto. Este capacitor se descarga a
travs de la resistencia de 330 a 1.5 K en serie con el dispositivo a testear. El
circuito RC simula el comportamiento del cuerpo humano. Este modelo proviene del
siglo XIX, cuando fue desarrollado para investigar el comportamiento de mezclas de
gases explosivos en minas. Luego fue adoptado por normas militares y civiles dado
que la situacin ms comn de ESD se da en la manipulacin humana de objetos.
A partir del ensayo con este modelo, se establece una clasificacin de la susceptibi-
lidad del dispositivo en testeo:
HBM - ESD STM5.1-1998
Clase Rango de voltaje aceptable
Clase 0 < 250 V
Clase 1A 250 V a < 500 V
Clase 1B 500 V a < 1000 V
Clase 1C 1000 V a < 2000 V
Clase 2 2000 V a < 4000 V
Clase 3A 4000 V a < 8000 V
Clase 3B 8000 V
que se informa al usuario para su correcta utilizacin.
R
1.5 K
100 pF
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En la siguiente Figura se muestra un esquema de rea de trabajo protegida contra
ESD, tomada de la norma EN 100015-1: Basic Specification: Protection of Elec-
trostatic Sensitive Devices Part 1: General Requirements del Reino Unido.
La figura muestra una amplia variedad de medidas de seguridad posibles, que qui-
zs no sean todas necesarias, en funcin de las circunstancias particulares.
El principio bsico empleado es el enlace equipotencial, es decir, el conectar juntas
todas las superficies para prevenir una diferencia de potencial entre distintos objetos.
Las superficies de trabajo [E1] deben ser disipativo-
estticas, y deben estar conectadas a tierra [C4] a travs
de una instalacin de tierra para ESD [C3]. Las conexio-
nes a tierra se sealan adecuadamente con el smbolo de
la izquierda.
Los operadores en los puestos de trabajo estarn conec-
tados al potencial de tierra a travs de un cable a una
pulsera conductora [C1], mientras que para personal que
requiere mayor movilidad es ms apropiado la puesta a
tierra mediante bandas en la suela y dedos del calzado
[C8] sobre un piso disipativo-esttico [G1].
Los cables de conexin de las pulseras se conectan a puntos de conexin a tierra
[C5]. La ropa protectora usada por el personal [H1, H2] deben ser de material disipa-
tivo-esttico y cubrir completamente las ropas del individuo en lugares donde haya
riesgo de ESD. Cualesquiera guantes usados [C7] deben ser de material volumtri-
camente conductor.
El asiento [F1] no debe ser el medio primario de conexin a tierra del operador, pero
debe ser cubierto con material antiesttico, con un camino conductor desde el
asiento, el respaldo y los brazos al piso.
Los componentes deben almacenarse en cajones con superficies conductoras [I1], o
estanteras puestas a tierra [I2]. Estas, y los bancos de trabajo, deben estar conec-
tadas a la instalacin de tierra para ESD via cables de tierra [C2]. En sitios en que
componentes o equipos medio ensamblados se transportan en mesas rodantes, s-
tas deben tener superficies [A3] de conductividad similar a la de las superficies de
trabajo, y un marco conductor. Si las ruedas [A1] son volumtricamente conductoras,
y estn en contacto elctrico con el marco de la mesa, el uso de una cinta de puesta
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4
1
) (

4
1
2
2 1
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21 12 21
2
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2 1
0
21
R r F
F F R F
R
q q
R
q q


con:
r r R R
r r R R

1 2 21 21 21
R
R
a tierra [A2] no es necesario. Si el piso del rea protegida no es conexin a tierra, la
mesa debe conectarse desde su punto de tierra [C6] a un punto de conexin de tie-
rra [C5] cuando se halle detenido para carga y/o descarga.
La eficacia de las medidas de resguardo deben ser evaluadas por el personal usan-
do un voltmetro electrosttico para medir los potenciales y campos remanentes du-
rante el trabajo normal. Medidas adicionales incluyen el control de la humedad a no
menos del 20%, o el uso de ionizadores [D1]. Estos ltimos tienen solamente efectos
locales.
Deben usarse seales [J1] en el interior y en la entrada/salida del rea protegida pa-
ra recordar al personal sus responsabilidades. Las pulseras y cables de conexin
deben chequearse regularmente usando un tester de continuidad elctrica [B1]. Las
suelas y partes conductoras del calzado [B2, B3] deben
chequearse en forma similar.
Los dispositivos, aparatos o sistemas sensibles a posi-
bles daos por ESD deben sealizarse con el smbolo de
la izquierda, donde el tringulo significa "precaucin" y la
barra sobre la mano que va a tomar el objeto significa "no
tocar". Debido a su amplio uso, la mano dentro del trin-
gulo se ha asociado con ESD y el smbolo literalmente
podra traducirse: "material sensible a ESD. No tocar".
El smbolo de proteccin ante ESD es similar al anterior,
pero la barra es reemplazada por un arco o "paraguas",
que indica proteccin. Este smbolo seala material pro-
tector contra ESD, y se aplica a felpudos, sillas, mue-
queras, vestidos, materiales de empaque y otros tems
que protegen frente a ESD.
Los daos causados a equipos elctricos por falta de
prevencin ante problemas de ESD se ha estimado en
varios cientos de millones de dlares en la dcada de
1980-1990, antes que hubiera normas adecuadas y ex-
periencia en el manejo de estas situaciones.
RESUMEN
En este Captulo comenzamos la descripcin de los campos electromagnticos.
Comenzamos con los fenmenos estticos, en los cuales los cuerpos cargados es-
tn en reposo entre s. Esta hiptesis simplifica la descripcin de las interacciones
elctricas, y forma la base para descripciones de situaciones ms complejas.
Otra hiptesis importante es, en una pri-
mera instancia, despreciar la estructura
interna de los cuerpos cargados y conside-
rarlos como partculas puntuales carga-
das. Esta simplificacin, cuando hay slo
dos partculas cargadas en interaccin,
lleva a la llamada ley de Coulomb que fue
descubierta experimentalmente por Char-
les-Augustin de Coulomb en base al mto-
do de la balanza de torsin.
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0 0
) (
) (

r
r E n E
Q
dS
S
La interaccin electrosttica de ms de dos partculas simultneamente presentes
se puede describir a partir de las interacciones de a pares mediante el principio de
superposicin.
La ley de Coluomb y la superposicin contienen toda la fsica de la interaccin
electrosttica. Este es un modelo de accin a distancia , donde una partcula ejer-
ce una accin sobre la otra aunque no haya contacto fsico. Esto genera problemas
cuando se quiere extrapolar estas leyes a partculas en movimiento relativo.
Por esto se ha inventado el modelo de campo, donde una partcula crea una per-
turbacin del espacio llamada campo, que es la responsable
de la accin dinmica sobre la segunda partcula en su posi-
cin del espacio. El modelo de campo es un modelo local.
Por superposicin, el modelo de campo se puede extender a cuerpos cargados ex-
tensos, donde surge el concepto de densidad de carga.
De acuerdo al teorema de Helmholtz, como todo campo vectorial, el campo elc-
trico est definido por su rotor y su divergencia, que pueden calcularse de su ex-
presin general.
La divergencia del campo est asociada a sus fuentes escalares, que son las dis-
tribuciones de carga elctrica. La forma
integral de esta propiedad es el llamdo
teorema de Gauss, que se usa para el
clculo de campos de distribuciones de
carga de alta simetra.
El campo elctrico es irrotacional, es decir, conservativo, por lo que se puede ex-
presar como el gradente de un campo escalar llamado poten-
cial electrosttico. El potencial est asociado al trabajo reali-
zado por el campo sobre cargas que se desplazan y lleva a la
nocin de energa potencial electrosttica, que veremos en el siguiente captulo.
De acuerdo a su comportamiento frente a un campo elctrico, los materiales se
dividen en conductores, semocinductores y aisladores. En el caso de cuerpos con-
ductores, el campo electrosttico y la densidad de carga se anulan en su interior,
y la superficie del conductor es una superficie equipotencial, de forma que las l-
neas de campo exteriores llegan perpendiculares a ella.
PROBLEMAS
2.1) Un electroscopio mide la carga a partir de la desviacin angular de dos esfe-
ras conductoras idnticas muy pequeas de masa M suspendidas por cuerdas
aislantes de pesos despreciables de longitud L. Se deposita una carga total Q so-
bre las esferas del electroscopio. El ngulo , medido desde la vertical obedece
una relacin de la forma tan sen constante
2

Cul es la constante? [Respuesta: Q
2
/64
0
L
2
Mg]
2.2) Una lnea de longitud L uniformemente cargada con Q est ubicada a una
distancia R de otra carga puntual q como se indica en la figura. Hallar la fuerza
que la carga ejerce sobre la lnea.
q
lim
q
) (
) (
0
r F
r E

0 ) (
) ( ) (


r E
r r E
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2.3) Un disco tiene una densidad superficial de carga = r
2
donde es una
constante y r es la distancia al centro del disco. El radio del disco es R. Hallar el
campo elctrico sobre el eje del disco a una distancia z. Graficar E en funcin de z
y observar donde es discontnuo. Cmo se modifican las expresiones si el disco
est centrado en z z
0
?
2.4) Un cilindro metlico muy largo, hueco de radio R est conectado a tierra. So-
bre el eje del cilindro hay una distribucin de carga lineal . a) Calcular y graficar
el campo elctrico y el potencial en todo el espacio. b) Hallar la densidad de car-
ga superficial inducida sobre la superficie del cilindro.
2.5) Un precipitador electrosttico est formado por un cilindro metlico hueco de
radio R
p
= 100 cm conectado a tierra, en cuyo eje se encuentra un conductor recto
de radio R
c
= 0.25 cm,

llamado de efecto corona, conectado a un potencial V
0
.
Qu diferencia de potencial se debe aplicar para alcanzar un campo elctrico
que ionice el aire en la superficie del alambre de corona?. Explique el funciona-
miento de un precipitador electrosttico de humo y el principio del pintado elec-
trosttico. (El campo de ruptura dielctrica del aire es E
r
30000 V/cm)
[Respuesta: V
0
45KV]
2.6) Se tiene una esfera no conductora de radio a cargada con una densidad vo-
lumtrica . La esfera est adentro de otra esfera metlica hueca de radio b > a
conectada a un potencial V
0
. Halle: a) el campo elctrico en todo punto, b) la car-
ga inducida en la esfera metlica y c) el potencial en todo punto.
[Respuesta: Q
ind
= 4
0
bV - (4/3)a
3
]
2.7) En un tubo de rayos catdicos, tal como el de un televisor o un osciloscopio,
se utiliza un campo elctrico para deflectar un haz de electrones. Los electrones
son emitidos por un ctodo caliente y acelerados en un potencial V
a
. Si la veloci-
dad inicial de los electrones es cero, determinar que tensin se debe aplicar a las
placas horizontales para que los electrones se desven una distancia h del centro.
Desprecie los efectos de borde. Los datos se indican en la figura. Cmo puede
relacionar este ejemplo con el funcionamiento de las impresoras de chorro de
tinta?.
[Respuesta: V = 4hdV
a
/L
2
]
h
0
V
a
d
L
x
y
z
R