Tema1 Teor A de Semiconductores Diod

Teora deSemiconductores Diodo Semiconductor 1/ 20
1. Introduccin

La electrnica hace uso de los dispositivos lineales en combinacin con los no lineales
para producir un efecto o accin especfica que requiera de cierta precisin. Esta accin
puede ser: generacin de seales, deteccin de frecuencias, amplificacin de seales,
comparacin y deteccin de niveles de seal, etc.

Un dispositivo no lineal es aquel cuyo comportamiento no puede representarse por
medio de una lnea recta con pendiente constante en el tiempo, a diferencia de los
dispositivos lineales como resistencias, condensadores, inductores.

El dispositivo mas simple y de mayor utilidad en la electrnica es el diodo, el cual es un
dispositivo electrnico no lineal de dos terminales cuyas caractersticas bsicas son:

La no linealidad: Su comportamiento no puede describirse a travs de una lnea
recta.
La no bilateralidad: Lo que significa que tiene una baja resistencia si se polariza en
una direccin y alta resistencia con la polarizacin contraria.

Esta ltima caracterstica indica que el diodo es un dispositivo semiconductor y de
hecho est construido en base a materiales semiconductores.

2. TeoradeSemiconductores

Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede
considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en
orden creciente. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas
negativas. En los semiconductores se producen corrientes producidas por el
movimiento de electrones como de las cargas positivas.

Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la tabla
peridica, caracterizados por ser tetravalentes. El modelo atmico de Bhor nos sugiere
una idea del tomo formado por tres partculas fundamentales: electrn, protn y
neutrn. Los protones y neutrones forman el ncleo y los electrones giran alrededor del
ncleo en rbitas fijas. Los electrones que se ubican en la capa orbital externa se
conocen como electrones de valencia.

Los semiconductores ms conocidos el silicio (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, el
comportamiento del silicio es ms estable que el germanio frente a todas las
perturbaciones exteriores que pueden variar su respuesta normal, es el primero (Si) el
elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes
electrnicos de estado slido; el proceso del germanio es absolutamente similar, pero
con frecuencia se har referencia aqu al silicio.

Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo,
como electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este nmero es de
14). El inters del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin
Electrnica Prof. Julima Anato
de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Como es de todos
conocidos, un electrn se siente ms ligado al ncleo cuanto mayor sea su cercana
entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atraccin por parte
del ncleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en
las rbitas exteriores. Estos electrones pueden, segn lo dicho anteriormente, quedar
libres al inyectarles una pequea energa. En estos recaer nuestra atencin y es as
que en vez de utilizar el modelo completo del tomo de silicio (figura 1), utilizaremos la
representacin simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro inters.

La zona sombreada de la figura 2 representa de una manera simplificada a la zona
Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la
2.1. Semiconductor Intrnseco
uando el material semiconductor se encuentra formado por tomos del tipo explicado
n material semiconductor consiste de una red de unidades repetidas, las cuales

sombreada de la figura 1
fuerza de atraccin del ncleo son cuatro.

C
en el apartado anterior, se dice que se encuentra en estado puro o ms usualmente que
es un semiconductor intrnseco.

U
ocupan un espacio cbico, tal como se ilustra en la figura 3. Dentro de cada unidad
cbica se encuentra un tomo localizado en el centro con cuatro tomos alrededor de
l, ubicados cada uno de ellos en cuatro de los ocho vrtices del cubo. Cada electrn
de valencia se comparte con otro electrn de valencia del tomo vecino formando as
un enlace covalente.


Una barra de material semiconductor puro est formada por la repeticin de esta unidad
i en estas condiciones inyectamos energa desde el exterior, algunos de esos

El tomo siempre tendr la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus
oda inyeccin de energa exterior produce pues un proceso continuo que podemos
cbica repetida formando una determinada estructura geomtrica que se conoce como
red cristalina.

S
electrones de las rbitas externas dejarn de estar enlazados y podrn moverse.
Lgicamente si un electrn se desprende del tomo, este ya no est completo, decimos
que est cargado positivamente, pues tiene una carga negativa menos, o que ha
aparecido un hueco y al mismo tiempo un electrn libre (figura 4). Asociamos entonces
el hueco a una carga positiva o al sitio que ocupaba el electrn.

cargas, por lo tanto en nuestro caso, intentar atraer un electrn de otro tomo para
rellenar el hueco que tiene.

T
concretar en dos puntos:

Electrones que se quedan libres y se desplazan de un tomo a otro a lo largo de la
barra del material semiconductor.
Aparicin y desaparicin de huecos en los diversos tomos del semiconductor.

Queda as claro que el nico movimiento real existente dentro de un semiconductor es
el de electrones. Lo que sucede es que al aparecer y desaparecer huecos, "cargas
positivas", en puntos diferentes del semiconductor, parece que estos se mueven dando
lugar a una corriente de cargas positivas. Este hecho, movimiento de huecos, es
absolutamente falso. Los huecos no se mueven, slo parece que lo hacen.

Ahora bien, para facilitar el estudio de los semiconductores identificaremos a los
electrones libres y a los huecos como portadores, en vista de que su movimiento es
capaz de provocar la conductividad.

2.2. Semiconductor Extrnseco

La pureza de los materiales intrnsecos es tan alta que existen muy pocos electrones
libres, adems la movilidad de los portadores es muy baja y por consiguiente la
conductividad. Por esta razn la utilidad de los materiales semiconductores intrnsecos
es limitada slo a dispositivos especiales como por ejemplo: el termistor, el cual es un
resistor dependiente de la temperatura.

En vista de que la corriente que aparece en los materiales intrnsecos es de muy
pequeo valor, pues son pocos los electrones que se pueden arrancar de los enlaces
covalentes, se tienen dos posibilidades para el aumento de esta corriente:

Aplicar una tensin de valor superior.
Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior

La primera solucin no es factible pues, an aumentando mucho el valor de la tensin
aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La solucin elegida es la
segunda.

En este segundo caso se dice que el semiconductor est "dopado" y el material
semiconductor resultante se le llama extrnseco.

El dopaje consiste en sustituir algunos tomos de material puro semiconductor por
tomos de otros elementos. A estos ltimos se les conoce con el nombre de impurezas.
Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o
intrnseco aparecen dos clases de semiconductores extrnsecos:

Semiconductor tipo N
Semiconductor tipo P

2.2.1. Semiconductor TipoN
Si en una red cristalina de material semiconductor intrnseco de silicio (figura 5)
sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa
exterior) por un tomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su capa
exterior, resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los
tomos de la red y el quinto queda libre tal como se muestra en la figura 6.

A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo
N".
En esta situacin hay mayor nmero de electrones que de huecos. Por ello a estos
ltimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los
electrones libres.
Las Impurezas tipo N ms utilizadas en el proceso de dopado son el arsnico, el
antimonio y el fsforo.
2.2.2. Semiconductor TipoP
Si en un material intrnseco de silicio, como el mostrado en la figura 5, se sustituye uno
de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un
tomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior (figura 7),
resulta que estos tres electrones llenarn los huecos que dejaron los electrones del
tomo de silicio, pero como son cuatro, quedar un hueco por ocupar.

O sea que ahora la sustitucin de un tomo por otros provoca la aparicin de huecos en
el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" sern los huecos y los
electrones los portadores minoritarios.
A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo P"
2.2.3. Representacin delos semiconductores extrnsecos
Los semiconductores extrnsecos se representan indicando dentro de los mismos el tipo
de portadores mayoritarios, tal como se muestra en la figura 8.

3. El DiodoSemiconductor
El diodo semiconductor se forma con slo juntar los materiales tipo N y tipo P, dando
como resultado un dispositivo de dos terminales (Figura 9), por lo que al dispositivo
tambin se le conoce como diodo de Unin o simplemente Unin NP o Unin PN.

En el momento en que son "unidos" los dos materiales, los electrones y los huecos en
la regin de la unin se combinan, dando por resultado una falta de portadores en la
regin cercana a la unin, como se indica en la figura 10.

A esta regin de iones positivos y negativos descubiertos se le llama regin de
agotamiento, debido al agotamiento de portadores en esta regin.
La presencia de iones positivos y negativos en la zona de unin representa un potencial
que dificulta el movimiento de portadores de una regin hacia la regin opuesta y por
esta razn la regin de agotamiento representa una barrera de potencial que
proporciona un equilibrio en cuanto a corriente debida al movimiento de portadores.
Este equilibrio slo puede romperse sometiendo la unin a una tensin externa a travs
de sus terminales, de tal forma que los portadores adquieran suficiente energa para
romper la barrera de potencial.
La aplicacin de una tensin entre los terminales de un dispositivo se conoce como
polarizacin. Como el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicacin de un
voltaje (V
D
) a travs de sus terminales permite tres posibilidades: No polarizacin,
Polarizacin directa y Polarizacin inversa.
3.1. DiodoNoPolarizado(VD =0V)

En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de la carga en cualquier
direccin para un diodo semiconductor es cero. (Figura 11)

3.2. Polarizacin inversa(VD <0V)

Si un potencial externo de V voltios se aplica a la unin de tal forma que la regin tipo P
est a un nivel de tensin menor que la regin tipo P, se dice que el diodo est
polarizado inversamente.

El efecto de esta polarizacin, como ilustra la figura 12, es ampliar la barrera de
potencial a travs del exceso de electrones libres que son arrastrados hacia el terminal
positivo de la fuente, aumentando el nmero de iones positivos en la unin y por
consiguiente el de iones negativos tambin. Con esto se reduce la posibilidad de
conduccin debido al movimiento de portadores mayoritarios a travs de la unin.

No obstante, si el voltaje aplicado es demasiado alto puede ocurrir la conduccin debido
al movimiento de portadores minoritarios tenindose as una corriente muy pequea
llamada Corriente de Saturacin Inversa (I
S
).

De todo esto se concluye entonces que en un diodo polarizado inversamente la
corriente debido a portadores mayoritarios (I
D
) es cero o aproximadamente cero y un
gran aumento en la tensin inversa aplicada slo producira una corriente muy pequea
saturada, puesto que esta no variar significativamente con aumentos sucesivos de
tensin.

3.3. Polarizacin Directa(VD >0V)

Un diodo semiconductor tiene polarizacin directa cuando se aplica a la unin una
tensin externa V tal que el material tipo P est a un nivel de tensin mayor que el
material tipo N.

El efecto (mostrado en la figura 13) es contrario a la polarizacin inversa, ya que en la
polarizacin directa se reduce la barrera de potencial provocando un mayor movimiento
de portadores mayoritarios y por tanto de la conduccin. La corriente en circulacin (I
D
)
depender de la magnitud de la tensin aplicada.

Todo esto indica que existe una corriente en el dispositivo cuando ste est polarizado
directamente.

3.4. Smbolodel DiododeUnin PN

La estructura del diodo y su comportamiento ante la aplicacin de una seal de tensin
entre sus terminales permite establecer su smbolo, mostrado en la figura 14.

En el smbolo circuital, el terminal identificado como A se conoce como nodo y
corresponde en la unin al material tipo P; el terminal identificado como K, Ctodo, se
relaciona con el material tipo N. La conduccin se presenta entonces de nodo a
Ctodo durante la polarizacin directa.

En un diodo comn comercial, la barra o marca cercana a uno de los terminales del
dispositivo corresponde al Ctodo del diodo.

3.5. CaractersticaIdeal del Diodo

El comportamiento del diodo ante la seal de tensin aplicada entre sus terminales
permite idealizar al dispositivo a travs de una grfica corriente-voltaje en el diodo.
(Figura 15).

La caracterstica ideal del diodo indica que l mismo se comporta como un interruptor,
que acta como circuito abierto para tensin inversa aplicada y como corto circuito para
tensin inversa. La figura 16 muestra este comportamiento de forma grfica.


De la figura 16 se estable el modelo ideal del diodo resumido en la tabla 1.

Tabla 1. Modelo Ideal del Diodo de Unin PN
Diodo
Polarizacin
Smbolo Modelo Ideal
Inversa
V
D
< 0 V

Directa
V
D
> 0 V

+ - +
-
+
- + -

3.6. CaractersticaReal del Diodo

En la realidad la caracterstica corriente-voltaje del diodo no es tan determinante como
en la caracterstica ideal, puesto que en realidad para la polarizacin inversa siempre
habr un nivel de tensin tal que provocar la conduccin en el dispositivo. Este nivel
de tensin se conoce como tensin de ruptura (Vrup) o de disrupcin inversa y la
corriente para este nivel de tensin, aunque es de valores muy pequeos (por el orden
de los A) vara significativamente ante pequeos aumentos en la tensin inversa
aplicada. Una vez que la tensin aplicada supera este Vrup, el dispositivo entra en una
zona de corriente descontrolada llamada zona de avalancha (figura 17).


Adems en la realidad el dispositivo no conduce inmediatamente cuando se polariza
directamente, sino que mas bien la corriente en el diodo para esta polarizacin aumenta
en forma exponencial a partir de cierto nivel de tensin conocido como voltaje de
conduccin (V) tal como muestra la figura 18.

El valor de V depende de las caractersticas del material, asumindose que:

V 0.7 V para el Silicio y
V 0.3 V para el Germanio

La corriente en el diodo polarizado directamente es del orden de los mA y al igual que
para la polarizacin inversa aumenta considerablemente ante pequeos aumentos en la
tensin aplicada.

La curva completa corriente-voltaje en el diodo se muestra en la figura 19.


3.7. Corrientedel Diodo

La caracterstica real del diodo puede expresarse matemticamente a travs de la
ecuacin para i
D
:

) 1 ( =
mKT qv
s D
D
e I i

Donde:

i
D
: corriente a travs del diodo
Is: corriente de saturacin inversa
q: carga del electrn
v
D
: voltaje en el diodo
K: constante de Boltzman 1.38x10
-23
J/K
m: constante emprica del material, 1 para el Ge y 2 para el Si

El factor KT/q se expresa en voltios y tiene un valor aproximado de 25 mV a
temperatura ambiente 300K.

Esta ecuacin permite obtener una grfica mas detallada de corriente-voltaje en el
diodo tabulando los valores de corriente que se obtendran para diferentes valores de
tensin aplicada a temperatura ambiente o cualquier otra.
Si v
D
es negativa y con magnitud mucho mayor al factor KT/q se obtiene entonces la
corriente de saturacin inversa: i
D
= Is.

Si v
D
es positiva y con magnitud mucho mayor al factor KT/q se obtiene la corriente en
sentido directo:
) (
mKT qv
s D
D
e I i =

3.8. Resistenciadel Diodo

La curva real del diodo as como tambin la expresin para i
D
permiten determinar la
resistencia del dispositivo.

La resistencia de un dispositivo elctrico corresponde a la pendiente de la curva voltaje-
corriente del dispositivo. As para una resistencia comn se tiene de acuerdo a la figura
20:

En el caso del diodo la curva corriente-voltaje no es lineal, lo que indica que la
resistencia del diodo no es variable, pero se puede obtener el valor de la resistencia del
diodo en cualquier punto de operacin dentro de la grfica tomando en cuenta que la
pendiente de la lnea tangente que pasa por el punto de operacin seleccionado es la
derivada de la funcin i
D
(v
D
) en ese punto.

La resistencia del diodo es entonces el inverso de la derivada de la funcin i
D
(v
D
) con
respecto al voltaje:

[ ] ( )
s
mKT qv
s
D D
D
I I
mKT
q
e I
dv
d
dv
di
D
+ = = ) 1 (

Si I >> Is
I
mKT
q
dv
di
D
D
=

Y como KT/q =25mV a 300K, a esta temperatura se tiene:
mV m
I
dv
di
D
D
25
=

m tiene un valor de 1 para el Ge y 2 para el Si, pero las curvas corriente-voltaje tanto
para Ge como Si son iguales en la zona lineal y por tanto se toma m=1. De tal forma
que:
mV
I
dv
di
D
D
25
=

Y como la resistencia es el inverso de esta derivada, se calcula r
D
como:

operacin de pto el en
25
I
mV
di
dv
r
D
D
D
= =

3.9. ModeloLinealizadodel Diodo

El anlisis de los circuitos con diodos requiere de la sustitucin del dispositivo por su
circuito equivalente o modelo.

Un modelo del diodo ideal se vi en la seccin 1.4: corto circuito para polarizacin
directa y circuito abierto para polarizacin inversa.

En el caso del diodo real debe tomarse en cuenta tanto la resistencia del diodo como el
voltaje de conduccin del mismo. En vista de que la caracterstica del diodo real no es
lineal y esto indica una resistencia variable, la especificacin de un modelo en base a la
resistencia del diodo calculada en un punto determinado no ofrecera un resultado
general para todo nivel de tensin aplicado al diodo, ni para todo tiempo. Por tal razn
se recurre la linealizacin de la caracterstica real del diodo con lo cual se puede
determinar un valor de resistencia aproximado del diodo valido para un cierto rango de
operacin en voltaje y tiempo. (Ver figura 21).

La linealizacin divide a la caracterstica real en tres tramos, tomando en cuenta las
zonas mas lineales dentro de la curva. As, tal como se muestra en la figura 21 se
observan tres tramos de lnea recta con caractersticas de polarizacin asociadas:

Polarizacin directa, v
D
> V
Polarizacin inversa, Vrup < v
D
< V
Zona de avalancha, v
D
< Vrup

En base a la caracterstica linealizada del diodo, el voltaje de conduccin del dispositivo
V, la resistencia para polarizacin directa R
D
y la resistencia para polarizacin inversa
R
R
, se resume el modelo linealizado del diodo en la tabla 2.

Tabla 2. Modelo Linealizado del Diodo
Diodo
Polarizacin
Smbolo Modelo Linealizado
Directa
V
D
> V

+
-
R
D
+
-
A K
V
Inversa
Vrup < V
D
< V

Zona de Avalancha
V
D
< Vrup

K
R
R
A
- +
+ -
+ -
+
-

En la tabla se observa que para la zona de avalancha el modelo lineal del diodo est
dado por un circuito abierto, puesto que para esta zona se considera el dao del
dispositivo y por tanto la conduccin es nula.

4. DiodoZener

El diodo zener es un dispositivo de unin pn diseado para utilizar al mximo la zona de
avalancha. La zona de avalancha comienza para una tensin inversa tal que el
incremento en la corriente es considerable comparado con los pequeos aumentos de
tensin inversa aplicada.

El diodo zener se obtiene aadiendo un mayor nmero de tomos de impurezas al
material intrnseco durante el proceso de dopaje.

La curva caracterstica del diodo zener (figura 22) es parecida a la curva caracterstica
del diodo comn de Si o de Ge. La diferencia est en que para ciertos niveles de
tensin inversa aplicada el diodo comn adquiere la caracterstica de circuito abierto,
mientras que el diodo zener adopta un estado de conduccin para estas tensiones.

Adems la conduccin en polarizacin inversa para un diodo zener est en el orden de
los mA y comienza con niveles de tensin pequeos, mas no as para diodos comunes.
La tensin inversa que provoca la conduccin del zener se conoce como Vz; este nivel
de tensin es pequeo comparado con la tensin inversa (Vrup) que provoca la
conduccin del diodo comn con niveles de corriente saturada (Is) por el orden de los
A o nA.

a zona zener viene especificada en la hoja de datos del zener, dada por el fabricante,
l smbolo del diodo zener es muy parecido al smbolo del diodo comn de Si o Ge. La

al igual que el diodo comn pn el d ener tambin tiene su modelo linealizado. En

L
a travs de los valores de I
ZMIN
e I
ZMAX
, los cuales garantizan la operacin lineal del
zener una vez superada la tensin Vz.

E
figura 23 muestra el smbolo del zener.

Figura 23

Y iodo z
base a la linealizacin de su caracterstica, mostrada en la figura 24, se resume el
modelo ideal y linealizado del zener en la tabla 3.


Tabla 3. Modelo Linealizado del Zener
Zener
Polarizacin
Smbolo Modelo Linealizado
Directa
V
D
> V

Inversa
Vz < V
D
< V

Zona Zener
V
D
< Vz

R
D
+
-
A K
V
+
-
+
-
K
R
R
A
- +
+
-
-
A
Vz
K
+
R
z

De la tabla 3 se observa que una vez superado el voltaje del zener Vz, su modelo
corresponde a una resistencia Rz en serie con una fuente de valor Vz, lo cual es un
modelo muy parecido al modelo del diodo cuando este est polarizado directamente.

La idealizacin del diodo zener, es sencilla. Para polarizacin directa e inversa se sigue
el mismo modelo del diodo ideal, para la zona zener el modelo ideal del zener se
representa slamente con una fuente de valor Vz.

5. Otros Tipos deDiodos
Adems del diodo comn, determinadas variantes de diodos de unin presentan en
algunas circunstancias comportamientos singulares, que pueden aprovecharse en
ciertas aplicaciones electrnicas. As tenemos una amplia gama de diodos:
Diodo Schottky
Diodo Varactor
Diodo Tnel
Diodo Emisor de Luz (LED)
Fotodiodo
Diodo PIN
5.1. DiodoSchottky
El diodo Schottky se forma al enlazar un metal, como aluminio o platino, a silicio de tipo
n. Se utiliza a menudo en circuitos integrados para aplicaciones de conmutacin de alta
velocidad. El diodo Schottky tiene una caracterstica de tensin contra corriente similar
a la del diodo de unin pn de silicio, excepto porque la tensin en directo, V, es 0.3 V
en vez de 0.7V. La capacitancia asociada con el diodo es pequea.
El diodo Schottky a veces se denomina diodo de barrera, ya que se forma una barrera a
travs de la unin debido al movimiento de los electrones del semiconductor a la
interfaz metlica.
5.2. DiodoVaractor
Los diodos de unin perenne normales exhiben capacitancia cuando se operan en
modo de polarizacin inversa. El diodo varactor se fabrica especficamente para operar
en este modo. La capacitancia es una funcin de la inversa de tensin. Por tanto, el
diodo acta como capacitor variable, donde el valor de la capacitancia es una funcin
de la tensin de entrada.
Un uso comn de este diodo es en el oscilador controlado por tensin (VCO).
5.3. DiodoTnel (DiodoEsaki)

El diodo tnel est ms contaminado que el diodo zener, provocando que la zona de
unin sea ms pequea. Esto aumenta la velocidad de operacin, por lo que el diodo
tnel es til en aplicaciones de alta velocidad. Conforme aumenta la polarizacin
directa, la corriente aumenta con mucha rapidez hasta que se produce la ruptura.
Entonces la corriente cae rpidamente. Lo ms curioso es la zona de resistencia
incremental negativa, es decir una regin en la que un incremento positivo de la tensin
V se traduce en un incremento negativo de la intensidad I. Las aplicaciones de los
diodos tnel aprovechan precisamente esta zona. El diodo tnel es til debido a esta
resistencia negativa. La regin de resistencia negativa de un diodo tnel se desarrolla
de manera caracterstica en el intervalo de 50 mV a 250 mV.

5.4. DiodoEmisor deLuz (LED)

Ciertos tipos de diodos son capaces de cambiar la fuente de energa elctrica en fuente
de energa lumnica. El diodo emisor de luz (LED, ligth emitting diode) transforma la
corriente elctrica en luz. Es til para diversas formas de despliegues, y a veces se
puede utilizar como fuente de luz para aplicaciones de comunicaciones por fibra ptica.

Los LEDs son diodos fabricados con un semiconductor compuesto. Su cpsula es
transparente para dejar pasar la luz (fotones) emitida cuando se recombinan en la zona
de unin huecos y electrones libres en trnsito. La intensidad de la luz emitida puede
modularse variando la tensin directa aplicada. El color de la luz depende del
semiconductor; as:

Tabla 4. Colores en los LEDs
Semiconductor Color
AsGa infrarrojo
PGa verde
AsPGa Diferentes segn proporcin de As y P
Se utilizan para los mandos a distancia por infrarrojos, e indicadores (displays)
alfanumricos. La tecnologa de los LED se est desarrollando continuamente. Se
fabrican ya LED de luz blanca (mezcla de los colores fundamentales rojo, verde y azul)
y de intensidad luminosa elevada, lo que explica que vayan sustituyendo a la luz de
incandescencia y fluorescente en iluminacin urbana y domstica y otras aplicaciones.
Por ejemplo, estn utilizndose cada vez ms en pilotos e intermitentes de coches,
semforos y, por supuesto paneles murales de publicidad o informacin. El rendimiento
(intensidad luminosa/watio) es mucho mayor, por lo que el consumo energtico es
mucho menor que en los sistemas tradicionales.
5.5. Fotodiodo

Un fotodiodo realiza la funcin inversa al LED. Esto es, transforma la fuente de energa
lumnica en corriente elctrica. Se aplica polarizacin inversa al fotodiodo y la corriente
de saturacin inversa se controla por la intensidad de luz que ilumina el diodo. La luz
genera pares electrn-hueco, que inducen corriente. El resultado es una "fotocorriente"
en el circuito externo, que es proporcional a la intensidad de luz efectiva en el
dispositivo. Este se comporta como generador de corriente constante mientras la
tensin no exceda la tensin de avalancha.

5.6. DiodoPIN
El diodo que tiene la regin poco contaminada y casi intrnseca entre la zona de unin
de las regiones p y n se llama diodo PIN. El nombre se deriva del material intrnseco
entre las capas p y n, llamado regin i. Debido a su construccin, el diodo tiene baja
capacitancia y, por tanto, encuentra aplicacin en frecuencias altas. Cuando se polariza
en directo, la inyeccin de portadores minoritarios aumenta la conductividad de la regin
intrnseca. Cuando se polariza en inverso, la regin i se vaca totalmente de portadores
y la intensidad del campo a travs de la regin es constante.
6. Especificaciones del Fabricante
La construccin de un diodo determina la cantidad de corriente que es capaz de
manejar, la cantidad de potencia que puede disipar y la tensin inversa pico (VPI) que
puede soportar sin daarse. A continuacin se lista los parmetros principales que se
encuentran en la hoja de especificaciones del fabricante de un diodo rectificador:
1. Tipo de dispositivo con el nmero genrico de los nmeros del fabricante.
2. Tensin inversa pico (VPI).
7. Mxima corriente inversa en VPI.
8. Mxima corriente de cd en directo.
5. Corriente promedio de media onda rectificada en directo.
6. Mxima temperatura de la unin.
7. Curvas de degradacin de corriente.
8. Curvas caractersticas para cambio en temperatura de tal forma que el dispositivo se
pueda estimar para altas temperaturas.
En el caso de los diodos zener por lo general aparecen los siguientes parmetros en las
hojas de especificaciones:
1. Tipo de dispositivo con el nmero genrico o con los nmeros del fabricante.
2. Tensin zener nominal (tensin de temperatura por avalancha).
2. Tolerancia de tensin.
3. Mxima disipacin de potencia (a 25 c), P
ZMAX

5. Corriente de prueba, Izt.
6. Impedancia dinmica a Izt.
7. Corriente Mnima a travs del dispositivo que asegura la zona zener, I
ZMIN
.
8. Mxima temperatura en la unin.
9. Coeficiente de temperatura.
10. Curvas de degradacin para altas temperaturas.


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