Marco Terico Banda de Energa

Hablar de Radios y de Energas es lo mismo. Cuanto mayor sea el radio mayor ser tambin la energa. Existen diversas maneras de darle energa a un electrn, por: Energa Trmica. Energa Luminosa (fotn E = h x f). Campo Elctrico. Si se le da energa a un electrn para que pase de E1 a E2, este electrn puede pasar de una rbita a otra.

Ese electrn vuelve enseguida, al volver tiene que ceder o soltar la energa. Puede hacerlo de 2 formas: Al volver sale un fotn de luz: E2 - E1 = h x f Una aplicacin de esta caracterstica se ve en los Diodos Led, que dependiendo de las energas tendrn diferentes colores, y tambin pueden soltar fotones invisibles a frecuencias en las que la vista no puede captarlas. Tambin se suelta energa en forma de calor, energa trmica (calentamiento del diodo). Las energas las representaremos grficamente de esta manera:

Hasta ahora hemos visto un tomo aislado, pero en un cristal tenemos que aplicar el "Principio de Exclusin de Pauli": "En un sistema electrnico no puede haber 2 electrones con los mismos nmeros cunticos". Esto es, que no puede haber 2 electrones con la misma energa.

Bandas de Energa en un Semiconductor Intrnseco

Anteriormente hemos visto que los semiconductores intrnsecos eran aquellos que no tenan impurezas, esto es, todos son tomos de Silicio (Si)

Al aplicar el principio de exclusin de Pauli el electrn de energa E1 de un tomo y el electrn de energa E1 del tomo vecino, se han de separar en energa. Como hay una gran cantidad de tomos aparecen muchos niveles energticos con una separacin muy pequea, formando la 1 Banda de Energa. Los electrones de energa E2 se separan en energa formando la 2 Banda de Energa. Y as sucesivamente con el resto de energas se van creando Bandas de Energa (grupos de niveles energticos). El resultado es el siguiente:

Como es difcil sacar un electrn de las bandas inferiores, no nos interesan las 2 bandas inferiores, no las tendremos en cuenta, as tendramos:

Estas 2 bandas son las creadas por los 4 electrones de la ltima rbita del tomo. A 0 grados Kelvin (K) los 4 electrones de cada tomo estn en la Banda de Valencia (cada uno en un radio o energa permitido).

BC = Banda de Conduccin BV = Banda de Valencia A 300K (27 C, temperatura ambiente) o a mayor temperatura, algn electrn puede conseguir suficiente energa como para pasar a la Banda de Conduccin, dejando as un hueco en la Banda de Valencia.

A esto le llamamos Generacin Trmica de Pares electrn libre-hueco. Cuanto ms aumente la temperatura, ms electrones suben debido a la generacin trmica. Por eso un semiconductor a 0K no conduce y si aumenta la temperatura conduce ms. Ahora veremos qu es lo que ocurre con los semiconductores con impurezas.

Bandas de Energa en un Semiconductor tipo n

Tenemos muy pocos tomos de impurezas (+5) en comparacin con los tomos normales de Silicio (+4). Como se impurifica muy poco, los tomos de +5 estn muy alejados y no se influyen entre s, pudiendo tener electrones de tomos diferentes la misma energa y por lo tanto estn todos al mismo nivel. Esa energa que tienen se llama "Energa del tomo Donador" (ED). En cuanto se le d una pequea energa los electrones suben a la BC y se convierten en libres.

Tambin se da la generacin trmica (generacin de pares hueco-electrn), pero lo que ms ocurre es debido a las impurezas y muy poco por generacin trmica, por lo que despreciaremos esta ltima.

Bandas de Energa en un Semiconductor tipo p

En este caso las impurezas son tomos de +3, y como en el caso anterior hay muy pocos y estn muy alejados por lo que los electrones de tomos diferentes estn al mismo nivel energtico. Esa energa es la "Energa del tomo Aceptor" (EA). A 300 grados Kelvin (K) o ms, el electrn cercano a EA sube desde la BV y deja un hueco en la BV mientras que la EA se llena de electrones. Se sigue dando generacin trmica tambin, pero como antes es despreciable.

 Brecha de Energa (GAP)

La banda prohibida (en ingls Band GAP), en la fsica del estado slido y otros campos relacionados, es la diferencia de energa entre la parte superior de la banda de valencia y la parte inferior de la banda de conduccin. Est presente en aislantes y semiconductores. La conductividad elctrica de un semiconductor intrnseco (puro) depende en gran medida de la anchura del gap. Los nicos portadores tiles para conducir son los electrones que tienen suficiente energa trmica para poder saltar la banda prohibida, la cual se define como la diferencia de energa entre la banda de conduccin y la banda de valencia.

Semiconductores

Dar una definicin rpida acerca de los semiconductores, estos son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior a la de un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor ms utilizado es el silicio, que es el elemento ms abundante en la naturaleza, despus del oxgeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio.

Desarrollo
Para empezar se dar una pequea definicin de que es un LED: Un LED consiste en un dispositivo que en su interior contiene un material semiconductor que al aplicarle una pequea corriente elctrica produce luz. La luz emitida por este dispositivo es de un determinado color que no produce calor, por lo tanto, no se presenta aumento de temperatura como si ocurre con muchos de los dispositivos comunes emisores de luz. El color que adquiera la luz emitida por este dispositivo depender de los materiales utilizados en la fabricacin de este. En realidad depender del material semiconductor, que dar una luz que puede ir entre el ultravioleta y el infrarrojo, incluyendo en el medio toda la gama de colores visibles al ojo humano. Los dispositivos LED pueden emitir luz de una amplia gama de colores, sin embargo, aquellos que emiten luz infrarroja, son denominados IRED (Infra Red Emitting Diode). Estos dispositivos son ampliamente utilizados en aparatos de uso cotidiano de nuestros hogares, como por ejemplo en equipos de sonido y todo tipo de controles remoto. En la parte de abajo coloque una tabla de caractersticas de los LED, desde los ultravioleta hasta los infrarrojos, para que complemente un poco lo de la definicin de un LED.

Composicin del chip GaAs GaAlAs GaP GaAlAs AlInGaP GaAsP/GaP AlInGaP GaAsP/GaP AlInGaP GaP InGaN GaN

Nombre del compuesto Arseniuro de galio Arseniuro de galio y aluminio Fosfuro de galio Arseniuro de galio y aluminio Fosfuro de aluminio indio y galio Fosfuro de galio y arsnico / Fosfuro de galio Fosfuro de aluminio indio y galio Fosfuro de galio y arsnico / Fosfuro de galio Fosfuro de aluminio indio y galio Fosfuro de galio Nitruro de indio y galio

Color de la luz emitida

Tensin de Frecuencia Longitud trabajo en en hertz de onda en volt (V) (Hz) nm < 1,9 < 4,0 x 10
14

> 760

1,8

4,8 - 4,0 14 x 10

610 - 760

2,0

5,1 - 4,8 14 x 10

590 - 610

5,3 - 5,1 14 x 10

570 - 590

Nitruro de galio Nitruro de indio y galio / InGaN / Zafiro Zafiro SiC Carburo de silicio Nitruro de indio y galio / InGaN / Zafiro Zafiro GaN Nitruro de galio Nitruro de indio y galio / InGaN / Zafiro Zafiro InGaN GaN Nitruro de indio y galio Nitruro de galio

3,0

5,8 - 5,3 14 x 10

500 - 570

3,3

6,7 - 6,0 14 x 10

450 - 500

3,4 3,7

7,9 - 6,7 14 x 10 14 >7,9 x 10

< 400

Ce:YAG

Granate-aluminio-itrio, dopado de cerio

3,4

Espectro completo

Espectro complet

 Ejercicio
Estimar la brecha de energa de un LED infrarrojo de un control remoto de un televisor. De qu tipo de semiconductor esta hecho?

Observaciones
Como nica observacin, dado el resultado que fue un aproximado de 1.2 eV, y dada su frecuencia, voltaje (eV) y su longitud de onda se puede deducir que le tipo de led es uno de tipo infrarrojo, y lo que se peda en el ejercicio era el tipo de semiconductor que viene siendo el SILICIO (Si). El resultado de 1.2 eV es de cierta manera correcto ya que las bateras que usan los controles de televisin son de aproximadamente 1.5V.

Conclusiones
El estudiar el carcter electrnico de los materiales con el comportamiento qumico y atmico, relacionado con las bandas de energa acerca de los orgenes atmicos de la brecha de energa nos permite clasificar a los materiales de acuerdo a la teora de bandas en materiales conductores, semiconductores y aislantes. Podemos cambiar las propiedades de un material variando el ancho de la banda de energa, lo que provoca un cambio en el color de la luz que se producir cuando los pares electrn-hueco se recombinen. La posibilidad de cambiar la brecha de energa de los semiconductores por medio de la variacin de las composiciones qumicas de compuestos y aleaciones, ha tenido un impacto impresionante en el desarrollo cientfico y tecnolgico de estos materiales. La formacin de las bandas de energa es importante, ya que nos permite conocer el comportamiento de los materiales desde el punto de vista de sus propiedades electrnicas, lo que nos ayuda a caracterizar y desarrollar nuevos materiales para aplicaciones ms especficas, puesto que actualmente el desarrollo tecnolgico y cientfico requiere de un conocimiento ms detallado de las propiedades de los materiales modernos que permita aplicaciones ms especializadas de stos.