Qu es un transistor UJT?

El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN Muy importante: No es un FET Fsicamente el transistor UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN. Ver los siguientes grficos Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1

Donde: n = intrinsic - VB2B1 = Voltaje entre las dos bases

standoff

radio

(dato

del

fabricante)

La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.

Dos ejemplos sencillos con el transistor UJT

Ejemplo 1.Un UJT 2N4870 tiene Cul es el voltaje de disparo aproximado? un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1.

Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.63 x 24) = 15.8 Voltios Ejemplo 2.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.68 y 12 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de disparo aproximado? Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.68 x 12) = 8.86 Voltios. Notas: - Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip. - Es importante hacer notar que tambin se ha construido el UJT donde la barra es de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se comporta de igual forma que el UJT pero con las polaridades de las tensiones al revs

El transistor de Unijuntura (UJT)

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo para SCR y TRIACs. El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor, tal como se muestra en la siguiente figura:

En la figura se puede apreciar la constitucin de un UJT, que en realidad est compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran cantidad de impurezas, presentando en su estructura un nmero elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos electrones libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta cuando el diodo del emisor no conduce. Para entender mejor cmo funciona este dispositivo, vamos a valernos del circuito equivalente de la figura siguiente:

R1 y R2 equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre los terminales de las bases. El diodo D equivale a la unin formada por los cristales P-N entre el terminal del emisor y el cristal N. Mientras el diodo del emisor no entre en conduccin, la resistencia entre bases es igual a:

Si en estas condiciones aplicamos una tensin de alimentacin VBB entre las dos bases, la tensin que aparece entre el emisor y la base ser la que corresponda en el circuito equivalente a R1; es decir, en el divisor de tensin se cumplir que:

Si llamamos =R1/RBB, la ecuacin queda: V1 = VBB. El trmino representa la relacin intrnseca existente entre las tensiones V1 y VBB. As, por ejemplo, si un UJT posee una relacin intrnseca caracterstica igual a 0,85 y queremos determinar la tensin que aparecer entre el terminal de emisor y la base 1 al aplicar 12V entre bases, bastar con operar de la siguiente forma:

Al valor de V1 se le conoce como tensin intrnseca, y es aqulla que hay que aplicar para que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicamos una tensin de 8V al emisor, ste no conducir, ya que en el ctodo del diodo D existe un potencial positivo de 10,2V correspondiente a la tensin intrnseca, por lo que dicho diodo

permanecer polarizado inversamente. Sin embargo, si aplicamos una tensin superior a 10,9V (los 10,2V de V1 ms 0,7V de la tensin de barrera del diodo D), el diodo comenzar a conducir, producindose el disparo o encendido del UJT. En resumen, para conseguir que el UJT entre en estado de conduccin es necesario aplicar al emisor una tensin superior a la intrnseca. Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una tensin de polarizacin directa del emisor respecto a la base 1, los portadores mayoritarios del cristal P (huecos) inundan el tramo de cristal de tipo N comprendido entre el emisor y dicha base (recordar que el cristal P est fuertemente contaminado con impurezas y el N dbilmente). Este efecto produce una disminucin repentina de la resistencia R1 y, con ella, una reduccin de la cada de tensin en la base 1 respecto del emisor, lo que hace que la corriente de emisor aumente considerablemente.

Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (Iv), el diodo permanecer en conduccin como si de un biestable se tratase. Esta corriente se especifica normalmente en las hojas de caractersticas y suele ser del orden de 5mA. En la figura de la derecha, se muestra el aspecto de una de las curvas caractersticas de un UJT. Vp(punto Q1) nos indica la tensin pico que hay que aplicar al emisor para provocar el estado de encendido del UJT (recordar que Vp = V1 + 0,7). Una vez superada esta tensin, la corriente del emisor aumenta (se hace mayor que Ip), provocndose el descebado del UJT cuando la corriente de mantenimiento es inferior a la de mantenimiento Iv (punto Q2). Aplicaciones del UJT Una de las aplicaciones del UJT ms comn es como generador de pulsos en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy tiles para controlar el disparo de la puerta de TRIACS y SCR. En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos.

Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensin VCC al circuito serie R-C, formado por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho condensador comienza a cargarse. Como este condensador est conectado al emisor, cuando se supere la tensin intrnseca, el UJT entrar en conduccin. Debido a que el valor hmico de la resistencia R1 es muy pequeo, el condensador se descargar rpidamente, y en el terminal de B1aparecer un impulso de tensin. Al disminuir la corriente de descarga del condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de la de mantenimiento, ste se desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga del condensador. As, se consigue que en el terminal de la base 1 aparezca una seal pulsante en forma de diente de sierra, que puede utilizarse para controlar los tiempos de disparo de un SCR o de un TRIAC. Para regular el tiempo de disparo es suficiente con modificar el valor hmico de la resistencia variable RS, ya que de sta depende la constante de tiempo de carga del condensador.

En la siguiente figura, se muestra una tpica aplicacin del generador de pulsos de diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR. Mediante este circuito controlamos la velocidad de un motor serie (o de cualquier otro tipo de carga: estufas, lmparas, etc) gracias a la regulacin de la corriente que realiza sobre medio ciclo del SCR. Para controlar la velocidad del motor, basta con modificar la frecuencia de los pulsos en dientes de sierra, lo cual se consigue variando el valor del potencimetro RS Qu es un transistor UJT? El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN Muy importante: No es un FET Fsicamente el transistor UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN. Ver los siguientes grficos Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1

Donde: - n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante) - VB2B1 = Voltaje entre las dos bases La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.

Dos ejemplos sencillos con el transistor UJT Ejemplo 1.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de disparo aproximado? Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.63 x 24) = 15.8 Voltios Ejemplo 2.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.68 y 12 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de disparo aproximado? Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.68 x 12) = 8.86 Voltios. Notas: - Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip. - Es importante hacer notar que tambin se ha construido el UJT donde la barra es de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se comporta de igual forma que el UJT pero con las polaridades de las tensiones al revs

El transistor de potencia
El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar. Existen tres tipos de transistores de potencia:

Bipolar Unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo) IGBT

Parmetros MOS Bipolar

Impedancia de entrada Ganancia en corriente Resistencia ON (saturacin) Resistencia OFF (corte) Voltaje aplicable

Alta (1010 Ohmios) Media (104 Ohmios) Alta (107) Media/alta Alta Alto (1000 V) Media (10-100) Baja Alta Alto (1200 V) Media (150C) Baja (10-80Khz)

Mxima temperatura de operacin Alta (200C) Frecuencia de trabajo Alta (100-500Khz)

Coste

Alto

Medio

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares:

Trabaja con tensin. Tiempos de conmutacin bajos. Disipacin mucho mayor (como los bipolares). Pequeas fugas. Alta potencia. Bajos tiempos de respuesta (ton, toff), para conseguir una alta frecuencia de funcionamiento. Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del semiconductor. Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE mxima elevada). Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).

Nos interesa que el transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento ideal:

Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y viceversa no se hace instantneamente, sino que siempre hay un retardo (ton, toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector-base y base-emisor y los tiempos de difusin y recombinacin de los portadores.
Principios bsicos de funcionamiento

La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicacin de una tensin entre puerta y fuente. Esta diferencia vienen determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que son sustancialmente distintas. Es una caracterstica comn, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el terminal de control (base o puerta) es siempre ms pequea que la potencia manejada en los otros dos terminales. En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:

En un transistor bipolar I controla la magnitud de I . En un FET, la tensin V controla la corriente I . En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra bastante mayor.
B C GS D

Tiempos de conmutacin

Cuando el transistor est en saturacin o en corte las prdidas son despreciables. Pero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutacin, al cambiar de un estado a otro se produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto I x V va a tener un valor apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en el transistor va a ser mayor. Estas prdidas aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar sta, tambin lo hace el nmero de veces que se produce el paso de un estado a otro.
C CE

Podremos distinguir entre tiempo de excitacin o encendido (ton) y tiempo de apagado (toff). A su vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en otros dos.

Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se aplica la seal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la seal de salida alcanza el 10% de su valor final. Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final. Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde que se quita la excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de su valor final.

Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final.

Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones :

Cabe destacar, el hecho de que el tiempo de apagado (toff) ser siempre mayor que el tiempo de encendido (ton). Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia mxima a la cual puede conmutar el transistor.
Otros parmetros importantes

Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por un terminal. Ejemplo I , corriente media por el colector. Corriente mxima: es la mxima corriente admisible de colector (I ) o de drenador (I ). Con este valor se determina la mxima disipacin de potencia del dispositivo. V : tensin entre los terminales colector y base cuando el emisor est en circuito abierto. V : tensin entre los terminales emisor y base con el colector en circuito abierto. Tensin mxima: es la mxima tensin aplicable entre dos terminales del dispositivo (colector y emisor con la base abierta en los bipolares, drenador y fuente en los FET). Estado de saturacin: queda determinado por una cada de tensin prcticamente constante. V entre colector y emisor en el bipolar y resistencia de conduccin R en el FET. Este valor, junto con el de corriente mxima, determina la potencia mxima de disipacin en saturacin. Relacin corriente de salida - control de entrada: h para el transistor bipolar (ganancia esttica de corriente) y g para el FET (transconductancia en directa).
CAV CM DM CBO EBO CEsat DSon FE ds

Modos de trabajo

Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o signo de los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor, pueden ser:

Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin emisorbase y a una polarizacin inversa de la unin colector-base. Esta es la regin de operacin normal del transistor para amplificacin. Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisorbase y a una polarizacin directa de la unin colector-base. Esta regin es usada raramente. Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin en sta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (I =0). Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo encendido, pues el transistor acta como un interruptor cerrado (V =0).
C CE

Avalancha secundaria - Curvas SOA.

Si se sobrepasa la mxima tensin permitida entre colector y base con el emisor abierto (V ), o la tensin mxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (V ), la unin colector-base polarizada en inverso entra en un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo, denominado avalancha primaria.
CBO CEO

Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando con tensiones por debajo de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin de la intensidad de base), que se produce cuando tenemos polarizada la unin baseemisor en directo. En efecto, con dicha polarizacin se crea un campo magntico transversal en la zona de base que reduce el paso de portadores minoritarios a una pequea zona del dispositivo (anillo circular). La densidad de potencia que se concentra en dicha zona es proporcional al grado de polarizacin de la base, a la corriente de colector y a la V , y alcanzando cierto valor, se produce en los puntos calientes un fenmeno degenerativo con el consiguiente aumento de las prdidas y de la temperatura. A este fenmeno, con efectos catastrficos en la mayor parte de los casos, se le conoce con el nombre de avalancha secundaria (o tambin segunda ruptura).
CE

El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del transistor es producir unos codos bruscos que desvan la curva de la situacin prevista (ver grfica anterior). El transistor puede funcionar por encima de la zona lmite de la avalancha secundaria durante cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra unas curvas lmites en la zona activa con los tiempos lmites de trabajo, conocidas como curvas FBSOA.

Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de curvas para corriente pulsante, cada una de las cuales se dan en un ciclo concreto. Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Durante el toff, con polarizacin inversa de la unin base-emisor se produce la focalizacin de la corriente en el centro de la pastilla de Si, en un rea ms pequea que en polarizacin directa, por lo que la avalancha puede producirse con niveles ms bajos de energa. Los lmites de I y V durante el toff vienen reflejado en las curvas RBSOA dadas por el fabricante.
C CE

Efecto producido por carga inductiva - Protecciones

Las cargas inductivas someten a los transistores a las condiciones de trabajo ms desfavorables dentro de la zona activa.

En el diagrama superior se han representado los diferentes puntos idealizados de funcionamiento del transistor en corte y saturacin. Para una carga resistiva, el transistor pasar de corte a saturacin. Para una carga resistiva, el transistor pasar de corte a saturacin por la recta que va desde A hasta C, y de saturacin a corte desde C a A. Sin embargo, con una carga inductiva como en el circuito anterior el transistor pasa a saturacin recorriendo la curva ABC, mientras que el paso a corte lo hace por el tramo CDA. Puede verse que este ltimo paso lo hace despus de una profunda incursin en la zona activa que podra fcilmente sobrepasar el lmite de avalancha secundaria, con valor V muy superior al valor de la fuente (Vcc).
CE

Para proteger al transistor y evitar su degradacin se utilizan en la prctica varios circuitos, que se muestran a continuacin:

a. Diodo Zner en paralelo con el transistor (la tensin nominal zner ha de ser superior a la tensin de la fuente Vcc). b. Diodo en antiparalelo con la carga RL. c. Red RC polarizada en paralelo con el transistor (red snubber). Las dos primeras limitan la tensin en el transistor durante el paso de saturacin a corte, proporcionando a travs de los diodos un camino para la circulacin de la intensidad inductiva de la carga. En la tercera proteccin, al cortarse el transistor la intensidad inductiva sigue pasando por el diodo y por el condensador CS, el cual tiende a cargarse a una tensin Vcc. Diseando adecuadamente la red RC se consigue que la tensin en el transistor durante la conmutacin sea inferior a la de la fuente, alejndose su funcionamiento de los lmites

por disipacin y por avalancha secundaria. Cuando el transistor pasa a saturacin el condensador se descarga a travs de RS.

El efecto producido al incorporar la red snubber es la que se puede apreciar en la figura adjunta, donde vemos que con esta red, el paso de saturacin (punto A) a corte (punto B) se produce de forma ms directa y sin alcanzar valores de V superiores a la fuente Vcc.
CE

Para el clculo de CS podemos suponer, despreciando las prdidas, que la energa almacenada en la bobina L antes del bloqueo debe haberse transferido a CS cuando la intensidad de colector se anule. Por tanto:

de donde:

Para calcular el valor de RS hemos de tener en cuenta que el condensador ha de estar descargado totalmente en el siguiente proceso de bloqueo, por lo que la constante de tiempo de RS y CS han de ser menores (por ejemplo una quinta parte) que el tiempo que permanece en saturacin el transistor :

Clculo de potencias disipadas en conmutacin con carga resistiva

La grfica de la derecha muestra las seales idealizadas de los tiempos de conmutacin (ton y toff) para el caso de una carga resistiva. Supongamos el momento origen en el comienzo del tiempo de subida (tr) de la corriente de colector. En estas condiciones (0 t tr) tendremos :

donde I

Cmax

vale:

Tambin tenemos que la tensin colector-emisor viene dada como:

Sustituyendo, obtenemos:

Nosotros asumiremos que la V en saturacin es despreciable en comparacin con Vcc.As, la potencia instantnea por el transistor durante este intervalo viene dada por:
CE

La energa, Wr, disipada en el transistor durante el tiempo de subida est dada por la integral de la potencia durante el intervalo del tiempo de cada, con el resultado:

De forma similar, la energa Wf disipada en el transistor durante el tiempo de cada, viene dado como:

La potencia media resultante depender de la frecuencia con que se efecte la conmutacin:

Un ltimo paso es considerar tr despreciable frente a tf, con lo que no cometeramos un error apreciable si finalmente dejamos la potencia media, tras sustituir, como:

Clculo de potencias disipadas en conmutacin con carga inductiva

A la derecha podemos observar la grfica de la i (t), V (t) y p(t) para carga inductiva. La energa perdida durante tonviene dada por la ecuacin:
C CE

Durante el tiempo de conduccin (t5) la energa perdida es despreciable, puesto que V es de un valor nfimo durante este tramo. Durante el toff, la energa de prdidas en el transistor vendr dada por la ecuacin:
CE

La potencia media de prdidas durante la conmutacin ser por tanto:

Si lo que queremos es la potencia media total disipada por el transistor en todo el periodo debemos multiplicar la frecuencia con la sumatoria de prdidas a lo largo del periodo (conmutacin + conduccin). La energa de prdidas en conduccin viene dada por la ecuacin:

Ataque y proteccin del transistor de potencia

Como hemos visto anteriormente, los tiempos de conmutacin limitan el funcionamiento del transistor, por lo que nos interesara reducir su efecto en la medida de lo posible.

Los tiempos de conmutacin pueden ser reducidos mediante una modificacin en la seal de base, tal y como se muestra en la figura anterior. Puede verse como el semiciclo positivo est formado por un tramo de mayor amplitud que ayuda al transistor a pasar a saturacin (y por tanto reduce el ton) y otro tramo de amplitud suficiente para mantener saturado el transistor (de este modo la potencia disipada no ser excesiva y el tiempo de almacenamiento no aumentar). El otro semiciclo comienza con un valor negativo que disminuye el toff, y una vez que el transistor est en corte, se hace cero para evitar prdidas de potencia.

En consecuencia, si queremos que un transistor que acta en conmutacin, lo haga lo ms rpidamente posible y con menores prdidas, el proceso ideal a seguir sera poder atacar a la base del dispositivo con una seal como la que se mostraba en la figura anterior. Para conseguir este objetivo se puede emplear el circuito de la figura que aparece a la izquierda de este prrafo. En estas condiciones, la intensidad de base aplicada tendr la forma indicada abajo:

Durante el semiperiodo t1, la tensin de entrada (Ve) se mantiene a un valor Ve (max). En estas condiciones la V es de unos 0.7 v y el condensador C se carga a una tensin V de valor:
BE C

debido a que las resistencias R1 y R2 actan como un divisor de tensin. La constante de tiempo con que se cargar el condensador ser aproximadamente de:

Con el condensador ya cargado a V , la intensidad de base se estabiliza a un valor I que vale:

C B

En el instante en que la tensin de entrada pasa a valer -Ve(min), tenemos el condensador cargado a V , y la V =0.7 v. Ambos valores se suman a la tensin de entrada, lo que produce el pico negativo de intensidad I (min):
C BE B

A partir de ese instante el condensador se descarga a travs de R2 con una constante de tiempo de valor R2C. Para que todo lo anterior sea realmente efectivo, debe cumplirse que:

con esto nos aseguramos que el condensador est cargado cuando apliquemos la seal negativa. As, obtendremos finalmente una frecuencia mxima de funcionamiento:

Un circuito ms serio es el de Control Antisaturacin:

El tiempo de saturacin (tS) ser proporcional a la intensidad de base, y mediante una suave saturacin lograremos reducir tS:

Inicialmente tenemos que:

En estas condiciones conduce D2, con lo que la intensidad de colector pasa a tener un valor:

Si imponemos como condicin que la tensin de codo del diodo D1 sea mayor que la del diodo D2, obtendremos que I sea mayor que I :
C L

En lo que respecta a la proteccin por red snubber, ya se ha visto anteriormente.

Tipos de transistores segun fabricacin

Existen millares de tipos de transistor, pertenecientes a numerosas familias de construccin y uso. Las grandes clases de transistores, basadas en los procesos de fabricacin son: 1. Transistores de punta de contacto: El transistor original fue de esta clase y consista en electrodos de emisor y colector que tocaban un pequeo bloque de germanio llamado base.El material de la base poda ser de tipo N y del tipo P y era un cuadrado de 0.05 pulgada de lado aproximadamente. A causa de la dificultad de controlar las caractersticas de este frgil dispositivo, ahora se le considera obsoleto. 2. Transistor de unin por crecimiento: Los cristales de esta clase se obtienen por un proceso de "crecimiento" partiendo de germanio y de silicio fundidos de manera que presenten uniones muy poco separadas embebidas en la pastilla.El material de impureza se cambia durante el crecimiento del cristal para producir lingotes PNP o NPN, que luego son cortados para obtener pastillas individuales. Los transistores de unin se pueden subdividir en tipos de unin de crecimiento, unin de alineacin y de campo interno. El transistor del ltimo tipo es un dispositivo de unin de alineacin en que la concentracin de impurezas que est

contenida dentro de una cierta regin de la base a fin de mejorar el comportamiento en alta frecuencia del transistor. 3. Transistor de unin difusa: Esta clase de semiconductor se puede utilizar en un margen ms amplio de frecuencias y el proceso de fabricacin ha facilitado el uso de silicio en vez de germanio, lo cual favorece la capacidad de potencia de la unidad. Los transistores de unin difusa se pueden subdividir en tipos de difusin nica (hometaxial), doble difusin, doble difusin planar y triple difusin planar. 4. Transistores epitaxiales: Estos transistores de unin se obtienen por el proceso de crecimiento en una pastilla de semiconductor y procesos fotolitogrficos que se utilizan para definir las regiones de emisor y de base durante el crecimiento. Las unidades se pueden subdividir en transistores de base epitaxial, capa epitaxial y sobrecapa (overlay). 5. Transistores de efecto de campo: El transistor de efecto de campo de unin (JFET), o transistor unipolar, fue descubierto en 1928, pero hasta 1958 no se construy el primer transistor prctico de efecto de campo. Se puede considerar a este dispositivo como si fuese una barra, o canal, de material semiconductor de silicio de cualquiera de los tipos N o P. En cada extremo de la barra se establece un contacto hmico, que representa un transistor de efecto de campo tipo N en su forma ms sencilla. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N (desde los extremos opuestos del canal N) y se conectan externamente entre s, se produce una puerta o graduador. Un contacto se llama surtidor y el otro drenador. Si se aplica una tensin positiva entre el drenador y el surtidor y se conecta la puerta al surtidor, se establece una corriente. Esta corriente es la ms importante en un dispositivo de efecto de campo y se le denomina corriente de drenador con polarizacin cero (IDSS).Finalmente, con un potencial negativo de puerta denominado tensin de estrangulamiento (pinch-off) cesa la conduccin en el canal. Las tcnicas de fabricacin, las aplicaciones a que son destinados y las restricciones a que estn sometidos dan por resultado una multitud de tipo de transistores, la mayora de los cuales pertenecen a los grupos generales que acabamos de mencionar. Por otra parte, los transistores pueden ser agrupados en familias dentro de las cuales cada uno de sus miembros es un tipo nico, pero entre ellos se pueden establecer sutiles diferencias en cuanto a la aplicacin, ganancia, capacidad, montaje, caja o cpsula envolvente, terminales, caractersticas de tensin de ruptura, etc. Adems, el estado actual de la tcnica permite tener en cuenta los parmetros del transistor en el diseo para que se adapten a los diversos equipos en condiciones de economa, en vez de disear el equipo basndose en los tipos disponibles de transistor. Esto da lugar a que gran nmero de equipos de transistores tengan caractersticas generales casi idnticas. Disipacin trmica

Como se ha visto en otros captulos, la temperatura de la unin ejerce un efecto decisivo sobre el comportamiento de la misma, por lo que ser ste un parmetro importante de controlar, debido a que la unin, podr destruirse debido a un exceso de temperatura de la misma, adems de que una mayor temperatura de la misma, hace variar sus caractersticas de conduccin, lo que tambin la puede llevar a la destruccin. Es muy importante, por lo tanto, que el calor que en un funcionamiento normal se produce en la unin, pueda ser evacuado al exterior (al aire circundante) mediante el uso de disipadores, bien sea con ventilacin natural (por conveccin) o bien mediante ventilacin forzada (con ventiladores). De esta forma, el semiconductor , podr soportar una mayor potencia, un mayor paso de corriente a travs de l sin que quede destruido, adems de ser ms estable ante las variaciones puntuales de intensidad. Introduccin

El estudio trmico de los dispositivos de potencia es fundamental para un rendimiento ptimo de los mismos. Esto es debido a que en todo semiconductor, el flujo de la corriente elctrica produce una prdida de energa que se transforma en calor. El calor produce un incremento de la temperatura del dispositivo. Si este incremento es excesivo e incontrolado, inicialmente provocar una reduccin de la vida til del elemento y en el peor de los casos lo destruir. En electrnica de Potencia la refrigeracin juega un papel muy importante en la optimizacin del funcionamiento y vida til del semiconductor de potencia. Propagacin del calor En todo semiconductor el flujo de la corriente elctrica produce una prdida de energa que se transforma en calor. Esto es debido al movimiento desordenado en la estructura interna de la unin. El calor elevar la energa cintica de las molculas dando lugar a un aumento de temperatura en el dispositivo; si este aumento es excesivo e incontrolado provocar una reduccin de la vida til del dispositivo y en el peor de los casos su destruccin. Es por ello que la evacuacin del calor generado en el semiconductor es una cuestin de gran importancia para asegurar el correcto funcionamiento y duracin del dispositivo. La capacidad de evacuacin del calor al medio ambiente podr variar segn el tipo de cpsula pero en cualquier caso ser demasiado pequea, por lo que necesita una ayuda adicional para transferir el calor disipado mediante un dispositivo de mayor volumen y superficie conocido como disipador de calor, el cual hace de puente para evacuar el calor de la cpsula al medio ambiente. Formas de transmisin del calor La experiencia demuestra que el calor producido por un foco calorfico se propaga por todo el espacio que lo rodea. Esta transmisin del calor puede producirse de tres formas: 1. Conduccin:Es el principal medio de transferencia de calor. Se realiza por la transferencia de energa cintica entre molculas, es decir, se transmite por el interior del cuerpo establecindose una circulacin de calor. La mxima cantidad de calor que atravesar dicho cuerpo ser aquella para la cual se consigue una temperatura estable en todos los puntos del cuerpo. En este tipo de transmisin se debe tener en cuenta la conductividad trmica de las sustancias (cantidad de calor transmitido por unidad de tiempo, superficie, gradiente de temperatura). 2. Conveccin:El calor de un elemento slido se transmite mediante la circulacin de un fluido que le rodea y este lo transporta a otro lugar, a este proceso se le llama conveccin natural. Si la circulacin del fluido est provocada por un medio externo se denomina conveccin forzada. 3. Radiacin:El calor se transfiere mediante emisiones electromagnticas que son irradiadas por cualquier cuerpo cuya temperatura sea mayor a cero grados Kelvin. El estado de la superficie influye en gran medida en la cantidad de calor radiado. Las superficies mates son ms favorables que las pulidas y los cuerpos negros son los de mayor poder de radiacin, por este motivo se efecta un ennegrecimiento de la superficie radiante. La transferencia de calor por radiacin no se tiene en cuenta puesto que a las temperaturas a las que se trabaja, sta es despreciable. Parmetros que intervienen en el clculo Para que un semiconductor disipe la potencia adecuada, hay que mantener la temperatura de la unin por debajo del mximo indicado por el fabricante.

El paso de la corriente elctrica produce un aumento de la temperatura de la unin (Tj). Si sta se quiere mantener a un nivel seguro, debemos evacuar al exterior la energa calorfica generada por la unin. Para que se produzca un flujo de energa calorfica de un punto a otro, debe existir una diferencia de temperatura. El calor pasar del punto ms caliente al ms fro, pero aparecen factores que dificultan este paso. A estos factores se les denomina resistencias trmicas. Por lo tanto, aprovechando la ley de ohm realizamos la siguiente comparacin elctrica mostrada en la figura adjunta. Asemejaremos las temperaturas a tensiones, las resistencias trmicas a las resistencias hmicas. Al igual que en un circuito elctrico, se puede decir que:

De la figura se obtiene la expresin:

Resistencias trmicas En la siguiente figura se muestra la igualdad entre el circuito equivalente de resistencias trmicas y los elementos en un montaje real:

Rjc: Resistencia unin-contenedor. Rcd: Resistencia contenedor-disipador. Rd: Resistencia del disipador. Tj: Temperatura de la unin.

Tc: Temperatura del contenedor. Td: Temperatura del disipador.

Ta:

Temperatura ambiente.

Resistencia Unin-Contenedor (Rjc) En este caso el foco calorfico se genera en la unin del propio cristal semiconductor, de tal forma que el calor debe pasar desde este punto al exterior del encapsulado. Generalmente este dato lo suministra el fabricante, y depender del tipo de cpsula del dispositivo. Aparecer bien directamente o indirectamente en forma de curva de reduccin de potencia. En la figura siguiente se muestra este tipo de curva.

Esta muestra la potencia en funcin de la temperatura del contenedor. En ella la pendiente de la recta dada es la resistencia unin contenedor. La frmula que se utiliza para el clculo de esta resistencia es:

Donde estos datos se obtienen de la curva de reduccin de potencia, que ser propia de cada dispositivo. Deberemos de tener en cuenta que Pd es la dada por el fabricante y no la que disipar el dispositivo en el circuito. Normalmente Tc vale 25 C. Si tomamos de un manual los datos correspondientes a un 2N3055 sern:

Sustituyendo estos valores en la siguiente ecuacin, se obtiene el valor de la Rjc:

y sta es, precisamente, la Rjc indicada en los manuales para el 2N3055. Resistencia Contenedor-Disipador (Rcd) Es la resistencia trmica entre el semiconductor y el disipador. Este valor depende del sistema de fijacin del disipador y el componente, y del estado de planitud y paralelismo de las superficies de contacto, puesto que a nivel microscpico, solo contactan por unos puntos, quedando huecos de aire que entorpecen la transmisin del calor. Tambin depende del tipo de material que se interponga entre ambas superficies de contacto. Los elementos que se sitan entre la cpsula y el disipador pueden ser de dos tipos:

a. Pastas conductoras de calor, que pueden ser o no ser conductoras de la electricidad. b. Lminas aislantes elctricas que se pueden emplear conjuntamente con siliconas conductoras de calor como mica, kelafilm, etc. Tambin las hay conductoras de calor que no precisan pasta de silicona. El tipo de contacto entre cpsula y disipador podr ser:

Directo. Directo ms pasta de silicona. Directo ms mica aislante. Directo ms mica aislante ms pasta de silicona.

El valor de esta resistencia trmica influye notablemente en el clculo de la superficie y longitud que debe disponer la aleta que aplicaremos al dispositivo a refrigerar. Cuanto ms baja es Rcd menor ser la longitud y superficie de la aleta requerida. Por ejemplo, para una cpsula TO.3 se tiene que con contacto directo ms pasta de silicona la Rcd = 0,12 C/W, que con contacto directo Rcd = 0,25 C/W, que con contacto directo ms mica y ms pasta de silicona Rcd = 0,4 C/W, y que con contacto directo ms mica Rcd = 0,8 C/W. Por lo tanto podemos decir, que cuando no sea necesario aislar el dispositivo, el tipo de contacto que ms interesa es el directo ms pasta de silicona, ya que da el menor valor de Rcd y si hubiese que aislar con mica interesa montar mica ms pasta de silicona ya que la Rcd es menor que si se monta solo con mica. Por ello podemos obtener la siguiente conclusin: La mica aumenta la Rcd mientras que la pasta de silicona la disminuye y como se ha dicho cuanto ms pequea sea la Rcd menor superficie de aleta refrigeradora. Resistencia del disipador (Rd) Representa el paso por conveccin al aire del flujo calorfico a travs del elemento disipador. Este dato ser, en la prctica, la incgnita principal de nuestro problema, puesto que segn el valor que nos de el clculo, as ser el tipo de aleta a emplear. Depende de muchos factores: potencia a disipar, condiciones de la superficie, posicin de montaje y en el caso de disipadores planos factores como el grosor del material y el tipo de encapsulado. Para el clculo de la resistencia se pueden utilizar las siguientes frmulas:

Este valor de Rja no es el que da el fabricante ya que ste la suministra sin disipador, y la que hay que utilizar es con disipador. El fabricante la facilita como suma de Rjc y Rcapuesto que ignora el tipo de disipador que utilizaremos. Una vez calculada la Rd se pasa a elegir la aleta refrigeradora. Para la eleccin de la aleta, habr que tener en cuenta que el tipo de encapsulado del dispositivo a refrigerar sea el adecuado para su montaje en la aleta disipadora que se haya elegido. Despus de cumplir la condicin anterior hay que calcular la longitud o la superficie del disipador elegido. Para ello es necesario disponer de uno de los dos tipos de grficas que ofrecen los fabricantes de disipadores, la Rd-longitud y la Rd- superficie. Segn la grfica de que se disponga se obtendr un valor de longitud o un valor de superficie de disipador que hay que montar para refrigerar adecuadamente el dispositivo semiconductor. Resistencia Unin-Ambiente (Rja)

Como su nombre indica es la resistencia que existe entre la unin del semiconductor y el ambiente. Con esta resistencia deberemos de distinguir dos casos, el de resistencia unin ambiente con disipador y sin disipador. Cuando se habla de resistencia unin ambiente sin disipador, nos referimos a la resistencia unin contenedor junto con la contenedor ambiente:

Este valor es suministrado por el fabricante en funcin del tipo de contenedor. Cuando se habla de la resistencia unin ambiente con disipador nos referimos a la suma de la resistencia unin contenedor (Rjc), la resistencia contenedor disipador (Rcd) y la resistencia disipador ambiente (Rd):

Este valor no es conocido ya que vara segn el tipo de disipador que se utilice. El valor de Rja depender de los valores de Rd y de Rcd. Como no es un valor fijo, no existe una tabla de valores tpicos. Temperaturas Temperatura de la unin (Tj) La temperatura mxima de la unin es el lmite superior de temperatura a la que no se debe llegar y menos sobrepasar si queremos evitar la destruccin de la unin. Este dato es un valor que se suele suministrar, normalmente, en los manuales de los fabricantes de semiconductores. Si este valor no se reflejara en dichos manuales o, simplemente, no se encuentra, podremos adoptar unos valores tpicos en funcin del dispositivo a refrigerar como los mostrados en la tabla que se expone a continuacin: Dispositivo Rango de TTjmax

de unin de Germanio Entre 100 y 125C de unin de Silicio JFET MOSFET entre 150 y 200C entre 150 y 175C entre 175 y 200C

Tiristores Transistores de Unin Diodos de Silicio Diodos Zener

entre 100 y 125C entre 100 y 125C entre 150 y 200C entre 150 y 175C

En algunas ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se suministra elOPERATING TEMPERATURE RANGE que es el rango de valores entre los que puede funcionar el semiconductor, pero que no tiene relacin con la temperatura de la unin. Se debe distinguir entre la temperatura mxima de la unin permitida para un dispositivo y la temperatura real de la unin a la que se pretende que trabaje dicho elemento o dispositivo que, lgicamente, siempre ser menor que la mxima permitida. El objetivo del que disea ser mantener la temperatura de la unin por debajo de la mxima. Para ello se utiliza un coeficiente (K) de seguridad cuyo valor dar una temperatura de la unin comprendida entre el 50% y el 70% de la mxima. Por lo tanto K estar comprendido entre 0,5 y 0,7. Le asignamos el valor segn el margen de seguridad que queremos que tenga el dispositivo. La temperatura de la unin que se utilizar en los clculos ser:

Las condiciones de funcionamiento en funcin de k sern:

Para valores de k=0.5. Dispositivo poco caliente. Mximo margen de seguridad, pero el tamao de la aleta refrigeradora ser mayor. Para valores de k=0.6. Dimensin menor de la aleta refrigeradora sin que el dispositivo se caliente demasiado. Para valores de k=0.7. Mximo riesgo para el dispositivo, mxima economa en el tamao de la aleta refrigeradora. Este coeficiente de seguridad exige que la aleta se site en el exterior.

Temperatura de la Cpsula (Tc) Este dato no se suministra en los manuales ya que depende del valor de la potencia que disipa el dispositivo, de la resistencia del disipador y de la temperatura ambiente. Por lo tanto slo podemos calcularla cuando conozcamos todos los datos reflejados en alguna de las siguientes expresiones:

Temperatura del disipador (Td) Este valor se obtiene a partir de la potencia disipada Pd, de la resistencia trmica de la aleta Rd y finalmente de la temperatura ambiente Ta. Se calcular con cualquiera de estas expresiones:

La temperatura obtenida ser siempre inferior a la temperatura de la cpsula aunque ser lo suficientemente alta en la mayora de los casos como para no poder tocar el disipador con las manos. Esto, sin embargo, no es motivo de preocupacin ya que se han tomado las medidas necesarias como para que la temperatura de la unin disponga de un margen de seguridad dentro de los mrgenes ya explicados. Puede suceder que la temperatura de la aleta sea bastante elevada, tanto que si se toca con un dedo notaramos que quema. Pero en todo momento la temperatura

de la unin entrar con amplio margen dentro de los lmites permitidos. No obstante, si se quiere disminuir esta temperatura, solo hay que calcular de nuevo la resistencia trmica Rd de la aleta, poniendo esta vez 0,5 como factor (k) necesario para determinar Tj. Ello llevar a adoptar una aleta ms grande, pero tanto la Tc, como la Td disminuirn como se desea. Temperatura ambiente (Ta) En la interpretacin de este dato puede haber alguna confusin ya que se puede tomar su valor como la temperatura del medio ambiente, cuando en realidad es la temperatura existente en el entorno donde est ubicado el disipador. Potencia disipada La potencia mxima es un dato que nos dar el fabricante. Este dato es para las mejores condiciones de funcionamiento del dispositivo, es decir, para una temperatura del contenedor de 25 C y un disipador adecuado. Por ejemplo, si de un determinado transistor nos dice el fabricante que puede disipar un mximo de 116 Watios, a primera vista se puede pensar que disipando 90 Watios no se corre ningn riesgo puesto que hay un margen con respecto al mximo y no se necesita disipador. Si conocemos que la temperatura de la unin es de 200 C y Rja de 35 C/W se tiene:

Esta es la mxima potencia disipable sin disipador. Se puede ver que este valor se queda muy por debajo del indicado por el fabricante. Si consideramos una aleta con una buena resistencia trmica como puede ser una de 0.6 C/W y unas resistencias trmicas contenedor-disipador (Rcd) y unin-contenedor (Rjc) de 0.12 C/W y de 1.5 C/W respectivamente, ambos valores tambin bastante adecuados, se tendr:

Si hiciramos disipar 90 W como pretendamos se destruira la unin. Como se puede observar la potencia obtenida es superior a la disipable sin disipador e inferior a la que nos suministra el fabricante. Ello es debido a que el fabricante ha calculado la Pdmaxmanteniendo la temperatura del contenedor a 25 C, cosa que en la prctica es imposible:

Como se ha dicho este dato de 116 W es para las mejores condiciones de funcionamiento y el fabricante debe indicar en cuales se realiz esa medida. Resumiendo, es importante saber interpretar adecuadamente los datos suministrados por el fabricante, de lo contrario pueden aparecer sorpresas desagradables. Sabemos que la mxima potencia que se puede hacer disipar a un semiconductor sin disipador viene dada por el cociente entre el incremento de la temperatura y la resistencia trmica unin ambiente:

Donde Rja es la que nos suministra el fabricante que no incluye Rd. Cuando se utiliza un disipador, la resistencia trmica se divide en tres parmetros: la resistencia entre la unin y el contenedor (Rjc), entre el contenedor y el disipador (Rcd) y entre el disipador y el ambiente (Rd):

Fabricacin de Transistores

Los transistores suelen construirse de Ge o de Si segn la tcnica usada. Los transistores de aleacin prcticamente se usan slo con el Ge, debido en gran parte a su temperatura de fusin mucho ms baja que la del Si. Transistores de aleacin Por este procedimiento se puede realizar transistores PNP de Ge de pequea y mediana potencia (hasta 150 W). Normalmente se parte de discos de Ge monocristalino tipo N. Se coloca en un molde de grafito, a la vez que se introducen dos bolitas del componente de la aleacin que se quiere formar (para este caso In). La de mayor tamao se coloca en la cara destinada al colector y la ms pequea para el emisor. El conjunto se introduce en un horno con una atmsfera neutra o ligeramente reductora y se realiza el proceso de vuelco. A una temperatura de 600 C se forma una aleacin eutctica de In-Ge que contiene el 24% de Ge, una vez girado el molde 90C. A continuacin se gira dicho molde 180 C para la formacin del emisor. Los tiempos de permanencia en cada fase determinan la profundidad de las uniones base-emisor y base-colector. Las aplicaciones ms importantes de estos transistores son para baja frecuencia y conmutacin media de baja potencia, as como para usos generales que no exijan rendimientos elevados.

Existe una variante para seales dbiles que son las de aleacin difusa. Estos son bsicamente iguales a los de aleacin, pero haciendo que el emisor forme en una aleacin de In como Ge tipo N fuertemente dopado como muestra la figura de la izquierda. Esto es debido a que entre las dos capas de conductividades diferentes, existe un campo acelerado, disminuyendo el tiempo de trnsito. Transistores por difusin. Tcnica Mesa Sobre una oblea de Ge tipo P o Si tipo N, que constituye el colector, se difunde arsnico o boro segn se trate de Ge o Si respectivamente. El emisor se obtiene por difusin (a veces aleacin) de Indio para el Ge o de Fsforo para el Si. Se metalizan las conexiones y se fijan los terminales por termocompresin. Como se ha podido observar, se obtienen transistores PNP de Ge y NPN de Si. La tcnica mesa reduce las superficies de unin colector-base, eliminando en gran parte la capacidad parsita asociada a esta unin (ya que normalmente est polarizado en inversa). Tambin permite obtener un reducido espesor de base, con lo que se llega a frecuencias de corte de 500 Mhz. Adems de estas caractersticas, podemos resear la elevada superficie de colector, con lo que sus aplicaciones se pueden enfocar hacia transistores de Radiofrecuencia (RF) de potencia. Algunos variantes ms perfeccionados con mtodos epitaxiales se usan para VHF y en general para conmutacin rpida.

Transistores planares El nombre de planar se debe a que la superficie de la pastilla permanece plana, es decir, no presenta irregularidades geomtricas como los transistores de aleacin, mesa, etc. El proceso comienza por la obtencin de mscaras de una escala 500:1 aproximadamente, para luego reducirse a tamao natural mediante fotolitografa. Estas mscaras van a determinar las zonas donde se han de hacer las difusiones correspondientes a cada parte del transistor, incluidas las metalizaciones. Hay que decir que las mscaras definitivas que se aplicarn a las obleas de Si, estn constituidas por una multiplicidad de mscaras elementales correspondientes a un solo transistor. Es decir, que se fabrican unos 4000 transistores a la vez en la misma oblea y a continuacin se separan para su encapsulacin. El proceso de fabricacin se va a explicar respecto a un transistor aislado, aunque como ya se ha dicho no sea fiel reflejo de la realidad. Se parte de un disco de Si tipo N, poco dopado (alta resistividad). Se procede a una oxidacin global en un horno a 1200 C. A continuacin se recubre la cara superior con una resina fotosensible, para despus colocarle la mscara correspondiente e iluminarla, generalmente con luz actnica. Se ataca el disco mediante fluoruro amnico y fluorhdrico para eliminar la resina polimerizada y el xido, donde se ha de hacer la difusin a una temperatura de 1200 C y se realiza una difusin de B en forma de vapor, obtenindose la base tipo P. Se introduce vapor de agua en el horno y se forma nuevamente SiO2 para proteger la zona difundida. Para la formacin del emisor se procede de la misma forma que para la base, con su mscara correspondiente y con una difusin tipo N con Fsforo o Arsnico. La pureza de la oblea inicial es muy importante, pues las dos difusiones posteriores (la de base tipo P y la de emisor tipo N) tienen que contrarrestar las impurezas que hubiera, disminuyendo por consiguiente la resistividad del material, y no se puede admitir un emisor con una resistividad demasiado baja. Para terminar, se procede a la metalizacin mediante la apertura de ventanas de forma anloga a la formacin de la base y el emisor. Por ltimo, se sueldan los terminales dummets de la base y el emisor por termocompresin, mientras que el colector suele ir conectada a la cpsula para obtener una mejor disipacin trmica. Existe una variante de esta tcnica denominada planar-epitaxial. Esta se diferencia de aquella en que se parte de una oblea de Si fuertemente dopado (menos puro) llamado sustrato, sobre la cual se hace crecer una capa epitaxial tipo N de elevada resistividad. A partir de aqu, el proceso es idntico al planar. Con esta tcnica se obtiene la ventaja de que la tensin inversa mxima que puede soportar la unin base-colector, es elevada gracias a la gran resistividad de la capa epitaxial, pero permite, a diferencia de la tcnica planar, que la tensin de saturacin sea pequea gracias a la baja resistividad del sustrato, mejorando los tiempos de conmutacin y la potencia til respecto a los planares. Las aplicaciones de los transistores planares, son innumerables, como principales podemos citar transistores de seales fuerte o de potencia y VHF para los planares-epitaxiales, as como para conmutaciones rpidas.

Cuando se requieren transistores de potencia para alta frecuencia, se suele aumentar la longitud de difusin del emisor adoptando estructuras interdigitadas en forma de cruz o peines como puede observarse en la figura de la derecha. Esto es debido a la elevada concentracin de portadores sobre los bordes del emisor, por las elevadas densidades de corriente que ha de soportar.

Los transistores de efecto campo, tambin se fabrican mediante la tcnica planar-epitaxial, slo que mediante un proceso distinto. Transistores en circuitos integrados

Destinado a realizar una funcin determinada, el circuito integrado monoltico constituye un conjunto indivisible de componentes producidos simultneamente en el curso de un mismo proceso de fabricacon. El material de partida es una pequea placa monocristalina de silicio de tipo p, llamada substrato, de 3 a 5 cm de dimetro aproximadamente y de 0,25 mm de espesor. Sobre sta son creados sucesivamente todos los elementos de un cierto nmero de circuitos idnticos cuyas dimensiones se procura reducir por razones evidentes de economa, pero tambin con el fin de disminuir las capacidades parsitas. Cada circuito integrado est pues elaborado sobre una pequea parte del substrato, precisamente sobre un "cristal" de dimensiones comprendidas entre 2*2 mm y 0,5 *0,5 mm. Una vez terminado el proceso fsico de fabricacin, se corta la placa original a fin de obtener los microcircuitos elementales. Entonces comienza la segunda fase de fabricacin, el montaje, o encapsulacin: cada circuito integrado se monta en su caja o cpsula y es provisto de sus conexiones. Desde luego, estas diferentes etapas se obtienen por una serie de manipulaciones. No se trata, pues, de tcnicas fundamentalmente diferentes de las que se emplean para la realizacin de los transistores planares, por ejemplo. Sin embargo, hay que solventar una dificultad: la de aislar elctricamente los componenetes individuales de un slo y nico circuito integrado. En efecto, sera totalmente inadmisible que estos componetes pudiesen ser cortocircuitados por el substrato semiconductor. Uno de los principios de aislamiento entre los componentes, que conduce a la realizacin de zonas de aislamiento, como veremos, est ilustrado en la siguiente figura.

Consideremos los dos transistores npn representados en a y realizados sobre un substrato de tipo p; su esquema elctrico equivalente est representado en b. Evidentemente el substrato est a un potencial ms negativo que el de los colectores, por lo que las uniones colector-substrato constiturn diodos polarizados en sentido inverso, y por tanto bloqueados. En consecuencia, el aislamiento queda asegurado entre estos dos transistores. Tambin existen otros mtodos de aislamiento, los cuales consisten en crear zonas dielctricas. Fotograbado Estando recubierta la superficie de la placa con la capa de dixido, antes de cada difusin es necesario destruir dicha capa por encima de las zonas a tratar y abrir ventanas en que quede nuevamente al descubierto el silicio. Esto se consigue mediante una operacin de fotograbado que comprende siete etapas sucesivas: 1. Depsito, sobre la placa oxidada, de una pelcula de barniz o laca fotosensible de 0,6 a 0,8 um de espesor, extendida por centrifugacin. 2. Coccin del barniz a una temperatura de 90 C para endurecerla. 3. Aplicacin sobre la pelcula de barniz de una mscara (cromo sobre vidrio) cuya finalidad consiste en delimitar con rigurosa precisin la superficie y la forma de los elementos anlogos que se producirn en el curso de la difusin. Las partes cromadas de la mscara, o motivos corresponden a las ventanas que se han de abrir. La mscara evidentemente contiene el mismo motivo tantas veces como circuitos integrados se fabriquen sobre la placa. 4. Aislamiento del barniz por medio de rayos ultravioleta a travs de la mscara, no polimerizando sta ms que en los sitios no protegidos por los motivos confeccionados en cromo. 5. Revelado en un producto apropiado que disuelve el barniz no polimerizado y deja que subsista la laca polimerizada. El dixido reaparece en los lugares correspondientes a las ventanas. 6. Cccin de la placa a 150 C para endurecer el barniz que subsista y hacerlo ms resistente a ataque qumico a que luego ser sometido. 7. Abertura de las ventanas por desoxidacin de las superficies correspondientes en una solucin de cido fluoridrco y de fluoruro de amonio que disuelve el dixido dejando intacto el silicio. Es evidente que despus de cada difusin que sigue a una operacin de fotograbado, ser necesario eleminar el barniz que quede en la placa en las inmediaciones de las ventanas. Esto se consigue por medio de solventes (tricloroetileno, acetona, etc.) o cidos (sulfrico, ntrico, etc.) de acuerdo con la naturaleza del barniz. Realizacin de los cricuitos monolticos Ahora vamos a exponer las diversas operaciones sucesivas de fabricacin de los circuitos integrados. Desde luego, el esquema simplificado que presentaremos relativo a la fabricacin de un transistor npn es susceptible de muchas variantes en la prctica. En la placa de silicio, de tipo p se obtiene por crecimiento una capa epitaxial de silicio n. Despus es oxidada la placa en toda su superficie, y recubierta con un barniz fotosensible. Sobre el barniz, previamente insolado, se aplica una mscara que representa con extremada precisin el dibujo que se desea obtener. En el proceso de fotograbado descrito, el barniz no insolado se disuelve, y quedan abiertas las ventanas en la capa de xido. Luego se elimina el resto del barniz. Estas ventanas corresponden a lo que van a constituir las zonas de aislamiento, es decir, las uniones inversamente polariadas que separan los componentes elementales. En un primer tiempo se deposita una capa de boro destinada a crear una zona p fuertemente dopada en la superficie de las ventanas abiertas por el fotograbado. A esto sigue la difusin del aislamiento propiamente dicho, en el curso de la

cual penetra el depsito pen las ventanas hasta una profundidad que debe ser superior a la de la capa epilaxial. As se crea un conjunto de zonas de aislamiento separadas entre s por uniones pn que se polarizarn en sentido inverso para aislar los elementos situados en zonas de aislamiento diferentes. Cada ventana es pues un fragmento de silicio n completamente rodeado de silicio de tipo p. Durante la difusin del aislamiento, operacin que puede durar varias horas, se forma una nueva capa de xido en la superficie, en virtud de un fenmeno de reoxidaccin propio de toda difusin. Una segunda operacin de fotograbado, seguida de la abertura de nuevas ventanas en la capa de oxido, permitir la difusin simultnea de todas las bases de los transistores, as como eventualmente la de resistencias. A continuacin se procede a la operacin de difusin en una profundidad del orden de 2 a 5 um. Esta difusin constituye la fase ms crtica de fabricacin; en efecto, los valores de las resistencias obtenidas son funcin de su geometra y de la resistencia de la capa correspondiente a la zona difundida. Son pues las caractersticas fsicas de los elementos activos las que determinan a su vez las caractersticas de los elementos pasivos. Para obtener los valores deseados de las resistencias, slo es posible actuar sobre las caractersticas geomtricas de stas, para lo que si es necesario, se recurre a darles una forma acodada. En la operacin siguiente de fotograbado se abren ventanas en la capa de dixido, en los emplazamientos o lugares previstos, para que se produzcan simultneamente los emisores de los transistores y las zonas n+ fuertemente dopadas que se utilizarn para establecer los contactos, de modo que se evite el efecto rectificador metalsemiconductor. La conductividad n requerida se obtiene por depsito y despus por difusin del fsforo con una fuerte concentracin en superficie y una profundidad de difusin de 2 a 5 um para las uniones emisor-base de los transistores. Esta difusin se puede emplear tambin para la produccin de condensadores difundidos. Estando ahora prcticamente terminados sus circuitos, slo falta preparar los contactos en los diferentes terminales o bornes del montaje y las interconexiones. La cuarta operacin de fotograbado va seguida, pues, de la abertura de las ventanas que corresponden a los contactos que se han de establecer, y despus se recubre toda la superficie de la placa con una capa de aluminio de 1 a 2 um. Esta operacin se realiza en una cmara de vaco, en la cual se calienta la placa a la temperatura de + 200 C. Por ltimo, se deja subsistir el aluminio en las superficies necesarias para los contactos o para las interconexiones y se elimina el resto. Este resultado se obtiene en una quinta y ltima operacin de fotograbado seguida de un ataque por cido ortofosfrico. A continuacin se introduce la placa en un horno de aleacin en donde se calienta a 550 C aproximadamente, con lo que se aumenta la adherencia del alumnio al silicio.

Otros mtodos de fabricacin de transistores

Adherirse a los requerimientos para una mnima complejidad en los procesos, a menudo obliga a bastantes compromisos restrictivos en los dispositivos y caractersticas de circuitos, siempre que los mtodos de fabricacin adicionales sean compatibles con el proceso bsico, pueden ser aprovechados y por tanto se pueden introducir adicionalmente hasta cierto grado de libertad, permitiendo estos al diseador mejorar la ejecucin de circuitos. Comenzaremos discutiendo las alternativas del mtodo de aislamiento por difusin de una unin. Aqu los beneficios no slo son de mejora de caractersticas, sino tambin de disminucin de tamao y por tanto un incremento de la densidad de componentes. Despus consideraremos las alternativas para la difusin de componentes en un nico cristal monoltico. Estn descritas y discutidas las modificaciones de los procesos de difusin y las tcnicas de implantacin inica. Se describen los recursos alternativos para

los monocristales monolticos en trminos de recursos compatibles de pelcula fina. Finalmente se discuten los mtodos de interconexin, incluyendo tcnicas "beam-lead".
Mtodos de aislamiento

El aislamiento convencional por difusin de una unin p-n tiene las siguientes desventajas: 1. El tiempo necesario para la difusin del aislamiento es considerablemente ms largo que cualquiera de las otras difusiones. 2. Como la difusin lateral es importante durante la difusin de aislamiento, un espacio considerable debe de usarse para las regiones de aislamiento. Puesto que las difusiones de aislamiento suceden en la periferia de las regiones aisladas, el rea usada con el fin de aislar es una importante porcin del rea del chip. Esta rea de aislamiento debe considerarse utilizada en lo que interesa a densidad de componentes. 3. La relativa profundidad de las caras laterales y lo extenso del rea de las regiones aisladas contribuyen a importantes capacidades parsitas que degradan las caractersticas del circuito. Note que no slo las paredes laterales del aislamiento, sino que adems el fondo del substrato epitaxial de la unin de las regiones aisladas contribuye a las capacidades parsitas. El substrato epitaxial de la unin debe, por tanto, considerarse como parte del mtodo de aislamiento. Diversos mtodos de aislamiento han sido desarrollados para evitar el uso de una difusin de aislamiento. Estos son el mtodo Fairchild Isoplanar II, el proceso Raytheon V-ATE y el Proceso Motorola Multiphase Memory. Todos ellos evitan las dificultades de las grandes reas y de las capacidades de las caras laterales, pero a pesar de esto sufren las capacidades del substrato epitaxial. Un proceso conocido de aislamiento de dielctricos evita este ltimo problema.
El proceso Isoplanar II

La fabricacin de los transistores n-p-n epitaxiales de difusin doble por el proceso Isoplanar II comienza, como en el proceso bsico; por una capa enterrada (buried-layer) y el crecimiento de una capa epitaxial como se muestra en la figura de abajo. A continuacin se deposita una capa de Si3N4 sobre la cara de la oblea y una fotorresistencia es usada para quitar el Si3N4 de las reas donde se va a aislar. Se utiliza ahora un ataque con cido para quitar el silicio como se muestra en la figura. Se hace crecer trmicamente dixido de silicio para llenar las regiones que han sido atacadas.

El Si3N4 evita el crecimiento del xido en las otras partes de la oblea. Una difusin es realizada para el contacto del colector y se quita el Si3N4 dejando la oblea como aparece en la figura. Note que el xido aislante no solo se usa para aislar el transistor sino adems para separar la regin del contacto del colector del resto del dispositivo. Esto ha hecho eliminar los espacios que ordinariamente tendran que ser dejados cuando el emisor se difunde en la regin de base. A partir de este punto el proceso es similar al proceso bsico; el dispositivo completo est en la figura. La reduccin de la geometra de las caras que acompaa el proceso Isoplanar II, puede verse en la figura de abajo . Puesto que la regin de base est enteramente rodeada por xido en lugar del material epitaxial del colector, no hay peligro de desajustes causando un corto en la superficie de la unin base-colector o en el solapamiento de la difusin del emisor y material del colector. Los nicos espacios que deben observarse son aquellos entre el emisor y la regin de contacto de base. La doble franja de base del dispositivo de la figura (a) ocupa menos de la mitad del rea del dispositivo convencional de la figura (b). Con los mismos procesos y dificultades litogrficas.

Si bien el proceso Isoplanar II es compatible con el proceso bsico, tiene la desventaja de requerir material epitaxial fino a fin de que las regiones atacadas que tienen que ser llenadas con xido no sean demasiado hondas y de requerir mucho tiempo de oxidacin. Este proceso se ha mostrado muy prometedor para memorias de gran escala, donde la alta densidad de componentes es muy importante.
El proceso V-ATE

El proceso V-ATE (ataque vertical anisotrpico) hace uso de una tcnica de ataque preferencial, la cual ataca 30 veces ms rpido a lo largo del plano del cristal 100 que a lo largo del plano 111. Si la oblea usada tiene una cara 100, atacando el silicio queda abierta una ventana en forma de ranura en V, como se muestra en la figura (abajo). La naturaleza preferencial del ataque es la causa para que forme un ngulo de 54 con la superficie. Puesto que el ngulo es fijado, la profundidad de la ranura est determinada por la anchura de la apertura en la superficie. No hay penetracin por debajo del xido. En el ataque ordinariamente uniforme, si diversos canales de profundidad micromtrica son atacados y se deposita metal sobre ellos, sucedern burbujas en el metal a causa del corte de las paredes de los canales. Es por esta razn que regiones atacadas deben ser rellenadas con xido en el proceso Isoplanar II. No obstante en el caso de la ranura V el ngulo de la ranura provee una pendiente suficiente a las paredes para permitir la deposicin del metal sin que se produzcan burbujas. El proceso V-ATE comienza con la difusin de la capa enterrada y el crecimiento del estrato epitaxial como en el proceso bsico. Seguidamente la regin de base es difundida como se muestra en la figura (abajo). Son abiertas ventanas para las ranuras de aislamiento en el xido y las ranuras son atacadas. Puesto que no hay nada en este mtodo anlogo a la difusin lateral de la regin de aislamiento del proceso bsico, las ranuras aislantes ocupan muy poco espacio. El xido es ahora quitado y un sandwich de Si3N4-SiO2 se deposita.

Se abren ventanas para el emisor y el colector y se realizan las correspondientes difusiones. Posteriormente se abre la ventana de la base. Se usa un tipo de terminales sobre los bordes de la tableta de interconexin metlica del sistema.

Este diseo consiste en tres capas de metal-Titanio, platino y oro y se usa porque permite el cierre de los espacios con un modelo metlico bien definido, necesario para geometras pequeas. En el V-ATE, se emplean dos capas en el proceso de metalizacin; el primero es empleado para hacer el fino, requiere estrechas lneas para contacto en la pequea geometra del dispositivo. Se deposita entonces un estrato de xido y el segundo estrato de metalizacin se deposita encima del xido. El segundo estrato de metal es galvanizado de doble espesor que el primero y es usado para aquellas interconexiones que deben llevar ms corriente. Como puede verse de la discusin anterior, el proceso V-ATE requiere muchos pasos y tiene un complicado esquema de metalizacin. Una ventaja del proceso de metalizacin es que es compatible con los requerimientos para la fabricacin de diodos de barreraSchottky.
El proceso Multifase Motorola

El proceso multifase motorola, conocido adems como VIP, hace uso de una ranura en V formada por ataque anisotrpico como en el caso del V-ATE. Sin embargo, el proceso motorola es ms simple. Despus que las ranuras han sido atacadas para el aislamiento, se hace crecer un estrato de xido estndar. Las ranuras son entonces rellenadas hasta la superficie, no con xido, sino al contrario con silicio policritalino crecido por mtodos epitaxiales estndar. El metal es aluminio; una seccin transversal de la oblea completa aparece en la figura de abajo. Este proceso tiene la ventaja de lo simple del comienzo como el V-ATE y de retener la superficie plana caracterstica del Isoplanar II. Aunque el metal puede ser depositado sobre las ranuras en V, como fue previamente apuntado, la seguridad de las interconexiones metlicas est mejorada si la superficie es plana.

Aislamiento dielctrico

El proceso bsico de aislamiento dielctrico comienza con una oblea de tipo n que tenga la resistividad seleccionada normalmente para el estrato epitaxial tipo n en el proceso estndar. Las difusiones de la capa enterrada son realizadas en el sitio deseado y los canales son ahora abiertos hasta una profundidad de aproximadamente 8 micras. Se hace crecer el xido sobre toda la superficie de la oblea. Despus se hace crecer un estrato de silicio de estrictamente unas milsimas de pulgada de espesor sobre la cara por los mtodos epitaxiales estndar. Puesto que el silicio crece sobre el estrato xido, al contrario que sobre la oblea, de silicio, ser policristalino. Sin embargo, como se ver, solo tiene la funcin de proveer los dispositivos para el soporte mecnico; este hace el papel de substrato. El montaje entero se vuelve sobre si y la cara trasera de la oblea tipo n es pulida hasta que la profundidad que haba originalmente en los canales atacados se alcance. Los restos que hay son islas de la oblea n original rodeadas de xido y silicio policristalino. El proceso de difusin estndar es ahora utilizado para difundir la base y emisor centro de estas islas, y las ventanas de contactos y encapsulamiento son realizadas de la manera usual, el material policristalino forma un sustrato, y las islas de material n son rodeadas, sobre el fondo as como en las caras, por xido. Ya que el xido usualmente es ms grueso que la regin de deslexin de la unin del substrato, y puesto que la permitividad dielctrica del xido es un tercio de la del silicio, las capacidades parsitas son fuertemente reducidas. Adems, el aislamiento no envuelve a ninguna unin, de manera que se eliminan los problemas de polarizacin usuales de los aislamientos convencionales. Adems el sistema de aislamiento es menos susceptible a la degradacin por radiaciones, puesto que la unin no est envuelta. Este mtodo de aislamiento utiliza pasos extra y es dificultosa la realizacin de la operacin de pulido con la precisin que se requiere. El aislamiento dielctrico es por sto usado solo en casos en que se necesitan bajas capacidades parasitas y fuertes radiaciones.

Transistores PNP
En muchos circuitos, notablemente circuitos de polarizacin y circuitos lgicos, es deseable o esencial tener disponible un transistor PNP, preferiblemente uno cuyas caractersticas complementen a las del dispositivo NPN. Es difcil conseguir una

estructura complementaria PNP sin aadir una serie de pasos adicionales, pero si el diseador se inclina por disminuir el requisito para las caractersticas complementarias, pueden conseguirse dispositivos razonables PNP sin pasos extra. Consideramos primero el proceso extra requerido para los dispositivos PNP compatibles.
Transistores PNP de triple difusin

La estructura del PNP triple difundido es quizs la estructura compatible ms obvia. Mientras que hay muchos caminos para hacer circuitos integrados. Con transistores PNP usando mltiples capas profundas, selectivas capas epitaxiales y complicados pasos de difusin adicionales, la estructura del PNP triple difundido es muy similar a la estructura NPN doble difundida. Una difusin p adicional es usada para formar al emisor PNP. Esta PNP es doblemente aislada una vez por la oblea de sustrato tipo p y difusiones de aislamiento y otra vez por la capa epitaxial tipo n, de modo que todo PNP triple difundido en un circuito dado, podra ser colocado en la misma regin de aislamiento. El principal problema en la fabricacin de triple difusin es la concentracin de superficies cada vez ms alta, a lo largo de los tres pasos de la difusin. Es difcil controlar la difusin del fsforo, la cual forma el emisor del transistor NPN por causa de efectos de difusin anormales que se presentan con el fsforo. La segunda difusin tipo n debe por tanto tener una concentracin de superficie muy fuerte; de hecho, no es siempre posible conseguir una estructura trabajable, la cual no requiera excesivamente la solubilidad slida del difuso p. Existe tambin un problema considerable en los tiempos y temperaturas de difusin especficos en orden a conseguir la estructura deseada. A causa de la total compensacin de impurezas necesarias para un transistor triple difundido bueno, la vida de los huecos en la base de los PNP ser pequea. La movilidad ser tambin baja en el emisor y en la base. Finalmente, a causa de las fuertes concentraciones involucradas, la eficiencia del emisor en dispositivos de triple difusin es pobre. Para aliviar algunos de los anteriores problemas deberamos escoger valores pequeos de concentracin de la primera p de difusin para obtener concentraciones ms bajas en las sucesivas difusiones. La dificultad inherente en el diseo entre reduccin del nivel de impurezas y diseo PNP es que una superficie tipo p ligeramente dopada podra invertirse, produciendo un canal conductor tipo n que cortocircuite la regin p. En el transistor NPN la superficie invertida cortocircuitara colector y emisor, mientras que en el PNP cortocircuitara la base y la regin de aislamiento. Hay siempre la posibilidad para transistores MOS de accin parsita, particularmente en circuitos donde las superficies estn ligeramente dopadas o donde altos voltajes aparecen sobre la interconexin metlica. La canalizacin puede ser terminada difundiendo anillos de proteccin rodeando completamente todas las regiones p. El anillo protector en la triple difusin p-np-n-p-n compatible con estructura puede ser fcilmente usando la tercera difusin p+. Desde la precedente discusin, da la impresin de que el transistor de estructura triple difundida tiene serias dificultades de diseo y fabricacin, las cuales no compensan las mejoras que podramos obtener. Los transistores de triple difusin tambin tienen el inconveniente de tener gran tamao, grandes capacidades parsitas y bajas tensiones de ruptura. As el transistor de estructura de triple difusin tiene limitada aplicacin para circuitos integrados.
Transistores verticales PNP

Hemos visto ya que existe un transistor PNP parsito entre la base, colector y sustrato del dispositivo del NPN standard. Es difcil hacer este transistor complementario y es una

desventaja adicional que el colector es el sustrato, el cual estar conectado a la tensin ms negativa. Esta desventaja limita seriamente la aplicabilidad del dispositivo en circuitos. De cualquier modo, existen algunos casos, tal como seguidor por emisor, donde un sustrato PNP puede ser empleado. La seccin transversal del sustrato PNP est mostrada en la figura . Por la inspeccin de esta figura pueden deducirse diferentes razones para la produccin de transistores de sustrato complementario PNP. Primero, el ancho de la base es la diferencia entre la profundidad de la unin de colector del PNP y la profundidad de la unin del sustrato. Para una capa epitaxial de 8 m de espesor, la anchura de la base ser aproximadamente de 6 m. Cuando comparada con la anchura de base tpica de 0.5 m para los NPN, estos 6 m parecen intolerablemente grande, ya que el factor de transporte depende del cuadrado de la anchura de la base. Sin embargo, el problema es mitigado en parte por el hecho de que el material epitaxial no ha sido compensado, y por consiguiente tiene razonables buenos valores de longitud de difusin y tiempo de vida media. Longitudes de difusin del orden de 30 m pueden ser fcilmente conseguidas; por ello, valores de 50 para la B son accesibles. Si bien esto es an mucho ms bajo que los valores tpicos para los NPN, es todava suficientemente elevado para obtener caractersticas razonables. La anchura de base del sustrato PNP puede por supuesto, ser reducida por el uso de material epitaxial ms delgado. De cualquier modo, esto compromete al comportamiento del NPN, por que el material del colector del NPN, puede ser completamente vaciado incluso por tensiones inversas de colector bajas, resultando la perforacin del colector. Al mismo tiempo, la resistencia de colector del NPN aumentar. El segundo factor degradante del rendimiento del PNP viene por la relativa alta resistividad del colector. Esta capa epitaxial tpica tiene una resistencia de hoja de 1250 ohmios por cuadrado. La regin bajo la difusin p, siendo slo 6 m de espesor tiene una resistencia de hoja de 1660 ohmios por cuadrado. De este modo, la resistencia de base lateral del dispositivo debe ser considerablemente mayor que la del NPN. Un tercer factor degradante del rendimiento del PNP es el aumento de la resistencia de base. El estrechamiento de corriente se fijar a niveles mucho ms bajos que para el paso del dispositivo NPN. Esto significa que para dispositivos NPN y PNP de tamao comparable, el decrecimiento de B con Ic, empezar a valores mucho ms pequeos de Ic para el PNP, que para el NPN.
El transistor PNP lateral

La restriccin impuesta sobre el circuito por el uso del substrato de colector de un p-n-p puede ser quitado haciendo un p-n-p lateral, cuya seccin transversal y superficie geomtrica son expuestos en la figura siguiente.

Mientras que en la figura est representado el substrato rectangular tambin puede ser usada la geometra circular. En estos dispositivos contamos con los portadores minoritarios introducidos desde las paredes laterales del emisor para alcanzar el colector y proporcionar la accin deseada del transistor. La anchura base efectiva de los dispositivos depende de la distancia entre las entradas laterales del emisor y del colector, esto es tener el emisor y el colector tan cerca como sea posible. Un aspecto importante de la fabricacin de los dispositivos hace posible una base estrecha escasa: ambos emisor y colector estn fabricados durante el mismo ciclo de difusin. Esto significa que son necesarias mscaras de difusiones entre emisor y colector. Por tanto, la tolerancia sobre el espacio entre el emisor y el colector es determinada bsicamente por la tolerancia sobre el control de la extensin de la difusin lateral, es decir, control de la (difusin) profundidad de la unin. Observemos que el substrato parsito del transistor pnp sucede a las regiones de emisor y colector del transistor p-n-p lateral. Considerar en la regin activa normal. Para este caso el transistor de colector parsito tiene ambas uniones polarizadas inversamente. El transistor de emisor parsito est en la regin activa normal, por consiguiente esto reduce la ganancia efectiva de los dispositivos. En realidad solamente los portadores emitidos por las paredes laterales del emisor contribuyen a la accin del transistor p-n-p lateral, podemos ver estas dos pautas observadas poniendo fuera el transistor p-n-p lateral. 1. El emisor debera ser rodeado por el colector de manera que la posible inyeccin de las paredes laterales sea captada por el colector. 2. La anchura de lnea mnima debera ser usada por la ventana de difusin del emisor, con objeto a conseguir la radiacin ms grande posible de las paredes laterales, el rea de fondo de esta manera minimiza el efecto del transistor parsito pnp.

El compuesto PNP
En algunas aplicaciones el transistor pnp es requerido en aquellas situaciones donde solamente su comportamiento a baja frecuencia es importante, pero es necesaria una ms grande ganancia en corriente que puede ser obtenida con el pnp lateral. Si el pnp lateral est combinado con un transistor npn, se obtienen dos resultados para este dispositivo compuesto: 1. Todas las posibles polaridades para este compuesto son las mismas que para un transistor pnp. 2. La ganancia en corriente del compuesto es aproximadamente el producto de la ganancia en corriente de los dos transistores. Como puede verse en al figura para propsito de polarizacin los signos de corriente en los terminales del compuesto son los mismos que seran en el caso de un transistor pnp. Podemos ver que para ambos transistores del compuesto, para operar en la regin activa normal es necesario que el colector del compuesto este por lo menos a Vd voltios ms negativa que la base. Se demuestra fcilmente que la ganancia en corriente c del compuesto es:

Donde p y n son las ganancias en corriente de los transistores pnp y npn respectivamente.