Electrnica de Potencia

Curvas caractersticas

Viernes 30 de Agosto de 2013

Curvas caractersticas
Tiristores unidireccionales 1. SCR (Rectificador Controlado de Silicio) Cuando el SCR est polarizado en inversa se comporta como un diodo comn. En la regin de polarizacin en directo el SCR se comporta tambin como un diodo comn, siempre que el SCR ya haya sido activado (On). Para valores altos de corriente de compuerta (IG), el voltaje de nodo a ctodo es menor (VC).Si la IG disminuye, el voltaje nodoctodo aumenta. Concluyendo, al disminuir la corriente de compuerta IG, el voltaje nodoctodo tender a aumentar antes de que el SCR conduzca (se ponga en On / est activo). 2. SUS (Interruptor Unilateral de Silicio) Conduce cuando el voltaje entre nodo y Ctodo alcanza un valor Vs el cual tpicamente es de 6 a 10V. Despus de esto el voltaje cae dependiendo de la corriente de conduccin. Mientras se mantenga un voltaje por encima de 0.7 y la corriente de conduccin no caiga por debajo de la corriente de mantenimiento IH (1.5mA) seguir conduciendo. No conduce en inversa pero tiene un lmite de voltaje inverso llamado VR el cual puede estar por el orden de los 30V. Si se supera este voltaje entonces se destruye el dispositivo 3. SCS (Interruptor Controlado de Silicio) Es similar en cuanto a construccin al SCR. La diferencia est en que posee dos terminales de puerta, uno para entrar en conduccin y otro para corte. El SCS se suele utilizar en rangos de potencia menores que el SCR.

El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este ltimo tiene la ventaja de poder abrirse ms rpido mediante pulsos en cada uno de los terminales de gate, pero el inconveniente que presenta respecto al SCR es que se encuentra ms limitado en cuanto a valores de tensin y corriente. Tambin se utiliza en aplicaciones digitales como contadores y circuitos temporizadores

4. GTO (Tiristor de Puerta Bloqueable)

Un tiristor GTO puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal gate (como en el tiristor SCR), pero en cambio puede ser apagado por un pulso de corriente negativa en la terminal gate. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado del dispositivo son controlados por la corriente en la terminal gate.

5. UJT (Transistor de Unijuntura)

El diodo de emisor entra en conduccin, porque la regin P est fuertemente contaminada y la regin N no, se inyecta huecos a la parte inferior del UJT. La ligera contaminacin de esta regin proporciona un tiempo de vida largo para los huecos, se produce una trayectoria de conduccin entre emisor y la base B1. Al fluir corriente por B1, la resistencia Rb1 disminuye, efectundose modulacin de conductividad. Al disminuir esta resistencia, la tensin Va disminuye y se obtiene una mayor inyeccin de corriente de emisor.

6. PUT (Transistor de Unijuntura Programable) Tiene una regin de trabajo de resistencia negativa. Cuando la tensin entre nodo y ctodo, Vak, supera la tensin de pico Vp (programada mediante el divisor R1, R2), el dispositivo entra en conduccin, cayendo la tensin Vak y aumentando la corriente. Esto ocurre hasta que se llega a la tensin de valle (Vv) que es un punto estable de operacin.

Tiristores Bidireccionales 1. TRIAC (Triodo de AC) El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuacin se vern los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles.

2. DIAC (Diodo de AC) Dispositivo semiconductor de dos terminales de estructura similar a la del transistor que presenta cierto tipo de conductividad biestable en ambos sentidos. Cuando las tensiones presentes en sus terminales son suficientemente altas se utiliza principalmente junto a los triacs para el control en fase de los circuitos.

3. SBS (Interruptor Bidireccional de Silicio) Un SBS puede dispararse con la compuerta conectada o desconectada; esta terminal solamente proporciona mayor flexibilidad en el disparo y por tanto altera sus caractersticas de voltaje-corriente. La curva del SBS tiene una regin de resistencia negativa ms pronunciada, lo que significa que su cada de voltaje es mucho ms drstica despus de llegar a su estado de conduccin. Usualmente, el voltaje de ruptura de un SBS se encuentra entre los 7 y 9 v.

4. SIDAC (Interruptor Bidireccional de Alto Voltaje en AC) La relacin de corriente y voltaje de ruptura muestra que se requiere un voltaje capaz de llevar al SIDAC a un estado de conduccin del SIDAC con una voltaje alrededor de 1.1 V. Una vez que la tensin de la fuente supera este umbral de encendido, el dispositivo se enciende y el voltaje cae rpidamente al valor de conduccin, mientras que la corriente aumenta. Entre las principales regiones de un SIDAC estn la regin de corte, regin de resistencia negativa y la regin de saturacin o conduccin.

Otros tiristores GCS La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona como un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa. Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.

Tiristor Diodo de 4 capas (DIODO SHOCKLEY)

1.- Zona directa (V > 0) 1.a) Regin de corte. El diodo se encuentra en corte con unas corrientes muy bajas. En esta regin se puede modelar como una resistencia ROFF de valor 1.b) Regin de resistencia negativa. Cuando la tensin entre nodo y ctodo es suficientemente alta se produce la ruptura de la unin con un incremento muy elevado en corriente comportndose el diodo como si fuera una resistencia negativa debido a la realimentacin positiva de su estructura. 1.c) Regin de saturacin o conduccin. En esta regin, la cada de tensin entre nodo y ctodo est comprendida entre 0.5V y 1.5V, prcticamente independiente de la corriente. Se mantendr en este estado siempre que la tensin y corriente alcancen unos valores mnimos conocidos como niveles de mantenimiento definidos por VH e IH. 2.- Zona inversa (V <0 ) 2.a) Regin de ruptura. El diodo puede soportar una tensin mxima inversa VRSM que superado ese valor entra en conduccin debido a fenmenos de ruptura por avalancha.