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Electrnica
TEMA 4: Transistor Bipolar
EL TRANSISTOR BJT:
Introduccin: Definiciones y smbolos Funcionamiento cualitativo Comportamiento esttico El transistor bipolar real Efectos de 2o orden Comportamiento dinmico
Electrnica
El transistor bipolar: Introduccin

BJT: Bipolar Junction Transistor
E
n+ p+ p
B
p+ n-epitaxial capa enterrada n+ substrato p
C
n+ p+
n+
Definiciones y Smbolos n Dispositivo de 3 terminales con dos uniones p-n enfrentadas entre s. Emisor (E ) n+; Base (B ) p ; Colector (C ) n n Emisor mucho ms dopado que colector Dispositivo no simtrico E y C no intercambiables (al contrario que el MOS). n Existen transistores bipolares de dos tipos:
BJT NPN
VBC
+
C
+
BJT PNP
VEB
-
E
IE
IC VCE
IB
B
-
IB VCB
+
VEC IC
VBE
-
IE
E
IE = IC + IB
C
IE = IC + IB VEC = VEB - VCB
VCE = VBE - VBC
Convenio de intensidades y tensiones
Electrnica

n El transistor BJT puede funcionar en 4 modos diferentes dependiendo de las tensiones de polarizacin aplicadas a las dos uniones.
Polarizacin unin B-E Inversa Directa Inversa Directa Polarizacin unin B-C Inversa Inversa Directa Directa Modo de Operacin Corte Activa Directa Activa Inversa Saturacin
npn
ACTIVA INVERSA
VBC
SATURACIN
Anlogamente pero cambiando subndices para el transistor pnp
CORTE
0,0 ACTIVA DIRECTA
VBE
n Corte: No fluye corriente por ninguno de los terminales. n Activa Directa: El transistor acta como un amplificador de intensidad: I C = I B con 100 . Fluye una corriente de difusin por la unin B-E y sta atraviesa la regin de B alcanzando la unin B-C, en donde los portadores son acelerados por el campo elctrico e inyectados en el C. n Activa Inversa: El transistor acta como un amplificador de intensidad: I E = I B con 1. El proceso es equivalente al de activa directa pero, debido a la diferencia de dopados, muy poca corriente de la inyectada por C alcanza E. n Saturacin: La ganancia en intensidad decae substancialmente y la tensin entre C y E permanece constante: VCE 0.2V .
Electrnica
La relacin entre corriente y tensin en B es exponencial permite producir corrientes grandes con pequeas variaciones de tensin el BJT es adecuado en aplicaciones de alto rendimiento. Todo lo dicho anteriormente puede concretarse en una grfica en donde representamos la intensidad de colector, I C , frente a la tensin, V CE . Despues deduciremos esto desde un punto de vista matemtico.
IC
SATURACIN DIRECTA
VBC = 0
ACTIVA DIRECTA
IB
CORTE
IB = 0
CORTE
IB = 0 IB
ACTIVA INVERSA SATURACIN INVERSA
VCE
VBE = 0
Electrnica
EL TRANSISTOR PROTOTIPO
Simplificacin para estudio monodimensional
xE
xB
rea Uniforme Transversal A
IE E VBE
n+
1 5m
p
1 0.1 m
n
5 10 m
IC C VBC
U1
IB B
U2
Densidad de dopaje
Nd-Na
tomos -----------------3 cm
1018
Dopado Uniforme en cada Regin y Uniones Abruptas
1016 1017
Posicin (x)
o Tipicamente, la Base ser de longitud muy corta (~1-0.1m). o La regin del Colector la ms ancha (~5-10m). o La regin de Emisor la ms dopada (~1018at/cm3).
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El transistor bipolar: Estudio Cualitativo n ZONA ACTIVA DIRECTA

Emisor V BE > 0, V BC < 0 :
eBase Colector huecos
InE IE IpE
n+ p
InC IBr IC ICB0

n
VBE>0
IB
VBC<0
n FLUJO DE PORTADORES DE AMBOS TIPOS: BIPOLAR. n UNIN

BASE-EMISOR POLARIZADA DIRECTAMENTE: FLUJO DE PORTADORES MAYORITARIOS (INYECCIN DE PORTADORES ES MAYOR A MAYOR DOPADO).
n UNIN BASE-COLECTOR POLARIZADA INVERSAMENTE: FLUJO DE PORTADORES MINORITARIOS QUE SON ARRASTRADOS POR EL CAMPO ELCTRICO.
n BASE ESTRECHA: LOS PORTADORES PRCTICAMENTE NO SE RECOMBINAN CUANDO LA

ATRAVIESAN
n EL FLUJO MS IMPORTANTE EST CONSTITUIDO DE e- QUE VAN DEL EMISOR (EMITE) AL

COLECTOR (RECOGE).
n INTENSIDADES:
I E = I nE + I pE (Intensidad de Emisor) I C = I nC + I CB 0 (Intensidad de Colector) I B = I Br + I pE I CB 0 (Intensidad de Base) I Br = I nE I nC (Intensidad perdida por recombinacin) I CB 0 (Intensidad Inversa de la unin Colector-Base)
n DEFINICIONES:
4 Ganancia de intensidad del Colector al Emisor:
I nC I nC I nE - --------- = BF F F = --------- = --------I nE I E IE
Electrnica
El transistor bipolar: Estudio Cualitativo

4 Coeficiente de transporte y Coeficiente de eficiencia:
I nC B F = --------I nE I nE I nE 1 F = --------- = ------------------------- = ------------------IE I nE + I pE I pE 1 + --------I nE
4 Ganancia de intensidad del Colector a la Base: F :

I nC IC F - ---- F = ---------------- = -----------------------I Br + I pE I B 1 F I Br << ANCHURA BASE PEQUEA
Si F . I pE << DOPADO BASE MENOR EMISOR
n ZONA DE SATURACIN
V BE > 0, V BC > 0 :
eEmisor (n+) Base (p) Colector (n) huecos
InE IE nE
IpE
InC IBr Br IB nC
IpC
IC
VBE>0
VBC>0
n AMBAS UNIONES POLARIZADAS EN DIRECTA. n SE OBSERVA QUE LA IC TIENE AHORA COMPONENTES QUE HACEN QUE SEA MENOR QUE
EN ZONA ACTIVA DIRECTA, PUDIENDO INCLUSO LLEGAR A SER NEGATIVA (SATURACIN INVERSA).
IC n LA INTENSIDAD DE BASE HA AUMENTADO, DE FORMA QUE: ----IB Sat
< F .
n PROPIEDAD
PEQUEO
IMPORTANTE: AMBAS UNIONES DIRECTAMENTE POLARIZADAS, ENTONCES
LA TENSIN COLECTOR-EMISOR
( V CE = V BE V BC )
VA A TENER UN VALOR MUY
(~ UN CORTOCIRCUITO ENTRE SUS EXTREMOS C Y E).
Electrnica
El transistor bipolar: Estudio Cualitativo n ZONA DE CORTE

n AMBAS
V BE < 0, V BC < 0 : =>
INTENSIDADES MUY PEQUEAS EN
UNIONES INVERSAMENTE POLARIZADAS
TODOS LOS TERMINALES.
n NICA ZONA DONDE IB < 0.
n ZONA ACTIVA INVERSA

n ANLOGA
EMISOR Y COLECTOR.
V BE < 0, V BC > 0 :
A LA ZONA ACTIVA DIRECTA SLO QUE INTERCAMBIANDO LOS PAPELES DE
n DEFINICIONES:
4 Ganancia de intensidad del Emisor al Colector:
I nE I nC I nE - --------- = BR R R = --------- = --------I nC I C IC
4 Ganancia de intensidad del Emisor a la Base: R

R IE - -------- R = ---------------1 R IB
n ESTOS
F , YA QUE EL DISPOSITIVO NO ES SIMTRICO, NI EN EL DOPADO DE EMISOR Y COLECTOR, NI EN LAS DIMENSIONES: R < F { PARA AMPLIFICAR INTERESA MS ZONA ACTIVA DIRECTA R < F
COEFICIENTES RESULTAN DIFERENTES QUE Y
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El transistor bipolar: Comportamiento esttico
ECUACIONES DE EBERS-MOLL A PARTIR DE LAS

ECUACIONES DE CONTINUIDAD
0 xB
n
IE E VBE
xE
n
IC C
Emisor
Base
Colector
x,,
0,,
IB B
VBC
x,
o SUPOSICIONES PARA EL ANLISIS: 4 Estudio monodimensional del transistor prototipo. 4 Se divide el BJT en regiones de deplexin y regiones neutras. 4 No hay cada de tensin en regiones neutras. 4 No hay recombinacin en regiones de deplexin. 4 Baja inyeccin. 4 Corriente de arrastre para portadores minoritarios nula. 4 Estado estacionario.
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Emisor Base Colector
n+
x,,
0,,
XB
0,
x,
VBE
VBC
o CONDICIONES DE CONTORNO:
V BE V BE ---------- ----------- - 2 U U n T T i pE ( 0 ) = pE 0 e 1 = ----------- e 1 N dE V BE V BE ---------- - 2 ---------- U U n T T i - e 1 nB ( 0 ) = nB 0 e 1 = ----- Na V BC V BC ---------- ----------- - 2 U U ni T T - e 1 nB ( XB ) = nB 0 e 1 = ----- Na V BC V BC ---------- ----------- - 2 U U n T T i pC ( 0 ) = pC 0 e 1 = ----------- e 1 N dC
Dependen del dopado y de las tensiones de polarizacin

10
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o ESTUDIO ANLOGO AL CASO DEL DIODO: 4 Se resuelve la ecuacin de difusin de los portadores minoritarios en las tres regiones (Emisor, Base, Colector). 4 Se considera que la intensidad es slo de difusin. 4 Se considera que no hay recombinacin en las regiones de deplexin.
o
TENEMOS ENTONCES: I E = I pE ( 0 ) + I nB ( 0 ) I C = I pC ( 0 ) + I nB ( X B )
(1)
o o
Y ADEMS TENEMOS QUE I B = I E I C . CONSIDERAREMOS DOS CASOS: 4 Caso simplificado: Emisor y Colector Largos y Base corta 4 Caso general.
o Caso simplificado: m Emisor Largo:

pE ( x ) = pE ( 0 ) e d I pE ( x ) = qAD pE p (x) dx E V BE ----------- 2 qAD pE n i U T - ----------- e I pE ( 0 ) = ----------------- 1 L pE N dE x ---------L pE
(sentido del eje x,, y de la intensidad IE coinciden)
11
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m Base Corta:
nB ( 0 ) nB ( XB ) -x n B ( x ) = n B ( 0 ) --------------------------------------------XB I nB ( x ) = qAD nB 2 qAD nB n i I nB ( 0 ) = I nB ( X B ) = ------------------- -----XB Na d n (x) dx B V BE V BC ----------- ----------- U U e T 1 e T 1
(sentido del eje x y de las intensidades IE e IC no coinciden) m Colector Largo:

x ---------L pC
pC ( x ) = pE ( 0 ) e d I p C ( x ) = qAD p C p C ( x ) dx V BC - 2 ---------- qAD pC n i U T - ----------- e I pC ( 0 ) = ----------------- 1 L pC N dC
(sentido del eje x, y de la intensidad IC no coinciden)

o
SUSTITUYENDO EN (1)
TENEMOS:
V BE V BC ---------- ----------- U U T T I E = a 11 e 1 a 12 e 1 V BC V BE ---------- ----------- - U U T T 1 I C = a 21 e 1 a 22 e
12
Electrnica
Ecuaciones de Ebers-Moll
Dp E 2 D nB a 11 = qAn i --------------- + ----------------------N a X B N dE L PE 2 D nB a 12 = a 21 = qAn i --------------Na XB Dp C 2 D nB a 22 = qAn i --------------- + ----------------------N a X B N dC L PC o PARMETROS:
I nE F --------IE I nB ( 0 ) = --------------------------------------------I nB ( 0 ) + I pE ( 0 ) 1 = --------------------------------------------D pE N aB X B 1 + ----------------------------------D nB N dE L pE
ZAD
V BE ----------- UT V BC ----------- UT
I nC B F --------I nE I nC R -----------IC
ZAD
I nB ( X B ) = ---------------------- = 1 I nB ( 0 ) BR = 1
1 = --------------------------------------------D pC N aB X B 1 + ----------------------------------ZAI D nB N dC L pC
o Caso general: Ecuaciones de Ebers-Moll para el BJT prototipo. V BE V BC ---------- ----------- U U T T I E = I pE ( 0 ) + I nB ( 0 ) = a 11 e 1 a 12 e 1 V BE V BC ---------- ----------- - U U T T I C = I pC ( 0 ) + I nB ( X B ) = a 21 e 1 a 22 e 1
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BE V - --------- UT a 11 e 1 qAD nB XB XB V BC ---------- n p ( 0 ) cos ech ---------- n p ( X B ) I nB ( 0 ) = ------------------- cot gh ---------- L nB L L nB nB UT 1 a 12 e qAD nB X X B B - n p ( 0 ) cot gh ---------- n p ( X B ) I nB ( X B ) = ------------------- cos ech --------- L nB L L nB nB BC V - qAD pC X C --------- UT - cot gh ---------- p C ( 0 ) I pC ( 0 ) = ----------------- a 22 e 1 L pC L pC
BE V - --------- UT a 21 e 1 qAD pE XE I pE ( 0 ) = ------------------ cot gh ---------- p ( 0 ) L pE L pE E
o PARMETROS PARA ZONA ACTIVA DIRECTA:

1 F = ----------------------------I pE ( 0 ) 1 + -------------------I nB ( 0 ) 1 = ----------------------------------------------------------------------X B - D pE N aB L nB tgh --------- L nB 1 + ------------------------------------------------------------- XE - D nB N dE L pE tgh --------- L pE
V BE ----------- UT V BC ----------- UT
2 XB XB - 1 ------------- sech ---------2 L nB 2 L nB ZAD I nB ( X B ) a 21 F = F B F = --------------------------------------------= -------I nB ( 0 ) + I pE ( 0 ) a 11 V I nB ( X B ) B F ---------------------I nB ( 0 )

BE ----------- UT V BC ----------- UT
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Electrnica

l Circuitos Equivalentes del Modelo de EBERS-MOLL:
4 Versin Inyeccin
C
Transistor BJT NPN

C
IC
C
n
IR
IB
VBC +
FIF
VBC
+
IC VCE
p n+
B
+
IB
B
+
VBE
-
IE
IF
VBE IE
RIR
n El transistor bipolar se representa como: dos diodos enfrentados:

V U I F = I ES e BE T 1 V U I R = I CS e BC T 1
y dos fuentes de intensidad controladas por intensidad: En AD, no todos los e- emitidos por E ( I F ) llegan a C ; los que llegan generan una intensidad F I F . En AI, no todos los e- emitidos por C ( I R ) llegan a E ; los que llegan generan una intensidad R I R .
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Electrnica
Se tiene que:
IE = IF R IR IC = F IF IR IB = IE IC
V U V U I E = I ES e BE T 1 R I CS e BC T 1 U V U V I C = F I ES e BE T 1 I CS e BC T 1 4
Relaciones entre constantes: a 11 = I ES a 12 = R I CS a 21 = F I ES a 22 = I CS F 0.99 R 0.66 Transistor BJT PNP

E
Parmetros: IES, ICS, F, R
I ES 10 15 A I CS 10 15 A
E
IE +
E
+
p+
IF
IB
VEB -
RIR
VEB
-
IE VEC
n p
IB
B
-
VCB
+
IC
IR
VCB + IC
FIF
n Cambiando el signo de las tensiones y el sentido de las intensidades, las relaciones de Ebers-Moll siguen siendo vlidas para el BJT pnp.
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Electrnica
4 Versin Transporte
C
IC -
Transistor BJT NPN F I ES = R I CS = I S V U I CC = I S e BE T 1 V U I EC = I S e BC T 1

I EC -------R
IB
VBC +
ICC
B
+
I CC -------F
VBE IE
IEC
Parmetros: IS, F, R
4 Versin Hbrida en : Transistor BJT NPN

I EC -------R VBC IB
C
IC
I CT = I CC I EC V U V U I CT = I S e BE T e BC T
B
I CC -------F
ICT
VBE IE
Parmetros: IS, F, R
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Electrnica

4
Las ecuaciones de Ebers-Moll, aunque compactas, son demasiado complejas para el anlisis manual de circuitos con BJTs. Se pueden deducir modelos ms simples si se conoce el punto de operacin del transistor Simplificacin del modelo de Ebers-Moll El modelo depende de la regin en la que se est operando el BJT:
I S VBE UT I B = -----(e 1) F
+
VBE
B
VBE(on)
C
I FB
I FB
E
ACTIVA DIRECTA
E
ACTIVA DIRECTA: Simplificado
B
VBE(sat)
C
VCE(sat)
< F IB
E
SATURACIN DIRECTA
E
CORTE
n Activa Directa: VBE V BE ( on )

V BE ( on ) 0.6V 0.75V
V BC < V BC ( on )
La diferencia de potencial V BE es prcticamente constante Se cumple que I C = F I B n Saturacin Directa:

V BE ( sat ) 0.8V V BE V BE ( on ) V BC V BC ( on ) V BE V BC
La diferencia de potencial V BE es prcticamente constante La diferencia de potencial V CE es prcticamente constante

V CE ( sat ) 0.1V 0.2V
Se cumple que I C < F I B n Corte:

V BE < V BE ( on ) V BC < V BC ( on )
Todas las corrientes son 0 I C = I E = I B 0

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Electrnica
El transistor bipolar: Comportamiento esttico n GRFICAS I-V IDEALES (CARACTERSTICA DE SALIDA):

PRIMER CUADRANTE: IC >0 Y VCE>0 TERCER CUADRANTE: IC <0 Y VCE<0
15
SAT. DIRECTA
VBC=0
0.00
ZAD
IB = 100A IB = 75A IB = 50A IB = 25A
IC (mA)
IC (mA)
10
IB = 25A IB = 50A IB = 75A IB = 100A
-0.25
ZAI
SAT. INVERSA
-0.50 -3
-2
-1
VCE (V)
VCE (V)
CARACTERSTICA DE SALIDA DE UN TRANSISTOR
NPN A EMISOR COMN:
IC
SATURACIN DIRECTA
VBC = 0
ACTIVA DIRECTA
IB
CORTE
IB = 0
CORTE
IB = 0 IB
VCE
VBE = 0
19
Electrnica
El transistor bipolar: Efectos de 2o orden n RESISTENCIAS PARSITAS (CADAS HMICAS EN LAS REGIONES NEUTRAS):
E B C
n+
R E n+ rE
p+
RB
p+ p
RC3 RC2
n-epitaxial capa enterrada n+ substrato p
RC 1
p+
4 4
Resistencias parsitas asociadas a las regiones semiconductoras. La resistencia ms importante es la de colector. sta puede disminuirse profundizando la capa n+ que forma C (colector profundo).
RE ~ 10 RB ~ 50 500 RC ~ 20 (con colector profundo) 1k (normal)
C,
INFLUENCIA DE
RC:
RC
B,
IC
Modelo Ideal RC = 0
RB
MODELO EBERS-MOLL
Modelo Real
RC 0
RE
E,
VCE
Afecta fundamentalmente a la regin de saturacin:
E,,C,,B,:TERMINALES EXTERNOS
V CE ( sat )
Real
> V CE ( sat )
Ideal
10-0
INFLUENCIA DE
RB Y RE:
ln(IC,IB ) (A)
VCE = 3V
IC IB
Aunque RE sea pequea la influencia es equivalente a (F + 1)RE ya que IE = (F + 1)IB
10-5
F
IBRB+IERE
10-10 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
VBE (V)
20
Electrnica
El transistor bipolar: Efectos de 2o orden n TENSIN EARLY (MODULACIN DE ANCHURA DE BASE):

IC
SAT. DIRECTA
ZAD
V BE 4 V BE 3 V BE 2 V BE 1
VA F
4
V CE
Aparece cuado una de las uniones esta inversamente polarizada (ZAD ZAI). El modelo simplificado supone que I C f ( V CE ) en ZAD.
xB
n
IE E VBE
n
IC C
XB disminuye si VCE aumenta Disminucin de XB Aumento de IC
Emisor
Base
Colector
VBC
IB B
n Sin embargo, un aumento de V CE aumento de la regin de empobrecimiento en la unin B-C disminucin de la anchura XB aumento de la intensidad de colector. n Si se extrapolan las caracterstica I C V CE en AD todas cortan en un mismo punto del eje V CE llamado tensin Early ( V AF 15V 100V ).
V CE V u I C = I S 1 + --------- e BE T V AF
n Similar en ZAI.
21
Electrnica
n VARIACIONES DE
ln(I )
ZAD
IKF IC
Alta inyeccin
F
IB
1 ------U T
Recombinacin
VBE
n Recombinacin: Aumento de I B debido a la recombinacin de portadores en la regin de deplexin de la unin B-E. Existe siempre, pero se manifiesta para valores pequeos de la tensin VBE. n Alta inyeccin: La intensidad de difusin de h+ de B-E no es despreciable empeora el rendimiento del dispositivo y disminuye I C .
4
Para modelar la alta inyeccin se pasa de un coeficiente de inyeccin n de 1 a 2 a partir de la corriente de codo IKF :
I C = I S e VBE ( nUT ) n2 si I C > I KF
22
Electrnica
El transistor bipolar: Efectos de 2o orden
Modelo de Gummel-Poon
(incluye el modelo de Ebers-Moll ms efectos de 2 orden)
(1) Modela Cadas hmicas
(2)Modela Recombinacin
(1)
RC IC
V BC -------------- nC U T 1 IS C e
(2)
I EC -------R
VBC
(1) B RB
IB +
ICT=ICC-IEC
V BE -------------- n U E T I SE e 1
(2)
I CC -------F -
VBE
IE
Modelo Ebers-Moll
(1)
RE
E
ln(I )
1 ------UT
IC
ZAD
F
IB
1 ------UT
IS ISE
1 -------------nE U T
nE 2
Recombinacin
VBE
23
Electrnica
4 El Efecto Early y de Alta Inyeccin se incluyen en el modelo a travs de ICC e IEC: V BE ----------- IS UT - e I CC = ---- 1 qb V BC ----------- IS UT - e I EC = ---- 1 qb
2 q1 + 4 q2 q1 - --------------------q b = ----2 2 o
Efecto Early:
V BE V BC q 1 = 1 + ----------- + ----------V AR V AF
Alta Inyeccin:
V BE V BC ---------- ----------- - UT UT IS IS q 2 = ---------- e 1 + ---------- e 1 I KF I KR
SITUACIONES EXTREMAS EN ZAD:

o
Slo Efecto Early y Baja Inyeccin: q 2 "" y q b q 1 : V BE V BE ---------- ---------- UT IS UT V BC - e IC I 1 IS e 1 ---------- -------------------- V BC V AF CC 1 + ----------- V AF I C IC = ---------- V CB V AF
24
Electrnica
V BE ----------IS 2 UT Slo Alta Inyeccin: q 2 q 1 y q b q 2 ---------- e : I KF
V BE ----------- 2U T IC I I S I KF e 1 CC
ln(IC )
I KF
Alta inyeccin
ZAD
IC
1 ------UT 1 ----------2 UT
I S I KF
IS
VBE
Las asntotas de Baja y Alta Inyeccin en Modo Activo Directo se cortan en IKF.
25
Electrnica
n TENSIONES DE RUPTURA:
4 4
El efecto es similar al descrito para un diodo. Cuando se polariza en inversa una unin p-n de un transistor BJT con una diferencia de potencial grande, llega un momento en que la unin empieza a conducir, bien por efecto avalancha o por efecto Zener.
BVEB0 ~ -6V -8V Tensin de ruptura de la unin B-E BVCB0 ~ 200V Tensin de ruptura de la unin B-C BVCE0 ~ 70V -100 V Tensin de ruptura C-E
IC
SATURACIN DIRECTA
VBC = 0
ACTIVA DIRECTA
IB
IB=0
BVCE0
VCE
n LIMITACIONES DE POTENCIA:
o
Podemos considerar el BJT como una bipuerta a Emisor comn: IB

B + VBE
-
Ic Bipuerta
+
Potencia=IBVBE+ICVCE
VCE
-
ZAD
Potencia~ICVCE
E
La potencia debe ser menor que un cierto valor dado por los fabricantes.
IC
SATURACIN DIRECTA
Pmax
VBC = 0
ACTIVA DIRECTA
IB
Zona Prohibida
VCE
26
Electrnica
El transistor bipolar: Comportamiento dinmico n MODELO DINMICO DEL BJT:

QBC CBC C
Modelo
Esttico
QBE CBE
4 4
Es similar al caso del diodo, pero ahora existen tres uniones p-n. El almacenamiento de carga en un BJT se modela introduciendo dos condensadores no lineales: C BC = dQ BC d V BC C BE = dQ BE d V BE
Cada uno de estos dos condensadores tiene dos componentes.
n Unin Base (p+) -Emisor (n+): Asociada a la variacin de la carga de minoritarios en exceso en la regin neutra de B en directa ( Q F ) Capacidad de difusin
o
Cargas almacenadas en las regiones neutras: Q F = Q nB + Q pE .

XB X n B ( x ) dx
Q nB = qA
Q pE = qA
p E ( x ) dx
Sea cual sea la relacin con x (corta o larga):

V BE ----------- U T 1 Q F = F I CC = F I s e
Asociada a la variacin de la carga en la regin de deplexin de

27
Electrnica
V BE ---------- U T pE 0 e 1
Emisor Largo
Corta
V BE ---------- U T nB 0 e 1 Base
Caso 1: VBE>0; VBC=0

Colector
IE E
pE 0
pE ( x )
p nB ( x )
nB 0
0,, 0,
IC C
x,
x,,
XB
IB
VBE
la unin Capacidad de unin Capacidad total CBE:

F IS V u dQ F C je 0 C BE = ------------ + C be = --------- e BE T + ----------------------------------------dV BE UT ( 1 V V ) me
BE bi e
n Unin Base (p+) -Colector (n+): Asociada a la variacin de la carga de minoritarios en exceso en la regin neutra de B en inversa ( Q R ) Capacidad de difusin
V BC ---------- U T nB 0 e 1
Emisor Largo
Base Corta
V BC ---------- U T Caso 2: VBE=0; VBC>0 pC 0 e 1 Colector Largo
n+
p
nB ( x ) nB 0 pC ( x )
IE E
x,,
0,,
IC
pC 0
XB
0,
x,
IB B
VBC
28
Electrnica
Cargas almacenadas en las regiones neutras: Q R = Q nB + Q pC .

0 X n ( x ) dx B Q = qA
nB
XB
pC
= qA
p ( x ) dx C

V BC ---------- U T 1 Q = I I e = R R EC R s
Asociada a la variacin de la carga en la regin de deplexin de la unin Capacidad de unin Capacidad total CBC:
R IS V u dQ R C jc 0 C BC = ------------ + C bc = --------- e BC T + ----------------------------------------dV BC uT ( 1 V V ) mc
BC bi c
n Unin Colector (n+) -Sustrato (p ):

E n p n+ B C
Sustrato p
Para los BJT integrados puede incluirse el condensador unin entre colector y sustrato Capacidad de unin
29
Electrnica
El transistor bipolar: Modelos en Pequea Seal

C js 0 C CS = ----------------------------------------( 1 V SC V bi s ) ms
C
C bc
QR
C cs
MODELO CAPACITIVO DEL BJT

B
QF C be
n MODELOS LINEALIZADOS ALREDEDOR DE UN PUNTO DE OPERACIN:

4 SUPONGAMOS TRANSISTOR FUNCIONANDO EN ZAD V BE > 0, V BC < 0 . 4 PARTIMOS DE UN MODELO EN GRAN SEAL ESTTICO. 4 BAJA INYECCIN, SIN EFECTO EARLY, SIN RECOMBINACIN EN ZONA DE DEPLEXIN... => ECUACIONES DE EBERS-MOLL SIN EFECTOS DE SEGUNDO ORDEN. 4 SUPONGAMOS UNA COMPONENTE EN PEQUEA SEAL: V BE = V BE + v BE .
Q
4 NUESTRO OBJETIVO ES DESARROLLAR RELACIONES ENTRE FUNCIN DE v BE .
i b E i c EN
30
Electrnica
BJT NPN
VBC
+
C
+
IC VCE
I C = f 1 ( V BE ) = I C I B = f 2 ( V BE ) = I B
+ ic + ib
IB
VBE+vbe
-
IE
DESARROLLO EN SERIE DE TAYLOR.
Se modelan como Fuentes Controladas
ic =
df 1 d V BE Q
v be
ib =
df 2 d V BE Q
v be
Modelo en Pequea Seal para ib e ic:
ib + vbe ie
ic
gmvbe
E
o DEFINICIONES: 4 Transconductacia del BJT: g m = d V BE df 1
.
Q
31
Electrnica
4 Conductacia de entrada del BJT: g = d V BE
df 2
.
Q
V BE ----------UT
4 Parmetros en funcin del Punto de Operacin:
En ZAD y segn las ecuaciones de Ebers-Moll: f 1 ( V BE ) I S e

IC V BE ----------UT
gm =
df 1 d V BE Q
IS e Q = ------------ = --------------------- . UT UT
Si I C
mA -. 1 mA g m = 38 -------V Tipico
V BE ----------IS UT -e En ZAD y segn las ecuaciones de Ebers-Moll: f 2 ( V BE ) -----. F
g =
df 2 d V BE Q
IS e gm Q = ------------ = --------------------- = ------- . UT F U F T
IB
V BE ----------UT
F 1 r = ----- = ------- r 2.6 K . g gm Tipico
4 Parmetros considerando Efectos de Segundo Orden: o Recombinacin y Alta Inyeccin: IC - cte => F cte . Hecho: Ganancia en Intensidad ----IB
Nueva Conductacia de entrada:

o
g =
dI B d V BE Q
dI B d IC Q
dI C d V BE Q
1 -g . = ----0 m
32
Electrnica
0 =
dI C d IB Q
o o o
0 < F .
en el caso de baja inyeccin y no recombinacin. Parmetros h dado por los fabricantes:

h fe = 0 = dI
0 F
dI C B
Q
h FE = F
o Efecto Early: V BE ----------UT V CE Hecho: I C = f ( V CE ) => ZAD I C I S e - .. 1 + ----------V AF
Nuevos componentes:
ib + vbe ie ic
gvce
gmvbe
E
o
C go = d V CE
dI
dI g = Q
B d V CE
.
Q
33
Electrnica
dI
o
ZAD => g o = d V CE
IC IS e Q --------------------- ------------ . V AF V AF
V BE ----------UT
No solucin analtica para g , habra que obtener la expresin IB = f ( VCE ) o I B = f ( XB ) .
n RESUMEN DE COMPONENTES EN PEQUEA SEAL:

gm g = ------0 Q g 0 = -----------V AF IC g0 g = ----0 Q g m = ------------ g 0 UT IC En general: gm > g > g0 > g
n MODELO DINMICO EN PEQUEA SEAL DEL BJT:
34
Electrnica
Circuito Hbrido en se le aade los condensadores en el Punto de Operacin... ZAD
V BE V BE --------------------- U U T T = QF 0 e = F I C Condensador Difusin QF F Is e dQ F Cb = = F gm d V BE Q C je, C jc, C CS Condensadores Unin

C = C jc V BC Q
ib
ic C
C je V BE Cb = F gm Q
1 ----g
g m v be
1 ----g0
ie
C = C b + C je V BE Q
C CS V CS
35
Electrnica
EL TRANSISTOR BJT:
Introduccin: Definiciones y smbolos Funcionamiento cualitativo Comportamiento esttico El transistor bipolar real Efectos de 2o orden Comportamiento dinmico
Electrnica

BJT: Bipolar Junction Transistor
E
n+ p+ p
B
p+ n-epitaxial capa enterrada n+ substrato p
C
n+ p+
n+
Definiciones y Smbolos n Dispositivo de 3 terminales con dos uniones p-n enfrentadas entre s. Emisor (E ) n+; Base (B ) p ; Colector (C ) n n Emisor mucho ms dopado que colector Dispositivo no simtrico E y C no intercambiables (al contrario que el MOS). n Existen transistores bipolares de dos tipos:
BJT NPN
VBC
+
C
+
BJT PNP
VEB
-
E
IE
IC VCE
IB
B
-
IB VCB
+
VEC IC
VBE
-
IE
E
IE = IC + IB
C
IE = IC + IB VEC = VEB - VCB
VCE = VBE - VBC
Convenio de intensidades y tensiones
Electrnica

n El transistor BJT puede funcionar en 4 modos diferentes dependiendo de las tensiones de polarizacin aplicadas a las dos uniones.
Polarizacin unin B-E Inversa Directa Inversa Directa Polarizacin unin B-C Inversa Inversa Directa Directa Modo de Operacin Corte Activa Directa Activa Inversa Saturacin
npn
ACTIVA INVERSA
VBC
SATURACIN
Anlogamente pero cambiando subndices para el transistor pnp
CORTE
0,0 ACTIVA DIRECTA
VBE
n Corte: No fluye corriente por ninguno de los terminales. n Activa Directa: El transistor acta como un amplificador de intensidad: I C = I B con 100 . Fluye una corriente de difusin por la unin B-E y sta atraviesa la regin de B alcanzando la unin B-C, en donde los portadores son acelerados por el campo elctrico e inyectados en el C. n Activa Inversa: El transistor acta como un amplificador de intensidad: I E = I B con 1. El proceso es equivalente al de activa directa pero, debido a la diferencia de dopados, muy poca corriente de la inyectada por C alcanza E. n Saturacin: La ganancia en intensidad decae substancialmente y la tensin entre C y E permanece constante: VCE 0.2V .
Electrnica
La relacin entre corriente y tensin en B es exponencial permite producir corrientes grandes con pequeas variaciones de tensin el BJT es adecuado en aplicaciones de alto rendimiento. Todo lo dicho anteriormente puede concretarse en una grfica en donde representamos la intensidad de colector, I C , frente a la tensin, V CE . Despues deduciremos esto desde un punto de vista matemtico.
IC
SATURACIN DIRECTA
VBC = 0
ACTIVA DIRECTA
IB
CORTE
IB = 0
CORTE
IB = 0 IB
VCE
VBE = 0
Electrnica
EL TRANSISTOR PROTOTIPO
Simplificacin para estudio monodimensional
xE
xB
rea Uniforme Transversal A
IE E VBE
n+
1 5m
p
1 0.1 m
n
5 10 m
IC C VBC
U1
IB B
U2
Densidad de dopaje
Nd-Na
tomos -----------------3 cm
1018
Dopado Uniforme en cada Regin y Uniones Abruptas
1016 1017
Posicin (x)
o Tipicamente, la Base ser de longitud muy corta (~1-0.1m). o La regin del Colector la ms ancha (~5-10m). o La regin de Emisor la ms dopada (~1018at/cm3).
Electrnica
El transistor bipolar: Estudio Cualitativo n ZONA ACTIVA DIRECTA

Emisor V BE > 0, V BC < 0 :
eBase Colector huecos
InE IE IpE
n+ p
InC IBr IC ICB0

n
VBE>0
IB
VBC<0
n FLUJO DE PORTADORES DE AMBOS TIPOS: BIPOLAR. n UNIN

BASE-EMISOR POLARIZADA DIRECTAMENTE: FLUJO DE PORTADORES MAYORITARIOS (INYECCIN DE PORTADORES ES MAYOR A MAYOR DOPADO).
n UNIN BASE-COLECTOR POLARIZADA INVERSAMENTE: FLUJO DE PORTADORES MINORITARIOS QUE SON ARRASTRADOS POR EL CAMPO ELCTRICO.
n BASE ESTRECHA: LOS PORTADORES PRCTICAMENTE NO SE RECOMBINAN CUANDO LA

ATRAVIESAN
n EL FLUJO MS IMPORTANTE EST CONSTITUIDO DE e- QUE VAN DEL EMISOR (EMITE) AL

COLECTOR (RECOGE).
n INTENSIDADES:
I E = I nE + I pE (Intensidad de Emisor) I C = I nC + I CB 0 (Intensidad de Colector) I B = I Br + I pE I CB 0 (Intensidad de Base) I Br = I nE I nC (Intensidad perdida por recombinacin) I CB 0 (Intensidad Inversa de la unin Colector-Base)
n DEFINICIONES:
4 Ganancia de intensidad del Colector al Emisor:
I nC I nC I nE - --------- = BF F F = --------- = --------I nE I E IE
Electrnica
El transistor bipolar: Estudio Cualitativo

4 Coeficiente de transporte y Coeficiente de eficiencia:
I nC B F = --------I nE I nE I nE 1 F = --------- = ------------------------- = ------------------IE I nE + I pE I pE 1 + --------I nE
4 Ganancia de intensidad del Colector a la Base: F :

I nC IC F - ---- F = ---------------- = -----------------------I Br + I pE I B 1 F I Br << ANCHURA BASE PEQUEA
Si F . I pE << DOPADO BASE MENOR EMISOR
n ZONA DE SATURACIN
V BE > 0, V BC > 0 :
eEmisor (n+) Base (p) Colector (n) huecos
InE IE nE
IpE
InC IBr Br IB nC
IpC
IC
VBE>0
VBC>0
n AMBAS UNIONES POLARIZADAS EN DIRECTA. n SE OBSERVA QUE LA IC TIENE AHORA COMPONENTES QUE HACEN QUE SEA MENOR QUE
EN ZONA ACTIVA DIRECTA, PUDIENDO INCLUSO LLEGAR A SER NEGATIVA (SATURACIN INVERSA).
IC n LA INTENSIDAD DE BASE HA AUMENTADO, DE FORMA QUE: ----IB Sat
< F .
n PROPIEDAD
PEQUEO
IMPORTANTE: AMBAS UNIONES DIRECTAMENTE POLARIZADAS, ENTONCES
LA TENSIN COLECTOR-EMISOR
( V CE = V BE V BC )
VA A TENER UN VALOR MUY
(~ UN CORTOCIRCUITO ENTRE SUS EXTREMOS C Y E).
Electrnica
El transistor bipolar: Estudio Cualitativo n ZONA DE CORTE

n AMBAS
V BE < 0, V BC < 0 : =>
INTENSIDADES MUY PEQUEAS EN
UNIONES INVERSAMENTE POLARIZADAS
TODOS LOS TERMINALES.
n NICA ZONA DONDE IB < 0.
n ZONA ACTIVA INVERSA

n ANLOGA
EMISOR Y COLECTOR.
V BE < 0, V BC > 0 :
A LA ZONA ACTIVA DIRECTA SLO QUE INTERCAMBIANDO LOS PAPELES DE
n DEFINICIONES:
4 Ganancia de intensidad del Emisor al Colector:
I nE I nC I nE - --------- = BR R R = --------- = --------I nC I C IC
4 Ganancia de intensidad del Emisor a la Base: R

R IE - -------- R = ---------------1 R IB
n ESTOS
F , YA QUE EL DISPOSITIVO NO ES SIMTRICO, NI EN EL DOPADO DE EMISOR Y COLECTOR, NI EN LAS DIMENSIONES: R < F { PARA AMPLIFICAR INTERESA MS ZONA ACTIVA DIRECTA R < F
COEFICIENTES RESULTAN DIFERENTES QUE Y
Electrnica
ECUACIONES DE EBERS-MOLL A PARTIR DE LAS

ECUACIONES DE CONTINUIDAD
0 xB
n
IE E VBE
xE
n
IC C
Emisor
Base
Colector
x,,
0,,
IB B
VBC
x,
o SUPOSICIONES PARA EL ANLISIS: 4 Estudio monodimensional del transistor prototipo. 4 Se divide el BJT en regiones de deplexin y regiones neutras. 4 No hay cada de tensin en regiones neutras. 4 No hay recombinacin en regiones de deplexin. 4 Baja inyeccin. 4 Corriente de arrastre para portadores minoritarios nula. 4 Estado estacionario.
Electrnica

Emisor Base Colector
n+
x,,
0,,
XB
0,
x,
VBE
VBC
o CONDICIONES DE CONTORNO:
V BE V BE ---------- ----------- - 2 U U n T T i pE ( 0 ) = pE 0 e 1 = ----------- e 1 N dE V BE V BE ---------- - 2 ---------- U U n T T i - e 1 nB ( 0 ) = nB 0 e 1 = ----- Na V BC V BC ---------- ----------- - 2 U U ni T T - e 1 nB ( XB ) = nB 0 e 1 = ----- Na V BC V BC ---------- ----------- - 2 U U n T T i pC ( 0 ) = pC 0 e 1 = ----------- e 1 N dC
Dependen del dopado y de las tensiones de polarizacin

10
Electrnica

o ESTUDIO ANLOGO AL CASO DEL DIODO: 4 Se resuelve la ecuacin de difusin de los portadores minoritarios en las tres regiones (Emisor, Base, Colector). 4 Se considera que la intensidad es slo de difusin. 4 Se considera que no hay recombinacin en las regiones de deplexin.
o
TENEMOS ENTONCES: I E = I pE ( 0 ) + I nB ( 0 ) I C = I pC ( 0 ) + I nB ( X B )
(1)
o o
Y ADEMS TENEMOS QUE I B = I E I C . CONSIDERAREMOS DOS CASOS: 4 Caso simplificado: Emisor y Colector Largos y Base corta 4 Caso general.
o Caso simplificado: m Emisor Largo:

pE ( x ) = pE ( 0 ) e d I pE ( x ) = qAD pE p (x) dx E V BE ----------- 2 qAD pE n i U T - ----------- e I pE ( 0 ) = ----------------- 1 L pE N dE x ---------L pE
(sentido del eje x,, y de la intensidad IE coinciden)
11
Electrnica
m Base Corta:
nB ( 0 ) nB ( XB ) -x n B ( x ) = n B ( 0 ) --------------------------------------------XB I nB ( x ) = qAD nB 2 qAD nB n i I nB ( 0 ) = I nB ( X B ) = ------------------- -----XB Na d n (x) dx B V BE V BC ----------- ----------- U U e T 1 e T 1
(sentido del eje x y de las intensidades IE e IC no coinciden) m Colector Largo:

x ---------L pC
pC ( x ) = pE ( 0 ) e d I p C ( x ) = qAD p C p C ( x ) dx V BC - 2 ---------- qAD pC n i U T - ----------- e I pC ( 0 ) = ----------------- 1 L pC N dC
(sentido del eje x, y de la intensidad IC no coinciden)

o
SUSTITUYENDO EN (1)
TENEMOS:
V BE V BC ---------- ----------- U U T T I E = a 11 e 1 a 12 e 1 V BC V BE ---------- ----------- - U U T T 1 I C = a 21 e 1 a 22 e
12
Electrnica
Dp E 2 D nB a 11 = qAn i --------------- + ----------------------N a X B N dE L PE 2 D nB a 12 = a 21 = qAn i --------------Na XB Dp C 2 D nB a 22 = qAn i --------------- + ----------------------N a X B N dC L PC o PARMETROS:
I nE F --------IE I nB ( 0 ) = --------------------------------------------I nB ( 0 ) + I pE ( 0 ) 1 = --------------------------------------------D pE N aB X B 1 + ----------------------------------D nB N dE L pE
ZAD
V BE ----------- UT V BC ----------- UT
I nC B F --------I nE I nC R -----------IC
ZAD
I nB ( X B ) = ---------------------- = 1 I nB ( 0 ) BR = 1
1 = --------------------------------------------D pC N aB X B 1 + ----------------------------------ZAI D nB N dC L pC
o Caso general: Ecuaciones de Ebers-Moll para el BJT prototipo. V BE V BC ---------- ----------- U U T T I E = I pE ( 0 ) + I nB ( 0 ) = a 11 e 1 a 12 e 1 V BE V BC ---------- ----------- - U U T T I C = I pC ( 0 ) + I nB ( X B ) = a 21 e 1 a 22 e 1
13
Electrnica
BE V - --------- UT a 11 e 1 qAD nB XB XB V BC ---------- n p ( 0 ) cos ech ---------- n p ( X B ) I nB ( 0 ) = ------------------- cot gh ---------- L nB L L nB nB UT 1 a 12 e qAD nB X X B B - n p ( 0 ) cot gh ---------- n p ( X B ) I nB ( X B ) = ------------------- cos ech --------- L nB L L nB nB BC V - qAD pC X C --------- UT - cot gh ---------- p C ( 0 ) I pC ( 0 ) = ----------------- a 22 e 1 L pC L pC
BE V - --------- UT a 21 e 1 qAD pE XE I pE ( 0 ) = ------------------ cot gh ---------- p ( 0 ) L pE L pE E
o PARMETROS PARA ZONA ACTIVA DIRECTA:

1 F = ----------------------------I pE ( 0 ) 1 + -------------------I nB ( 0 ) 1 = ----------------------------------------------------------------------X B - D pE N aB L nB tgh --------- L nB 1 + ------------------------------------------------------------- XE - D nB N dE L pE tgh --------- L pE
V BE ----------- UT V BC ----------- UT
2 XB XB - 1 ------------- sech ---------2 L nB 2 L nB ZAD I nB ( X B ) a 21 F = F B F = --------------------------------------------= -------I nB ( 0 ) + I pE ( 0 ) a 11 V I nB ( X B ) B F ---------------------I nB ( 0 )

BE ----------- UT V BC ----------- UT
14
Electrnica

l Circuitos Equivalentes del Modelo de EBERS-MOLL:
4 Versin Inyeccin
C
Transistor BJT NPN

C
IC
C
n
IR
IB
VBC +
FIF
VBC
+
IC VCE
p n+
B
+
IB
B
+
VBE
-
IE
IF
VBE IE
RIR
n El transistor bipolar se representa como: dos diodos enfrentados:

V U I F = I ES e BE T 1 V U I R = I CS e BC T 1
y dos fuentes de intensidad controladas por intensidad: En AD, no todos los e- emitidos por E ( I F ) llegan a C ; los que llegan generan una intensidad F I F . En AI, no todos los e- emitidos por C ( I R ) llegan a E ; los que llegan generan una intensidad R I R .
15
Electrnica
Se tiene que:
IE = IF R IR IC = F IF IR IB = IE IC
V U V U I E = I ES e BE T 1 R I CS e BC T 1 U V U V I C = F I ES e BE T 1 I CS e BC T 1 4
Relaciones entre constantes: a 11 = I ES a 12 = R I CS a 21 = F I ES a 22 = I CS F 0.99 R 0.66 Transistor BJT PNP

E
Parmetros: IES, ICS, F, R
I ES 10 15 A I CS 10 15 A
E
IE +
E
+
p+
IF
IB
VEB -
RIR
VEB
-
IE VEC
n p
IB
B
-
VCB
+
IC
IR
VCB + IC
FIF
n Cambiando el signo de las tensiones y el sentido de las intensidades, las relaciones de Ebers-Moll siguen siendo vlidas para el BJT pnp.
16
Electrnica
4 Versin Transporte
C
IC -
Transistor BJT NPN F I ES = R I CS = I S V U I CC = I S e BE T 1 V U I EC = I S e BC T 1

I EC -------R
IB
VBC +
ICC
B
+
I CC -------F
VBE IE
IEC
Parmetros: IS, F, R
4 Versin Hbrida en : Transistor BJT NPN

I EC -------R VBC IB
C
IC
I CT = I CC I EC V U V U I CT = I S e BE T e BC T
B
I CC -------F
ICT
VBE IE
Parmetros: IS, F, R
17
Electrnica

4
Las ecuaciones de Ebers-Moll, aunque compactas, son demasiado complejas para el anlisis manual de circuitos con BJTs. Se pueden deducir modelos ms simples si se conoce el punto de operacin del transistor Simplificacin del modelo de Ebers-Moll El modelo depende de la regin en la que se est operando el BJT:
I S VBE UT I B = -----(e 1) F
+
VBE
B
VBE(on)
C
I FB
I FB
E
ACTIVA DIRECTA
E
ACTIVA DIRECTA: Simplificado
B
VBE(sat)
C
VCE(sat)
< F IB
E
SATURACIN DIRECTA
E
CORTE
n Activa Directa: VBE V BE ( on )

V BE ( on ) 0.6V 0.75V
V BC < V BC ( on )
La diferencia de potencial V BE es prcticamente constante Se cumple que I C = F I B n Saturacin Directa:

V BE ( sat ) 0.8V V BE V BE ( on ) V BC V BC ( on ) V BE V BC
La diferencia de potencial V BE es prcticamente constante La diferencia de potencial V CE es prcticamente constante

V CE ( sat ) 0.1V 0.2V
Se cumple que I C < F I B n Corte:

V BE < V BE ( on ) V BC < V BC ( on )
Todas las corrientes son 0 I C = I E = I B 0

18
Electrnica
El transistor bipolar: Comportamiento esttico n GRFICAS I-V IDEALES (CARACTERSTICA DE SALIDA):

PRIMER CUADRANTE: IC >0 Y VCE>0 TERCER CUADRANTE: IC <0 Y VCE<0
15
SAT. DIRECTA
VBC=0
0.00
ZAD
IB = 100A IB = 75A IB = 50A IB = 25A
IC (mA)
IC (mA)
10
IB = 25A IB = 50A IB = 75A IB = 100A
-0.25
ZAI
SAT. INVERSA
-0.50 -3
-2
-1
VCE (V)
VCE (V)
CARACTERSTICA DE SALIDA DE UN TRANSISTOR
NPN A EMISOR COMN:
IC
SATURACIN DIRECTA
VBC = 0
ACTIVA DIRECTA
IB
CORTE
IB = 0
CORTE
IB = 0 IB
VCE
VBE = 0
19
Electrnica
El transistor bipolar: Efectos de 2o orden n RESISTENCIAS PARSITAS (CADAS HMICAS EN LAS REGIONES NEUTRAS):
E B C
n+
R E n+ rE
p+
RB
p+ p
RC3 RC2
n-epitaxial capa enterrada n+ substrato p
RC 1
p+
4 4
Resistencias parsitas asociadas a las regiones semiconductoras. La resistencia ms importante es la de colector. sta puede disminuirse profundizando la capa n+ que forma C (colector profundo).
RE ~ 10 RB ~ 50 500 RC ~ 20 (con colector profundo) 1k (normal)
C,
INFLUENCIA DE
RC:
RC
B,
IC
Modelo Ideal RC = 0
RB
MODELO EBERS-MOLL
Modelo Real
RC 0
RE
E,
VCE
Afecta fundamentalmente a la regin de saturacin:
E,,C,,B,:TERMINALES EXTERNOS
V CE ( sat )
Real
> V CE ( sat )
Ideal
10-0
INFLUENCIA DE
RB Y RE:
ln(IC,IB ) (A)
VCE = 3V
IC IB
Aunque RE sea pequea la influencia es equivalente a (F + 1)RE ya que IE = (F + 1)IB
10-5
F
IBRB+IERE
10-10 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
VBE (V)
20
Electrnica
El transistor bipolar: Efectos de 2o orden n TENSIN EARLY (MODULACIN DE ANCHURA DE BASE):

IC
SAT. DIRECTA
ZAD
V BE 4 V BE 3 V BE 2 V BE 1
VA F
4
V CE
Aparece cuado una de las uniones esta inversamente polarizada (ZAD ZAI). El modelo simplificado supone que I C f ( V CE ) en ZAD.
xB
n
IE E VBE
n
IC C
XB disminuye si VCE aumenta Disminucin de XB Aumento de IC
Emisor
Base
Colector
VBC
IB B
n Sin embargo, un aumento de V CE aumento de la regin de empobrecimiento en la unin B-C disminucin de la anchura XB aumento de la intensidad de colector. n Si se extrapolan las caracterstica I C V CE en AD todas cortan en un mismo punto del eje V CE llamado tensin Early ( V AF 15V 100V ).
V CE V u I C = I S 1 + --------- e BE T V AF
n Similar en ZAI.
21
Electrnica
n VARIACIONES DE
ln(I )
ZAD
IKF IC
Alta inyeccin
F
IB
1 ------U T
Recombinacin
VBE
n Recombinacin: Aumento de I B debido a la recombinacin de portadores en la regin de deplexin de la unin B-E. Existe siempre, pero se manifiesta para valores pequeos de la tensin VBE. n Alta inyeccin: La intensidad de difusin de h+ de B-E no es despreciable empeora el rendimiento del dispositivo y disminuye I C .
4
Para modelar la alta inyeccin se pasa de un coeficiente de inyeccin n de 1 a 2 a partir de la corriente de codo IKF :
I C = I S e VBE ( nUT ) n2 si I C > I KF
22
Electrnica
El transistor bipolar: Efectos de 2o orden
Modelo de Gummel-Poon
(incluye el modelo de Ebers-Moll ms efectos de 2 orden)
(1) Modela Cadas hmicas
(2)Modela Recombinacin
(1)
RC IC
V BC -------------- nC U T 1 IS C e
(2)
I EC -------R
VBC
(1) B RB
IB +
ICT=ICC-IEC
V BE -------------- n U E T I SE e 1
(2)
I CC -------F -
VBE
IE
Modelo Ebers-Moll
(1)
RE
E
ln(I )
1 ------UT
IC
ZAD
F
IB
1 ------UT
IS ISE
1 -------------nE U T
nE 2
Recombinacin
VBE
23
Electrnica
4 El Efecto Early y de Alta Inyeccin se incluyen en el modelo a travs de ICC e IEC: V BE ----------- IS UT - e I CC = ---- 1 qb V BC ----------- IS UT - e I EC = ---- 1 qb
2 q1 + 4 q2 q1 - --------------------q b = ----2 2 o
Efecto Early:
V BE V BC q 1 = 1 + ----------- + ----------V AR V AF
Alta Inyeccin:
V BE V BC ---------- ----------- - UT UT IS IS q 2 = ---------- e 1 + ---------- e 1 I KF I KR
SITUACIONES EXTREMAS EN ZAD:

o
Slo Efecto Early y Baja Inyeccin: q 2 "" y q b q 1 : V BE V BE ---------- ---------- UT IS UT V BC - e IC I 1 IS e 1 ---------- -------------------- V BC V AF CC 1 + ----------- V AF I C IC = ---------- V CB V AF
24
Electrnica
V BE ----------IS 2 UT Slo Alta Inyeccin: q 2 q 1 y q b q 2 ---------- e : I KF
V BE ----------- 2U T IC I I S I KF e 1 CC
ln(IC )
I KF
Alta inyeccin
ZAD
IC
1 ------UT 1 ----------2 UT
I S I KF
IS
VBE
Las asntotas de Baja y Alta Inyeccin en Modo Activo Directo se cortan en IKF.
25
Electrnica
n TENSIONES DE RUPTURA:
4 4
El efecto es similar al descrito para un diodo. Cuando se polariza en inversa una unin p-n de un transistor BJT con una diferencia de potencial grande, llega un momento en que la unin empieza a conducir, bien por efecto avalancha o por efecto Zener.
BVEB0 ~ -6V -8V Tensin de ruptura de la unin B-E BVCB0 ~ 200V Tensin de ruptura de la unin B-C BVCE0 ~ 70V -100 V Tensin de ruptura C-E
IC
SATURACIN DIRECTA
VBC = 0
ACTIVA DIRECTA
IB
IB=0
BVCE0
VCE
n LIMITACIONES DE POTENCIA:
o
Podemos considerar el BJT como una bipuerta a Emisor comn: IB

B + VBE
-
Ic Bipuerta
+
Potencia=IBVBE+ICVCE
VCE
-
ZAD
Potencia~ICVCE
E
La potencia debe ser menor que un cierto valor dado por los fabricantes.
IC
SATURACIN DIRECTA
Pmax
VBC = 0
ACTIVA DIRECTA
IB
Zona Prohibida
VCE
26
Electrnica
El transistor bipolar: Comportamiento dinmico n MODELO DINMICO DEL BJT:

QBC CBC C
Modelo
Esttico
QBE CBE
4 4
Es similar al caso del diodo, pero ahora existen tres uniones p-n. El almacenamiento de carga en un BJT se modela introduciendo dos condensadores no lineales: C BC = dQ BC d V BC C BE = dQ BE d V BE
Cada uno de estos dos condensadores tiene dos componentes.
n Unin Base (p+) -Emisor (n+): Asociada a la variacin de la carga de minoritarios en exceso en la regin neutra de B en directa ( Q F ) Capacidad de difusin
o
Cargas almacenadas en las regiones neutras: Q F = Q nB + Q pE .

XB X n B ( x ) dx
Q nB = qA
Q pE = qA
p E ( x ) dx

V BE ----------- U T 1 Q F = F I CC = F I s e
Asociada a la variacin de la carga en la regin de deplexin de

27
Electrnica
V BE ---------- U T pE 0 e 1
Emisor Largo
Corta
V BE ---------- U T nB 0 e 1 Base
Caso 1: VBE>0; VBC=0

Colector
IE E
pE 0
pE ( x )
p nB ( x )
nB 0
0,, 0,
IC C
x,
x,,
XB
IB
VBE
la unin Capacidad de unin Capacidad total CBE:

F IS V u dQ F C je 0 C BE = ------------ + C be = --------- e BE T + ----------------------------------------dV BE UT ( 1 V V ) me
BE bi e
n Unin Base (p+) -Colector (n+): Asociada a la variacin de la carga de minoritarios en exceso en la regin neutra de B en inversa ( Q R ) Capacidad de difusin
V BC ---------- U T nB 0 e 1
Emisor Largo
Base Corta
V BC ---------- U T Caso 2: VBE=0; VBC>0 pC 0 e 1 Colector Largo
n+
p
nB ( x ) nB 0 pC ( x )
IE E
x,,
0,,
IC
pC 0
XB
0,
x,
IB B
VBC
28
Electrnica
Cargas almacenadas en las regiones neutras: Q R = Q nB + Q pC .

0 X n ( x ) dx B Q = qA
nB
XB
pC
= qA
p ( x ) dx C

V BC ---------- U T 1 Q = I I e = R R EC R s
Asociada a la variacin de la carga en la regin de deplexin de la unin Capacidad de unin Capacidad total CBC:
R IS V u dQ R C jc 0 C BC = ------------ + C bc = --------- e BC T + ----------------------------------------dV BC uT ( 1 V V ) mc
BC bi c
n Unin Colector (n+) -Sustrato (p ):

E n p n+ B C
Sustrato p
Para los BJT integrados puede incluirse el condensador unin entre colector y sustrato Capacidad de unin
29
Electrnica
El transistor bipolar: Modelos en Pequea Seal

C js 0 C CS = ----------------------------------------( 1 V SC V bi s ) ms
C
C bc
QR
C cs
MODELO CAPACITIVO DEL BJT

B
QF C be
n MODELOS LINEALIZADOS ALREDEDOR DE UN PUNTO DE OPERACIN:

4 SUPONGAMOS TRANSISTOR FUNCIONANDO EN ZAD V BE > 0, V BC < 0 . 4 PARTIMOS DE UN MODELO EN GRAN SEAL ESTTICO. 4 BAJA INYECCIN, SIN EFECTO EARLY, SIN RECOMBINACIN EN ZONA DE DEPLEXIN... => ECUACIONES DE EBERS-MOLL SIN EFECTOS DE SEGUNDO ORDEN. 4 SUPONGAMOS UNA COMPONENTE EN PEQUEA SEAL: V BE = V BE + v BE .
Q
4 NUESTRO OBJETIVO ES DESARROLLAR RELACIONES ENTRE FUNCIN DE v BE .
i b E i c EN
30
Electrnica
BJT NPN
VBC
+
C
+
IC VCE
I C = f 1 ( V BE ) = I C I B = f 2 ( V BE ) = I B
+ ic + ib
IB
VBE+vbe
-
IE
DESARROLLO EN SERIE DE TAYLOR.
Se modelan como Fuentes Controladas
ic =
df 1 d V BE Q
v be
ib =
df 2 d V BE Q
v be
Modelo en Pequea Seal para ib e ic:
ib + vbe ie
ic
gmvbe
E
o DEFINICIONES: 4 Transconductacia del BJT: g m = d V BE df 1
.
Q
31
Electrnica
4 Conductacia de entrada del BJT: g = d V BE
df 2
.
Q
V BE ----------UT
4 Parmetros en funcin del Punto de Operacin:
En ZAD y segn las ecuaciones de Ebers-Moll: f 1 ( V BE ) I S e

IC V BE ----------UT
gm =
df 1 d V BE Q
IS e Q = ------------ = --------------------- . UT UT
Si I C
mA -. 1 mA g m = 38 -------V Tipico
V BE ----------IS UT -e En ZAD y segn las ecuaciones de Ebers-Moll: f 2 ( V BE ) -----. F
g =
df 2 d V BE Q
IS e gm Q = ------------ = --------------------- = ------- . UT F U F T
IB
V BE ----------UT
F 1 r = ----- = ------- r 2.6 K . g gm Tipico
4 Parmetros considerando Efectos de Segundo Orden: o Recombinacin y Alta Inyeccin: IC - cte => F cte . Hecho: Ganancia en Intensidad ----IB
Nueva Conductacia de entrada:

o
g =
dI B d V BE Q
dI B d IC Q
dI C d V BE Q
1 -g . = ----0 m
32
Electrnica
0 =
dI C d IB Q
o o o
0 < F .
en el caso de baja inyeccin y no recombinacin. Parmetros h dado por los fabricantes:

h fe = 0 = dI
0 F
dI C B
Q
h FE = F
o Efecto Early: V BE ----------UT V CE Hecho: I C = f ( V CE ) => ZAD I C I S e - .. 1 + ----------V AF
Nuevos componentes:
ib + vbe ie ic
gvce
gmvbe
E
o
C go = d V CE
dI
dI g = Q
B d V CE
.
Q
33
Electrnica
dI
o
ZAD => g o = d V CE
IC IS e Q --------------------- ------------ . V AF V AF
V BE ----------UT
No solucin analtica para g , habra que obtener la expresin IB = f ( VCE ) o I B = f ( XB ) .
n RESUMEN DE COMPONENTES EN PEQUEA SEAL:

gm g = ------0 Q g 0 = -----------V AF IC g0 g = ----0 Q g m = ------------ g 0 UT IC En general: gm > g > g0 > g
n MODELO DINMICO EN PEQUEA SEAL DEL BJT:
34
Electrnica
Circuito Hbrido en se le aade los condensadores en el Punto de Operacin... ZAD
V BE V BE --------------------- U U T T = QF 0 e = F I C Condensador Difusin QF F Is e dQ F Cb = = F gm d V BE Q C je, C jc, C CS Condensadores Unin

C = C jc V BC Q
ib
ic C
C je V BE Cb = F gm Q
1 ----g
g m v be
1 ----g0
ie
C = C b + C je V BE Q
C CS V CS
35

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IC n LA INTENSIDAD DE BASE HA AUMENTADO, DE FORMA QUE: ----IB Sat

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VA A TENER UN VALOR MUY

(~ UN CORTOCIRCUITO ENTRE SUS EXTREMOS C Y E).

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pC ( x ) = pE ( 0 ) e d I p C ( x ) = qAD p C p C ( x ) dx V BC - 2 ---------- qAD pC n i U T - ----------- e I pC ( 0 ) = ----------------- 1 L pC N dC

(sentido del eje x, y de la intensidad IC no coinciden)

V BE V BC ---------- ----------- U U T T I E = a 11 e 1 a 12 e 1 V BC V BE ---------- ----------- - U U T T 1 I C = a 21 e 1 a 22 e

TEMA 4: Transistor Bipolar

TEMA 4: Transistor Bipolar

BE V - --------- UT a 21 e 1 qAD pE XE I pE ( 0 ) = ------------------ cot gh ---------- p ( 0 ) L pE L pE E

o PARMETROS PARA ZONA ACTIVA DIRECTA:

2 XB XB - 1 ------------- sech ---------2 L nB 2 L nB ZAD I nB ( X B ) a 21 F = F B F = --------------------------------------------= -------I nB ( 0 ) + I pE ( 0 ) a 11 V I nB ( X B ) B F ---------------------I nB ( 0 )

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