SIDAC El SIDAC es un interruptor de silicio semiconductor de mltiples capas.

Este componente es conmutado por tensin y puede ser operado como interruptor bidireccional. Por lo general, los SIDAC se utilizan en el suministro de potencia de alta tensin, o de circuitos de encendido. El SIDAC posee una estructura similar a la del Diodo Shockley con la singular caracterstica de tener una quinta capa P en su estructura. En la siguiente figura se describe su estructura fsica, su smbolo y sus caractersticas elctricas simtricas.

Es un dispositivo compuesto, en principio, por cuatro capas semiconductoras NPNP ms una capa P. Esencialmente, es un dispositivo interruptor que al aplicrsele tensin positiva entre el nodo y el ctodo, tendr polarizacin directa entre dos de las uniones PN y una polarizacin inversa en las uniones NP. En estas condiciones, nicamente circula corriente muy baja y el dispositivo se encuentra en estado de corte o bloqueo. Al aumentar esta tensin, se llega a un voltaje de ruptura o avalancha, en el cual la corriente crece de forma abrupta y la cada de tensin decrece de idntico modo. En este momento, el SIDAC ha conmutado desde el estado de bloqueo al de conduccin. El SIDAC se utiliza en aquellas aplicaciones que se necesitan una tensin de disparo VBO cuyos valores estn comprendidos entre 120 V y 270V (tpicos). El MKP3V120 de Motorola es un ejemplo tpico de un SIDAC, con una corriente mxima de 1A y una tensin de ruptura de VBO = 120 V (pertenece a la serie MKP3VXXX en donde las tres ltimas cifras definen la VBO). En la siguiente figura se indican sus caractersticas I-V en estado de conduccin.

En este caso, la tensin nodo-ctodo es aproximadamente 1.1V prcticamente independiente de la corriente. Una de las aplicaciones ms tpicas del SIDAC es como generador de diente de sierra en donde se aprovecha las caractersticas de disparo y bloqueo de este dispositivo GTO Un Tiristor GTO o simplemente GTO (del ingls Gate Turn-Off Thyristor) es un dispositivo de electrnica de potencia que puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son controlados por la corriente en la puerta (G) Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH. Se usan desde 1960, pero se potencializaron al final de los aos setenta. Son comunes en las unidades de control de motores, ya que eliminan componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc.

CARACTERISTICAS El disparo se realiza mediante una VGK >0 El bloqueo se realiza con una VGK < 0. La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo forzado que requieren los SCR. La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el generador debe estar mas dimensionado. El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia. Funcionamiento del GTO

Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK =

VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en inversa, solo una pequea corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control.

ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO

FORMA DE ONDA EN EL ENCENDIDO DEL GTO

Para entrar en conduccin, se necesita una subida rpida y valor IGM suficientes para poner en conduccin todo el cristal. Si solo entra en conduccin una parte y circula toda la corriente se puede daar. Si solo entra en conduccin bajara una parte de la tensin nodoctodo y el resto de celdillas que forma el cristal no podrn entrar en conduccin. Cuando se ha establecido la conduccin se deja una corriente IGON de mantenimiento para asegurar que no se corta espontneamente (tiene menos ganancia que el SCR). FORMA DE ONDA EN EL APAGADO DEL GTO

Para cortar el GTO se aplica una corriente IG- =IA/boff muy grande. Ya que boff es del orden de 5 a 10. Esta corriente negativa debe mantenerse para evitar que el dispositivo entre en conduccin espontneamente. PUT:

El PUT (Transistor Uniunin programable) es un dispositivo que a diferencia del transistor bipolar comn que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas. El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son: ctodo K, nodo A, puerta G. A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parmetros de conduccin del PUT son controlados por la terminal G Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (hay corriente entre A y K y la cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muy pequea. Si el PUT est polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en conduccin. El PUT permanece encendido hasta que el voltaje andico es insuficiente, entonces, se apaga. El apagado se debe a que la corriente andica llega un valor ligeramente menor a la corriente de sostenimiento Este transistor se polariza de la siguiente manera:

Cuando IG = 0, VG = VBB * [ RB2 / (RB1+RB2) ] VG = n x VBB donde: n = RB2 / (RB1+RB2)

TRANSISTOR POTENCIA UJT

El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN. Fsicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN. Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1 Donde: - n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante) - VB2B1 = Voltaje entre las dos bases La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.