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SIDAC

El SIDAC es un interruptor de silicio semiconductor de múltiples capas. Este componente es conmutado por tensión y puede ser operado como interruptor bidireccional. Por lo general, los SIDAC se utilizan en el suministro de potencia de alta tensión, o de circuitos de encendido. El SIDAC posee una estructura similar a la del Diodo Shockley con la singular característica de tener una quinta capa P en su estructura.

En la siguiente figura se describe su estructura física, su símbolo y sus características eléctricas simétricas.

su símbolo y sus características eléctricas simétricas. Es un dispositivo compuesto, en principio, por cuatro capas

Es un dispositivo compuesto, en principio, por cuatro capas semiconductoras NPNP más una capa P. Esencialmente, es un dispositivo interruptor que al aplicársele tensión positiva entre el ánodo y el cátodo, tendrá polarización directa entre dos de las uniones PN y una polarización inversa en las uniones NP. En estas condiciones, únicamente circula corriente muy baja y el dispositivo se encuentra en estado de corte o bloqueo. Al aumentar esta tensión, se llega a un voltaje de ruptura o avalancha, en el cual la corriente crece de forma abrupta y la caída de tensión decrece de idéntico modo. En este momento, el SIDAC ha conmutado desde el estado de bloqueo al de conducción.

El SIDAC se utiliza en aquellas aplicaciones que se necesitan una tensión de disparo V BO cuyos valores están comprendidos entre 120 V y 270V (típicos).

El MKP3V120 de Motorola es un ejemplo típico de un SIDAC, con una corriente máxima de 1A y una tensión de ruptura de V BO = 120 V (pertenece a la serie MKP3VXXX en donde las tres últimas cifras definen la V BO ).

En la siguiente figura se indican sus características I-V en estado de conducción.

En este caso, la tensión ánodo-cátodo es aproximadamente 1.1V prácticamente independiente de la corriente. Una

En este caso, la tensión ánodo-cátodo es aproximadamente 1.1V prácticamente independiente de la corriente.

Una de las aplicaciones más típicas del SIDAC es como generador de diente de sierra en donde se aprovecha las características de disparo y bloqueo de este dispositivo

GTO

Un Tiristor GTO o simplemente GTO (del inglés Gate Turn-Off Thyristor) es un dispositivo de electrónica de potencia que puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son controlados por la corriente en la puerta (G)

Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsación suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH. Se usan desde 1960, pero se potencializaron al final de los años setenta. Son comunes en las unidades de control de motores, ya que eliminan componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc.

CARACTERISTICAS El disparo se realiza mediante una VGK >0 El bloqueo se realiza con una

CARACTERISTICAS El disparo se realiza mediante una VGK >0

El bloqueo se realiza con una VGK < 0.

La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo forzado que requieren los SCR.

La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el generador debe estar mas dimensionado.

El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia.

Funcionamiento del GTO

al SCR disipa menos potencia. Funcionamiento del GTO Mientras el GTO se encuentre apagado y no

Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el ánodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK =

VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinámico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicación de una voltaje en inversa, solo una pequeña corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarización en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del método de fabricación para la creación de una regeneración interna para facilitar el proceso de apagado.

Con un voltaje de polarización directo aplicado al ánodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para ésta condición, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de ánodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la acción regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el método más recomendable porque proporciona un mejor control.

ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO

recomendable porque proporciona un mejor control. ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO FORMA DE ONDA EN EL

FORMA DE ONDA EN EL ENCENDIDO DEL GTO

Para entrar en conducción, se necesita una subida rápida y valor IGM suficientes para poner

Para entrar en conducción, se necesita una subida rápida y valor IGM suficientes para poner en conducción todo el cristal. Si solo entra en conducción una parte y circula toda la corriente se puede dañar. Si solo entra en conducción bajara una parte de la tensión ánodo- cátodo y el resto de celdillas que forma el cristal no podrán entrar en conducción. Cuando se ha establecido la conducción se deja una corriente IGON de mantenimiento para asegurar que no se corta espontáneamente (tiene menos ganancia que el SCR).

FORMA DE ONDA EN EL APAGADO DEL GTO

para asegurar que no se corta espontáneamente (tiene menos ganancia que el SCR). FORMA DE ONDA

Para cortar el GTO se aplica una corriente IG- =IA/boff muy grande. Ya que boff es del

a Esta corriente negativa debe mantenerse para evitar que el dispositivo entre en conducción espontáneamente.

orden

10.

de

5

PUT:

entre en conducción espontáneamente. orden 10. de 5 PUT: El PUT (Transistor Uniunión programable) es un

El PUT (Transistor Uniunión programable) es un dispositivo que a diferencia del transistor bipolar común que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas.

El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son: cátodo K, ánodo A, puerta G. A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de R BB y V P que en el UJT son fijos. Los parámetros de conducción del PUT son controlados por la terminal G

Este transistor tiene dos estados: Uno de conducción (hay corriente entre A y K y la caída de voltaje es pequeña) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muy pequeña.

Si el PUT está polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en conducción. El PUT permanece encendido hasta que el voltaje anódico es insuficiente, entonces, se apaga. El apagado se debe a que la corriente anódica llega un valor ligeramente menor a la corriente de sostenimiento

Este transistor se polariza de la siguiente manera:

Este transistor se polariza de la siguiente manera: Cuando I G = 0, V G =

Cuando I G = 0, V G = V BB * [ R B2 / (R B1 +R B2 ) ] V G = n x V BB donde: n = R B2 / (R B1 +R B2 )

TRANSISTOR POTENCIA UJT

TRANSISTOR POTENCIA UJT El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con

El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unión PN.

Físicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones eléctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexión hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N.

En el lugar de unión el aluminio crea una región tipo P en la barra, formando así una unión PN.

Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo está dado por la fórmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1

Donde:

- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante) - VB2B1 = Voltaje entre las dos bases

La fórmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.