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Repblica Bolivariana de Venezuela. Ministerio del Poder Popular para la Defensa.

Universidad Nacional Experimental Politcnica de las Fuerzas Armadas. Ncleo San Tom. San Tom, Edo Anzotegui.

Docente: Mara Luisa Suriano.

Bachilleres: Azuaje, Luis. Luis Gonzlez. Paola Rasse. Cristbal Rangel. Joselin Villarroel. Bismarck Morales. Yexy Rodrguez. Yoverlin Padrn. C.I: 20.741.463. C.I: 20.546.728. C.I: 20.739.279. C.I: 18.229.068. C.I: 20.546.539. C.I: 19.124.197. C.I: 20.172.017. C.I: 20.171.489.

6to Semestre, Seccin D 01.

Diciembre, 2012

INTRODUCCIN En el presente trabajo de investigacin se trata el tema de los circuitos integrados digitales, pastillas o chips muy delgados en los que se encuentran miles o millones de dispositivos electrnicos interconectados, principalmente diodos y transistores, aunque tambin componentes pasivos como resistencias o condensadores., de los cuales se destacan puntos como: sus caractersticas, las caractersticas del transistor bipolar, los circuitos RTL y DTL, la lgica de inyeccin integrada, la lgica de transistor-transistor, la lgica del emisor acoplado, el semiconductor de xido de metal y el MOS complementario.

CARACTERSTICAS DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITALES Los circuitos integrados son la base fundamental del desarrollo de la electrnica en la actualidad, debido a la tendencia a facilitar y economizar las tareas del hombre. Es por ello, que es fundamental el manejo del concepto de circuito integrado, no slo por aquellos que estn en contacto habitual con este, sino tambin por las personas en general, debido a que este concepto debe de quedar inmerso dentro de los conocimientos mnimos de una persona. Se caracterizan por: Son una coleccin de resistores, diodos y transistores fabricados sobre

una pieza de material semiconductor (generalmente silicio) denominado sustrato. El circuito integrado se encuentra dentro de un encapsulado plstico o

de cermica con terminales que permiten conectarlo con otro dispositivo. Pueden ser desde bsicas puertas lgicas (Y, O, NO) hasta los ms

complicados microprocesadores. stos son diseados y fabricados para cumplir una funcin especfica

dentro de un sistema. En general, la fabricacin de los circuitos integrados es compleja ya que tienen una alta integracin de componentes en un espacio muy reducido de forma que llegan a ser microscpicos. Sin embargo, permiten grandes simplificaciones con respecto los antiguos circuitos, adems de un montaje ms rpido.

CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR Un transistor bipolar es un componente electrnico, tanto para circuitos analgicos como digitales, que va a tener la funcin de aumentar la corriente de seales (audio, pulsos, video, etc.). Est compuesto por uniones de material tipo P y N (o sea Silicio y Germanio, entre otros). Por ser un semiconductor, su uso es extremadamente importante en muchos circuitos. El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, se usa en muchos aparatos elctricos caseros. Caractersticas del Transistor Bipolar: Un transistor bipolar de unin est formado por dos uniones PN en

contraposicin. Fsicamente, est constituido por tres regiones semiconductoras -emisor,

base y colector- siendo la regin de base muy delgada (< 1m). Tiene dos formas principales de operacin: como un interruptor o como

una resistencia variable. Basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el

emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. Se puede considerar como un diodo en directa (unin emisor-base) por

el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa (unin basecolector), por el que, en principio, no debera circular corriente, pero que acta como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por emisor-base.

CIRCUITOS RTL Y DTL Lgica de transistor RTL Es una clase de circuitos digitales construido utilizando resistencias como la red de entrada y la salida de transistores bipolares (BJTs) como dispositivos de conmutacin. RTL es la primera clase de lgica digital transistorizado circuito utilizado; otras clases incluyen lgica diodotransistor DTL y lgica transistor-transistor TTL. Funcin Transistor de componentes en los circuitos de IBM nos informa, "La lgica de funcin se realiza por la entrada de resistencia de las redes y de invertir la funcin es realizada por el emisor del transistor de configuracin comunes." Ventajas La principal ventaja de la tecnologa RTL fue que se trataba de un nmero mnimo de transistores, que fue una consideracin importante antes de la tecnologa de circuito integrado (es decir, en circuitos utilizando componentes discretos), como los transistores fueron el componente ms costoso de producir. Principios de la lgica de produccin de CI (como Fairchild en 1961) utilizan el mismo enfoque brevemente, pero rpidamente la transicin a un mayor rendimiento, como los circuitos de transistores, diodos y transistores lgica transistor-lgica (a partir de 1963 en Sylvania), desde diodos y transistores no ms caro que las resistencias en el CI.

Desventajas La evidente desventaja de RTL actual es su alta dispersin cuando el transistor conduce a la salida superdirecta sesgar resistencia. Esto requiere que ser ms actual y el calor suministrado a ser retirados de los circuitos RTL. En contraste, los circuitos TTL minimizar estos dos requisitos. Lancaster dice que el circuito integrado RTL NI puertas (que tienen un transistor por entrada) puede ser construido con "cualquier nmero razonable" de la lgica de los insumos, y da un ejemplo de un 8-NI puerta de entrada. Un circuito integrado RTL NI puerta puede manejar hasta 3 puertas de otros similares. Por otra parte, tiene suficiente para conducir la salida de hasta 2 estndar de circuito integrado RTL "topes", cada uno de los que puede manejar hasta 25 RTL otra norma NI puerta. Lgica de transistor DTL Est compuesta por diodos y transistores bsicamente. La funcin lgica es realizada por la combinacin de diodos a la entrada y el transistor inversor a la salida, de ah su nombre (Diodo, Transistor, Lgica). Funcionalidad de las DTL Cuando cualquiera de sus entradas esta en nivel bajo el transistor de salida pasa al corte y la tensin de su colector pasa a nivel alto. Slo cuando todas las entradas estn a nivel alto, conducir el transistor y la tensin de su colector ser baja. Esta puerta realiza la funcin NAND en lgica positiva, y la NOR en lgica negativa.

Ventajas de las DTL Buena flexibilidad lgica. Compatibilidad de niveles lgicos con TTL. Baja generacin de ruidos. Buen fan-out. Disipacin media de potencia 12 mW. Desventajas de las DTL Relativamente baja velocidad por su alta impedancia de salida a nivel alto entre 30 y 50 ns. Umbrales dependientes de la temperatura en mayor grado que en otras familias. Alta impedancia de salida a nivel alto y en consecuencia baja inmunidad al ruido.

LGICA DE INYECCIN INTEGRADA (IIL) En este tipo de lgica, la celda bsica est constituida por transistores de unin bipolar. Presenta la ms alta densidad de integracin bipolar, con mucho menor consumo que TTL. No se necesitan islas de aislamiento y muchas de las interconexiones entre elementos se realizan internamente a travs de las regiones P y N de la pastilla de silicio. Su principal ventaja es la densidad alta de compactacin de las compuertas que se puede lograr de un rea dada de una pastilla semiconductora. Esto permite colocar ms circuitos en una pastilla para formar una funcin digital compleja. Como consecuencia, esta familia se usa principalmente para funciones LSI. Tiene un transistor npn, Q1, con colectores mltiples para las salidas. El circuito base tiene un transistor pnp, T1, conectado al voltaje de suministro VBB De la misma manera que otras familias lgicas, la compuerta lgica bsica I no puede ser analizada cuando est sola. Se deben mostrar sus interconexiones a otras compuertas para que tenga algn sentido. La ventaja fundamental de los circuitos IL en comparacin con otras familias bipolares es la pequea rea de silicio que ocupa en el circuito integrado debido a la compacta estructura que presenta su celda bsica. Su velocidad, aunque no alcanza las velocidades de los circuitos ECL o Schottky TTL, no es de las peores. Del funcionamiento de los circuitos IL se puede apreciar que los niveles lgicos internos al circuito integrado correspondern a Vce (sat) y Vbe, es decir, 0,1 y 0,7 aproximadamente. Por esto, los mrgenes de ruido son pequeos comparados con otras familias

lgicas. La tecnologa IIL fue desplazada finalmente por la tecnologa de los transistores MOS En la fabricacin de los circuitos integrados, la tecnologa de inyeccin integrada fue aquella que permiti una mayor densidad de integracin, all por los aos 70. Esta tecnologa es considerada una evolucin de los circuitos lgicos realizados con transistores acoplados directamente, en ingls direct coupled transistor logic, DCTL, que fueron desarrollados en los aos 70. La tecnologa DCTL tiene como principal inconveniente que no se logran transistores idnticos, es decir, que sus caractersticas sean exactamente las mismas entre ellos, y en especial su comportamiento con la temperatura. Con los circuitos IL se puede realizar cualquier funcin lgica a pesar de actuar como inversores.

LGICA DE TRANSISTOR-TRANSISTOR (TTL) La lgica transistor a transistor es una familia lgica o lo que es lo mismo, una tecnologa de construccin de circuitos electrnicos digitales. En los componentes fabricados con tecnologa TTL los elementos de entrada y salida del dispositivo son transistores bipolares. Caractersticas

Su tensin de alimentacin caracterstica se halla comprendida entre los 4,75V y los 5,25V (como se ve, un rango muy estrecho). Normalmente TTL trabaja con 5V.

Los niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin comprendida entre 0,0V y 0,8V para el estado L (bajo) y los 2,4V y Vcc para el estado H (alto).

La velocidad de transmisin entre los estados lgicos es su mejor base, si bien esta caracterstica le hace aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Motivo por el cual han aparecido diferentes versiones de TTL como FAST, LS, S, entre otros y ltimamente los CMOS: HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco ms de los 250 MHz.

Las seales de salida TTL se degradan rpidamente si no se transmiten a travs de circuitos adicionales de transmisin (no pueden viajar ms de 2 m por cable sin graves prdidas).

Resea Histrica Aunque la tecnologa TTL tiene su origen en los estudios de Sylvania, fue Signetics la compaa que la populariz por su mayor velocidad e

inmunidad al ruido que su predecesora DTL, ofrecida por Fairchild Semiconductor y Texas Instruments, principalmente. Texas Instruments inmediatamente pas a fabricar TTL, con su familia 74xx que se convertira en un estndar de la industria. Familias TTL Los circuitos de tecnologa TTL se prefijan normalmente con el nmero 74 (54 en las series militares e industriales). A continuacin un cdigo de una o varias cifras que representa la familia y posteriormente uno de 2 a 4 con el modelo del circuito. Con respecto a las familias cabe distinguir:

TTL: Serie estndar. TTL-L (low power): Serie de bajo consumo. TTL-S (schottky): Serie rpida (usa diodos Schottky). TTL-AS (advanced schottky): Versin mejorada de la serie anterior. TTL-LS (low power schottky): Combinacin de las tecnologas L y S (es la familia ms extendida).

TTL-ALS (advanced low power schottky): Versin mejorada de la serie LSS.

TTL-F (FAST: fairchild advanced schottky). TTL-AF (advanced FAST): Versin mejorada de la serie F. TTL-HCT (high speed C-MOS): Serie HC dotada de niveles lgicos compatibles con TTL.

TTL-G (GHz C-MOS) : GHz ( From lbkj)

Tecnologa La tecnologa TTL se caracteriza por tener tres etapas, siendo la primera la que le nombra: Etapa de entrada por emisor. Se utiliza un transistor multi-emisor en lugar de la matriz de diodos de DTL. Separador de fase. Es un transistor conectado en emisor comn que produce en su colector y emisor seales en contrafase. Driver. Est formada por varios transistores, separados en dos grupos. El primero va conectado al emisor del separador de fase y drenan la corriente para producir el nivel bajo a la salida. El segundo grupo va conectado al colector del divisor de fase y produce el nivel alto. Aplicaciones Adems de los circuitos LSI y MSI descritos aqu, las tecnologas LS y S tambin se han empleado en:

Microprocesadores,

como

el 8X300,

de Signetics,

la

familia 2900 de AMD y otros.


Memorias RAM. Memorias PROM. PAL, Programmable Array Logic, consistente en una PROM que

interconecta las entradas y cierto nmero de puertas lgicas.

LGICA DEL EMISOR ACOPLADO (ECL) La lgica Emitter Coupled est basada en el uso de amplificadores diferenciales de mltiples entradas para amplificar y combinar las seales digitales y de seguidores de emisor para ajustar los niveles de voltaje de corriente directa. Como resultado, ninguno de los transistores en la compuerta entra nunca en saturacin, as como tampoco llegan a apagarse totalmente. Los transistores permanecen enteramente en sus regiones de operacin en cualquier momento. Como resultado de esto los transistores no tienen un tiempo de almacenamiento de carga, y as pueden cambiar de estado mucho ms rpidamente. Por lo tanto la mayor ventaja de este tipo de lgica es su gran velocidad de transicin. En operacin, una salida lgica cambia de estado con solamente 0.85 Volts, desde -1.60 Volts para el cero hasta -0.75 para el uno. El circuito interno suministra un voltaje fijo de -1.175 Volts al transistor en el amplificador diferencia. Si todas las entradas estn en -1.6 Volts (o unidas a VEE) todos los transistores de entrada se apagarn y solamente el transistor diferenciador interno conducir corriente. Esto reduce el voltaje de base del transistor de salida de la compuerta OR, bajando su voltaje de salida a -1.60 Volts. Al mismo tiempo ningn transistor de entrada est afectando la base del transistor de salida de la compuerta NOR, as que su salida se dispara hasta 0.75 Volts. Esto es simplemente el voltaje base - emisor del propio transistor. Todos los transistores son parecidos dentro del circuito integrado y estn designados para tener un voltaje de base - emisor de 0.75 Volts. Cuando cualquiera de las entradas se eleva a -0.75 Volts ese transistor presenta corriente en el emisor causando que las salidas cambien de estado.

Los cambios de estado en este tipo de circuitos son pequeos, y estn dictados por el voltaje base - emisor de los transistores involucrados cuando estn encendidos. De mayor importancia para la operacin del circuito es la cantidad de corriente fluyendo a travs de varios transistores, esto es ms importante an que los voltajes involucrados. Por lo tanto la lgica de emisor acoplado es tambin conocida como CML (current mode logic). Esto nos lleva a una desventaja de este tipo de compuertas: obtiene una gran corriente de la fuente de energa y sin embargo tiende a disipar una cantidad de calor significativa. Para minimizar este problema, algunos dispositivos como los contadores de frecuencias usan contadores de dcadas ECL en la entrada de circuito, seguida por TTL o contadores CMOS de alta velocidad en las posiciones digitales posteriores. Esto pone a los circuos integrados rpidos y caros donde son absolutamente necesarios y nos permite utilizar circuitos integrados ms baratos en lugares donde las seales nunca sern de tan alta frecuencia.

SEMICONDUCTOR DE XIDO DE METAL (MOS) Una estructura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) es un dispositivo electrnico formado por un sustrato de silicio dopado, sobre el cual se hace crecer una capa de xido. Los elementos se contactan con dos terminales metlicas llamadas sustrato y compuerta. La estructura se compara con un condensador de placas paralelas, en donde se reemplaza el dielctrico por un material semiconductor y una capa de xido. La estructura PMOS est formada por un sustrato de silicio dopado con huecos. Al aplicar un potencial de compuerta positivo, los electrones presentes en el sustrato (portadores minoritarios) son atrados hacia la capa de xido de compuerta. Al mismo tiempo, los huecos son repelidos de la capa de xido de compuerta debido a que el potencial positivo los aleja. Esto ocasiona una acumulacin de electrones en la cercana del xido, en donde el silicio presenta un exceso de electrones y por lo tanto es de tipo n. La inversin del dopado en el silicio (que antes era de tipo p) es lo que le da origen al nombre de esta regin. Tambin se produce una regin de agotamiento de portadores en las cercanas del xido, debido a que los huecos del sustrato se recombinan con los electrones atrados. De manera anloga, una estructura NMOS est formada por un sustrato de silicio dopado con electrones. Al aplicar un potencial de compuerta negativo, los huecos presentes en el sustrato (portadores minoritarios) son atrados hacia la capa de xido de compuerta. Los electrones son repelidos del xido de compuerta debido a que el potencial negativo los aleja. Los huecos se acumulan en la cercana del xido, en donde el silicio acumula un exceso de huecos y por lo tanto se comporta como un material de tipo p. La recombinacin de huecos y electrones produce una regin de agotamiento.

En ambos tipos de estructuras se acumulan cargas elctricas en el xido y en el semiconductor, de modo que el dispositivo se comporta como un condensador elctrico. Se distinguen tres regiones de funcionamiento, dependiendo del nivel de tensin que se aplica en la terminal de la compuerta. Acumulacin En la etapa de acumulacin las cargas se almacenan en el xido por el mismo principio de operacin de un condensador, en donde el dielctrico se polariza de forma proporcional al campo elctrico aplicado. Agotamiento Al incrementar el potencial de compuerta, los electrones y los huecos se comienzan a recombinar en el semiconductor para formar la regin de agotamiento. Inversin Si se contina aumentando la tensin de compuerta, se logra la inversin del tipo de dopado del semiconductor.

SEMICONDUCTOR COMPLEMENTARIO DE XIDO DE METAL Es llamado comnmente CMOS por sus siglas en ingls (Complementary Metal Oxide Semiconductor), es decir Semiconductor Complementario de xido de Metal, o MOS Complementario. Es una tecnologa empleada en la fabricacin de circuitos integrados, como pueden ser compuertas lgicas, contadores, etc. Su principal caracterstica consiste en la utilizacin conjunta de transistores de tipo PFET (Transistor de Efecto de Campo Positivo) y NFET (Transistor de Efecto de Campo Negativo), razn por la cual se le denomina complementario. Los chips CMOS consumen menos potencia que aquellos que usan otro tipo de transistor. Tienen especial atractivo para emplearlo en componentes que funcionen con bateras, como las laptops; as como tambin en microprocesadores, memorias, procesadores digitales de seales y muchos otros tipos de circuitos integrados digitales cuyo consumo es

considerablemente bajo. Las computadoras de escritorio tambin contienen dispositivos de memoria CMOS de bajo consumo de potencia para almacenar informacin como la fecha, la hora y otras configuraciones correspondientes a la BIOS. En un circuito CMOS, la funcin lgica a sintetizar se implementa por duplicado mediante dos circuitos: uno basado exclusivamente en transistores PMOS (circuito de pull-up), empleado para propagar el valor binario 1, y otro basado exclusivamente en transistores NMOS (circuito de pull-down), para propagar el valor binario 0. Por lo tanto:

Cuando la entrada es 1, el transistor NMOS est en estado de conduccin. Al estar su fuente conectada a tierra (0), el valor 0 se

propaga al drenador y por lo tanto a la salida de la puerta lgica. El transistor PMOS, por el contrario, est en estado de no conduccin.

Cuando la entrada es 0, el transistor PMOS est en estado de conduccin. Al estar su fuente conectada a la alimentacin (1), el valor 1 se propaga al drenador y por lo tanto a la salida de la puerta lgica. El transistor NMOS, por el contrario, est en estado de no conduccin. Otra de las caractersticas importantes de los circuitos CMOS es que

son regenerativos, ya que una seal degradada que acometa una puerta lgica CMOS se ver restaurada a su valor lgico inicial 0 o 1, siempre y cuando an est dentro de los mrgenes de ruido que el circuito pueda tolerar. Esta familia lgica tiene una serie de ventajas que la hacen superior a otras en la fabricacin de circuitos integrados digitales: El bajo consumo de potencia esttica, gracias a la alta impedancia de

entrada de los transistores MOSFET y a que en reposo, un circuito CMOS slo experimenta corrientes parsitas. Esto es debido a que en ninguno de los dos estados lgicos existe un camino directo entre la fuente de alimentacin y el terminal de tierra, pues uno de los dos transistores del inversor CMOS bsico se encuentra en la regin de corte en estado estacionario. Gracias a su carcter regenerativo, son robustos frente a ruido o

degradacin de seal debido a la impedancia del metal de interconexin. Son sencillos de disear. Su tecnologa de fabricacin est muy desarrollada, y es posible

conseguir densidades de integracin muy altas a un precio mucho menor que otras tecnologas.

Sin embargo, tambin posee desventajas: Debido al carcter capacitivo de los transistores MOSFET, y al hecho

de que estos son empleados por duplicado en parejas NMOS-PMOS, la velocidad de los circuitos CMOS es comparativamente menor que la de otras familias lgicas. Son vulnerables a latch-up, la existencia de un tiristor parsito en la

estructura CMOS que entra en conduccin cuando la salida supera la alimentacin, lo que se produce con relativa facilidad debido a la componente inductiva de la red de alimentacin de los circuitos integrados. Este fenmeno produce un camino de baja resistencia a la corriente de alimentacin que acarrea la destruccin del dispositivo. Sin embargo, siguiendo las tcnicas de diseo adecuadas este riesgo es prcticamente nulo. Segn se va reduciendo el tamao de los transistores, las corrientes

parsitas empiezan a ser comparables a las corrientes dinmicas. Historia La tecnologa CMOS fue desarrollada por Wanlass y Sah, de Fairchild Semiconductor, a principios de 1960, ms su introduccin comercial se debe a RCA, con su famosa familia lgica CD4000. Posteriormente, la introduccin de un bfer y mejoras en el proceso de oxidacin local condujeron a la introduccin de la serie 4000B, de gran xito debido a su bajo consumo (prcticamente cero, en condiciones estticas) y gran margen de alimentacin (de 3 a 18 V). Pero su debilidad radicaba en su reducida velocidad. Cuando se aumenta la frecuencia de reloj, su consumo sube proporcionalmente, hacindose mayor que el de otras tecnologas, lo cual se debe a dos factores:

La capacidad MOS, intrnseca a los transistores MOS. La utilizacin de MOS de canal P, ms lentos que los de canal N, por ser la movilidad de los huecos menor que la de los electrones. Por estos motivos, a comienzos de los 80, algunos autores

pronosticaban el final de la tecnologa CMOS, que sera sustituida por la novedosa I2L, entonces prometedora. Por un lado, las mejoras en los materiales, tcnicas de litografa y fabricacin, permitan reducir el tamao de los transistores, con lo que la capacidad MOS resultaba cada vez menor. Por otro, la integracin de dispositivos cada vez ms complejos obligaba a la introduccin de un mayor nmero de mscaras para asegurar el aislamiento entre transistores, de modo que no era ms difcil la fabricacin de CMOS que de NMOS. En este momento empez un eclosin de memorias CMOS, pasando de 256x4 bits de la 5101 a 2kx8 de la 6116 y 8Kx8 en la 6264, superando, tanto en capacidad como consumo reducido y velocidad a sus contrapartidas NMOS. Tambin los microprocesadores, NMOS hasta la fecha, comenzaron a aparecer en versiones CMOS (80C85, 80C88, 65C02, etc.). Por ltimo, se suelen emplear transistores pequeos, poniendo una celda mayor para la interfaz con las patillas, ya que las necesidades de corriente son mucho mayores en las lneas de salida del chip. La disminucin del tamao de los transistores y otras mejoras condujo a nuevas familias CMOS: AC, ACT, ACQ, etc.

CMOS con Circuitos Analgicos y Bipolares Los transistores MOS tambin se emplean en circuitos analgicos, debido a dos caractersticas importantes: Alta impedancia de entrada: La puerta de un transistor MOS viene a ser

un pequeo condensador, por lo que no existe corriente de polarizacin. Baja resistencia de canal: Un MOS saturado se comporta como una

resistencia cuyo valor depende de la superficie del transistor. Estas caractersticas posibilitan la fabricacin de amplificadores operacionales "Rail-to-Rail", en los que el margen de la tensin de salida abarca desde la alimentacin negativa a la positiva. Tambin se emplean circuitos mixtos bipolar y CMOS tanto en circuitos analgicos como digitales, en un intento de aprovechar lo mejor de ambas tecnologas. En el mbito analgico destaca la tecnologa BiCMOS, que permite mantener la velocidad y precisin de los circuitos bipolares, pero con la alta impedancia de entrada y mrgenes de tensin CMOS. En cuanto a las familias digitales, la idea es cortar las lneas de corriente entre alimentacin y masa de un circuito bipolar, colocando transistores MOS. Problemas con la Tecnologa CMOS Sensibilidad a las cargas estticas: Histricamente, este problema se

ha resuelto mediante protecciones en las entradas del circuito. Pueden ser diodos en inversa conectados a masa y a la alimentacin, que, adems de proteger el dispositivo, reducen los transitorios o zener conectados a masa. Latch-up: Consiste en la existencia de un tiristor parsito en la

estructura CMOS que se dispara cuando la salida supera la alimentacin. Esto

se produce con relativa facilidad cuando existen transitorios por usar lneas largas mal adaptadas, excesiva impedancia en la alimentacin o alimentacin mal desacoplada. El Latch-Up produce un camino de baja resistencia a la corriente de alimentacin, de modo que, si no se ha previsto, acarrea la destruccin del dispositivo. Resistencia a la radiacin: El comportamiento de la estructura MOS es

sumamente sensible a la existencia de cargas atrapadas en el xido. Una partcula alfa o beta que atraviese un chip CMOS puede dejar cargas a su paso, cambiando la tensin umbral de los transistores y deteriorando o inutilizando el dispositivo. Sensor CMOS Una de las ms notables aplicaciones de esta tecnologa es el Active Pixel Sensor (APS), un sensor que detecta la luz basado en tecnologa CMOS y por ello ms conocido como Sensor CMOS. Gracias a la tecnologa CMOS es posible integrar ms funciones en un chip sensor, como por ejemplo control de luminosidad, corrector de contraste, o un conversor analgico-digital. Ventajas:

Consumo elctrico muy inferior. Econmico (necesita pocos componentes externos). Lectura simultnea de mayor nmero de pixeles. El conversor digital puede estar integrado en el mismo chip. Mayor flexibilidad en la lectura (Previsualizacin ms rpida, vdeo,...)

Distintos tipos de pxeles (segn tamao y sensibilidad) combinables. Muy alta frecuencia de imagen en comparacin a un CCD del mismo

tamao. Desventajas:

Menor superficie receptora de la luz por pxel. Menor uniformidad de los pxeles (mayor ruido de patrn fijo-FPN). Efecto "jelly" o inestabilidad en la imagen con movimientos rpidos o

flashes debido (se tuerce el video) al tipo de obturacin giratoria que utiliza. Debido a su bajo coste, el APS comenz a emplearse masivamente en webcams y en las cmaras de los telfonos mviles. Sin embargo, hoy da tambin se utiliza en cmaras DSLR de Canon, Nikon, Pentax Sony y Sigma, pues no slo superan en luminosidad a los sensores CCD, sino que tambin producen menos ruido.

CONCLUSIN Los circuitos integrados son la base fundamental del desarrollo de la electrnica en la actualidad, debido a la tendencia a facilitar y economizar las tareas del hombre. Contiene miles de transistores, como los bipolares por ejemplo, que son componentes electrnicos, tanto para circuitos analgicos como digitales, que va a tener la funcin de aumentar la corriente de seales (audio, pulsos, video, etc.). La lgica transistor a transistor es una familia lgica o lo que es lo mismo, una tecnologa de construccin de circuitos electrnicos digitales. En los componentes fabricados con tecnologa TTL los elementos de entrada y salida del dispositivo son transistores bipolares. Por otra parte, la lgica Emitter Coupled est basada en el uso de amplificadores diferenciales de mltiples entradas para amplificar y combinar las seales digitales y de seguidores de emisor para ajustar los niveles de voltaje de corriente directa. Una estructura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) es un dispositivo electrnico formado por un sustrato de silicio dopado, sobre el cual se hace crecer una capa de xido. Los elementos se contactan con dos terminales metlicas llamadas sustrato y compuerta. La estructura se compara con un condensador de placas paralelas, en donde se reemplaza el dielctrico por un material semiconductor y una capa de xido. Es una tecnologa empleada en la fabricacin de circuitos integrados, como pueden ser compuertas lgicas, contadores, etc. Su principal caracterstica consiste en la utilizacin conjunta de transistores de tipo PFET (Transistor de Efecto de Campo Positivo) y NFET (Transistor de Efecto de Campo Negativo), razn por la cual se le denomina complementario.

BIBLIOGRAFA http://es.wikipedia.org/wiki/Complementary_metal_oxide_semicon ductor http://es.wikipedia.org/wiki/Sensor_CMOS http://www.youtube.com/watch?v=9JKj-wlEPMY http://es.answers.yahoo.com/question/index?qid=20091212110932A ANFePG http://mx.answers.yahoo.com/question/index?qid=20110205200708 AAHAUhq http://grupos.emagister.com/debate/_que_significa_vss_y_vdd_/100 7-20565

ANEXOS

Inversor en tecnologa CMOS

Seccin cruzada de dos transistores en una compuerta CMOS

MOSFET
Compuerta (G) Cuerpo (B) Fuente (S) Drenadores (D)