Practicas de Electronic A I

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
Electrónica I
GUÍA DE PRÁCTICAS DE
ELECTRÓNICA I
Elaboró: M. en I. Eduardo Cabal Yépez
DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA 2

Electrónica I
PRÁCTICA No. 1.
“UBICACIÓN Y VARIACIÓN DEL PUNTO DE

OPERACIÓN
EN LA REGIÓN ACTIVA”
Elaboro: M. en I. Eduardo Cabal Yépez.

Electrónica I
UBICACIÓN Y VARIACIÓN DEL PUNTO DE OPERACIÓN

EN LA REGIÓN ACTIVA
Objetivos:
• Conocer las condiciones necesarias para llevar a corte y saturación al transistor.

• Identificar los efectos de no obtener una máxima oscilación simétrica alrededor del
punto de operación.
Material y Equipo Utilizado:
1 Transistor TIP 31 o TIP 41.

1 Resistencia de 10 KΩ ½ W.
1 Resistencia de 100 Ω ½ W.
2 Resistencias RE y RB (dependientes de los cálculos).
2 Capacitores de 100 µF a 63 V.
1 Osciloscopio con puntas.
2 Fuentes de voltaje variable con puntas.
1 Plantilla de experimentos.
1 Generador de funciones con puntas.
1 Trazador de curvas.
2 Multímetros.
Desarrollo:
1. Para el circuito de la Figura 1.1, calcule RE y reporte los puntos en los cuales la recta
de carga corta a los ejes IC y VCE. (El voltaje VCC se elegirá de 12 V). Complete la
tabla con los valores obtenidos.
ICQ VCEQ ICMAX VCEMAX
2. Construya el circuito de la Figura 1.1 y prevenga que VBB esté al mínimo. Encienda
la fuente y aumente VBB hasta obtener la IBQ del paso anterior. Compare los valores
de ICQ y VCEQ con los obtenidos en el paso anterior. Reporte también IEQ, VCBQ y
VBEQ en la tabla que está incluida en este apartado.

Electrónica I
IBQ ICQ VCEQ VBEQ IEQ VCBQ
Figura 1.1.
3. Calcule α y β a partir de los datos obtenidos en el paso 2.
α= β=
4. Aumente y disminuya VBB hasta llevar al transistor a saturación (ICMAX = VCC/RC) y

corte (VCEMAX = VCC) respectivamente. Reportando en ambos casos los siguientes
parámetros:
Saturación. Corte.
IB = IB =
IC = IC =
IE = IE =
VCE = VCE =
VBE = VBE =
VCB = VCB =
α= α=
β= β=

Electrónica I
5. Con base en los resultados que se obtuvieron en el punto número 1. Calcule:

VCC − V BEQ
RB = = ___________.
I BQ
Con el dato obtenido construya el circuito de la Figura 1.2.
Nota: Vi debe de estar al mínimo de su amplitud y sin nivel de D.C.
Figura 1.2.
6. Aumente la amplitud de Vi (señal senoidal de 1 KH) hasta que la señal de salida

recorte a un extremo. Reporte las formas de onda y si el transistor llega primero a
corte o saturación.
Cambie el valor de RL de 100 KΩ por otra resistencia de 150 KΩ y posteriormente

por uno de 68 KΩ, cada vez realizando el mismo procedimiento.

Electrónica I
7. Tomando como base la figura 2.2. (Vi como señal senoidal de 1 KH) encienda la
fuente de voltaje de VCC y Vi (con RL =100 KΩ) y aumente la amplitud de Vi hasta
que el voltaje de salida en RL sea de 5 VPP. Manteniendo la misma amplitud, varié la
frecuencia (en décadas) en todo el rango del generador de funciones y lea con el
osciloscopio tanto la señal de entrada como la de salida. Haciendo una tabulación con
los datos anteriores, calcule la relación Vo/Vi para todo el rango de frecuencia y
grafique esta relación utilizando una escala semi-logarítmica.
Cuestionario:
1. Tomando en cuenta el paso numero 6, de una explicación del comportamiento

observado y por qué la señal observada no se recorta en ambos extremos al mismo
tiempo.
2. Tomando en cuenta el mismo paso, reporte si observo alguna diferencia en la señal al
cambiar la resistencia de 100 KΩ por la de 150 KΩ y la de 68 KΩ, y si es así de una
explicación.
3. ¿Qué función desempeñan los capacitores en el circuito?
4. ¿Qué sucedería si la resistencia de 100 KΩ fuese omitida?
5. Dibuje sobre las curvas características de salida, las hipérbolas de disipación de

potencia de 1, 5 y 10 mW. Investigue en los manuales de semiconductores ¿Cuál es la
máxima disipación de potencia del transistor que se utilizo en el desarrollo de esta
práctica?
6. ¿Cuál es la función de la resistencia de 100 Ω que se coloca en serie con Vi?
7. De una explicación de las variaciones de α y β en los pasos 3 y 4.

Electrónica I
PRÁCTICA No. 2.
“EFECTO DE LA TEMPERATURA EN LAS

CARACTERÍSTICAS DE OPERACIÓN DEL
TRANSISTOR”
Elaboro: M. en I. Eduardo Cabal Yépez.

Electrónica I
EFECTO DE LA TEMPERATURA EN LAS CARACTERÍSTICAS DE

OPERACIÓN DEL TRANSISTOR.
Objetivo:
• Observar y medir el efecto que ocasiona la temperatura en la operación de un

transistor bipolar aplicado en los circuitos de Polarización Fija y de polarización
Colector-Base estableciendo la diferencia de estabilidad térmica en ambos circuitos.
1 Transistor TIP-31 ó TIP-41.

1 Capacitor de 10 µF a 25 V.
1 Resistencia de 5.6 KΩ ½ W.
5 Resistencias (dependientes de los cálculos).
1 Disipador de calor para TO220.
1 Trazador de Curvas con dos Puntas de Fuente.
1 Osciloscopio con dos puntas.
1 Generador de funciones.
2 Multímetros.
1 Cautín.
1 Fuentes de voltaje variable.
Desarrollo:
1. Observe las curvas características del transistor TIP 31 (ó 41) con el trazador de
curvas (sin disipador de calor) y el osciloscopio. Reporte las curvas observadas en el
osciloscopio y utilice estas curvas como referencia para las mediciones que realice.
Nota: A continuación tenga mucho cuidado de no sobrecalentar el transistor.
Ponga a calentar el cautín de lápiz a una temperatura considerable y haga contacto firme
sobre el encapsulado metálico del transistor por períodos no mayores de 7 segundos.
Observe en el osciloscopio el efecto que tiene la temperatura sobre las curvas del transistor
y reporte las variaciones de éstas durante los 7 segundos en los cuales se calienta el
encapsulado del transistor.

Electrónica I
Después de haber calentado el encapsulado del transistor, permita a éste enfriarse y

observe el comportamiento de las curvas del transistor.
Reporte las variaciones en las curvas del transistor.
2. Coloque el disipador de calor en el transistor y repita la operación anterior. Realice

un reporte del comportamiento del transistor con disipador de calor y explique el
comportamiento del transistor al colocarle un disipador de calor y variar su
temperatura.
3. Para el circuito de la Figura 2.1 y tomando como base las curvas del transistor
cuando éste se encuentra en condiciones normales de operación, encuentre VCC y RC.
Recuerde que la recta de carga de D.C. está dada por la ecuación:
VCC = RCIC + VCE.
La intersección de la recta con el eje IC es VCC/RC y con el eje VCE es VCC. Estos
valores pueden ser obtenidos de las gráficas al dibujar la recta de carga sobre las
curvas de operación del transistor.
IC (VCE =0) = VCE (Ic =0) =
Con los valores obtenidos es posible calcular RC y VCC respectivamente.
RC = VCC =
4. Encuentre el punto de operación Q bisecando la recta de carga. Indique las

coordenadas del punto.
IBQ = ICQ = VCEQ =
5. Encuentre el valor de RB necesario para construir el circuito de la Figura

2.1. VS debe permanecer apagada.
RB = (VCC – VBE )/ IBQ =
6. Encienda la fuente de voltaje VCC, encuentre y reporte el punto de operación.
IBQ = ICQ =
VCEQ = VBEQ =

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Figura 2.1
7. Caliente el cautín de lápiz y haga contacto firme con el encapsulado metálico del
transistor (por no más de 7 segundos) y mida los valores de IC, IB y VCE. Haga una
comparación entre los valores de cada uno de ellos antes y después de haber
calentado el encapsulado del transistor y reporte las variaciones de éstos.
Antes. Después. Variación.

IB = IB = ∆IB =
IC = IC = ∆IC =
VCE = VCE = ∆VCE =
VBE = VBE = ∆VBE =
8. Coloque el voltaje VS a una señal sinusoidal de 1 KHz y con la amplitud mínima.

Verifique que el voltaje VS no tenga nivel de D.C.
9. Aumente poco a poco la amplitud de VS y observe el voltaje de salida VO hasta que

se recorte en alguno de sus picos. Disminuya la amplitud del voltaje VS hasta que la
señal VO se observe sin ninguna distorsión.

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10. Caliente nuevamente el cautín de lápiz y vuelva a hacer contacto firme sobre
el encapsulado del transistor (por no más de 7 segundos). Reporte sus
observaciones.
11. Observe las curvas del transistor TIP 31 o TIP 41 con la ayuda del trazador de
curvas y el osciloscopio.
12. Para el circuito de la Figura 2.2 y tomando como base las curvas obtenidas en el
punto anterior, encuentre VCC y RC (de igual manera que en los pasos 3 y 5). Tome en
cuenta las siguientes ecuaciones.
VCC = (I B + I C )RC + VCE ≈ I C RC + VCE
La aproximación en la ecuación anterior es considerada la recta de carga de DC y sus

puntos de intersección son:
Para IC =0; VCE = VCC = VCEmax

Para VCE =0; IC =VCC/RC = ICmax
Los valores de ICmax y VCEmax se deben obtener de la intersección de la recta de carga

con los ejes de las curvas que fueron obtenidas en el punto numero 11.
VCC = RC =
13. Localice el punto de operación Q bisecando la recta de carga. Reporte sus

coordenadas.
IBQ = ICQ = VCEQ =
14. Encuentre el valor de RB tomando como base la siguiente ecuación. Construya el

circuito de la figura 3.2.
RB =
(VCEQ − V BE ) =______________
I BQ
15. Obtenga y verifique el punto de operación indicando las desviaciones con

respecto al punto de operación que se obtuvo en el paso 6.
∆IB = ∆IC = ∆VCE =

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Figura 2.2.
16. Caliente de nuevo el cautín de lápiz y haga contacto firme sobre el encapsulado
metálico del transistor (por no más de 7 segundos) y mida las variaciones de IC, IB,
VCE y VBE. También reporte los valores de éstos antes y después de calentar el
transistor.

IB = IB = ∆IB =
IC = IC = ∆IC =
17. Coloque VS a una señal sinusoidal de 1 KHz con la amplitud mínima. Asegúrese
de no tener componente de D.C.
18. Conecte VS al circuito y enciéndalo. Aumente poco a poco la amplitud de VS e

indique si el punto de operación coincide para tener la máxima oscilación simétrica.
Para esto es necesario tener en cuenta la definición de máxima oscilación simétrica.
Nota: Si al encender VS, la señal de salida está recortada en sus extremos,

coloque un divisor de voltaje en serie con VS para disminuir aun más la
amplitud de VS.

Electrónica I
Reporte el valor de Vm en la señal de salida y en la señal de entrada para la máxima

oscilación simétrica y explique su relación con VCC.
VOm = Vim =
19. Construya el circuito de la Figura 2.3 haciendo las siguientes consideraciones.
VCC, RC y RB son del mismo valor que los obtenidos en los pasos 12 y 14.
NO conecte CE y calcule el valor de RE tomando en cuenta lo siguiente:
RE = RC/10.
Figura 2.3.
20. Encienda VCC y obtenga el punto de operación. Compárelo con el circuito sin RE.
Punto de operación. Variación sin RE. Variación con RE.

IBQ = ∆IBQ = ∆IBQ =
ICQ = ∆ICQ = ∆ICQ =
VCEQ = ∆VCEQ = ∆VCEQ =
VBEQ = ∆VBEQ = ∆VBEQ =

Electrónica I
Repita el paso 16.

IB = IB = ∆IB =
IC = IC = ∆IC =
21. Coloque VS a una señal sinusoidal de 1 KHz con mínima amplitud, máxima
atenuación y sin componente de D.C. Encienda VS. Aumente la amplitud de VS hasta
que en VO se observe una señal de 2 VPP y mida el voltaje en VS.
Conecte CE y mida VO.
VS PP = VO PP = 2 VPP VO PP (con CE)=
22. Calcule el factor de estabilidad de los circuitos de las figuras 3.1 (S1), 3.2 (S2) y
3.3 (S3).
Expresión. Valor numérico.

S1 = S1 =
S2 = S2 =
S3 = S3 =
Cuestionario:
1 En el paso número 2, ¿el disipador de calor vuelve más estable al transistor?

2 En el mismo punto, explique que efecto tiene el disipador sobre el punto de
operación del circuito.
3 En el punto número 21, ¿Hubo alguna variación del voltaje de salida al conectar y
desconectar el capacitor CE?
4 De una explicación de lo anterior.

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PRÁCTICA No. 3.
“ESTABILIDAD EN EL CIRCUITO DE
AUTOPOLARIZACIÓN”
Elaboró: M. en I. Eduardo Cabal Yépez.

Electrónica I
ESTABILIDAD EN EL CIRCUITO DE AUTOPOLARIZACIÓN.
Objetivos:
• Comprobar la estabilidad de corriente de colector cuando existen variaciones en la

temperatura ambiente que presenta el circuito de auto-polarización.
• Comparar la estabilidad de este circuito con los circuitos utilizados en la práctica
anterior.
1 Transistor TIP 31 ó TIP 41.

4 Resistencias dependientes de los cálculos.
1 Trazador de curvas con dos puntas para fuente.
1 Fuente de voltaje variable.
2 Multímetros.
3 Cautín.
Desarrollo:
1. Obtenga las curvas del transistor con ayuda del trazador de curvas y el osciloscopio.
Figura 3.1.

Electrónica I
2. Tomando en cuenta el circuito de la Figura 3.2 y las curvas obtenidas en el paso

anterior, encuentre VCC y RC, considerando las siguientes aproximaciones:
RC ≈ 10 R E VCC = R E I E + RC I C + VCE
VCC ≈ ( RC + R E ) I CQ + VCEQ
 11  1
VCC ≈   RC I CQ + VCEQ RE = RC
 10  10
Figura 3.2.
3. Bisecte la recta de carga para máxima oscilación simétrica y obtenga las coordenadas
del punto de operación Q, la intersección con los ejes y calcule β.
IBQ ICQ ICmax VCEQ VCC RC β
RE
4. Para mantener estable IC contra variaciones de β, Suponga que R B = β y obtenga
10
IC. También determine los valores de VBB a partir de la siguiente ecuación.
V BB ≈ R B I BQ + V EB + R E I CQ
Demuestre que sí:

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R 2VCC RR R V R1V BB
V BB = y R B = 1 2 entonces R1 = B CC y R 2 =
R1 + R2 R1 + R 2 V BB VCC − V BB
Con los valores obtenidos para VCC, RB, y VBB. Calcule los valores de R1 y R2.
RB R1 R2
5. Encuentre la expresión para S en este circuito y calcúlela.
S= =
6. Construya el circuito de la Figura 3.3. Sin conectar Vi, verifique el punto de

operación indicando las desviaciones observadas con respecto al punto de operación
que se elige de las curvas características. También obtenga el valor de VBEQ.
IBQ ICQ VCEQ VBEQ ∆IBQ ∆ICQ ∆VCEQ
Figura 3.3.
7. Encienda el cautín y espere un momento a que este caliente, posteriormente, haga

contacto firmemente con el encapsulado del transistor (no por más de 7 segundos),
obtenga:

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Después de aumentar Variación.

la temperatura.
IBQ= ∆IBQ=
ICQ= ∆ICQ=
VCEQ= ∆VCEQ=
VBEQ= ∆VBEQ=
8. Coloca la señal Vi a una señal sinusoidal de 1 KHz con amplitud mínima y sin
componente de DC.
9. Encienda Vi y aumente su amplitud hasta que la señal VO tenga una amplitud de 4

VPP. Obtenga el punto de operación y reporte la ganancia de voltaje (VO/Vi).
IBQ ICQ VCEQ VBEQ AV=VO/Vi
Apague las fuentes VCC y Vi. Cambie la polaridad de la fuente de alimentación (VCC) del
circuito de la figura 4.2. Utilizando un Multímetro, mida la β de los transistores TIP 31 y
TIP 32.
βTIP 31 = βTIP 32 =
10. Cambie el transistor TIP 31 de la figura 4.3 por el TIP 32. No olvide cambiar la
polaridad de la fuente VCC. Encienda VCC y obtenga el punto de operación, encienda
Vi y mida AV.
IBQ ICQ VCEQ VBEQ AV=VO/Vi
Cuestionario:
1. ¿Noto alguna diferencia entre el punto de operación Q del paso 10 y el paso 6? (No
tomando en cuenta la polaridad de la fuente).
2. Si la β del transistor que se sustituye, fuera muy diferente, ¿qué podría suceder con el
punto de operación?

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3. Suponga que al iniciar la práctica se conoce VCC, RC, S y el punto donde la recta de
carga corta al eje IC. ¿Qué pasos se seguirían para encontrar RE, RB, VBB, R1 y R2?

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PRÁCTICA No. 4.
“OBTENCIÓN DE LOS PARÁMETROS HÍBRIDOS

DE UN TRANSISTOR BIPOLAR EN
CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN”
Elaboró: M en .I. Eduardo Cabal Yépez.

Electrónica I
OBTENCIÓN DE LOS PARÁMETROS HÍBRIDOS DE UN TRANSISTOR

BIPOLAR EN CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN.
Objetivo:
• Obtener hie, hre, hfe y hoe a partir de las curvas características de entrada de un
Transistor Bipolar en configuración Emisor Común.
4 Diodos 1N4001.
1 Transformador de 127 VAC / 24 VAC / 1 A.
1 Resistencia de 100 Ω, ½ W.
1 Resistencia de 1 KΩ, ½ W.
2 Fuentes de voltaje variable con puntas.
2 Multímetros.
Desarrollo:
1. Construya el circuito de la Figura 4.1. Este circuito es utilizado como base para la
obtención de las curvas características de salida del transistor en configuración Emisor
Común.
Figura 4.1.

Electrónica I
2 Para poder observar las curvas características, debe variar el valor de VBB de tal
forma que IB se incremente desde 5µA a 150 µA.
i. Reporte las curvas obtenidas al variar la corriente de 0 a 50 µA en incrementos

de 5 µA.
ii. Reporte las curvas obtenidas al variar la corriente de 0 a 100 µA en incrementos
de 10 µA.
Las curvas observadas serán reportadas en un sistema de ejes coordenados de IC

contra VCE para los distintos valores de IB. La lectura del canal “Y” es el valor de IC
en mA multiplicado por 10. La escala de VCE en las curvas de reportadas debe ser de
2 Volts / división.
3 Construya el circuito de la Figura 4.2 para obtener las curvas características de

entrada del transistor en configuración emisor común.
Figura 4.2.
4 Varíe el voltaje de la fuente VCC, a fin de obtener los valores de VCE

correspondientes para la Tabla 4.1. Obtenga los valores de VBE para los diferentes
valores de IB y VCE indicados en la misma tabla.

Electrónica I
Tabla 4.1.
VBE
VCE 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
IB= 5 µA
IB= 50µA
IB= 100µA
5 Grafique los puntos obtenidos en la tabla 5.1 en un sistema de ejes coordenados VBE
contra IB para los diferentes valores de VCE.
6 Tomando en cuenta la Práctica 1, encuentre RC, VCC, ICQ, VCEQ e IBQ. Con las
curvas características que fueron obtenidas en el paso 1 de la Practica 3, construya
el circuito de la Figura 3.3, obtenga los valores de IEQ, VCBQ y VBEQ. Para construir
el circuito tome en cuenta los siguientes puntos.
i. VCC ≤ 12 VDC y la recta de carga con una inclinación de 135º CCW (sentido
contrario a las manecillas del reloj).
ii. Sólo se calcula RC.
iii. IB se fija variando VBB.
3. En base a la definición teórica y con ayuda de las curvas de entrada y salida,

determine:
∆I C
=
hfe = ∆I B VCEQ
∆I C
=
hoe = ∆VCE I BQ
∆V BE
=
hre = ∆VCE I BQ
∆V BE
=
hie = ∆I B
VCEQ
Nota: Realice incrementos pequeños, indicando el valor de éstos.

Electrónica I
4. Seleccione dos puntos de operación más, los cuales se deben encontrar dos volts
arriba y dos volts abajo del VCEQ que fue elegido en el paso 6. Reporte las variaciones
de β del Transistor y las variaciones de hfe, hoe, hre y hie.
Punto Superior. Punto Inferior. Variaciones con respecto al punto:

Q2 Q1 Q1 Q2
IBQ2 = IBQ1 = ∆IBQ1 = ∆IBQ2 =
ICQ2 = ICQ1 = ∆ICQ1 = ∆ICQ2 =
VCEQ2 = VCEQ1 = ∆VCEQ1 = ∆VCEQ2 =
β2 = β1 = ∆β1 = ∆β2 =
hie2 = hie1 = ∆hie1 = ∆hie2 =
hre2 = hre1 = ∆hre1 = ∆hre2 =
hfe2 = hfe1 = ∆hfe1 = ∆hfe2 =
hoe2 = hoe1 = ∆hoe1 = ∆hoe2 =
Cuestionario:
1. ¿Se podrían obtener los mismos resultados mediante el trazador de curvas?.

¿Por qué?
2. ¿Los valores de los parámetros que fueron calculados de las curvas características
leídas, coinciden con los valores típicos de los parámetros h?.
3. Al variar el punto de operación, ¿varían los parámetros h del transistor?

Electrónica I
PRÁCTICA No. 5.
“AMPLIFICADORES DE UNA Y DOS ETAPAS

UTILIZANDO TRANSISTORES BIPOLARES”

Electrónica I
AMPLIFICADORES DE UNA Y DOS ETAPAS

UTILIZANDO TRANSISTORES BIPOLARES.
Objetivo:
• Obtener Ai, Ri, AV, y AVS en amplificadores de una y dos etapas.

• Comparar los valores obtenidos, mediante la medición, con los valores obtenidos
mediante el análisis teórico de ambos amplificadores.
• Observar el comportamiento de la señal de salida al variar la frecuencia de la señal
de entrada.
2 Transistores TIP 31 ó TIP 41.

2 Resistencias de 3.9 KΩ, ½ W.
2 Resistencias 12 KΩ, ½ W.
2 Resistencias 56 KΩ, ½ W.
1 Potenciómetro de 1 KΩ.
2 Potenciómetros de 100 KΩ.
2 Capacitores de 100 µF a ≥ 25 V.
1 Fuente de Voltaje de DC con puntas.
1 Generador de Funciones con puntas.
2 Amperímetros (µA y mA).
Desarrollo:
1 Construya el circuito de la Figura 5.1. Tenga cuidado al conectar VCC =16 V. Al

conectar C1 tome en cuenta la polarización del capacitor.
2 Encienda VCC y ajuste P1 para que VCE se aproxime a 8 V DC. Aun NO encienda
VS. Calcule IC midiendo el voltaje VRc con un voltímetro y dividiendo este voltaje
entre 3.9 KΩ. También mida el valor de IB con un micro amperímetro.
VRc ICQ IBQ

Electrónica I
De aquí en adelante, solo importa la componente AC de la señal medida en el

osciloscopio.
Figura 5.1.
3 Apague la fuente VCC y desconecte los amperímetros. Conecte el canal 2 (CH2) del
osciloscopio entre el colector (+) y tierra (-) y conecte el canal 1 (CH1) del
osciloscopio entre la base (+) y tierra (-).
El voltaje entre el colector y tierra, registrado por el osciloscopio, es considerado

como el voltaje de salida VO.
4 Coloque VS a una señal sinusoidal de 1 KHz y amplitud mínima. Si el generador de

funciones tiene atenuación, aplique la máxima atenuación a la señal.
5 Encienda VS y VCC. Aumente gradualmente la amplitud de VS hasta que el canal 2

del osciloscopio, registre una señal de 5 VPP, ó se aproxime a este valor, y con una
frecuencia de 1 KH.
6 Observe la señal VB con el canal 1 del osciloscopio y reporte este valor,

posteriormente cambie el canal 1 entre el punto A y tierra y también reporte el valor
observado.

Electrónica I
7 Conecte el canal 2 del osciloscopio entre del punto B y tierra. Invierta la señal del
canal dos (utilizando la perilla adecuada del osciloscopio). Realice la operación
ADD en el osciloscopio y observe que las perillas de ganancia vertical de ambos
canales se encuentren en la misma escala y la magnitud adecuada para que la señal
puede ser vista totalmente dentro de la pantalla del osciloscopio. (si no se cumple
con esto las mediciones serán erróneas).
El resultado obtenido es el voltaje a través de la resistencia RS = 1 KΩ y si se divide

este voltaje entre 1000, se obtiene la corriente Ii.
VAB(PP) = Ii(PP) =
Si el voltaje VO del punto 3 es dividido entre 3.9 KΩ, se puede obtener el valor de
IO.
VO(PP) = 5 VPP IO(PP) =
8 Calcule los valores que fueron medidos anteriormente.
Vi ( PP )
I O ( PP ) = VO ( PP )
= I i ( PP ) =
Ai = I i ( PP ) ______ Ri = ______ AV = Vi ( PP ) _______
VO V O V i Ri
AVS = = ⋅ = AV ⋅ = _____________.
VS Vi V S Ri + R S
9 Calcule Ai, Ri, AV y AVS usando el modelo completo en parámetros “h” del
transistor de la Figura 5.1 y con parámetros “h” idénticos a los que obtuvo en la
Práctica 4.
a. Repita el punto 9 pero utilizando el modelo simplificado de un circuito de

auto polarización y tomando en cuenta que:
VT 0.026 0.026
hoe = ( RC + R E ) ≤ 0.1 ; hie = = =β⋅ =_____________;
I B I BQ [µA] I CQ [mA]
hfe = valor obtenido en la práctica 5 =_______ ; AI = ffe =_______; Si hfe >>1

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Ri = hie + (1+hfe) RE = (1+hfe)RE = _____________; Si hie << (1+hfe)RE
RL − h fe R L − h fe R L − RL
AV = AI ⋅ = = = = ___________ .
R I hie + (1 + h fe ) R E (1 + h fe ) R E RE
b. Compare los resultados obtenidos en los pasos 8, 9 y 10. Comente de

acuerdo a su criterio, sobre las variaciones observadas y las posibles fuentes
de error.
Resultados Punto 8 Punto 9 Punto 10.

Ai
Ri
AV
AVS
Observe que la ganancia de voltaje del amplificador, solo depende de RL y RE (y no

del punto de operación) y Ri solo depende de IBQ. Lo anterior tiene un error entre el 5
% y el 10 % si se cumple que hfe >> 1 y que hie << (1+hfe)RE.
c. Utilizando el circuito de la Figura 5.2, las formulas aproximadas del punto

10, la condición del punto 11 y considerando RC1 = 3.9 KΩ, calcule el valor
de RE1 para que la primera etapa tenga una ganancia de 5, conservando la
ganancia de la segunda etapa en 10 y por tanto la ganancia total del
amplificador sea de 50.
Coloque el punto de operación de la primera etapa en VCEQ = 8 VDC (ajustando P1) y

después de calcular RE reporte
IBQ2 hie2 Ri2 R’i2 RE1 IBQ1 hie1 Ri1 R’i1
d. Para aproximarse más al valor de RE que se calculo en el punto anterior,

utilice un potenciómetro de 1 KΩ. Encienda VCC pero NO VS, verifique que
los puntos de operación sean correctos.

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e. El canal 1 del osciloscopio colóquelo de tal forma que mida el voltaje de la

señal de entrada VS y con el canal 2 el voltaje de salida VO.
Figura 5.2.
Atenúe al máximo la salida del generador de funciones y conéctelo al circuito.

Encienda el generador de funciones (señal sinusoidal de 1 KHz), y aumente su
amplitud hasta que se observe una señal con amplitud 5 VPP en el canal 2 del
osciloscopio.
VS(PP) = Vi1(PP) = Vi2(PP) =
Calcule:
VO ( PP ) V12 ( PP )
AV2 = = _______________ AV1 = = _______________
Vi2 ( PP ) Vi1 ( PP )
Mida Ii e Io utilizando la función ADD del osciloscopio para medir el voltaje a

través de las resistencias correspondientes y dividiendo este valor entre el valor de
las resistencias.
I i ( PP ) = _____________ I o ( PP ) = _____________

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Calcule:
I o ( PP ) Vo ( PP )
Ai = = _____________; AV = = _____________;
I i ( PP ) Vi1 ( PP )
Ri1
AVS = ⋅ AV = _____________.
Ri1 + R S
f. Apague las fuentes VS y VCC. Conecte el canal 1 del osciloscopio de tal

forma que mida el voltaje Vi1 y el canal 2 en Vo. Repita el punto 5.
Disminuya la frecuencia a 20 Hz y completa la siguiente tabla.
f(Hz) Vo(PP) f(Hz) Vo(PP) f(Hz) Vo(PP)

20 2K 100 K
50 5K 200 K
100 10 K 300 K
200 20 K 400 K
500 30 K 500 K
1K 50 K 600 K
Vo
Calcule la relación AV = para cada una de las frecuencias de la tabla anterior y
Vi 1
grafique los resultados utilizando una escala semi-logarítmica.
Cuestionario:
1. ¿Cuál es la principal desventaja de un amplificador con acoplamiento RC?
2. ¿Cuál es el objeto de usar C1 y C2?
3. ¿Por qué es necesario observar la correcta polarización de los capacitores

electrolíticos, y por qué deben ser de valor alto?
4. ¿Qué sucede si C1 y C2 son de un valor más pequeño?
5. ¿La salida está en fase con la entrada?

Electrónica I
6. ¿Qué pasaría si C2 fuera un corto circuito?
7. ¿Investigue sobre las características de otros tipos de acoplamiento?

Electrónica I
PRÁCTICA No. 6.
“AMPLIFICADOR DIFERENCIAL”

Electrónica I
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
Objetivos:
• Manejar un amplificador diferencial utilizado en la salida de un generador de

funciones.
• Encontrar la respuesta en frecuencia y su máxima oscilación de una señal de salida
en el amplificador.
2 Transistores 2N2222.
1 Transistor 2N3906.
2 Resistencias de 10 Ω, ½ W.
1 Resistencia de 1 KΩ, 10 W.
3 Resistencias de 1.5 KΩ, ½ W.
1 Resistencia de 2.7 KΩ, ½ W.
2 Resistencias de 15 KΩ, ½ W.
2 Resistencias de 27 KΩ, ½ W.
1 Potenciómetro o Preset de 10 KΩ (carbón).
2 Diodos 1N4003.
2 Capacitores de 0.1 µF a 25 ó 35 V.
2 Capacitores de 10 µF a 25 ó 35 V.
1 Capacitor de 1µF a 25 ó 35 V.
1 Regulador fijo LM7815.
1 Regulador fijo LM7915.
2 Fuentes de alimentación.

Electrónica I
Desarrollo:
1 Coloque una de las fuentes de alimentación a 22 VDC y construya el circuito de la

Figura 6.1 con el regulador positivo LM7815 a fin de obtener una fuente de +15
VDC.
Figura 6.1.
Coloque ahora otra fuente de alimentación a 22 VDC y construya el circuito con el

regulador negativo LM7915 a fin de obtener una fuente de –15 VDC. Tenga cuidado
con la polaridad del voltaje de entrada al regulador LM7915 que debe ser negativa
con respecto a la terminal GND del regulador.
a) En la plantilla de experimentos construya el circuito de la Figura 6.1.

b) Coloque VS a una señal sinusoidal de 2VPP, 0 VDC y 1 KHz y apáguelo por el
momento.
c) Coloque el potenciómetro P1 en el centro, trate de ser lo más exacto posible.
d) Conecte un canal del osciloscopio en Vi y el otro en V0.

Electrónica I
2 Encienda las fuentes de ±22 VDC (que alimentan a los reguladores) y también VS. Si
el circuito funciona adecuadamente, se observará (utilizando el osciloscopio) una
señal de salida sinusoidal. Si la señal de salida posee nivel de DC, utilice el
potenciómetro P1 para eliminar la componente de DC. Si no hay señal ó existe
alguna distorsión o algún otro comportamiento extraño, apague las fuentes de
alimentación y revise el circuito.
a) Apague VS y encienda únicamente las fuentes de ±22 VDC y con cuidado

mida los puntos de operación de Q1, Q2, Q3, Q4 y Q5. En otras palabras, mida
los valores de IB, IE, IC, VCE, VCB y VBE correspondientes a cada uno de ellos.
Q1 Q2 Q3 Q4 Q5
IBQ
ICQ
IEQ
VCEQ
VCBQ
VBEQ
VD1 = VD2 =
b) Encienda VS y mida los valores de Vi y V0 y de acuerdo a estos datos obtenga

la ganancia del amplificador.
Vi = V0 = AV =
c) Aumente en forma gradual VS hasta que la salida se recorte. Reporte el

voltaje máximo pico a pico que puede proporcionar este amplificador así
como la amplitud máxima de entrada.
Vi(PP)max = V0(PP)max =
d) Realice una gráfica de AV contra la frecuencia. Reporte la máxima frecuencia

a la cual fue probado el circuito. Mantenga un voltaje Vi = 5 VPP a través de
todo el rango de frecuencias.

Electrónica I
Cuestionario:
1. Explique cual es la función de los diodos en el circuito.
2. ¿Para qué es utilizado el potenciómetro P1?
3. ¿Qué configuración tienen los transistores Q1 y Q2?
4. ¿Existe retroalimentación en el circuito? ¿Por qué? ¿De qué tipo?
5. De una breve explicación de la clasificación de los amplificadores con transistores

bipolares y en base a esto, ¿dentro de cual clasificación caería el circuito de la figura
6.1?

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DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

Elaboró: M. en I. Eduardo Cabal Yépez

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA 2

“UBICACIÓN Y VARIACIÓN DEL PUNTO DE

Elaboro: M. en I. Eduardo Cabal Yépez.

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA 3

UBICACIÓN Y VARIACIÓN DEL PUNTO DE OPERACIÓN

• Conocer las condiciones necesarias para llevar a corte y saturación al transistor.

Material y Equipo Utilizado:

1 Transistor TIP 31 o TIP 41.

ICQ VCEQ ICMAX VCEMAX

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA 4

IBQ ICQ VCEQ VBEQ IEQ VCBQ

3. Calcule α y β a partir de los datos obtenidos en el paso 2.

4. Aumente y disminuya VBB hasta llevar al transistor a saturación (ICMAX = VCC/RC) y

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA 5

5. Con base en los resultados que se obtuvieron en el punto número 1. Calcule:

6. Aumente la amplitud de Vi (señal senoidal de 1 KH) hasta que la señal de salida

Cambie el valor de RL de 100 KΩ por otra resistencia de 150 KΩ y posteriormente

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA 6

1. Tomando en cuenta el paso numero 6, de una explicación del comportamiento

3. ¿Qué función desempeñan los capacitores en el circuito?

4. ¿Qué sucedería si la resistencia de 100 KΩ fuese omitida?

5. Dibuje sobre las curvas características de salida, las hipérbolas de disipación de

6. ¿Cuál es la función de la resistencia de 100 Ω que se coloca en serie con Vi?

7. De una explicación de las variaciones de α y β en los pasos 3 y 4.

Elaboró: M. en I. Eduardo Cabal Yépez

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA 7

“EFECTO DE LA TEMPERATURA EN LAS

Elaboro: M. en I. Eduardo Cabal Yépez.

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA 8

EFECTO DE LA TEMPERATURA EN LAS CARACTERÍSTICAS DE

• Observar y medir el efecto que ocasiona la temperatura en la operación de un

Material y Equipo Utilizado:

1 Transistor TIP-31 ó TIP-41.

Nota: A continuación tenga mucho cuidado de no sobrecalentar el transistor.

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA 9

Después de haber calentado el encapsulado del transistor, permita a éste enfriarse y

Reporte las variaciones en las curvas del transistor.

2. Coloque el disipador de calor en el transistor y repita la operación anterior. Realice

VCC = RCIC + VCE.

IC (VCE =0) = VCE (Ic =0) =

Con los valores obtenidos es posible calcular RC y VCC respectivamente.

4. Encuentre el punto de operación Q bisecando la recta de carga. Indique las

IBQ = ICQ = VCEQ =

5. Encuentre el valor de RB necesario para construir el circuito de la Figura

RB = (VCC – VBE )/ IBQ =

6. Encienda la fuente de voltaje VCC, encuentre y reporte el punto de operación.

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Antes. Después. Variación.

8. Coloque el voltaje VS a una señal sinusoidal de 1 KHz y con la amplitud mínima.

9. Aumente poco a poco la amplitud de VS y observe el voltaje de salida VO hasta que

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VCC = (I B + I C )RC + VCE ≈ I C RC + VCE

La aproximación en la ecuación anterior es considerada la recta de carga de DC y sus

Para IC =0; VCE = VCC = VCEmax

Los valores de ICmax y VCEmax se deben obtener de la intersección de la recta de carga

13. Localice el punto de operación Q bisecando la recta de carga. Reporte sus

IBQ = ICQ = VCEQ =

14. Encuentre el valor de RB tomando como base la siguiente ecuación. Construya el

15. Obtenga y verifique el punto de operación indicando las desviaciones con

∆IB = ∆IC = ∆VCE =

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