Tipos Semiconductores

TEMA 6: SEMICONDUCTORES
6.3 Semiconductores extrnsecos Aquel semiconductor sin defectos cristalinos pero con impurezas aadidas (semiconductor dopado)
Tipos de impurezas: Dadoras: Aquellas impurezas con 1 electrn de ms en la ltima capa. Ejemplo: Si (3s2, 3p2) dopado con As (4s2, 4p3)
Aceptoras: Aquellas impurezas con 1 electrn de menos en la ltima capa. Ejemplo: Si (3s2, 3p2) dopado con Ga (4s2, 4p1)
Fundamentos Fsicos de la Informtica Carmen Martnez Toms y Nuria Garro Curs 2009-2010
6.3 Semiconductores extrnsecos Tipos de semiconductores extrnsecos: Tipo n:

Estn dopados con impurezas dadoras Llamaremos a la concentracin de impurezas Nd Hay ms electrones que huecos, luego n >> p Los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos minoritarios Estn dopados con impurezas aceptoras Llamaremos a la concentracin de impurezas Na Hay ms huecos que electrones, luego n << p Los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones minoritarios
Tipo p:

6.3 Semiconductores extrnsecos Tipos de semiconductores extrnsecos:
Tipo compensado:

Estn dopados con impurezas dadoras y aceptoras Si Nd > Na entonces n > p Si Nd < Na entonces n < p
EF NO ESTA EN EL CENTRO DE Eg! 6.3 Semiconductores extrnsecos Concentracin de portadores:
Mismas expresiones:
Semic.tipo N:

Semic.tipo P:

EF cerca de la BC (EC EF) << (EF EA)

ne EC BC
EF cerca de la BV (EC EF) >> (EF EA)

ne EC BC
ED EF
EF
EV
EV nh BV
EA
nh BV
6.3 Semiconductores extrnsecos (cont) Ejemplo de impureza dadora: As(4s2, 4p3) CON POCA ENERGIA SE GENERAN e- MOVILES Punto de vista enlaces: sin necesidad de romper enlace
Punto de vista bandas: nivel extra ED cerca de la banda de conduccin:
6.3 Semiconductores extrnsecos (cont) Ejemplo de impureza dadora: As(4s2, 4p3)

CON POCA ENERGIA SE GENERAN e- MOVILES Punto de vista enlaces: sin necesidad de romper enlace Punto de vista bandas: nivel extra ED cerca de la banda de conduccin:
La energa necesaria para conducir es EC ED << Eg
6.3 Semiconductores extrnsecos (cont) Ejemplo de impureza aceptora: Ga (4s2, 4p1) Enlaces: enlace libre (hueco) sin necesidad de generar e
Bandas: nivel extra EA cerca de la banda de valencia:
6.3 Semiconductores extrnsecos (cont) Ejemplo de impureza aceptora: Ga (4s2, 4p1) Enlaces: enlace libre (hueco) sin necesidad de generar e
Bandas: nivel extra EA cerca de la banda de valencia:
La energa necesaria para conducir es EA ED << Eg
6.4 Ionizacin de impurezas (= semic. intrnsecos) Agitacin trmica: rompe enlaces ioniza impurezas (NUEVO, extrnsecos!) Semic.tipo N: Semic.tipo P:
los electrones extra se liberan con facilidad energa necesaria pequea E = EC ED
los enlaces extra se ocupan con facilidad energa necesaria pequea E = EA EV
6.4 Ionizacin de impurezas Aproximacin a T 300 K:
depende fuertemente de T
Semiconductores tipo N: casi todas las impurezas se han ionizado (electrn extra) muy pocos enlaces se han roto (pocas parejas e- / h+) los electrones provienen casi todos de las impurezas Semiconductores tipo P: casi todas las impurezas se han ionizado (hueco extra) muy pocos enlaces se han roto (pocas parejas e- / h+)
los huecos provienen casi todos de las impurezas
6.4 Ionizacin de impurezas Aproximacin a T >> 300 K:
Semiconductores tipo N:

todas las impurezas se han ionizado muchos enlaces se han roto (muchas parejas e- / h+) de las impurezas de los enlaces rotos
los electrones provienen:
Semiconductores tipo P:

todas las impurezas se han ionizado muchos enlaces se han roto (muchas parejas e- / h+) de las impurezas de los enlaces rotos
los huecos provienen:
6.4 Ionizacin de impurezas Silicio dopado con fsforo:
p = ni2/n
T (K) 300 1000
Nd 51022 m-3 51022 m-3
ni2 2 1030 m-3 5 1045 m-3
n 5 1022 m-3 7 1024 m-3
p 3 108 m-3 7 1020 m-3
e- de impurezas ionizadas
e- enlaces
APPLETS DE SEMICONDUCTORES
http://cpi.ing.uc.edu.ve/Electronica/capitulo1/default.htm

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TEMA 6: SEMICONDUCTORES

EF cerca de la BC (EC EF) << (EF EA)

EF cerca de la BV (EC EF) >> (EF EA)

Punto de vista bandas: nivel extra ED cerca de la banda de conduccin:

La energa necesaria para conducir es EC ED << Eg

Bandas: nivel extra EA cerca de la banda de valencia:

Bandas: nivel extra EA cerca de la banda de valencia:

La energa necesaria para conducir es EA ED << Eg

los electrones extra se liberan con facilidad energa necesaria pequea E = EC ED

los enlaces extra se ocupan con facilidad energa necesaria pequea E = EA EV

los huecos provienen casi todos de las impurezas

los electrones provienen:

los huecos provienen:

T (K) 300 1000

Nd 51022 m-3 51022 m-3

ni2 2 1030 m-3 5 1045 m-3

n 5 1022 m-3 7 1024 m-3

p 3 108 m-3 7 1020 m-3

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