TCB-300901

TEMA 1:INTRODUCCIN. 1.1 Componentes de los Sistemas Electrnicos de Potencia.

Fig. 11.99 diagrama de Control de un Motor de CA en Campo Orientado 1.2 Componentes de los Convertidores de Potencia.

Fig. 5.53 Rectificador Trifsico de onda Completa controlado: Cargador de Bateras

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1.3 Semiconductores Electrnicos de Potencia. Panormica General. 1.4 Aplicaciones Industriales. 1.5 Clasificacin: 1.5.1 Frecuencias de Funcionamiento. 1.5.2 Capacidad de Bloqueo. 1.6 Semiconductores de Potencia y Polos de Potencia. 1.7 Semiconductores. Dimensionado y Protecciones TIPOS DE SEMICONDUCTORES Diodo; Transistor Bipolar de Potencia (BT); Tiristor (SCR); GTO; Transistor MOS de Potencia; IGBT Utilizacin de convertidores de energa Industria. Generacin, Transporte y Almacenamiento de Energa. Acondicionamiento de Energa: Filtros Acivos; Compensacin de cos ; UPS; Energas Alternativas: Solar , Elica. Transporte. Aplicaciones militares o Aeronatica.

Fig. 2.2

Funcin existencial y Polo aislado

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2.1 Introduccin. Semiconductores en Baja Frecuencia. 2.2 Polo de Potencia. 2.3 Diodo: 2.3.1 Unin PN en equilibrio. DIODO Unin PN en Equilibrio

Fig. 1.2

Estructura cristalina de Semiconductor Intrnseco

Fig. 1.3 Semiconductor Intrnseco

ni2

ni

(1.1)

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Fig. 1.4 Semiconductor Extrinseco tipo N

Fig. 1.5 Semiconductor Extrnseco tipo P.

nn pn np pp ni2; nn pn; np pp

(1.2)

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2.3.2

Corrientes de Conduccin y de Difusin.

CORRIENTES DE: Conduccin Difusin

Fig. 1.6. Unin PN en equilibrio.

If Ifp Ifn; Ig Igp Ign; If Ig 0

(1.3)

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2.3.3

Unin PN Polarizada.

Union PN polarizada

Fig. 1.7

Densidades de portadores para unin PN con polarizacin directa y en equilibrio.

Fig. 1.8 Densidades de portadores para la unin PN con polarizacin inversa y en equilibrio.

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2.3.4 Curvas Caractersticas del Diodo. Curvas Caractersticas del Diodo

qVo qVo

npo nXp nno e

nno . e
q(V Vo) kT

kT

;
qVo qV kT

Pno npo e

Ppo . e
qV kT

kT

(1.4)
qV kT

nno e

kT

; pXn pno e
qV kT

(1.5)

nXp nXp npo npo (e Si V>0 nXp npo e nxp npo e

qV kT qV kT

qV kT

1);
qV kT

pXn pno (e

1)

(1.6)

>>0; pXn pno e

(

>>0 ; Si V<0 nXp pXn 0 e

qV kT (

(1.7)

Xp xp ) Ln

pxn pno

Xn xn ) Lp

(1.8)

In(Xp) q Dn

d nx dx

; Ip(Xn)
Xp

q Dp

d px dx

(1.9)
Xn

Fig. 1.9 Corrientes de difusin en la unin PN polarizada

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d px dx
Xn

pno

qV kT

Xn x Lp

1 Lp

pXn
Xn

(1.10)

Lp

d nx dx

nXp
Xp

Ln pno Lp npo Ln
qV kT

(1.11)

IT A In(Xp) Ip(Xn) Aq
pno Lp npo Ln

Dp

Dn

(1.12)

I s Ign Igp

Dp

Dn

Aq ; A: seccin de la unin

(1.13)

I Is I
qV kT

qV kT

1 Is
qV kT

(1.14)

(Ign Igp)
qV kT

(1.15)

V>0, e

>>1, I Is e

V<0,

<<1, I

Is

(1.16)

Fig. 1.10 Curvas caractersticas de un diodo.

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2.3.5

La unin PN en Conmutacin.

La Unin PN en conmutacin

Fig. 1.11

Evolucin temporal de la distribucin de carga espacial. Corriente y tensin durante la recuperacin directa.

Fig. 1.12

Evolucin temporal de Carga Espacial Tensin y corriente en una unin PN durante la Recuperacin Inversa.

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10

Fig. 1.12a

Circuito de Test.

Fig. 1.12b

Transitorio de Cierre (Recuperacin Directa)

Fig. 1.12b

Transitorio de Apertura (Recuperacin Inversa)

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11

Fig. 1.13 Relaciones entre los parmetros de recuperacin inversa 2.3.6 El Diodo como Polo de Potencia.

El Diodo como Polo

Fig 1.14

Esquema del elevador Booster

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12

2.4 Transistor Bipolar de Potencia: TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA

Fig. 1.15 Transistor de Unin

Fig. 1.16 Transistor PNP sin polarizar

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13

2.4.1 2.4.2

Transistor Polarizado y no Polarizado. Tringulo de Difusin.

Fig. 1.17 Transistor PNP polarizado y Tringulo de Difusin

Fig. 1.18 Barreras de potencial en corte y conduccin y Diagrama de flujo de corrientes.

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14

Eficiencia del emisor

[p]E IE [p]B [p]E

C

<1

(1.17)

Relacin de transporte

<1

(1.18)

Eficiencia del Colector

IC ICO [p]B dIC dIE

UCB cte C

>1

(1.19)

Factor de amplificacin

<1

(1.20)

IC
2.4.3

IE ICO ;

I B IE IC

(1.21)

Curvas Caractersticas.

Curvas caractersticas

Fig. 1.19 Curvas caractersticas en Base comn

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15

Fig. 1.20 Montaje Emisor comn y curvas caractersticas

IC IC
2.4.4

IE ICBO ; 1 ICBO ; 1 1

IE (IB IC ) ICBO ICEO ; (hFE)

(1.22)

IB

(1.23)

El Transistor como Polo de Potencia

El Transistor como Polo de Potencia

Fig. 1.26 Convertidor CC/CA

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16

2.5 Tiristor (SCR). 2.5.1 Estructura. TIRISTOR (SCR) Estructura

Fig. 1.33 Estructura del Tiristor

Caractersticas Estticas

Fig. 1.34 Esquema equivalente de un tiristor

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17

2.5.2

Caractersticas Estticas.

Fig. 1.35 Cmputo de Corrientes en Transistores NPN y PNP

Fig. 1.36 Flujo de corrientes en Tiristor

Id Io

Id

( Id Ip ) ; e
Vm kT

Io [ 1 ( Id [1 (
1

2)]

Id

Ip

(1.30) (1.31)

Io

Is

2)]

Ip

Id

(I0 1 (
1

Ip )
2)

(1.32)

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18

Fig. 1.37 Variacin de

con Ic e Id

Fig. 1.38 Caractersticas estticas de un Tiristor.

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19

2.5.3 Procesos de Disparo y Bloqueo. Procesos de Disparo y Bloqueo Con Ip=0. En puntos en que ( 1+ 2) < 1, si Id Id, Id > Id
2)]

( 1+ 2) > ( 1+ 2), (1.33)

Io
-

Id [1 (

Io Io > Io Id aumenta ms de lo que disminuye [1-( 1+ 2)]. Io requiere en Jm, Vm > Vm carga espacial aumenta. Cuando ( 1+ 2) 1 , si Id aumenta, ( 1+ 2) aumenta, y [1- ( 1+ 2)] 0 rpidamente, Io 0 Vm 0 . Si Id aumenta an ms, ( 1+ 2) > 1 e Id.[1-( 1+ 2))] < 0 Io > 0 (cambia de signo) Vm se invierte Jm pierde su capacidad de bloqueo. Sentido fsico. Disparo: Vd , T , Ip > 0, dVd / dt , Iluminacin. Bloqueo.

Id

Is [1 (
1 2)]

(1.36)

Fig. 1.43 Representacin de Intensidades de cebado y mantenimiento.

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20

2.5.4 Caractersticas dinmicas. Caractersticas Dinmicas

Fig. 1.44 Proceso completo de Disparo-Bloqueo

Fig. 1.45 Disparo sobre circuitos resistivo e inductivo.

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21

2.5.5 Caractersticas de Puerta. Caractersticas de Puerta

Fig. 1.46 Caractersticas de Puerta. 2.5.6 Bloqueo Esttico y Dinmico. Bloqueo Esttico y Dinmico

Fig 1.47

Bloqueo Esttico y Dinmico.

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22

2.5.7 Bloqueo Natural y Forzado. Bloqueo Natural y Forzado

Fig 1.48

Puente rectificador Trifsico de media onda: Circuito y Formas de Onda

Fig. 1.49 2.5.8

Circuito McMurray de conmutacin forzada El Tiristor como Polo de Potencia

El Tiristor como Polo de Potencia