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CONTENIDO CURSOS OFRECIDOS POR LA OPCION DE DISEO ELECTRONICO

Primer Cuatrimestre.
Clave del Curso: EED302-1

Diseo de Circuitos Analgicos I


INSTRUCTOR: SESIONES: Dr. Federico Sandoval-Ibarra CINVESTAV, Unidad Guadalajara Lunes-Viernes, 9:00-13:00 Hrs, 1er. Cuatrimestre. Sep-Dic 2007 Unidad Guadalajara

DESCRIPCIN: El anlisis de circuitos en el dominio del tiempo, de la frecuencia, y a nivel DC es la base para el diseo de circuitos analgicos. Este curso, orientado al diseo de circuitos y sistemas en tecnologa CMOS, presenta los principios fundamentales de la operacin del transistor MOS a nivel fsica de semiconductores. Este tratamiento permite entender la importancia que tienen los diversos parmetros tecnolgicos en la rapidez de respuesta de los circuitos, en la localizacin de polos y ceros parsitos, y fundamentalmente las limitaciones que la tecnologa intrnsecamente impone al cumplimiento de diversas especificaciones de diseo. Por tal razn, una evaluacin de las capacidades diversas que presentan las tecnologas modernas es ampliamente revisada. A la par de la revisin del estado del arte se realizan diversos ejercicios en el que el modelado del transistor, su anlisis y simulacin a nivel elctrico permiten incursionar en el diseo de circuitos integrados analgicos. OBJETIVO GENERAL: Desarrollar habilidades para disear circuitos integrados analgicos usando modelos analticos y herramientas de software como apoyo al anlisis y diseo de circuitos analgicos a nivel transistor y su implicacin a nivel layout. CONTENIDO: 1. Introduccin (4 Hrs.) 1.1 1.2 1.3 1.4 Flujo de Diseo Control de Procesos Tecnologa CMOS Circuitos Digitales, Analgicos y de Seal Mezclada

2. Modelado del transistor MOS (8 Hrs) 2.1 2.2 2.3 2.4 Modelos de primer orden Caractersticas corriente-voltaje y simulacin spice Obtencin de parmetros del transistor MOS: Tecnologa 1.5m (Lab. 1) Modelos de segundo orden

3. Anlisis en DC (8 Hrs) 3.1 3.2 3.3 3.4 El Resistor y Circuitos Resistivos Divisores de voltaje MOS y CMOS Consumo de Potencia: Longitud de canal (Lab. 2) Cargas Activas y Espejos de Corriente

4. Anlisis en el Dominio de la Frecuencia (12 Hrs) 4.1 4.2 4.3 4.4 Modelo Equivalente de Pequea Seal del Transistor MOS Etapas de Ganancia y Clculo de f-3dB Anlisis de Polos y Ceros: Definicin de Estabilidad (Lab. 3) El Par Diferencial

5. Respuesta en el Dominio del Tiempo (8 Hrs) 5.1 5.2 5.3 5.4 Transformada Inversa de Laplace Respuesta al Escaln del Par Diferencial El OpAmp de dos Etapas: Margen de Fase (Lab. 4) El Capacitor y Compensacin de Fase

6. Aproximaciones de Diseo (9 Hrs) 6.1 6.2 6.3 6.4 Referencias: [1] Analog MOS Integrated Circuits, Paul R. Gray, IEEE Press [2] Modeling of the MOS transistor, Y. P. Tsividis, McGraw-Hill [3] IEEE Journal of Solid-State Circuits: Selected Papers Modo Voltaje y Modo Corriente Tiempo Continuo y Tiempo Discreto Definicin de Impedancia de Entrada e Impedancia de Salida El Amplificador Operacional de Transconductancia, OTA

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Seales y Sistemas Determinsticos.


Clave del curso: EES301-1 INSTRUCTOR: SESION: PERIODO: GENERACIN: Objetivos del Curso: Que el alumno comprenda los principios bsicos de la descripcin matemtica de las seales y sistemas digitales, su anlisis y su relacin con las seales y sistemas de tiempo continuo. Que conozca tambin los principios de diseo de filtros digitales FIR e IIR. Horario: Por definir. Esquema de Trabajo: Sesenta horas de clase. Por cada hora de clase el alumno debe dedicar al menos dos horas efectivas para estudio y para la realizacin de ejercicios relacionados con los temas presentados. Para algunas tareas se requerir usar computadora. Se recomienda familiarizarse y utilizar el sistema MATLAB. Evaluacin: Tareas 20 % 4 exmenes 80 % Temario: 1.- INTRODUCCION (4 hrs, Cap. 1, ver libro de texto despus del temario) Clasificacin de las seales. Frecuencia en seales continuas y de tiempo discreto. Conversin A/D y D/A. 2.-SEALES Y SISTEMAS EN TIEMPO DISCRETO (12 hrs., Cap. 2) Seales en tiempo discreto (TD) Sistemas en TD. Anlisis de sistemas en TD y lineales e invariantes en tiempo (LIT). Sistemas discretos y ecuaciones en diferencias. Implementacin de sistemas discretos. Correlacin de seales discretas 3.- TRANSFORMADA Z (10 hrs. Cap. 3) Transformada Z directa e inversa. Propiedades de la Tr. Z Transformada Z de funciones racionales. Inversin de la Tr. Z Tr. Z unilateral. Anlisis de sistemas LIT en el dominio de z Dr. Jose Luis Naredo Por definir 1er. Cuatrimestre. Septiembre-Diciembre

4.- ANLISIS DE SEALES Y SISTEMAS EN EL DOMINIO DE LA FRECUENCIA. (10 hrs. Cap. 4) Anlisis del DF de seales en tiempo continuo. Anlisis del DF de seales en tiempo discreto Propiedades de la Transformada de Fourier de seales en TD. Caractersticas de las seales en el DF 5.- LA TRANSFORMADA DISCRETA DE FOURIER (DFT). (12 hrs, Cap. 5 pags. 401a 431, Cap. 6 pags. 457 a 494) Muestreo en el dominio del tiempo y la DFT. Propiedades de la DFT. Algoritmos FFT para el clculo eficiente de la DFT. Aplicaciones de la FFT. Clculo de la DFT mediante filtrado lineal. 6.-DISEO DE FILTROS DIGITALES. (12 hrs, Cap. 7 pags. 509 a 546, Cap. 8 pags. 623 a 673) Estructuras para sistemas FIR (Finite Impulse Response). Estructuras para sistemas IIR (Infinite Impulse Response). Consideraciones generales de diseo de filtros digitales. Diseo de filtros FIR. Texto: John Proakis, Dimitris G. Manolakis, "Tratamiento Digital de Seales", Tercera Edicin, Prentice Hall. Referencias: Alan V. Oppenheim, Ronald W. Shafer, John R. Buck, "Tratamiento de Seales en Tiempo Discreto ", Segunda Edicin, Prentice Hall, 2000. Oran Brigham, "The Fast Fourier Transform and its Applications", Prentice Hall, 1988. Leland B. Jackson, "Digital Filters and Signal Processing", Kluwer Academic Publishers, 1989. Monson H. Hayes, Digital Signal Processing, Schaums Outlines, McGraw-Hill, 1999. Hwei P. Hsu, "Anlisis de Fourier", Fondo Educativo Interamericano, S. A., 1973.
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Diseo de Circuitos Digitales I


Clave del Curso: EED303-1 INSTRUCTOR: SESION: Dr. Mariano Aguirre Intel, Tlaquepaque Jal. Martes y Jueves, 18:00-20:00 Hrs Unidad Guadalajara

PERIODO: GENERACIN:

1er Cuatrimestre. Sep-Dic 2007-2008

DESCRIPCIN: En este curso se estudia el diseo de circuitos integrados digitales VLSI. Se revisan los fundamentos fsicos del diseo a nivel transistor y del diseo geomtrico (layout) de las celdas bsicas de construccin de circuitos integrados digitales; se analizan las consideraciones de diseo de mdulos funcionales y de subsistemas, y se estudia la sntesis lgica de sistemas digitales complejos haciendo uso de bibliotecas de tecnologas VLSI. OBJETIVO GENERAL: Desarrollar los conocimientos y habilidades necesarias para disear un circuito integrado digital usando herramientas de diseo asistido por computadora (CAD), para apoyar la simulacin a nivel transistor, el diseo de los patrones geomtricos y la sntesis lgica del circuito. TEMARIO: Tema 1. Fundamentos del diseo fsico de circuitos integrados 1.1. Tecnologa de fabricacin CMOS. 1.2. Estimacin de parsitos (resistencia, capacitancia, inductancia). 1.3. Reglas de diseo fsico. 1.4. Diseo fsico de CI con herramientas CAD. Tema 2. Caracterizacin del desempeo de estructuras CMOS. 2.1. Circuito inversor CMOS. 2.2. Estimacin de retardo. 2.3. Margen de ruido. 2.4. Consumo de potencia. 2.5. Compuerta de transmisin CMOS. 2.6 Simulacin SPICE. 2.7 Efectos no ideales. Tema 3. Circuitos combinacionales CMOS. 3.1. Estilos lgicos estticos. 3.2. Estilos lgicos dinmicos. 3.3. Tcnicas de dimensionamiento. 3.4. pitfalls Tema 4. Circuitos secuenciales CMOS. 4.1. Diseo de latches y flip-flops. 4.2. Metodologas de sincronizacin. 4.3. Wave-pipelining. 4.4. Arreglos sistlicos. Tema 5. Diseo de subsistemas. 5.1. Ruta de datos. 5.2. Circuitos de control. 5.3. Distribucin de alimentacin.

5.4. Distribucin de reloj. 5.5. Terminales de E/S. Tema 6. Diseo de Memorias. 6.1. Memorias seriales. 6.2. Memorias de slo lectura (ROM). 6.3. Memorias de acceso aleatorio (SRAM, DRAM). 6.4. Memorias direccionadas por contenido. Tema 7. Diseo de baja potencia. 7.1. Consumo de potencia en circuitos CMOS. 7.2. Tcnicas de optimizacin de baja potencia. 7.3. Enfoques alternativos para el diseo de baja potencia. Tema 8. Sntesis de sistemas digitales en ASICs. 8.1. Herramientas de sntesis lgica. 8.2. Herramientas de optimizacin (temporizacin y potencia). 8.3. Herramientas de sntesis fsica. BIBLIOGRAFIA [1] CMOS VLSI Design: A Circuits and Systems Perspective Weste Neil H. E., David Harris, Addison Wesley [2] Digital Integrated Circuits Jan M. Rabaey, Anantha P. Chandrakasan, Borivoje Nikolic, Pearson Education [3] CMOS IC Layout: Concepts, Methodologies, and Tools Dan Cheln,Elsevier Science & Technology Books [4] Low Power Design Methodologies Jan M. Rabaey, Springer-Verlag New Cork [5] Synopsys tools User Guides Synopsys Inc. ----------------------------------------------------------------------------------------------------------

Fsica de dispositivos con semiconductores

Clave del curso: EED301-1


INSTRUCTOR:

Dr. Juan Luis del Valle Martes y Viernes, 9:00-11:00 Hrs Unidad Guadalajara 1er Cuatrimestre. Sept-Dic 2008 2008-2009

SESION: PERIODO: GENERACIN: Descripcin.

La educacin en ingeniera elctrica en el siglo veintiuno debe proporcionar estudiantes con las habilidades de resolver nuevos y retadores problemas de ingeniera. En el campo de la microelectrnica, la dimensin mnima ha decrecido de 5 um, de los aos de 1980 a menos de 50 nm (500 Angstroms, del orden de magnitud de los virus), la frecuencia de conmutacin se ha incrementado a mas de 10 GHz, con un numero de transistores por chip que se aproxima a 1000 millones de transistores. La distincin entre circuitos digitales y circuitos analgicos se ha vuelto borrosa, as como entre los circuitos analgicos y los de radio frecuencia. As, un buen diseador de circuitos analgicos o digitales necesita entender los temas de propagacin de radio frecuencia y la fsica de los dispositivos. El enlace entre la fsica de los semiconductores y la simulacin de circuitos exitosa .por medio de computadoras, CAD, depende de los modelos de los dispositivos electrnicos involucrados. Este curso esta orientado en esta direccin, esto es, en la descripcin de modelos matemticos basados en la fsica de los dispositivos, considerando tanto los dispositivos bipolares como los unipolares, cubriendo los casos de los transistores bipolares a homo unin (BJT), a heterounion (HBT, III-V y Si-Ge), los MESFETS, dispositivos de semiconductores compuestos III-V, con compuerta Schottky. As como los MOSFETS, Metal-Oxido-Semiconductor, los dispositivos de mayor utilizacin. Objetivo General. Desarrollar los conocimientos y habilidades necesarias para el diseo y la utilizacin de dispositivos en circuitos electrnicos, as como sentar las bases fsicas para la comprensin de dispositivos mas sofisticados. Objetivos Especficos. Examinar los principios fsicos que gobiernan la operacin de los dispositivos con semiconductores modernos, las consideraciones y aproximaciones que se hacen en el anlisis de estos, as como, aprender a resolver problemas utilizando herramientas de simulacin computarizadas, tanto a nivel de circuitos empleando modelos basados en la fsica de los dispositivos (SPICE) como a nivel fsico empleando DESIS un simulador de dispositivos a 2D y 3D.

CONTENIDO
1. Transistores Bipolares de unin. BJT 1.1 Introduccin. Transistores en CI. Anlisis cualitativo. 1.2 Anlisis cuantitativo modelo simplificado. 1.3 Limitaciones del modelo ideal. Limitaciones del tiempo en el transistor.

Resistencia serie. Modulacin del ancho de la base (efecto Early).


1.4 Limitaciones del modelo ideal. Limitaciones de voltaje, frecuencia y transitorios. 1.5 Limitaciones de diseo. Efectos de alta inyeccin. Transistores Bipolares a

Heterounion. 1.6 Sesiones de laboratorio. Modelado circu tal (AIM SPICE). Simulacin fsica en 2D (Dessis-ISE). 2. Dispositivos Unipolares. 2.1 Introduccion. Diodos Schottky. 2.2 Contactos Ohmicos.
2.3 Transistores Fets de union. 2.4 Transistores MESFETS a heterounion. 2.5 Sesiones de laboratorio. Modelado circu tal y simulacin fsica. 3. Transistores MOSFETS. 3.1 Estructura MOS ideal. Modos de operacin. Electrosttica. Voltaje de umbral.

Capacitancia voltaje.
3.2 Estructura MOS Real: modificacin del voltaje de umbral por diferencias de

funciones de trabajo, carga en el oxido. Modelo de control de carga simplificado. Modelo unificado de control de carga. 3.3 Transistores MOSFET I. Introduccin. Teora de operacin y caractersticas I-V modelo de canal largo. Circuito equivalente a pequeas seales y respuesta en frecuencia. Regin del subumbral. Tipos de Mosfets. 3.4 Transistores MOSFET II. Mtodos de control del voltaje de umbral: control del dopado del substrato, implantacin inica, polarizacion del substrato. Escalamiento de los Mosfets. Efectos de canal corto: reduccin de la movilidad, corriente de saturacin. DIBL. Reduccin del voltaje de umbral. Efectos en la corriente de fuga. Bibliografa: 1. Introduction to Electronic Devices. Michael Shur. Jonh Wiley & Sons. 1996 2. Semiconductor devices. Jasprit Singh. Macgraw Hill. 2d. Ed. 2002. 3. Device Electronics for Integrated Circuit. R.S. Muller and T. Kamins with Mansun Chan. 3er. Ed. John Wiley & Sons 2003. 4. Semiconductor Devices: Physics and Technology. S.M. SZE. 2d. Ed. John Wiley & Sons. 2002 5. IEEE Transactions on Electron devices. Artculos de inters. ----------------------------------------------------------------------------------------------------------

Segundo Cuatrimestre (Enero-Abril)

Diseo de Circuitos Analgicos II


INSTRUCTOR: Dr. Federico Sandoval-Ibarra

CINVESTAV, Unidad Guadalajara SESION: Mircoles-Jueves, 9:00-11:00 Hrs, Mayo-Agosto 2007 Unidad Guadalajara

DESCRIPCIN: Incorporar los fundamentos del anlisis de circuitos en el dominio del tiempo, de la frecuencia, y a nivel DC es la base para el diseo de circuitos analgicos de mayor complejidad. Este curso, orientado al diseo de circuitos y sistemas de seal mezclada en tecnologa CMOS, presenta los principios bsicos de operacin de convertidores analgico-digital (ADC). Simulacin a nivel transistor, desarrollo de layout, y simulacin post-layout constituyen aspectos bsicos de todo flujo de diseo. Por lo anterior, este curso usa la plataforma de diseo Tanner-Tools, del cual Tspice y Ledit sern ampliamente utilizados. OBJETIVO GENERAL: Desarrollar habilidades para disear circuitos integrados de seal mezclada a partir de la descripcin de especificaciones.

CONTENIDO: 7. Introduccin
7.1 7.2 7.3 7.4 Flujo de Diseo Conversin analgico-digital Diseo en tiempo continuo y en tiempo discreto Operacin en modo voltaje y en modo corriente

8. Tcnicas de Conversin Analgico-Digital


8.1 8.2 8.3 8.4 Algortmico Doble Rampa Diseo R-2R Sigma-Delta

9. ADC Algortmico
9.1 9.2 9.3 Celda bsica: Espejo de corriente Multiplicador de corriente Comparador de corriente Aproximacin Pipeline Circuitos digitales Simulacin, layout y simulacin post-layout

9.4
9.5 9.6

10.
10.1 10.2 10.3 10.4 10.5 10.6 11.1

ADC de Doble Rampa


Diseo con Capacitores Conmutados El integrador ideal Interruptores MOS y capacitares integrados Comparadores de voltaje Circuitos digitales Simulacin, layout y simulacin post-layout El Resistor y descripcin de no idealidades

11.

ADC R-2R

11.2 11.3 11.4 11.5 11.6

Resistores integrados en silicio Circuitos sumadores de voltaje Convertidores digital-analgico (DAC) Circuitos digitales Simulacin, layout y simulacin post-layout

12.
12.1 12.2 12.3

ADC Sigma-Delta
Tcnicas de modulacin Sobremuestreo de seales Diseo con corriente conmutada Circuito z-, z-1 e integrador de corriente Convertidor digital-analgico de 1 bit Circuito cuantizador Simulacin spice

12.4

12.5 12.6 12.7

Referencias y Literatura recomendada:


[1] [2] [3] [4] [5] Switched-Capacitor Circuits, IEEE Press Modeling of the MOS transistor, Y. P. Tsividis, McGraw-Hill IEEE Journal of Solid-State Circuits: Selected Papers Jacob Baker, CMOS Design, Layout and Simulation, Ed. Wiley Kang and Leblebici, CMOS Integrated Circuits, McGraw Hill

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DISEO DIGITAL II
Clave del Curso: EED307-2
PROFESOR: Dr. J.L. Leyva Dr. Ramon Parra.
PERIODO: 2o. Cuatrimestre. Enero-Abril

Objetivo general del curso Implementar un diseo digital en un dispositivo programable y verificar su funcionamiento de acuerdo a las especificaciones del proyecto Objetivos especficos del curso 1.- El alumno conozca el flujo de diseo de un producto electrnico. 2.- El alumno sea capaz de implementar algoritmos en hardware
3.- El alumno realice un diseo digital funcional y lo implemente en un dispositivo programable. 4.- El alumno adquiera experiencia en algunas de las herramientas CAD utilizadas en el diseo digital industrial.

CONTENIDO 1. Introduccin. 1.1.Objetivos Generales 1.2.Contexto del curso 1.3.Expectativas generales 2. Conceptos bsicos. 2.1.Sistemas numricos 2.2.Algebra de Boole 3. Circuitos combinacionales. 3.1. Lgica de circuitos combinacionales 3.2. Compuertas lgicas digitales 3.3. Diseo de circuitos combinacionales 3.4. Unidades bsicas de combinacionales para RTL 3.5. Familias lgicas 3.6. Tecnologas VLSI 3.7. Compromiso Hardware-velocidad 3.8.Eficiencia en temporizacin en el diseo de circuitos combinacionales. 4. Circuitos secuenciales. 4.1. Registros 4.2. Modelado de mquinas de estado finito 4.3. Diseo de circuitos secuenciales 4.4. Unidades bsicas secuenciales para RTL 4.3. Optimizacin y temporizacin

5. Implementacin de algoritmos en hardware. 5.1. Diseo a nivel RTL 5.2.Concepto de FSMD 5.3.Caminos de datos 5.4.Diseo de la unidad de control 5.5.Metodologa de diseo 5.6.Sntesis a partir de cartas ASM 5.7.Eficiencia en el diseo: Compartimiento de los registros, unidad funcional y bus 5.8.Pipeline en la unidad funcional, Datapaths y unidad de control 5.9.Planificacin. 5.10. Otros

6. Proyecto: Diseo e implementacin de un circuito lgico. 6.1.Introduccin. 6.2.Asignacin de proyectos. 6.3.Flujo de diseo de un circuito lgico 6.4.Responsabilidades del ingeniero de diseo 6.5.Requerimientos de diseo 6.6.Propuesta de diseo 6.7.Especificacin tcnica 6.8.Plan de pruebas 7. Diseo global de un proyecto en ASICS 7.1. Historia de las metodologas de diseo: historia del ingeniero 7.2. Herramientas CAD-EDA 7.3. Flujo de diseo de un circuito lgico 7.4. Diseo Bottom-Up 7.5. Diseo Top-Down 7.6. Descripcin del diseo 7.7. Conclusiones 8. VHDL 8.1. Introduccin 8.2. Importancia de VHDL 8.3. Estructura de diseo de un circuito lgico. 8.4. Unidades de diseo en VHDL 8.5. Metodologas de diseo en VHDL 8.6. Elementos sintcticos 8.6.1. Operadores y expresiones 8.6.2. Tipos de datos 8.6.3. Declaraciones de objetos 8.6.4. Sentencias 8.6.5. Otros 8.7. Lgica programable 8.8. Entendiendo al compilador 9. Diseando con VHDL

9.1. Memorias. 9.2. Multiplexores. 9.3. Decodificadores. 9.4. Registros. 9.5. Buses. 9.6. Unidades de control 9.7. Optimizacin de rea, velocidad y recursos. 9.8. Interfaz entre circuitos 9.8.1. ASIC como master 9.8.2. ASIC como esclavo 9.9. Camas de pruebas 9.10. Proyecto integrador 10. Diseo de Sistemas incrustados 9.1. Codiseo Hardware/Software 9.2. Integracin de sistema incrustado: Microprocesador ms perifricos 9.3. Manejo de Herramienta CAD-EDA 9.4. Proyecto Integrador
BIBLIOGRAFIA

1 2 3 4 5. 6. 7.

Principles of Digital Design. Daniel D. Gajski. Prentice Hall. The art of digital design. David Winkel Prentice Hall 1980. The Designers Guide to VHDL. Peter J. Ashenden. Morgan Kaufmann Publishers. 1996 Tecnologa Informtica. Fernando Pardo Carpio. Universidad de Valencia 1996. VHDL for programmable logic. Kevin Skahill. Addison-Wesley. VHDL. Douglas L. Perry. Mc. Graw Hill Inc. Max+Plus II Getting Started. Altera. Descripcin del curso:

Los captulos 1ro al 5to tienen por objeto hacer notar los elementos y tpicos que el estudiante debera conocer y dominar para poder realizar el proyecto. El desarrollo del curso sera de la siguiente manera: Las primeras 3 semanas del curso se llevarn nicamente con el libro de Gajski. A partir de la 4ta semana se asignarn los proyectos que se deben desarrollar durante el curso, a partir de entonces las clases se dividirn de la siguiente manera, por una parte continuarn llevando las clases de los captulos 1ro al 5to apoyndose en el libro de texto, y por otra parte se comenzar a partir del captulo 6, el desarrollo del proyecto. Durante el curso se tendrn sesiones de Revisin de Diseo con el objetivo de encaminar el desarrollo de los proyectos en la materia. Paralelamente a las clases a partir del captulo 8 se llevarn prcticas de laboratorio. Terminando los cursos mencionados, todo el tiempo se le dedicar al desarrollo del proyecto. De ser necesarias se llevarn a cabo Revisiones de Diseo extras fuera del horario del curso. Todos los proyectos deben de ser terminados, la calificacin ser preponderantemente proporcional al grado de desarrollo del proyecto. Es

imperativo entregar al menos el proyecto en simulacin con su TDS y metodologa de diseo para poder aprobar el curso Los proyectos terminados sern expuestos a la comunidad estudiantil del CINVESTAV, recibiendo un distintivo al mejor realizado Prcticas: 1. Manejo de una herramienta CAD (Maxplus2 tentativamente) Esta prctica consiste en utilizar una herramienta CAD para capturar y compilar un diseo, como escoger arquitecturas para sntesis y verificacin de los reportes. 2. Simulacin. Esta prctica se hace lo mismo que la prctica uno pero con un proyecto propuesto, se simula el sistema y se verifica como responde a vectores de pruebas. 3. Prcticas con la herramienta. Consiste en realizar modificaciones a varios programas, completar ejercicios y realizar las pruebas de simulacin que se indiquen. El objetivo es denotar problemas que se tendrn a la hora de especificar hardware con un lenguaje de alto nivel. Qu es lo que entiende el sintetizador?. -Seales contra variables. -Concatenar y separar buses. -Conversion de tipos. -etc. 4. Sntesis. Esta prctica consiste en sintetizar un circuito en el mdulo de desarrollo de alguna herramienta. Proyectos. Ver anexo Evaluacin. Proyecto 60% Prcticas y tareas 20% (ponderadas) Exmenes 20% ----------------------------------------------------------------------------------------------------------

Comunicaciones digitales I
Clave del Curso: EET305-2
Profesor: Dr. Ramn Parra.

1.- Descripcin general del curso


1.1 Contexto del curso El curso de Comunicaciones Digitales I es un curso de especialidad obligatorio para la maestra en ciencias, especialidad Telecomunicaciones en CINVESTAV Unidad Guadalajara; tiene un valor de 8 crditos, y se imparte en el segundo cuatrimestre de la maestra. Las materias con que se relacionan son Seales y Sistemas Deterministas y Probabilidad y Procesos Estocsticos, del primer cuatrimestre, Procesamiento Digital de Seales del segundo cuatrimestre, y Comunicaciones Digitales II del tercer cuatrimestre. La materia se imparte en dos sesiones de dos horas por semana, ms tiempo de asesoras fuera de clase. 1.2 Datos generales del curso: Nombre del curso: Comunicaciones Digitales I. Instructor: Dr. Ramn Parra Michel. Crditos: 8. Horas de Curso: 60. Objetivos general del Curso: Que el alumno comprenda las caractersticas principales de un sistema digital de comunicaciones. Que el alumno comprenda los criterios tericos de recepcin ptima de seales en presencia de ruido aditivo gaussiano. Que el alumno comprenda el problema de recepcin de seales en canales de banda amplia. Que el alumno realice simulaciones de un sistema de comunicaciones que se desempee de acuerdo al especificado por la teora. Horario: Lunes y Mircoles de 11:00 a 13:00 horas, en el Saln S4. Esquema de Trabajo: Sesenta horas de clase. Por cada hora de clase se supone que el alumno dedica tres horas para estudio y para la realizacin de ejercicios relacionados con los temas presentados. La herramienta de software que se utilizar para los programas de simulacin ser MATLAB. Evaluacin: Tareas 20 % 4 exmenes 80 %

2.- Descripcin detallada del curso


2.1. Objetivos del curso 2.1.1Objetivo especfico del curso. Entender el concepto de un sistema de comunicaciones, y los elementos que lo componen cuando el sistema se desea implementar sobre canales con ruido aditivo gaussiano de banda angosta y banda amplia. Adems, determinar para el sistema considerado, el compromiso existente entre diversos parmetros que intervienen en el

desempeo e inmunidad al ruido de las principales tcnicas de transmisin y recepcin de seales digitales, y las mtricas que se utilizan para especificar el desempeo del mismo. 2.1.2 Objetivo acadmico del curso. Que el alumno comprenda el contexto en que se implementa un sistema de comunicaciones digital al nivel de capa fsica, y entienda los principales elementos que lo conforman, de manera conceptual, prctica, y con conozca su desempeo terico. Los conceptos y temas fundamentales que el alumno deber entender al finalizar este curso son los siguientes: El concepto de seal, mensaje e informacin. Bloques principales de un sistema de comunicaciones. El concepto del canal de comunicaciones. Los principales mecanismos de propagacin en principales utilizados por sistemas de comunicacin. Las principales mtricas que se utilizan para determinar el desempeo de un sistema de comunicaciones. El concepto de modulacin digital de onda senoidal continua y su relacin con la modulacin analgica. Las tcnicas para hacer eficiente el ancho de banda de las seales transmitidas. La representacin pasabandas y pasabajas de las seales. La representacin de las seales moduladas en el espacio de seales. El concepto de constelacin de seales. La caracterizacin estocstica de las seales y canales de comunicacin. Los criterios de recepcin ptima en presencia de ruido gaussiano aditivo. La inmunidad al ruido de los esquemas de recepcin coherentes. La inmunidad al ruido de los esquemas de recepcin no coherentes. El problema de sincronizacin de portadora para sistemas coherentes. El concepto de sincronizacin de smbolo. Las principales tcnicas de multiplexaje. El problema de recepcin en canales gaussianos de banda limitada. La capacidad de realizar simulaciones de los sistemas de comunicacin estudiados. El diagrama a bloques de un sistema de comunicacin digital para canales conformados por ruido gaussiano aditivo y propiedad de limitacin en banda. 2.2 Tcnica didctica utilizada Este curso es impartido mediante diversas tcnicas didcticas, en partes se utilizar Aprendizaje Basado en Casos, y en partes se utilizar Aprendizaje basado en problemas. 2.3.- Forma de trabajo El curso se llevar a cabo con la presentacin del profesor de los temas que contiene el curso, as como el desarrollo de problemas demostrativos. Se dejarn ejercicios en clase para reforzar los conceptos aprendidos. Se realizarn tareas para reforzar los conceptos aprendidos en clase, las cuales podrn ser de corte analtico o programas en el ambiente de desarrollo Matlab.

Se realizarn trabajos de investigacin para contrastar las diferentes aproximaciones que diferentes autores dan al mismo tema. Se realizarn exposiciones de temas particulares. 2.4.- Esquema de calificaciones. 80% en 4 Exmenes parciales de 10% cada uno. 20% en tareas, y proyectos de investigacin. Cuenta en las tareas y reportes: que incluyan el nombre del estudiante, del profesor y la materia, que estn las tareas en limpio, que el problema est bien definido, la solucin estructurada y el resultado bien establecido. Entrada hasta los 10 minutos despus de inicio de horario de clase. No se considerar la asistencia. Correos para enviar los trabajos y tareas: rparra@gdl.cinvestav.mx. 2.5.- RECOMENDACIONES Las tareas suelen ser consideradas en el diseo de los exmenes. Tipo de aprendizaje que implica que debemos tomar cartas en el asunto en la manera de aprender: Realizando implementaciones y discutiendo con nuestros compaeros.

3. TEMARIO
3.1 INTRODUCION A LOS SISTEMAS DE COMUNICACIONES (14 horas) Introduccin Informacin, mensajes y seales Bloques que integran el sistema de comunicaciones Enfoque del diseo en comunicaciones y medidas de desempeo Mecanismos de propagacin de ondas de radio Modelos de prdidas por propagacin de ondas de radio y Link-Budget Modulacin de amplitud (2 horas) Modulacin de frecuencia y fase (2 horas) El ruido y la RSR en sistemas de modulacin analgica Inmunidad al ruido de los sistemas de modulacin analgicos Conversin de seal analgica a digital (2 horas) PROCESAMIENTO DIGITAL DE SEALES MEDIANTE MATLAB 3.2 SISTEMAS DE MODULACIN DIGITALES (8 horas)
Concepto de modulacin digital de onda continua Tcnicas para hacer eficiente el ancho de banda de seales transmitidas Simulacin de un sistema de comunicaciones digital de banda angosta y desmodulacin mediante detector de envolvente y receptor en cuadratura Tcnicas de modulacin digital de onda pulsante Propiedades de las tcnicas de modulacin por pulsos

3.3.- CARACTERIZACIN DE SEALES Y SISTEMAS (4 horas)

REPRESENTACIN ESTADSTICA DE SEALES Y SISTEMAS Aplicacin al clculo de correlacin de seales filtradas Aplicacin al clculo de la densidad espectral de potencia de seales codificadas Aplicacin al clculo del receptor digital en presencia de ruido Representacin pasabanda y compleja pasabajas. 3.4 ESPACIO DE SEALES (4 horas)

Espacios mtricos Espacios lineales Representacin de seal por funciones ortogonales Representacin espacial de seales Espacio de seales de energa finita 3.5 CANALES DE COMUNICACIN (6 hrs)

Clasificacin de sistemas de comunicaciones Medios de propagacin utilizados por diferentes sistemas de comunicacin Los fenmenos de propagacin del canal de radiocomunicaciones Transformacin de seales en canales analgicos Multitrayectoria y desvanecimientos Modelos matemticos de canales continuos Modelos estadsticos Canales de banda angosta Canales de banda amplia Canales de sistemas MIMO

3.6.- ESQUEMAS DE RECEPCIN PTIMA DE SEALES DIGITALES EN CANALES DE BANDA ANGOSTA (10 horas) Criterios de recepcin Algoritmos para deteccin coherente Filtros acoplados Inmunidad al ruido de la deteccin coherente Receptores no coherentes Inmunidad al ruido de la deteccin no coherente Canales con desvanecimiento temporal Diversidad en la recepcin

3.7.- SINCRONIZACION DE PORTADORA Y SMBOLO (4 horas) El problema de sincronizacin de portadora Tcnicas para resolver el problema de estimacin de portadora Sincronizacin de smbolo Algoritmo ELG

3.8.- ESQUEMAS DE MULTIPLEXAJE (4 horas)

Teora de multiplexaje Acceso mltiple por divisin de cdigo Acceso mltiple por divisin de tiempo Acceso mltiple por divisin de frecuencia y OFDM Acceso mltiple por divisin de espacio

3.9.- ESQUEMAS DE RECEPCIN PTIMA DE SEALES DIGITALES EN CANALES DE BANDA AMPLIA (6 horas) El problema de estimacin de canal Deteccin mediante Igualacin de Canal o Igualador Zero-Forcing o Igualador Lineal MSE o Igualador de decisin retroalimentada Deteccin mediante MLSE y el VA

4.- Bibliografa
4.1. Libros de Texto [1] Bernard Sklar, Digital Communications, 2nd Edition, Prentice Hall 2001. [2] John G. Proakis, Digital Communications, 3rd Edition, McGraw-Hill 1995. 4.2. Libros de apoyo [1] Simon Haykin, An introduction to analog & digital communications, Wiley. [2] Louis Frenzel, Sistemas Electrnicos de Comunicaciones, Editorial Alfaomega, 2003. [3] B. P. Lathi, Modern Digital and Analog Communication Systems, 3th Edition, Edit. Oxford University Press, 1998. O bien su traduccin al espaol. [4] Louis E. Frenzel, Electrnica para Communicaciones, Edit. McGraw-Hill, 3ra edicin, 2001. [5] Bruce Carlson, Paul B. Crilly, Janet C. Rutledge, Communication Systems, 4th Edition, McGraw-Hill 2002. [6] Leon Couch II, Digital and Analog Communication Systems, 5th Edition, Prentice Hall 1997. [7] Athanasios Papoulis, Probability, Random Variables and Stochastic Processes, 3th Edition, Mc Graw-Hill, 1991. [8] J. D. Parsons, The Mobile Radio Propagation Channel, John Wiley & Sons, 1992. [9] Theodore S. Rappaport, Wireless Communications, Prentice Hall PTR (IEEE Press), 1996. [10] William C. Jakes, Microwave Mobile Communications, AT&T, 1974, IEEE Press. (Reimpresin) 1994. [11] K. Sam Shanmugan, Michel C. Jeruchim, Phillip babalan, Simulation of Communications Systems, Plenum Press 1992. [12] Heinrich Meyr, Marc moeneclaey, Stefan A. Fechtel, Digital Communications Receivers, John Wiley & Sons, 1998. [13] Harry Van Trees, Detection, Estimation and Modulation Theory, Part I, John Wiley & Sons, 1968.

[14] David Middleton, An Introduction to Statistical Communication Theory,Mc Graw-Hill, 1960. [15] John G. Proakis, Masoud Salehi, Contemporary Communication Systems using Matlab, Thompson Learning, 2000. [16] Raymond Steele, Mobile Radio Communications, IEEE Press, New York 1992. [17] L. E. Frankes, Signal Theory, Prentice Hall 1969. [18] Carl W. Helstrom, Statistical Theory of Signal Detection, Pergamon Press 1968, 2nd Edition. [19] Marvin K. Simon, Sami H. Hinedi, William C. Lindsey, Digital Communication Techniques, Prentice Hall 1995.

Circuitos de RF I: Principios Bsicos. (Tpicos Avanzados de Ingeniera Elctrica)


Clave Curso: EE305-2 Profesor: Dr. J. R. Loo Yau Objetivo: el objetivo del curso es el de proporcionar al alumno las herramientas bsicas y necesarias para el anlisis de circuitos de RF. Por otro lado, el curso tambin tiene el firme propsito de instruir al alumno en las diferentes tcnicas de calibracin de los analizadores de redes vectorial. Temas: 1.- Teora de Redes para Circuitos en Bajas Frecuencia (6 horas). 1.1.- Parmetros Z. 1.2.- Parmetros Y. 1.3- Parmetros ABCD. 1.4.- Transformacin entre parmetros Z, Y y ABCD. 2.- Teora de Redes para Circuitos en Altas Frecuencias (6 horas). 2.1.- Parmetros S. 2.2.- Parmetros T. 2.3.- Transformacin entre parmetros S a Z, Y, ABCD y T. 3.- Aplicacin de Teora de Redes para Analizar Circuitos de RF (7 horas). 3.1.- Anlisis de circuitos de RF. 3.2.- De-embbeding. 4.- Lnea de Transmisin (7 horas). 4.1.- Circuito equivalente elctrico de una lnea de transmisin.

4.2.- Onda de propagacin en una lnea de transmisin. 4.3.- La lnea de transmisin sin prdidas. 4.4.- La lnea de transmisin terminada con una impedancia diferente de Z0. 5.- Carta de Smith (7 horas). 5.1.- Introduccin. 5.2.- Construccin de la carta de Smith 5.2.- Manejo de la carta de Smith. 5.3- Determinacin del VSWR utilizando la carta de Smith. 6.- Tcnicas de Calibracin para analizadores de redes vectoriales (7 horas) 6.1.- Short-Open-Load-Thru. 6.2.- Thru-Reflect-Line.. 6.3.- Thru-Attenuator-Reflect. 6.4.- Line-Reflect-Match. 6.5.- Line-Reflect-Line.

Tercer Cuatrimestre (Junio-Agosto)

Circuitos de RF II: (Tpicos Avanzados de Ingeniera Elctrica II)


Clave del curso: EED308-3 Profesor: Dr. J. R. Loo Yau Objetivo: el objetivo del curso es el de proporcionar al alumno las herramientas bsicas para el diseo de amplificadores de RF en pequea seal. As mismo este curso explora los circuitos no lineales como osciladores, mezcladores y amplificadores de potencia, todos bloques de un sistema de comunicacin de RF. Se busca que en este curso los estudiantes tengan la capacidad de manejar los simuladores de circuitos de RF como Adavance Design System (ADS) y Eagleware. 1.- Sntesis de lnea de transmisin. 1.1.- Ecuaciones para el diseo de lneas de transmisin. 2.- Acoplamiento de impedancia 2.1.- Acoplamiento con elementos concentrados. 2.2.- Acoplamiento con elementos distribuidos. 2.2.1.- Redes con un solo stub. 2.2.2.- Redes con dos stub. 3.- Filtros pasivos con elementos distribuidos y concentrados. 3.1.- Filtros pasa bajas. 3.2.- Filtros pasa altas.

3.3.- Filtros pasa banda. 4.- Amplificadores de propsito general. 4.1.- Crculos de estabilidad. 4.2.- Crculos de ganancia. 4.3.- Amplificador de alta ganancia. 4.4.- Crculos de ruido. 4.5.- Amplificador de bajo ruido. 4.6.- Amplificador multi-etapas. 5.- Osciladores de RF. 5.1.- Principio de oscilacin. 5.2.- Diseo de osciladores con parmetros de dispersin. 5.3.- Pruebas para osciladores. 6.- Mezcladores. 6.1.- Mezcladores con diodos 6.2.- Mezcladores con transistores. 6.3.- Pruebas para mezcladores. 7.- Amplificadores de potencia. 7.1.- Clase A. 7.2.- Clase B. 7.3.- Clase F 7.4.- Clase E. 7.5.- Pruebas para los amplificadores de potencia.

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Tecnologa de fabricacin en VLSI


Clave del curso: EED307-3 (Opcional como curso relacionado con el proyecto de Maestra). INSTRUCTOR: SESION: PERIODO: GENERACIN: Dr. Juan Luis del Valle Martes y Viernes, 9:00-11:00 Hrs Unidad Guadalajara 3. Cuatrimestre. Septiembre-Diciembre 2007-2008

La innovacin tecnolgica podra definirse como la velocidad con que una idea, un sistema o un producto pueden llegar al mercado para satisfacer una necesidad de la sociedad en los trminos ms ventajosos. La industria de los semiconductores es una organizacin de industrias relacionadas cuya principal motivacin es la innovacin tecnolgica. Es por esto que esta industria es una de las industrias ms importantes en la economa mundial. El desarrollo tecnolgico no es una actividad aislada, es parte de una actividad global, de una organizacin orientada a la innovacin tecnolgica, en la cual la investigacin cientfica, la ingeniera, el mercadeo y los negocios juegan un papel primordial.

El curso revisa en detalle los ms importantes procesos de fabricacin de circuitos integrados en la tecnologa CMOS, en la que los xidos y los metales juegan un papel de la misma importancia que los materiales semiconductores. Los xidos junto con los semiconductores definen las regiones activas del dispositivo, sirven como mascaras para la definicin de procesos selectivos, aslan elctricamente los dispositivos y aslan diferentes capas de metalizacin. Los metales aseguran la formacin de contactos ohmicos a los dispositivos, la interconexin entre dispositivos y bloques del sistema y juegan el importante papel de medio de comunicacin con el mundo exterior. En el curso se describen los principios bsicos de los procesos, el equipo y los modelos de los procesos de fotolitografia, la implantacin de impurezas, la difusin de impurezas, los procesos de oxidacin trmica y a baja temperatura, los procesos de grabado as como los de metalizacin y nivelado de las superficies. Durante el curso se introducen los programas de T-CAD que permiten la simulacin de los procesos as como la simulacin de dispositivos en 2 y 3 dimensiones. Tesis de Maestra. Como parte de su grado de Maestra en Ingeniera Elctrica, se requiere a los estudiantes a preparar una Tesis. Las tesis son diseadas para medir la habilidad de los estudiantes en el desarrollo de un tpico particular de investigacin, analizar sus resultados de su investigacin y su habilidad de comunicacin escrita y oral. Contenido: 6. Introduccin a la Tecnologa de VLSI 7. Procesos bsicos de manufactura Fotolitografia Difusin trmica de impurezas Implantacin inica de impurezas Oxidacin Deposicin Grabado

8. Introduccin a la simulacin de procesos y dispositivos usando herramientas de diseo asistido por computadora, T-CAD ISE. 9. Simulacin de dispositivos bsicos: Diodos, BJT y CMOS. 10. Proyecto de simulacin.

Referencias: 11. Silicon VLSI Technology. Fundamentals, Practice and Modeling. J.D. Plummer, M.D. Deal, P:B. Griffin. Prentice Hall, 2000. 12. Manuales de ISE.

13. IEEE Transactions on Electron devices. Artculos de inters. ----------------------------------------------------------------------------------------------------------

Teora Electromagntica. Antenas


Clave del curso: EES301-3

Pendiente

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Procesamiento digital de seales para telecomunicaciones


Clave del curso: EET306-3

Pendiente

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DISEO DIGITAL III


Clave del Curso: EED308-3
INSTRUCTOR: SESION: PERIODO: GENERACIN: Dr. Mariano Aguirre Intel, Tlaquepaque Jal. Martes y Jueves, 18:00-20:00 Hrs Unidad Guadalajara 2do. Cuatrimestre. Mayo-Agosto 2007-2008

DISEO DIGITAL III


DESCRIPCIN: Este curso se dirige al estudio de los subsistemas que conforman la arquitectura de un sistema digital complejo (Ps, DSPs y ASICs) y su interaccin con los elementos perifricos. Los temas que se revisan abarcan la descripcin de su funcionamiento, la

cuantificacin de su desempeo y las tcnicas de diseo para su optimizacin. As mismo, se estudian los conceptos de desarrollo de software para explotar sus caractersticas principales. Se estimula el desarrollo de modelos HDL, y la sntesis lgica y fsica en un flujo de diseo basado en celdas estndar. OBJETIVO GENERAL: Desarrollar los conocimientos y habilidades necesarias para disear un sistema digital complejo, tomando como base el anlisis y diseo de un sistema de procesamiento digital moderno, desde la especificacin de su arquitectura hasta su implementacin en un circuito integrado, usando un flujo de diseo con celdas estndar. OBJETIVOS PARTICULARES: - Desarrollar la habilidad de utilizar un enfoque jerrquico para analizar un sistema complejo. - Entender el funcionamiento de los subsistemas que integran un sistema de cmputo. - Comprender las interacciones principales de la interfase hardware/software. - Aprender a determinar las caractersticas del desempeo de un sistema de cmputo, y entender las tcnicas de diseo que permiten mejorarlo. - Ejercitar las herramientas de diseo asistido por computadora para realizar la sntesis lgica y fsica de un sistema digital, enfocando su realizacin en un circuito integrado. TEMARIO: Tema 1. Introduccin a la arquitectura de computadoras. 1.1. Conceptos y convenciones. 1.2. Componentes de un sistema de cmputo. 1.3. Interfase Hardware/Software. Tema 2. Cuantificacin del desempeo de un sistema de cmputo. 2.1. Mtricas de desempeo. 2.2. Comparacin de arquitecturas de procesadores modernos. Tema 3. Definicin de la arquitectura del conjunto de instrucciones. 3.1. Elementos de una instruccin. 3.2. Tipos de instrucciones. 3.3. Soporte para las instrucciones en el hardware.

Tema 4. Aritmtica de computadoras. 4.1. Representacin de nmeros. 4.2. Operaciones aritmticas y lgicas. 4.3. Diseo de una Unidad Aritmtica Lgica. 4.4. Operaciones complejas. 4.5. Operaciones en punto flotante. Tema 5. Ruta de datos y Ruta de control. 5.1. Diseo de la ruta de datos. 5.2. Realizacin multi-ciclos. 5.3. Diseo de la ruta de control. Tema 6. Optimizando el desempeo del sistema de procesamiento. 6.1. Realizacin en Pipeline 6.2. Problemas en un Pipeline. 6.3. Pipeline superescalar y dinmico 6.4. Diseo del sistema de memoria. 6.5. Memoria virtual. Tema 7. Interconectando dispositivos perifricos. 7.1. Estimando el desempeo de los dispositivos de Entrada/Salida. 7.2. Tipos y caractersticas de los dispositivos de Entrada/Salida. 7.3. Buses de interconexin. Tema 8. Sistemas multi-procesadores. 8.1. Programacin de multi-procesadores. 8.2. Interconexin de multi-procesadores BIBLIOGRAFIA VHDL Digital Design and Modeling with VHDL and Synthesis K. C. Chang

IEEE Computer Society Press The designer's guide to VHDL P. J. Ashenden Morgan Kaufmann Circuit Design with VHDL Volnei A. Pedroni MIT Press VERILOG The Verilog Hardware Description Language D. E. Thomas and P. R. Moorby Kluwer Academic Publishers Advanced Digital Logic Design: Using Verilog, FSM and Synthesis for FPGAs Sunggu Lee Thomson-Engineering Designing Digital Computer Systems with VERILOG David J. Lilja, Sachin Sapatnekar Cambridge University Press DISEO DIGITAL Digital Design: Principles and Practices John F. Wakerly Pearson Education Digital Design M. Morris Mano Pearson Education Application-Specific Integrated Circuits M. J. S. Smith

Addison Wesley ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS Computer Organization and Design J.L. Hennessy, D.A. Patterson Morgan Kaufmann Computer Architecture and Organization J.P. Hayes. McGraw-Hill Computer System Architecture Morris Mano Prentice Hall

TEMA
Tema 1. Introduccin a la arquitectura de computadoras. 1.1. Conceptos y convenciones. 1.2. Componentes de un sistema de cmputo. 1.3. Interfase Hardware/Software. Tema 2. Cuantificacin del desempeo de un sistema de cmputo. 2.1. Mtricas de desempeo. 2.2. Comparacin de arquitecturas de procesadores modernos. Tema 3. Definicin de la arquitectura del conjunto de instrucciones. 3.1. Elementos de una instruccin. 3.2. Tipos de instrucciones. 3.3. Soporte para las instrucciones en el hardware. Examen 1 Tema 4. Aritmtica de computadoras. 4.1. Representacin de nmeros. 4.2. Operaciones aritmticas y lgicas. 4.3. Diseo de una Unidad Aritmtica Lgica. 4.4. Operaciones complejas. 4.5. Operaciones en punto flotante. Tema 5. Ruta de datos y Ruta de control. 5.1. Diseo de la ruta de datos. 5.2. Realizacin multi-ciclos. 5.3. Diseo de la ruta de control. Tema 6. Optimizando el desempeo del sistema de procesamiento. 6.1. Realizacin en Pipeline 6.2. Problemas en un Pipeline. 6.3. Pipeline superescalar y dinmico 6.4. Diseo del sistema de memoria. 6.5. Memoria virtual. Tema 7. Interconectando dispositivos perifricos. 7.1. Estimando el desempeo de los dispositivos de Entrada/Salida. 7.2. Tipos y caractersticas de los dispositivos de Entrada/Salida. 7.3. Buses de interconexin. Examen 2 Tema 8. Sistemas multi-procesadores. 8.1. Programacin de multi-procesadores. 8.2. Interconexin de multi-procesadores Seminario TOTAL

HRS
1 1 2 1 2 1 2 2 2 2 2 4 2 4 4 2 4 2 1 1 4 1 1 2 2 2 2 2 2 60

FECHA

EVALUACION

3 Exmenes parciales Examen 1 (Temas 1, 2 y 3) Examen 2 (Temas 4, 5, 6 y 7) 20% 1 Proyecto (3 Reportes de avance) Definicin de la Arquitectura 10% Simulacin del Modelo HDL 20% Reporte final: Resultados de sntesis Simulacin post-sntesis Exposicin 10% 20% 20%

Cursos Opcionales. Fsica de Semiconductores. INSTRUCTOR: SESION: PERIODO: GENERACIN: Dr. Juan Luis del Valle Lunes a Viernes, 9:00-13:00 Hrs Unidad Guadalajara Propedeutico. Junio 2007 2006-2007

Descripcion. Los materiales semiconductores son la base de los dispositivos electrnicos modernos que han producido un salto cuantitativo en la sociedad de nuestros das. En este curso se revisan las principales propiedades de estos materiales sobre la base de conceptos elementales de fsica moderna, mecnica quntica y fsica del estado slido. Se introducen las propiedades de transporte electrnico como resultado de la propagacin de ondas electrnicas dentro de un cristal que conducen a los diagramas de bandas de energa y a los conceptos de ancho de banda prohibida y masa efectiva de los electrones. Se describen los conceptos de huecos y electrones como partculas portadoras de carga y se explica como pueden cambiarse a voluntad estas concentraciones de portadores en bases estadsticas, asimismo se introducen las tecnologas de crecimiento de cristales semiconductores y de su dopado. Se describen los fenmenos de dispersin que determinan la movilidad de los portadores de carga y la resistividad de los semiconductores. Se cubren los tpicos de interaccin de estos materiales con la radiacin que dan lugar a los efectos de fotoconductividad y emisin de luz. Finalmente se desarrollan las ecuaciones bsicas de transporte, electrostticas y de continuidad de carga que se aplican formalmente a la descripcin de las propiedades de las uniones p-n, un bloque bsico de construccin de los dispositivos con semiconductores. Objetivos Instruccionales. Los estudiantes debern: ser capaces de explicar la diferencia entre metales, aislantes y semiconductores, sobre la base del comportamiento de los electrones en los slidos. Explicar las propiedades elementales de los semiconductores sobre la base de sus diagramas de bandas de energa, as mismo, distinguir entre semiconductores elementales y semiconductores compuestos. Entender las relaciones entre la resistividad de los semiconductores y la movilidad de los portadores de carga y su concentracin en equilibrio trmico. Entender las propiedades de los semiconductores fuera de equilibrio trmico, tales como la inyeccin de portadores en exceso, su tiempo de vida y los mecanismos de generacin-recombinacin. Finalmente debern poder explicar las propiedades elctricas y electro-pticas de las uniones p-n en funcin de la solucin de las ecuaciones bsicas de electrosttica, continuidad, y dinmicas de los portadores fuera de equilibrio. CONTENIDO: 1. Electrones en los slidos 1.1 Resistores, conductividad. Modelo de Drude 1.2 Estructura de los semiconductores. Orden y cristales. 1.3 Conceptos de mecnica quntica. El tomo de Hidrogeno. 1.4. Ecuacin de Schrodinger. El problema del electrn libre, concepto de densidad de estados. El pozo de potencial. 1.5. Estadistica de los electrones. 1.6. De los niveles atmicos a las bandas de energa. 1.7. Metales, semiconductores, aislantes. 2. Electrones y huecos en los semiconductores. Equilibrio Termico 2.1 El concepto de masa efectiva en los semiconductores. 2.2 El concepto de hueco.

2.3 Estructuras de bandas de algunos semiconductores. 2.4 Semiconductores Intrnsecos. Densidad de portadores. Nivel de Fermi. 2.5 Semiconductores Extrnsecos. Dopamiento y densidad de portadores. 2.6 Nivel de Fermi extrnseco. 3. Dinmica de los portadores de carga en los semiconductores. Fuera de equilibrio 3.1 Dispersin de los portadores libres en semiconductores. 3.2 Relacin entre la velocidad de arrastre y el campo aplicado. 3.3 Efectos de campos elevados. Ruptura por avalancha. 3.4 Transporte de los portadores libres por difusin. 3.5 Efectos de difusin y arrastre. 3.6 Inyeccin de carga y casi-equilibrio. 3.7 Generacin y recombinacin de electrones y huecos. 3.8 Longitud de difusin y ecuaciones de continuidad. 3.9 Las cinco ecuaciones en anlisis de semiconductores.

4. La Unin P-N 4.1 Introduccin. 4.2 Electrosttica de las uniones P-N 4.3 Union P-N ideal. Caractersticas Corriente-Voltaje. 4.4 Union P-N real. Voltaje de Ruptura. 4.5 Union P-N real. Corrientes de recombinacin-generacin. 4.6 Union P-N real. Efectos de alto nivel de inyeccin. Resistencia serie. 4.7 Unin P-N real. Modelos a pequea seal. Bibliografia: 1.Introduction to Electronic Devices. Michael Shur. Jonh Wiley & Sons. 1996 2. Notas del curso